Semiconductor arrangement and formation thereof
Номер патента: US09776858B2
Опубликовано: 03-10-2017
Автор(ы): Chia-Ming Hung, Hsiang-Fu Chen, Hsin-Ting HUANG, Hung-Hua Lin, Shao-Chi Yu, Wen-Chuan Tai, Yuan-Chih Hsieh
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-10-2017
Автор(ы): Chia-Ming Hung, Hsiang-Fu Chen, Hsin-Ting HUANG, Hung-Hua Lin, Shao-Chi Yu, Wen-Chuan Tai, Yuan-Chih Hsieh
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for producing a semi-conductor arrangement and corresponding semi-conductor arrangement
Номер патента: US20170278822A1. Автор: Andreas Apelsmeier,Günter Vetter,Henning Suckel. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2017-09-28.