Methods of forming strained and relaxed germanium fins for PMOS and NMOS finFET devices, respectively
Номер патента: US09455199B1
Опубликовано: 27-09-2016
Автор(ы): Ajey Poovannummoottil Jacob
Принадлежит: Globalfoundries Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 27-09-2016
Автор(ы): Ajey Poovannummoottil Jacob
Принадлежит: Globalfoundries Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods of forming PMOS and NMOS FinFET devices on CMOS based integrated circuit products
Номер патента: US09799767B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.