Method and system of programmable resistive devices with read capability using a low supply voltage
Номер патента: US09496033B2
Опубликовано: 15-11-2016
Автор(ы): Shine C. Chung
Принадлежит: Attopsemi Technology Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-11-2016
Автор(ы): Shine C. Chung
Принадлежит: Attopsemi Technology Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Circuit and System of Using Junction Diode of MOS as Program Selector for Programmable Resistive Devices
Номер патента: US20150029777A1. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-29.