Mram memory device and manufacturing method thereof
Номер патента: US09997562B1
Опубликовано: 12-06-2018
Автор(ы): Benfu Lin, Chim Seng Seet, Kai Hung Alex See, Lei Wang
Принадлежит: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-06-2018
Автор(ы): Benfu Lin, Chim Seng Seet, Kai Hung Alex See, Lei Wang
Принадлежит: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Magnetic random access memory using single crystal self-aligned diode and manufacturing and operating method thereof
Номер патента: TWI332210B. Автор: Chia Hua Ho,Hsiang Lan Lung,Yen Hao Shih. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-21.