Method, apparatus and system for using free-electron laser compatible EUV beam for semiconductor wafer metrology
Номер патента: US09844124B2
Опубликовано: 12-12-2017
Автор(ы): Erik Robert Hosler, Pawitter J. S. Mangat
Принадлежит: Globalfoundries Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-12-2017
Автор(ы): Erik Robert Hosler, Pawitter J. S. Mangat
Принадлежит: Globalfoundries Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Free-electron laser driven by fiber laser-based laser plasma accelerator
Номер патента: US09768580B2. Автор: Toshiki Tajima,Kazuhisa Nakajima,Gerard Mourou. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE. Дата публикации: 2017-09-19.