• Главная
  • High power semiconductor electric control - has several semiconductor elements clamped between two pressure pieces

High power semiconductor electric control - has several semiconductor elements clamped between two pressure pieces

Реферат: At least one semiconductor element is clamped between two pressure pieces and at least two parallel bolts are provided. The bolts are set perpendicular to the semiconductor element surfaces. They are held in a yoke at one of their ends, and apply pressure to a first pressure piece which is held by a spring away from the yoke. A pin (7) and springs (6) are held in a recess (14) in the first pressure piece (1). Force applied to the semiconductor element (3) is greater than 1500 kp.

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Clamping device for a semiconductor element

Номер патента: GB1524331A. Автор: . Владелец: Brown Boveri und Cie AG Germany. Дата публикации: 1978-09-13.

High power semiconductor device cooling apparatus and method

Номер патента: US4010489A. Автор: Frank J. Bourbeau,Barton L. Meredith,Arnold J. Rakowski. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1977-03-01.

Cooled high-power semiconductor device

Номер патента: US5132777A. Автор: Franz Kloucek. Владелец: Asea Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1992-07-21.

Oil cooled multistage depressed collector high power amplifier

Номер патента: WO2001075385A1. Автор: Fred M. Stefanik,Alvin M. See. Владелец: Thomcast Communications, Inc.. Дата публикации: 2001-10-11.

Cooling body for the liquid cooling of high-power semiconductor components

Номер патента: CA1223087A. Автор: Xaver Vogel. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1987-06-16.

Power semiconductor assembly and the method and apparatus for assembly thereof

Номер патента: US4040085A. Автор: Robert Jouanny. Владелец: Jeumont Schneider SA. Дата публикации: 1977-08-02.

Heat-resisting high-power diode

Номер патента: US20020145192A1. Автор: Chin-Feng Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

High power AC traction inverter cooling

Номер патента: US5253613A. Автор: Ronald B. Bailey,Ronald F. Griebel. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-10-19.

Embedded package for power semiconductor device

Номер патента: US20030214020A1. Автор: Charng Sheen. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Packaging of high power semiconductor lasers

Номер патента: CA2128068C. Автор: Douglas Warren Hall,Julia Alyson Sharps,Roger F. Bartholomew,Paul Anthony Jakobson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 1998-12-15.

Packaging of High Power Semiconductor Lasers

Номер патента: CA2128068A1. Автор: Douglas Warren Hall,Julia Alyson Sharps,Roger F. Bartholomew,Paul Anthony Jakobson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 1995-01-15.

Spring electrode for press-pack power semiconductor module

Номер патента: US20200152595A1. Автор: Shigeto Fujita,Tetsuya Matsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Package module structure for high power device with metal substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130020726A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Kyoung-Min Kim. Владелец: Wavenics Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Power semiconductor device module baseplate having peripheral heels

Номер патента: US09929066B1. Автор: Thomas Spann. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Assembly of series connected semiconductor elements having good heat dissipation

Номер патента: US3619734A. Автор: Arye Rosen,Jacques Mayer Assour. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1971-11-09.

Pressure-contact power semiconductor module and method for producing the same

Номер патента: US20080266812A1. Автор: Jürgen Steger,Frank Ebersberger. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2008-10-30.

A power semiconductor arrangement and a semiconductor valve provided therewith

Номер патента: EP2132773A1. Автор: Björn SANDIN. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2009-12-16.

Power semiconductor module

Номер патента: EP1861878A2. Автор: Norifumi Furuta. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2007-12-05.

High power semiconductor package subsystems

Номер патента: US20170271292A1. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Scott M. Hayes,Mahesh K. Shah,Scott D. Marshall. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Power semiconductor device

Номер патента: US09685399B2. Автор: Toru Kimura,Yoichi Goto,Kiyofumi Kitai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

High power semiconductor package subsystems

Номер патента: US09673162B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Scott M. Hayes,Mahesh K. Shah,Scott D. Marshall. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09716072B2. Автор: Hiroshi Kawashima,Taketoshi Shikano,Ken Sakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240096727A1. Автор: Hiromi Shimazu,Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240234260A9. Автор: Takuya Sakamoto,Keitaro Ichikawa,Yuji Shikasho. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240136257A1. Автор: Takuya Sakamoto,Keitaro Ichikawa,Yuji Shikasho. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Power semiconductor module and composite module

Номер патента: US09761567B2. Автор: Motohito Hori,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160343644A1. Автор: Hiroshi Kawashima,Taketoshi Shikano,Ken Sakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Power semiconductor device

Номер патента: US09627302B2. Автор: Taketoshi Shikano,Keitaro Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Power semiconductor device

Номер патента: US9646927B2. Автор: Keita Takahashi,Mamoru Kamikura,Nobuyuki HARUNA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Power semiconductor module with overcurrent protective device

Номер патента: US20070085181A1. Автор: Dejan Schreiber,Christian Kroneder,Uwe Scheuermann. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: US20120068357A1. Автор: Yasuhito Saito,Masahiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Power semiconductor module device and power semiconductor module manufacturing method

Номер патента: US20190198428A1. Автор: Kohei Tatsumi. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-27.

Power semiconductor device

Номер патента: EP2600399A3. Автор: Yasuhiro Nemoto,Hisashi Tanie,Keisuke Horiuchi,Yu Harubeppu,Takayuki Kushima. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2017-08-09.

Semiconductor device with stacked semiconductor elements

Номер патента: US6858920B2. Автор: Kazushi Hatauchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-22.

Power semiconductor module

Номер патента: US20070158859A1. Автор: Martin Hierholzer. Владелец: Martin Hierholzer. Дата публикации: 2007-07-12.

Power semiconductor apparatus

Номер патента: US11848245B2. Автор: Takashi Hirao,Hironori Nagasaki,Shintaro Tanaka. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Power semiconductor module

Номер патента: US20150340297A1. Автор: Yoshikazu Takahashi,Motohito Hori,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240282665A1. Автор: Takashi Hirao,Eiichi Ide,Yujiro Kaneko,Junpei Kusukawa. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Power semiconductor device

Номер патента: US09698091B2. Автор: Junji Fujino,Naoki Yoshimatsu,Yuji Imoto,Shinsuke Asada,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Power semiconductor device

Номер патента: US20190279943A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Yoshinori Yokoyama,Shinnosuke Soda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Power semiconductor device

Номер патента: US10553559B2. Автор: Takayuki Yamada,Takao Mitsui,Masaru Fuku,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

High power density 3D semiconductor module packaging

Номер патента: US12068298B2. Автор: Haihui Luo,Yangang WANG,Guoyou Liu. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Power semiconductor module with press-fit contact element

Номер патента: US11387588B2. Автор: Ingo Bogen,Alexander Wehner. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-07-12.

Vertical power semiconductor device

Номер патента: EP3823019A2. Автор: Hiroshi Shintani,Naoki Takeda,Tomohiro Onda,Hisashi Tanie,Kenya Kawano,Yu Harubeppu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Power semiconductor module with press-fit contact element

Номер патента: US20210336370A1. Автор: Ingo Bogen,Alexander Wehner. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-10-28.

Electric power semiconductor device

Номер патента: US09433075B2. Автор: Yutaka Yoneda,Masafumi Sugawara,Junji Fujino,Yoshitaka Onishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Power semiconductor device

Номер патента: US20180197838A1. Автор: Takayuki Yamada,Takao Mitsui,Masaru Fuku,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Power semiconductor module

Номер патента: US20170271275A1. Автор: Yuki Inaba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Power semiconductor module

Номер патента: US20150255442A1. Автор: Hiroshi Matsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Power semiconductor module

Номер патента: US09881879B2. Автор: Yuki Inaba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Power converter for high power density

Номер патента: US11750089B2. Автор: Lin Chen,Zhiqiang Niu,Ziwei Yu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Power converter for high power density applications

Номер патента: US20230412070A1. Автор: Lin Chen,Zhiqiang Niu,Ziwei Yu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Power converter for high power density applications

Номер патента: US12015336B2. Автор: Lin Chen,Zhiqiang Niu,Ziwei Yu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Power semiconductor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140131846A1. Автор: Ming Shang,Masataka Shiramizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Power semiconductor device

Номер патента: US11894348B2. Автор: Takashi Hirao,Toru Kato,Hironori Nagasaki,Shintaro Tanaka. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Power semiconductor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150318189A1. Автор: Ming Shang,Masataka Shiramizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Array of heat-sinked power semiconductors

Номер патента: US20240339374A1. Автор: Jeffrey J. Ronning. Владелец: American Axle and Manufacturing Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Array of heat-sinked power semiconductors

Номер патента: US12046529B2. Автор: Jeffrey J. Ronning. Владелец: American Axle and Manufacturing Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210249526A1. Автор: Norikazu Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Power Semiconductor Module Arrangement

Номер патента: US20200098662A1. Автор: Reinhold Bayerer,Frank Sauerland. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-26.

Power semiconductor module

Номер патента: US09941255B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yukimasa Hayashida,Yoshiko Tamada,Junichi Nakashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Power semiconductor module

Номер патента: US09899328B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yukimasa Hayashida,Yoshiko Tamada,Junichi Nakashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240040702A1. Автор: Takeshi Tokuyama,Takahiro Araki,Shigehise AOYAGI. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Power semiconductor module with power semiconductor switches

Номер патента: US20200343225A1. Автор: Martin Kraus,Klaus Benkert. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-10-29.

Embedded type package of power semiconductor device

Номер патента: US6455929B1. Автор: C. G. Sheen. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Power semiconductor arrangement

Номер патента: US20170186673A1. Автор: Ludwig Hager,Rainer Weiss,Ingo Bogen. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-29.

Power Semiconductor Module and Method for Producing a Power Semiconductor Module

Номер патента: US20230307332A1. Автор: Roland Lorz,Philipp Kneißl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Power semiconductor apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220352049A1. Автор: Kenichi Hayashi,Hiroyuki Yoshihara,Masaki Goto,Shunji Masumori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Power semiconductor module having a DC voltage connecting device

Номер патента: US12062601B2. Автор: Jürgen Steger,Alexander Wehner,Manuel Noderer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-13.

Power semiconductor package

Номер патента: US20240355753A1. Автор: Patrick Bauer,Mika Nuotio,Dieter Jelinek,Oguz DEMIR. Владелец: PIERBURG GMBH. Дата публикации: 2024-10-24.

Package, and method for manufacturing power semiconductor module

Номер патента: US20220077033A1. Автор: Yoshio Tsukiyama,Teppei YAMAGUCHI. Владелец: NGK Electronics Devices Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Thermal Enhanced Power Semiconductor Package

Номер патента: US20240243106A1. Автор: Yusheng Lin,Daniel Ginn Richter. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Thermal enhanced power semiconductor package

Номер патента: WO2024151430A2. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Devarajan Balaraman,Daniel Ginn Richter. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Thermal enhanced power semiconductor package

Номер патента: WO2024151430A3. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Devarajan Balaraman,Daniel Ginn Richter. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Multichip power semiconductor device

Номер патента: US09443760B2. Автор: Joachim Mahler,Thomas Bemmerl,Anton Prueckl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-13.

Low inductance bond-wireless co-package for high power density devices, especially for igbts and diodes

Номер патента: WO2007120769B1. Автор: Henning M Hauenstein. Владелец: Henning M Hauenstein. Дата публикации: 2008-09-12.

High power transistors

Номер патента: EP3497727A1. Автор: Vincent Ngo,Aram Mkhitarian. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2019-06-19.

High power transistors

Номер патента: US20190214330A1. Автор: Vincent Ngo,Aram Mkhitarian. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

High power transistors

Номер патента: WO2018031076A1. Автор: Vincent Ngo,Aram Mkhitarian. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2018-02-15.

High power transistors

Номер патента: EP3703135A1. Автор: Vincent Ngo,Aram Mkhitarian. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2020-09-02.

High power transistors

Номер патента: US11862536B2. Автор: Vincent Ngo,Aram Mkhitarian. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Array of heat-sinked power semiconductors

Номер патента: WO2023249976A1. Автор: Jeffrey J. Ronning. Владелец: AMERICAN AXLE & MANUFACTURING, INC.. Дата публикации: 2023-12-28.

Array of heat-sinked power semiconductors

Номер патента: US20240079289A1. Автор: Jeffrey J. Ronning. Владелец: American Axle and Manufacturing Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Power semiconductor module and power conversion device

Номер патента: EP4358135A1. Автор: Katsuaki Saito,Daisuke Kawase,Akira Mima,Taiga Arai,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Method for manufacturing a power semiconductor module and power semiconductor module

Номер патента: US20230197468A1. Автор: Jürgen Steger,Stefan Oehling. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-06-22.

Power semiconductor module and method for producing a power semiconductor module

Номер патента: US20220301998A1. Автор: Alexander Wehner,Manuel Noderer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-09-22.

Power semiconductor device

Номер патента: US20150163914A1. Автор: Peter Lemke. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-06-11.

IGBT power semiconductor package having an electrically conductive clip

Номер патента: EP2498289A3. Автор: Hsueh-Rong Chang. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2017-08-16.

Embedded die packaging for power semiconductor devices

Номер патента: US20220246503A1. Автор: Greg P. KLOWAK,Cameron MCKNIGHT-MACNEIL. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Power semiconductor module arrangement

Номер патента: EP4428914A1. Автор: Christoph Bayer,Matthias Burger,Ulrich Nolten,Mark Essert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-11.

Power semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US09893000B2. Автор: Jae Sik Choi,Dong Seong Oh,Jun Young HEO,Si Hyeon GO,Moon Taek SUNG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Power semiconductor device

Номер патента: US09620444B2. Автор: Masaki Kato,Masahiko Fujita,Dai Nakajima,Tatsuya Fukase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor device

Номер патента: US20220013432A1. Автор: Hiromi Shimazu,Akira Matsushita,Toru Kato,Eiichi Ide,Yujiro Kaneko. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Power semiconductor device, method for manufacturing power semiconductor device, and power conversion apparatus

Номер патента: US11887903B2. Автор: Tomonori Tagami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Power electronic arrangement with a multi-phase power semiconductor module

Номер патента: US11804785B2. Автор: Jürgen Steger,Andreas Maul. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-10-31.

Power electronic arrangement with a multi-phase power semiconductor module

Номер патента: US20210336553A1. Автор: Jürgen Steger,Andreas Maul. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-10-28.

Power semiconductor module

Номер патента: US20150115428A1. Автор: Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Power semiconductor module

Номер патента: RU2314597C2. Автор: Стефан КАУФМАНН,Джером АССАЛ. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor package for multiple high power transistors

Номер патента: US20030151114A1. Автор: Gideon Zyl. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2003-08-14.

Metal pad of a semiconductor element

Номер патента: US20030146483A1. Автор: Ray Chien. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2003-08-07.

Power semiconductor module

Номер патента: US20110062491A1. Автор: Shuhei Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Power semiconductor module and manufacturing method for power semiconductor module

Номер патента: US20220020651A1. Автор: Haruhiko Ito,Yuhji Umeda,Yoshio Tsukiyama. Владелец: NGK Electronics Devices Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Package for high-power semiconductor devices

Номер патента: US09559034B2. Автор: Deep C. Dumka,Tarak A. Railkar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Power semiconductor apparatus

Номер патента: US20220359434A1. Автор: Eiichi Ide,Junpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-11-10.

Power semiconductor module and method for producing the same

Номер патента: EP4401126A2. Автор: Olaf Hohlfeld,Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-17.

Power semiconductor module and method for producing the same

Номер патента: EP4401126A3. Автор: Olaf Hohlfeld,Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-25.

Power semiconductor device

Номер патента: US20190103374A1. Автор: Sho Kumada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Power semiconductor device

Номер патента: US20190267331A1. Автор: Hiroyuki Harada,Koji Yamada,Kozo Harada,Takashi Nishimura,Yasumichi Hatanaka,Masayuki Mafune. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Package for high-power semiconductor devices

Номер патента: US20150104906A1. Автор: Deep C. Dumka,Tarak A. Railkar. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Package for high-power semiconductor devices

Номер патента: US20160155681A9. Автор: Deep C. Dumka,Tarak A. Railkar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-06-02.

High-power amplifier package

Номер патента: US09960127B2. Автор: Timothy Gittemeier. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Planar power module with high power density packaging

Номер патента: US11817750B2. Автор: Ming Liu,Anthony M. Coppola,Muhammad H. Alvi. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-11-14.

Power semiconductor module comprising a case, base plate, and spacer

Номер патента: US09653369B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Akihiko Yamashita,Rei YONEYAMA,Ryo Goto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240014088A1. Автор: Eiichi Ide,Akira Mima,Junpei Kusukawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4006970A1. Автор: Eiichi Ide,Junpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

High power ceramic on copper package

Номер патента: US8110445B2. Автор: Anwar A. Mohammed,Soon Ing Chew,Donald Fowlkes. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-02-07.

High-power semiconductor module

Номер патента: US09490621B2. Автор: Thomas Setz,Tobias WIKSTRÖM. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2016-11-08.

High-power LED lamp cooling device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09412925B2. Автор: Zhiming Chen,Wei Gu. Владелец: Suzhou Weiyuan New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

High-Power led lamp cooling device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160133811A1. Автор: Zhiming Chen,Wei Gu. Владелец: Suzhou Weiyuan New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Power semiconductor module comprising at least one power semiconductor element

Номер патента: US20230352362A1. Автор: Claus Florian Wagner,Michael Woiton,Christian Radüge. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-11-02.

High-speed high-power semiconductor devices

Номер патента: US09543383B2. Автор: Yang Du,Vladimir Aparin,Robert P. Gilmore. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor electric energy converter module

Номер патента: RU2504864C2. Автор: Штефан ХЕНЧЕЛЬ,Харальд ПОНАТ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2014-01-20.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: WO2023028412A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: EP4393014A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Low light failure, high power led street lamp and method for manufacturing the same

Номер патента: US09989238B2. Автор: Zhiming Chen,Wei Gu. Владелец: Suzhou Weiyuan New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Field-controlled high-power semiconductor devices

Номер патента: WO1999065082A1. Автор: Jian H. Zhao. Владелец: Rutgers, the State University. Дата публикации: 1999-12-16.

Power semiconductor module and power conversion device

Номер патента: US09685879B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yuji Miyazaki,Hiroshi Nakatake,Yoshiko Obiraki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of making a semiconductor structure for high power semiconductor devices

Номер патента: US20060088978A1. Автор: Robert Howell,Rowland Clarke,Michael Aumer. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-04-27.

high power light emitting diode

Номер патента: US20090032822A1. Автор: Chun-Cheng Lin,Eddie Huang,Sheng-Jia Sheu,Abram Chang. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-05.

Power semiconductor having a lightly doped drift and buffer layer

Номер патента: USRE47710E1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-11-05.

Power semiconductor having a lightly doped drift and buffer layer

Номер патента: US20090166727A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-07-02.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: US11984433B2. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Power semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US10034401B2. Автор: Shinichi Fujino,Tokihito Suwa,Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko,Takahiro Shimura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2018-07-24.

Gate driving circuit for insulated gate-type power semiconductor element

Номер патента: US09966947B2. Автор: Kazuhiro Otsu,Junichiro Ishikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160155794A1. Автор: In Su Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

System and method for clamping press pack high power semiconductor

Номер патента: US20170112012A1. Автор: Al Powers. Владелец: Lwe Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Methods to harvest thermal energy during subsurface high power laser transmission

Номер патента: US20230116150A1. Автор: Damian Pablo San Roman Alerigi. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2023-04-13.

Power semiconductor module arrangement

Номер патента: US9661751B2. Автор: Reinhold Bayerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Power semiconductor devices including angled gate trenches

Номер патента: US12080790B2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

High-power electronic device packages and methods

Номер патента: US09601327B2. Автор: Patrick J. McCann. Владелец: University of Oklahoma . Дата публикации: 2017-03-21.

Power Semiconductor Element With Two-Stage Impurity Concentration Profile

Номер патента: US20120007223A1. Автор: Bernhard Koenig. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2012-01-12.

Power semiconductor device

Номер патента: US12068412B2. Автор: Jeong Mok Ha,Hyuk Woo,Sin A Kim,Tae Youp KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Power semiconductor module and power conversion device

Номер патента: US09979314B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yuji Miyazaki,Hiroshi Nakatake,Yoshiko Obiraki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Trenched power semiconductor element

Номер патента: US09799743B1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Po-Hsien Li,Jia-Fu Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

High power MOSFET and integrated control circuit therefor for high-side switch application

Номер патента: US4866495A. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1989-09-12.

Power semiconductor device

Номер патента: US20120241813A1. Автор: Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Gate trench power semiconductor devices having improved deep shield connection patterns

Номер патента: US11769828B2. Автор: Thomas E. Harrington, III,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

High power doherty amplifier

Номер патента: WO2004017512A9. Автор: Igor I Blednov. Владелец: Igor I Blednov. Дата публикации: 2005-02-17.

High power doherty amplifier

Номер патента: EP1532731A2. Автор: Igor I. Blednov. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-05-25.

Power semiconductor device

Номер патента: US20130248925A1. Автор: Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

High-power laser diode package

Номер патента: EP3864728A1. Автор: David Martin Hemenway. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2021-08-18.

High-power led light source module with optimized heat dissipation

Номер патента: US20240302033A1. Автор: Shaohui Pan,Yaoshun Hong. Владелец: Shenzhen Leaflife Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Power semiconductor device

Номер патента: US09620631B2. Автор: Kazutoshi Nakamura,Tomoko Matsudai,Hideaki Ninomiya,Tsuneo Ogura,Yuichi Oshino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor module with liquid cooling

Номер патента: US09578789B2. Автор: Andre Uhlemann,Thorsten Fath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Power semiconductor element

Номер патента: US09406668B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Daisuke Ueda,Tatsuo Morita,Shuichi Nagai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

High power MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage

Номер патента: US5338961A. Автор: Thomas Herman,Alexander Lidow. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1994-08-16.

Method of manufacture of high speed, high power bipolar transistor

Номер патента: US4416708A. Автор: Alexander Lidow,Edgar Abdoulin. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1983-11-22.

High power MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage

Номер патента: US5598018A. Автор: Thomas Herman,Alexander Lidow. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1997-01-28.

Ligh activated high power integrated pulser

Номер патента: US5146075A. Автор: Stephen Levy,Anderson H. Kim,Maurice Weiner,Robert J. Zeto. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1992-09-08.

Method for manufacturing semiconductor element, and semiconductor element body

Номер патента: US20220406641A1. Автор: Keiichiro Watanabe. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Power semiconductor device and power converter

Номер патента: US12057500B2. Автор: Kensuke Taguchi,Kazunari Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Power semiconductor component with trench-type field ring structure

Номер патента: US20090179224A1. Автор: Bernhard Konig. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2009-07-16.

High voltage and high power boost conveter with co-packaged schottky diode

Номер патента: US20120313613A1. Автор: Allen Chang,Wai-Keung Peter Cheng. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-12-13.

High-power field-effect transistor and method of making same

Номер патента: US4005467A. Автор: Claude Vergnolle. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1977-01-25.

High-power RF device with heat spreader bushing

Номер патента: US5291063A. Автор: Gary C. Adishian. Владелец: ENI Inc. Дата публикации: 1994-03-01.

High power electrostatic chuck design with radio frequency coupling

Номер патента: US11948826B2. Автор: HAITAO Wang,Vijay D. Parkhe,Kartik Ramaswamy,Chunlei Zhang,Jaeyong Cho. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Power semiconductor module

Номер патента: US11929354B2. Автор: Masanari Fujii. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Power semiconductor module

Номер патента: US20210242179A1. Автор: Masanari Fujii. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Power semiconductor device

Номер патента: US20120097974A1. Автор: Muhammad Nawaz. Владелец: UNIVERSITETSSENTERET PÅ KJELLER (UNIK). Дата публикации: 2012-04-26.

Power semiconductor device

Номер патента: US20230253448A1. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Silicon carbide lateral power semiconductor device

Номер патента: WO2024052643A1. Автор: Marina Antoniou,Peter Gammon,Yunyi QI,Ben RENZ. Владелец: THE UNIVERSITY OF WARWICK. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of Fabricating High-Power Module

Номер патента: US20200171578A1. Автор: Hung-Cheng Chen,Chang-Shu Kuo,In-Gann Chen,Steve Lien-Chung Hsu,Chia-Ming Yang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2020-06-04.

Power semiconductor device having a gate dielectric stack that includes a ferroelectric insulator

Номер патента: US12068390B2. Автор: Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Power semiconductor device with over-current protection

Номер патента: US20160056151A1. Автор: Xing Huang,David Charles Sheridan. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Optical semiconductor element, semiconductor laser, and method of manufacturing optical semiconductor element

Номер патента: US20120236394A1. Автор: Akinori Hayakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same

Номер патента: US09673362B2. Автор: Naoyuki Urasaki. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Power semiconductor device with over-current protection

Номер патента: US09673312B2. Автор: Xing Huang,David Charles Sheridan. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Controllable power semiconductor element with buffer zone and method for the manufacture thereof

Номер патента: US5466951A. Автор: Heinrich Brunner,York C. Gerstenmaier. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1995-11-14.

High power led lamp

Номер патента: US20020063521A1. Автор: Hassan Salam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Power semiconductor device

Номер патента: US20230299137A1. Автор: Guoyou Liu,Chunlin ZHU. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Power semiconductor device

Номер патента: US20230335625A1. Автор: Guoyou Liu,Chunlin ZHU. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Methods to harvest thermal energy during subsurface high power laser transmission

Номер патента: US20210367129A1. Автор: Damian Pablo San Roman Alerigi. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2021-11-25.

High power, double-sided thin film filter

Номер патента: US12034425B2. Автор: Michael Marek,Elinor O'neill,Ronit Nissim. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Power semiconductor device and production method

Номер патента: WO2023285555A1. Автор: Gaurav Gupta,Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-01-19.

Workpiece carrier for high power with enhanced edge sealing

Номер патента: WO2017213828A1. Автор: HAITAO Wang,Vijay D. Parkhe,Kartik Ramaswamy,Chunlei Zhang,Jaeyong Cho. Владелец: Applied Materials,Inc.. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor arrangement comprising a semiconductor element, a substrate and bond connecting means

Номер патента: US20240266312A1. Автор: Bernd Kürten,Felix Zeyß. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor element and method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20210327933A1. Автор: Susumu Tonegawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Diode having a plate-shaped semiconductor element

Номер патента: US20150380569A1. Автор: Alfred Goerlach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor element

Номер патента: EP4443520A1. Автор: Mitsuo Asai. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor arrangement comprising a semiconductor element, a substrate and bond connecting means

Номер патента: US12136603B2. Автор: Bernd Kürten,Felix Zeyß. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-11-05.

Packaging for high power integrated circuits and infrared emitter arrays

Номер патента: US09812378B2. Автор: Jim Oleson,Roger Holcombe. Владелец: OLESON CONVERGENT SOLUTIONS LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Silicone resin composition for sealant and power semiconductor module that uses this composition

Номер патента: US09617455B2. Автор: Yuji Ichimura,Makoto Higashidate. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor device

Номер патента: US09577080B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Frank Dieter Pfirsch,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US09508804B2. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Yoshiyuki Harada,Naoharu Sugiyama,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Compact high power analog electrically controlled phase shifter

Номер патента: US20020190813A1. Автор: Wayne Fowler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Membrane electrode module and high-power fuel cells

Номер патента: RU2411616C2. Автор: Томас Шмидт,Омер УНСАЛ,Матиас ВЕБЕР. Владелец: БАСФ Фюль Целль ГмбХ. Дата публикации: 2011-02-10.

High power electrical connector with strain relief

Номер патента: US20180006396A1. Автор: Graeme R. Sandwith. Владелец: Amphenol Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

High power electrical connector with strain relief

Номер патента: US09948027B2. Автор: Graeme R. Sandwith. Владелец: Amphenol Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

High power semiconductor laser system

Номер патента: US5394492A. Автор: Cherng J. Hwang. Владелец: Applied Optronics Corp. Дата публикации: 1995-02-28.

Electron beam gun with kinematic coupling for high power rf vacuum devices

Номер патента: WO2017112411A1. Автор: Philipp Borchard. Владелец: Dymenso LLC. Дата публикации: 2017-06-29.

Electron beam gun with kinematic coupling for high power rf vacuum devices

Номер патента: EP3394875A1. Автор: Philipp Borchard. Владелец: Dymenso LLC. Дата публикации: 2018-10-31.

High power generator and method of supplying high power pulses

Номер патента: EP4235739A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2023-08-30.

High power generator and method of supplying high power pulses

Номер патента: WO2023161501A1. Автор: Andrzej Klimczak,Andrzej Gieraltowski,Michał Balcerak. Владелец: Trumpf Huettinger Sp. Z O. O.. Дата публикации: 2023-08-31.

Electron beam gun with kinematic coupling for high power RF vacuum devices

Номер патента: US09502203B1. Автор: Philipp Borchard. Владелец: Dymenso LLC. Дата публикации: 2016-11-22.

High-frequency high-power terminator

Номер патента: US09905899B2. Автор: In Kwon Ju. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-02-27.

Compact magnet design for high-power magnetrons

Номер патента: US09805901B2. Автор: Richard W. Johnson,Donald J. Sullivan,Michael A. Mostrom,Sean A. SULLIVAN. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-10-31.

High power RF window deposition apparatus, method, and device

Номер патента: US09698454B1. Автор: Gerald Lucovsky,R. Lawrence Ives,Daniel Zeller. Владелец: Calabazas Creek Research Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Ultra-compact high power fiber pump module

Номер патента: CA3177350A1. Автор: Treusch Hans-Georg. Владелец: Leonardo Electronics US Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

High-power uplink and downlink switching device, and communication apparatus

Номер патента: US20220337281A1. Автор: Jiangtao Liu,Qiyan FAN,Luping XIE,Shubao YAN. Владелец: Comba Network Systems Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

High power semiconductor laser device

Номер патента: US7466737B2. Автор: Byung Jin MA,Seong Ju Bae. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-16.

High power contact socket

Номер патента: US20210328375A1. Автор: Wolfgang Katz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-21.

High power phased array antenna system

Номер патента: WO2009002450A1. Автор: Kenneth W. Brown,Frederick A. Ahrens. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2008-12-31.

High power phased array antenna system

Номер патента: EP2165387A1. Автор: Kenneth W. Brown,Frederick A. Ahrens. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2010-03-24.

High power spring-actuated electrical connector

Номер патента: US09905953B1. Автор: Slobodan Pavlovic,Mohammad Zeidan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-27.

Fuse link status indicator for a low-voltage high -power fuse

Номер патента: EP2574217A1. Автор: Nikola Kopčić,Davor KOPČIĆ. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-03.

Method and apparatus for high power amplification in multimode fibers

Номер патента: US20060045160A1. Автор: Robert Rice,Michael Fitelson,Burke Nelson,Sami Shakir. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-02.

Wire and stranded wire for high-power electric vehicle charging cable, and high-power electric vehicle charging cable

Номер патента: US20230143810A1. Автор: Sang Hyun Seo. Владелец: Vlatchain. Дата публикации: 2023-05-11.

Coupled cavity high power semiconductor laser

Номер патента: WO2001067563A9. Автор: Aram Mooradian. Владелец: Novalux Inc. Дата публикации: 2003-01-03.

Wire and stranded wire for high-power electric vehicle charging cable, and high-power electric vehicle charging cable

Номер патента: EP4181157A1. Автор: Sang Hyun Seo. Владелец: Vlatchain. Дата публикации: 2023-05-17.

High-power modulator

Номер патента: RU2298871C2. Автор: Уолтер КРУСОН,Дейвид ВУДБЕРН. Владелец: СкандиНова Системз АБ. Дата публикации: 2007-05-10.

High power integrated composite cable

Номер патента: RU2550251C2. Автор: Арве ФЬЕЛЛЬНЕР,Оле А. ХЕГГДАЛЬ. Владелец: Акер Сабси АС. Дата публикации: 2015-05-10.

Method for making a high power semiconductor laser diode

Номер патента: US20080123697A1. Автор: Boris Sverdlov,Berthold Schmidt,Achim Thies,Silke Traut. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2008-05-29.

High power semiconductor laser diode and method for making such a diode

Номер патента: EP1547216A1. Автор: Boris Sverdlov,Berthold Schmidt,Achim Thies,Silke Traut. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2005-06-29.

Method for making a high power semiconductor laser diode

Номер патента: US20050201438A1. Автор: Boris Sverdlov,Berthold Schmidt,Achim Thies,Silke Traut. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2005-09-15.

High-power plug connection system

Номер патента: US20230096306A1. Автор: Albert Ferderer. Владелец: Harting Electric Stiftung and Co KG. Дата публикации: 2023-03-30.

High-power connector having heat dissipation structure

Номер патента: US20120214331A1. Автор: Hsien-Yu Chiu,Shin-Way Lin,Han-Min Chu. Владелец: Simula Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

Method of operating fuel cell with high power and high power fuel cell system

Номер патента: US09780396B2. Автор: Won-Ho Lee,Tae-Geun Noh. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

High power driver system

Номер патента: US20050135445A1. Автор: Yong Peng,Pi-Yao Chien,Bing Sheng. Владелец: Asia Optical Co Inc. Дата публикации: 2005-06-23.

Matched rf output transition for a high-power microwave electron tube

Номер патента: US20100295636A1. Автор: Rodolphe Marchesin,Jean-Luc Piquet,David Bariou,Serge Agogue. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2010-11-25.

High power waveguide valve

Номер патента: US5666095A. Автор: Won Namkung,Hee-Seob Kim,Seung-Hwan Kim,Yong-Jung Park,Joo-Sik Park. Владелец: Pohang University of Science and Technology Foundation POSTECH. Дата публикации: 1997-09-09.

High power generator and method of supplying high power pulses

Номер патента: WO2023161518A1. Автор: Andrzej Klimczak,Andrzej Gieraltowski,Michał Balcerak. Владелец: Trumpf Huettinger Sp. Z O. O.. Дата публикации: 2023-08-31.

High power generator and method of supplying high power pulses

Номер патента: WO2023161510A1. Автор: Andrzej Klimczak,Andrzej Gieraltowski,Michał Balcerak. Владелец: Trumpf Huettinger Sp. Z O. O.. Дата публикации: 2023-08-31.

High power generator and method of supplying high power pulses

Номер патента: WO2023161517A1. Автор: Andrzej Klimczak,Andrzej Gieraltowski,Michał Balcerak. Владелец: Trumpf Huettinger Sp. Z O. O.. Дата публикации: 2023-08-31.

Electron beam diagnostic for profiling high power beams

Номер патента: WO2006088486A1. Автор: John W. Elmer,Alan T. Teruya,Todd A. Palmer. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2006-08-24.

High power generator and method of supplying high power pulses

Номер патента: WO2023161522A1. Автор: Andrzej Klimczak,Andrzej Gieraltowski,Michał Balcerak. Владелец: Trumpf Huettinger Sp. Z O. O.. Дата публикации: 2023-08-31.

High power laser system with multiport circulator

Номер патента: EP2486633A2. Автор: Dmitry Starodubov,Hongbo Yu,Alex Yusim. Владелец: IPG Photonics Corp. Дата публикации: 2012-08-15.

High power generator and method of supplying high power pulses

Номер патента: EP4235741A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2023-08-30.

High power generator and method of supplying high power pulses

Номер патента: EP4235740A1. Автор: Andrzej Klimczak,Andrzej Gieraltowski,Michał Balcerak. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2023-08-30.

High power generator and method of supplying high power pulses

Номер патента: EP4235734A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2023-08-30.

High power generator and method of supplying high power pulses

Номер патента: EP4235736A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2023-08-30.

High power generator and method of supplying high power pulses

Номер патента: EP4235738A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2023-08-30.

High power generator and method of supplying high power pulses

Номер патента: EP4235742A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2023-08-30.

High power generator and method of supplying high power pulses

Номер патента: EP4235733A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2023-08-30.

High power generator and method of supplying high power pulses

Номер патента: EP4235737A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2023-08-30.

High power generator and method of supplying high power pulses

Номер патента: EP4235735A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2023-08-30.

Coupled magnetic element having high voltage resistance and high power density

Номер патента: US12094634B2. Автор: Martin Kuo,Nanhai Zhu. Владелец: Itg Electronics Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Connection bar architecture for high-power converter

Номер патента: US09916918B2. Автор: Joël Devautour,Raphael Bellancourt,Philippe Josse. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2018-03-13.

High power single mode fiber laser system for wavelengths operating in 2 μm range

Номер патента: US09882341B2. Автор: Andrey Mashkin,Valentin Gapontsev,Fedor SHCHERBINA. Владелец: IPG Photonics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Compact magnet system for a high-power millimeter-wave gyrotron

Номер патента: US09711314B2. Автор: Larry R. Barnett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

High power slide screw tuners

Номер патента: US09666928B1. Автор: Christos Tsironis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-30.

System and method for generating a burst of ultra-short, high-power laser pulses

Номер патента: US09525264B2. Автор: Antoine Courjaud. Владелец: Amplitude Systemes SA. Дата публикации: 2016-12-20.

High power optical switch

Номер патента: US09470953B2. Автор: Terry A. Dorschner,Irl W. Smith. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-10-18.

High power, high pulse repetition frequency, compact, pulsed laser diode driver

Номер патента: US5406572A. Автор: Hyung D. Chung. Владелец: Chung; Hyung D.. Дата публикации: 1995-04-11.

High power semiconductor laser with a large optical superlattice waveguide

Номер патента: US20040208213A1. Автор: Norbert Lichtenstein,Arnaud Fily,Bertoit Reid. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-21.

Single frequency high power semiconductor laser

Номер патента: US4856017A. Автор: Jeffrey E. Ungar. Владелец: Ortel Corp. Дата публикации: 1989-08-08.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: WO2007057715A1. Автор: Berthold Schmidt,Susanne Pawlik. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2007-05-24.

Method of accurately controlling a cooling process of a high power lamp

Номер патента: US20060285335A1. Автор: Wouter Maes,Edmond Verstraeten,Jan Stoffels. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-12-21.

High-power plug connection system

Номер патента: US20230103502A1. Автор: Albert Ferderer,Denny HELLIGE,Walter GERSTL. Владелец: Harting Electric Stiftung and Co KG. Дата публикации: 2023-04-06.

High-power uplink and downlink switching device, and communication apparatus

Номер патента: EP4024716A1. Автор: Jiangtao Liu,Qiyan FAN,Luping XIE,Shubao YAN. Владелец: Comba Network Systems Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Batteries providing high power and high energy density

Номер патента: EP4088335A1. Автор: Aditya Subramanian,Denis Gaston Fauteux. Владелец: TechTronic CordLess GP. Дата публикации: 2022-11-16.

High power light absorbers having anti-reflection coating

Номер патента: US12066679B2. Автор: Jonathan Wilson,Peter O'Brien,Steven J. Augst. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-08-20.

Electric Connector for High Power Charging

Номер патента: US20230182592A1. Автор: Lilian Kaufmann,Stefan RAAIJMAKERS,Wiebe Zoon,Francisco Garcia-Ferre,Pedram Kheiri. Владелец: ABB EMobility BV. Дата публикации: 2023-06-15.

High-efficiency high-power ring laser amplifier

Номер патента: US09991664B1. Автор: Xiao Yuan,Xiang Zhang,Fan GAO,Tiancheng YU. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

High-power diode laser and method for producing a high-power diode laser

Номер патента: US09450375B2. Автор: Rudolf Moritz,Marc Kelemen,Jürgen Gilly,Patrick Friedmann. Владелец: M2K Laser GmbH. Дата публикации: 2016-09-20.

Electrical connection system for use in applications with high power

Номер патента: RU2687961C1. Автор: Стивен УИЛЛЬЯМС. Владелец: Коннек Лимитед. Дата публикации: 2019-05-17.

Apparatus and method for spectral narrowing of high power diode laser arrays

Номер патента: US5793784A. Автор: Mark Wagshul,Eli Miron. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 1998-08-11.

High-power electrical quick connector

Номер патента: EP1638171A2. Автор: Herbert A. Bankstahl. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2006-03-22.

High power connection system

Номер патента: US6139351A. Автор: Christopher E. Schaefer,Robert C. Beer,Mark D. McCall. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

High-frequency, high-power waveguide junction circulator

Номер патента: US4717895A. Автор: Erich Pivit,Gunter Morz,Wolfgang Hauth,Sigmund Lenz. Владелец: ANT Nachrichtentechnik GmbH. Дата публикации: 1988-01-05.

A high power top emitting vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: WO2005022712A1. Автор: Hans-Peter Gauggel,Paul Royo. Владелец: Avalon Photonics AG. Дата публикации: 2005-03-10.

Batteries providing high power and high energy density

Номер патента: AU2020421461A1. Автор: Aditya Subramanian,Denis Gaston Fauteux. Владелец: TechTronic CordLess GP. Дата публикации: 2022-09-08.

Ultrashort high power pulse generator

Номер патента: US20170257084A1. Автор: Jerry T. Kim,Victor M. Mendez,Sun K. Hong. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-09-07.

Cooled high power vehicle inductor and method

Номер патента: WO2009089452A1. Автор: Paul F. Wernicki. Владелец: Ise Corporation. Дата публикации: 2009-07-16.

Diode-pumped solid state laser system utilizing high power diode bars

Номер патента: WO2004091058B1. Автор: Harry Rieger. Владелец: Jmar Res Inc. Дата публикации: 2005-02-03.

Cooling of high power laser systems

Номер патента: EP1423892A2. Автор: Hsian P. Chou,Victor Hasson. Владелец: Textron Systems Corp. Дата публикации: 2004-06-02.

HIGH CAPACITY, HIGH ENERGY DENSITY AND HIGH POWER REVERSIBLE Li-Cl2 BATTERY SYSTEM

Номер патента: US20240332525A1. Автор: Pei Li,Chunyi Zhi,Xinliang Li. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-10-03.

Systems for controlling a high power ion beam

Номер патента: US09887066B2. Автор: Takao Sakase,Geoffrey Ryding,Theodore Smick. Владелец: Neutron Therapeutics Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

High power parallel fiber arrays

Номер патента: US09559483B2. Автор: Liang Dong,Ingmar Hartl,Andrius Marcinkevicius,Martin Fermann. Владелец: IMRA America Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

High power thick film resistor

Номер патента: US4647900A. Автор: Robert L. Schelhorn,Colleen A. Matier. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1987-03-03.

Stripline coupling structure for high power hts filters

Номер патента: CA2203444C. Автор: SHEN YE,Raafat R. Mansour. Владелец: Com Dev Ltd. Дата публикации: 1998-09-29.

High power, kink-free, single mode laser diodes

Номер патента: CA2341085A1. Автор: Jo S. Major,Victor Rossin,Ross Parke. Владелец: SDL Inc. Дата публикации: 2002-09-16.

Ultra high power single mode fiber laser system

Номер патента: WO2015026327A1. Автор: Valentin Gapontsev,Igor Samartsev. Владелец: IPG Photonics Corporation. Дата публикации: 2015-02-26.

High-power broadband antenna

Номер патента: US5600335A. Автор: Robert S. Abramo. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1997-02-04.

High power superconductive circuits and method of construction thereof

Номер патента: CA2166014C. Автор: Raafat R. Mansour. Владелец: Com Dev Ltd. Дата публикации: 1998-02-24.

Coaxial Radio Frequency Connectors for High-Power Handling

Номер патента: US20180366242A1. Автор: Paul J. Tatomir,James T. Farrell,Thomas E. Musselman,Martin W. Bieti. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-12-20.

Dummy load for high power and high bandwidth

Номер патента: US20190181527A1. Автор: Bernhard Kaehs. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-06-13.

Super high power transformer

Номер патента: US20120182110A1. Автор: Cheng-Yu Pan. Владелец: Yujing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Ultra-compact high power fiber pump module

Номер патента: EP4323712A1. Автор: Treusch Hans-Georg. Владелец: Leonardo Electronics US Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

High-power plug connector system

Номер патента: US20230166778A1. Автор: Bernard Schlegel,Alexander Schönfeld,Christof HERMONI. Владелец: Harting Electric Stiftung and Co KG. Дата публикации: 2023-06-01.

Super high power transformer

Номер патента: US8564395B2. Автор: Cheng-Yu Pan. Владелец: Yujing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-22.

Robust pigtail system for high power laser modules

Номер патента: WO2012098456A1. Автор: Reinhard Brunner,Markus Lützelschwab,Jorg Pierer,Bernhard Valk. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-07-26.

Spatially-fed high-power amplifier with shaped reflectors

Номер патента: US20070076774A1. Автор: Kenneth Brown. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2007-04-05.

Spatially-fed high power amplifier with shaped reflectors

Номер патента: US7715091B2. Автор: Kenneth William Brown. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2010-05-11.

High power low frequency tuners

Номер патента: US10290428B1. Автор: Christos Tsironis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-05-14.

Spring-actuated electrical connector for high-power applications

Номер патента: US12051869B2. Автор: Slobodan Pavlovic,Mohamed Zeidan. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Mini high-power magnetic latching relay

Номер патента: US20140022033A1. Автор: Xiaoxia Yang,Shuijun Wang,Quanwei Hu. Владелец: Ningbo Forward Relay Corp Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

Robust pigtail system for high power laser modules

Номер патента: WO2012098456A4. Автор: Reinhard Brunner,Markus Lützelschwab,Jorg Pierer,Bernhard Valk. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-09-13.

High-Power Edge-Emitting Laser Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240322526A1. Автор: Fa-Tzu Chen,Ju-Chun Cheng. Владелец: Coreoptics Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

High-power redox flow battery based on the criii/crvi redox couple and its mediated regeneration

Номер патента: EP3311438A1. Автор: David Alan FINKELSTEIN. Владелец: Chrome Plated Power SAS. Дата публикации: 2018-04-25.

High power metal clad mode absorber

Номер патента: EP2801132A1. Автор: Valentin Fomin,Mikhail Abramov,Anton Ferin,Valentin GAPONSTSEV. Владелец: IPG Photonics Corp. Дата публикации: 2014-11-12.

Ferrite to metal bond for high-power microwave applications

Номер патента: US3960512A. Автор: Victor A. Vaguine,Dennis R. Nichols. Владелец: Varian Associates Inc. Дата публикации: 1976-06-01.

Broadband high power light source

Номер патента: EP2417492A1. Автор: Charles Scott Buchter. Владелец: NKT PHOTONICS AS. Дата публикации: 2012-02-15.

Method of and magnet assembly for high power pulsed magnetron sputtering

Номер патента: US20160104607A1. Автор: David N. Ruzic,Priya Raman,Ivan A. Shchelkanov. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2016-04-14.

High power switchable power combiner

Номер патента: US20040135648A1. Автор: Chuck Bryant,Vincent Leikus. Владелец: L3 Communications Corp. Дата публикации: 2004-07-15.

High power liquid dielectric switch

Номер патента: US20070197051A1. Автор: Glenn Anderson,Kenneth Mcdonald,Richard Sears,Randy Curry,William Cravey. Владелец: Alpha Omega Power Technology LLC. Дата публикации: 2007-08-23.

High power switchable power combiner

Номер патента: WO2004066488A2. Автор: Chuck Bryant,Vincent Leikus. Владелец: L-3 Communications. Дата публикации: 2004-08-05.

High power switchable power combiner

Номер патента: WO2004066488A3. Автор: Chuck Bryant,Vincent Leikus. Владелец: L 3 Comm. Дата публикации: 2005-03-24.

High power current switch

Номер патента: US09921330B2. Автор: Bo Berglund. Владелец: Advanced Geosciences Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

High efficiency, high power direct diode laser systems and methods therefor

Номер патента: US5715270A. Автор: Robert R. Rice,Mark S. Zediker,John M. Haake. Владелец: McDonnell Douglas Corp. Дата публикации: 1998-02-03.

Mitigating stimulated brillouin scattering in high power optical amplifier system

Номер патента: US20220393423A1. Автор: Martin R. Williams. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

High-power connector having heat dissipation structure

Номер патента: US8439713B2. Автор: Hsien-Yu Chiu,Shin-Way Lin,Han-Min Chu. Владелец: Simula Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-14.

High power terahertz photoconductive antenna array

Номер патента: EP3314696A1. Автор: Dong Ho Wu,Benjamin GRABER. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-05-02.

Ultra-high power ZVS+ZCS integrated soft swithing DC/DC converter

Номер патента: US10050544B2. Автор: Bingyao Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-14.

Methods and devices for forming a high-power coherent light beam

Номер патента: EP1706923B1. Автор: Jeffrey H. Hunt,Daniel J. Sox. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2010-08-25.

High-power single-mode triple-ridge waveguide semiconductor laser

Номер патента: US20220368109A1. Автор: LIN ZHU,Xiaolei Zhao,Yeyu ZHU,Siwei Zeng. Владелец: Clemson University. Дата публикации: 2022-11-17.

Small form-factor battery with high power density

Номер патента: CA3151913A1. Автор: Mir A. Imran,Chang Jin Ong,Radia Abdul WAHAB. Владелец: Wahab Radia Abdul. Дата публикации: 2021-04-01.

Small form-factor battery with high power density

Номер патента: WO2021062013A1. Автор: Mir A. Imran,Chang Jin Ong,Radia Abdul WAHAB. Владелец: InCube Labs, LLC. Дата публикации: 2021-04-01.

High power laser carrier

Номер патента: US20030112840A1. Автор: Claudia Kowanda,Bernd Valk. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2003-06-19.

Electrical connection devices for high power applications

Номер патента: US20210111505A1. Автор: Steve Wrighton. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

High power solid state laser with doughnut mode and birefringence compensation

Номер патента: EP2070167A2. Автор: Steven C. Matthews,Robert D. Stultz,Billie G. Hendry. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2009-06-17.

High power laser diode test system and method of manufacture

Номер патента: US09891270B2. Автор: John Curry,Christopher Cole Chandler,Wade P Watts,Nicholas Donnie Harriott. Владелец: Newport Corp USA. Дата публикации: 2018-02-13.

Steerable high-power microwave antennas

Номер патента: US09786993B1. Автор: Robert A. Koslover. Владелец: Scientific Application and Research Associates Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Non-mechanically steered high-power laser transmitter

Номер патента: US09477135B1. Автор: Gerald P. Uyeno,Sean D. Keller,Irl W. Smith. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-10-25.

Generation of narrow line width high power optical pulses

Номер патента: US09472919B2. Автор: Eran Inbar,Jacob Lasri,Eitan Emanuel Rowen. Владелец: V Gen Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Contact material for high-power vacuum circuit breakers

Номер патента: US3948652A. Автор: Horst Schreiner,Heinrich Hassler. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1976-04-06.

High power current limiter with a current commutating resistive element

Номер патента: CA1157117A. Автор: Paul O. Wayland,Charles H. Gleason. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1983-11-15.

High power output non-aqueous electrolyte secondary battery

Номер патента: US20060078796A1. Автор: Koichi Morita,Hiroyuki Fujimoto,Kazuhiro Ota,Yoshiyuki Ozaki. Владелец: Osaka Gas Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

High-power electronic tube, in particular a microwave tube with improved cooling

Номер патента: US3859551A. Автор: Jacques Ninerailles,Auguste Raye. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1975-01-07.

High power laser diode driver utilizing a monolithic semiconductor device

Номер патента: US5450430A. Автор: Hyung D. Chung. Владелец: Chung; Hyung D.. Дата публикации: 1995-09-12.

High power water-cooling resistor of converter valve for high voltage direct current transmission

Номер патента: US20120126933A1. Автор: Juan Zhang,Yufeng Qiu,Guang fu Tang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-24.

Wireless power receiver for receiving high power high frequency transfer

Номер патента: US11848577B2. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

High-power multi-function millimeter-wave signal generation using opo and dfg

Номер патента: US20140063591A1. Автор: Yongdan Hu,Andrew Xing,Angus J. Henderson. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Semi-open high-power device cooling system and cooling method

Номер патента: EP4376032A1. Автор: Jian Yang,Lu Yin,XIONG Chen,Rong Xu,Nubin WU,Henghui YANG,Linchuan TAN,Baohuan SU. Владелец: Envision Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Building-block-combined-type high power transformer

Номер патента: US20140232506A1. Автор: Chang-Yu Pan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-21.

Wireless power receiver for receiving high power high frequency transfer

Номер патента: US20210408841A1. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

High power photovoltaic connector

Номер патента: US20240128925A1. Автор: Francisco Javier Carpio Obre,José Alfonso TERUEL HERNÁNDEZ,Francisco Javier Torrano Carrillo. Владелец: Soltec Innovations SL. Дата публикации: 2024-04-18.

High-power plug connector

Номер патента: US20230327371A1. Автор: Martin Schmidt,Sebastian Griepenstroh. Владелец: Harting Electric Stiftung and Co KG. Дата публикации: 2023-10-12.

High-power plug connector system

Номер патента: US20230268702A1. Автор: Sebastian Griepenstroh. Владелец: Harting Electric Stiftung and Co KG. Дата публикации: 2023-08-24.

High-power electromagnetic source, vehicle and method

Номер патента: US20200124703A1. Автор: Martin Hertel,Robert Stark. Владелец: Diehl Defence GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-04-23.

High power excimer laser with a pulse stretcher

Номер патента: WO2007143145A2. Автор: Thomas Hofmann,Alexander I. Ershov,Daniel J. Reiley,James J. Ferrell,Chris R. Remen. Владелец: CYMER, INC.. Дата публикации: 2007-12-13.

2-bit high-power amplifying non-reciprocal reflective metasurface

Номер патента: US20240235537A1. Автор: Long Li,XIN Wang,Haixia Liu,Ruijie LI,Guanxuan LI,Dexiao XIA. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2024-07-11.

High power infrared imaging device

Номер патента: US3720834A. Автор: P Allen. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1973-03-13.

Devices and methods related to high power diode switches

Номер патента: US20200091575A1. Автор: Richard Mark PUENTE,Richard Allen CORY,Barry E. McCLUSKEY. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Method and apparatus for producing high-power single-frequency radiation

Номер патента: US3641456A. Автор: Paul H Lee. Владелец: Perkin Elmer Corp. Дата публикации: 1972-02-08.

High power broadband light source

Номер патента: WO2015148671A1. Автор: Ilya Bezel,Matthew Derstine,Anatoly Shchemelinin,Anant Chimmalgi,Rahul Yadav. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2015-10-01.

High-power edge-emitting semiconductor laser with asymmetric structure

Номер патента: US20230387665A1. Автор: Jung Min Hwang,Chen Yu Chiang,Jin Yuan Hsing. Владелец: Arima Lasers Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

High power excimer laser with a pulse stretcher

Номер патента: WO2007143145A3. Автор: Thomas Hofmann,Alexander I Ershov,James J Ferrell,Daniel J Reiley,Chris R Remen. Владелец: Chris R Remen. Дата публикации: 2008-09-12.

High power ultrashort pulsed fiber laser

Номер патента: EP3103166A1. Автор: Valentin Gapontsev,Igor Samartsev,Alex Yusim,Bruce Jenket. Владелец: IPG Photonics Corp. Дата публикации: 2016-12-14.

High power ultrashort pulsed fiber laser

Номер патента: WO2015117128A1. Автор: Valentin Gapontsev,Igor Samartsev,Alex Yusim,Bruce Jenket. Владелец: IPG Photonics Corporation. Дата публикации: 2015-08-06.

Ultra-thin lithium-ion capacitor with ultra-high power performance

Номер патента: US11521804B2. Автор: Jin Yan,Wanjun Ben Cao,Xujie CHEN. Владелец: Spel Technologies Private Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

High power spatial filter

Номер патента: WO2013181183A1. Автор: Igor Berishev,Alexey Komissarov,Vadim Chuyanov,Nikolai Strougov. Владелец: IPG Photonics Corporation. Дата публикации: 2013-12-05.

High power two-patch array antenna system

Номер патента: US20100019984A1. Автор: Steven J. Weiss,Canh Ly,Arthur C. Harrison. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2010-01-28.

High-power, phased-locked, laser arrays

Номер патента: US20160308327A1. Автор: Boris Leonidovich Volodin. Владелец: PD LD Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Method and apparatus for high power switching

Номер патента: US20050130455A1. Автор: David Folsom,Henry Downs,Brian Pomerleau. Владелец: SPX Corp. Дата публикации: 2005-06-16.

Broadband High-Power Pylon Antenna

Номер патента: US20230369779A1. Автор: Keith Pelletier,James Butts,Nicole Starrett,Craig Beaucage. Владелец: Dielectric LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

High power, single-use electrical switch

Номер патента: US20210335562A1. Автор: Andrew Carlberg. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-10-28.

High power coaxial adapters and connectors

Номер патента: US20220200217A1. Автор: Maddiel GONZALEZ,Stéphane Orofino,Tristan Evans. Владелец: MEGAPHASE LLC. Дата публикации: 2022-06-23.

Optical semiconductor element

Номер патента: US20240213747A1. Автор: Daisuke Inoue,Konosuke AOYAMA. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

High power coaxial adapters and connectors

Номер патента: US20230126409A1. Автор: Maddiel GONZALEZ,Stéphane Orofino,Tristan Evans. Владелец: MEGAPHASE LLC. Дата публикации: 2023-04-27.

Mode converter for high power, higher-order mode optical fiber amplifiers

Номер патента: US20150340830A1. Автор: Jeffrey W. Nicholson. Владелец: OFS FITEL LLC. Дата публикации: 2015-11-26.

Method and apparatus for cooling high power flash lamps

Номер патента: WO2007067654A9. Автор: Vladimir Proseanic,Boris Zlotin,Peter Ulan,Robert M Lantis,Gafur Zainlev. Владелец: Gafur Zainlev. Дата публикации: 2008-07-24.

High power, single-use electrical switch

Номер патента: WO2021216178A1. Автор: Andrew Carlberg. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2021-10-28.

High-power charging plug

Номер патента: US09979216B1. Автор: Jui Lung Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

High power broadband light source

Номер патента: US09941655B2. Автор: Ilya Bezel,Matthew Derstine,Anatoly Shchemelinin,Anant Chimmalgi,Rahul Yadav. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Systems and methods for high power microwave combining and switching

Номер патента: US09831549B2. Автор: Adam M. Kroening. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

High power optical switch

Номер патента: US09772451B2. Автор: Terry A. Dorschner,Irl W. Smith. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-09-26.

High-power, phased-locked, laser arrays

Номер патента: US09748730B2. Автор: Boris Leonidovich Volodin. Владелец: Necsel Intellectual Property Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

High-power aluminum-air battery system

Номер патента: US09705166B2. Автор: Wei Wang,Yanling Qi. Владелец: Advanced High Power Multi (ACT/XE) Source Energy Science-Tech Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

High-power low-resistance electromechanical cable

Номер патента: US09627100B2. Автор: Bamdad Pourladian,Lazaro Espinosa Magaña. Владелец: Wireco World Group Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method and apparatus for generating high-power terahertz wave

Номер патента: US09568804B2. Автор: Young Kuk Kim,Min Sup HUR,Myung Hoon JO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

High power rechargeable flashlight with two way universal serial BUS

Номер патента: US09515419B2. Автор: Mathew Inskeep. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-06.

Removing unwanted light from high-power optical systems

Номер патента: US09482824B2. Автор: Marc Mermelstein. Владелец: OFS FITEL LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Mode converter for high power, higher-order mode optical fiber amplifiers

Номер патента: US09431788B2. Автор: Jeffrey W Nicholson. Владелец: OFS FITEL LLC. Дата публикации: 2016-08-30.

High-power sputtering source

Номер патента: RU2602571C2. Автор: Зигфрид КРАССНИТЦЕР,Курт РУМ. Владелец: Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон. Дата публикации: 2016-11-20.

High power broadband termination for k-band amplifier combiners

Номер патента: US5831491A. Автор: John Holmes,Kenneth Vern Buer,David Warren Corman. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-11-03.

Electrochemical energy storage system for high-energy and high-power requirements

Номер патента: EP4176485A1. Автор: Derek C. Johnson. Владелец: Bia Power LLC. Дата публикации: 2023-05-10.

System and method for high power diode laser wavelength spectrum narrowing

Номер патента: US20180205201A1. Автор: William HERSMAN,Michael HERSMAN. Владелец: UNIVERSITY OF NEW HAMPSHIRE. Дата публикации: 2018-07-19.

CONTROL DEVICE FOR THYRISTORS OR OTHER SEMICONDUCTOR ELEMENTS

Номер патента: FR2225878B1. Автор: Jean Lovens,Boleslaw Kaczmarek,Jean Marie De Rubinat. Владелец: ACEC SA. Дата публикации: 1978-02-10.

Assembly structure of high-power semiconductors and heat sink

Номер патента: US09943015B2. Автор: Man Piu Fung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-10.

Phase-cut dimmable power supply with high power factor

Номер патента: US09961724B1. Автор: Dehua Zheng,Xianyun Zhao. Владелец: Zhuhai Shengchang Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Compact server power supply having high power density

Номер патента: US20110310558A1. Автор: Wei-Liang Lin,Kuo-Chu Yeh,Shih-Liang TENG,Po-Cheng TENG. Владелец: Acbel Polytech Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Enclosed valve means for high voltage and high power

Номер патента: WO1995028030A1. Автор: Björn SANDIN. Владелец: Asea Brown Boveri AB. Дата публикации: 1995-10-19.

Control device for a power semiconductor switch

Номер патента: US20180309436A1. Автор: Markus Müller,Peter Beckedahl,Gunter Königsmann,Bastian Vogler. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-10-25.

High-power plastic heater for aquarium

Номер патента: US20100140256A1. Автор: Yu-Chin Wang. Владелец: Eiko Electric Products Corp. Дата публикации: 2010-06-10.

High-speed high-power switched reluctance machine

Номер патента: US20150357883A1. Автор: Ali Emadi,Berker Bilgin,Earl Fairall. Владелец: MCMASTER UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-10.

High-speed high-power switched reluctance machine

Номер патента: US09742243B2. Автор: Ali Emadi,Berker Bilgin,Earl Fairall. Владелец: MCMASTER UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-22.

Multi-layer PCB having function of dissipating heat from power semiconductor module package and PCB, and production method thereof

Номер патента: US09930815B2. Автор: Ku Yong Kim. Владелец: Mdm Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

System and method of transistor switch biasing in a high power semiconductor switch

Номер патента: WO2012003581A1. Автор: Hanching Fuh,Lui Ram (Ray). Владелец: SIGE SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-12.

High power factor electronic ballast with lossless switching

Номер патента: EP1474957A1. Автор: Eric B. Shen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-11-10.

Electronic controller for high-power gas discharging lamp

Номер патента: CA2523004A1. Автор: Luoding Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-01.

Hybrid Fault Protection Circuits For High-Power Cyclical Loads

Номер патента: US20240250516A1. Автор: Gerald Murray Brown. Владелец: Komatsu America Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Hybrid fault protection circuits for high-power cyclical loads

Номер патента: WO2024158740A1. Автор: Gerald Murray Brown. Владелец: Komatsu America Corp.. Дата публикации: 2024-08-02.

Space solar array architecture for ultra-high power applications

Номер патента: US09676501B1. Автор: Peter Sorensen,Stephen F White,Brian R Spence. Владелец: Deployable Space Systems Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

High-power crystals obtained by precision cutting

Номер патента: RU2668034C1. Автор: Нассим ХАРАМЕЙН. Владелец: Арк Кристал, Ллс. Дата публикации: 2018-09-25.

High power supply to control an abnormal load

Номер патента: US20070071478A1. Автор: Hyung-won Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

System, method and apparatus for handling high-power notification messages

Номер патента: WO1999030525A1. Автор: Eric Valentine,Kenneth Rains. Владелец: ERICSSON INC.. Дата публикации: 1999-06-17.

Resettable electronic fuse for high-power devices

Номер патента: US20240275161A1. Автор: Jeffrey M. Brozek,Chien-Chih Chao,Benjamin Tesch. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Wireless Power Transmitter For High Fidelity Communications And High Power Transfer

Номер патента: US20240204580A1. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and apparatus for providing high power in a wireless power system

Номер патента: EP4395127A1. Автор: Hatem Zeine. Владелец: Ossia Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Power semiconductor drive circuit, power semiconductor circuit, and power module circuit device

Номер патента: US20170310323A1. Автор: Motohiro Ando,Yuji Ishimatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

High voltage high power modular power supply

Номер патента: US20230146140A1. Автор: Leonardo Roque. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-11.

Wireless power transmitter for high fidelity communications and high power transfer

Номер патента: US12100973B2. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Minimizing interference caused by high-powered uplink transmissions

Номер патента: US09999000B1. Автор: Siddharth Oroskar,Jasinder Singh. Владелец: Sprint Spectrum LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Precise current measurement with chopping technique for high power driver

Номер патента: US09733276B2. Автор: Davide Maschera,Herman Johannes Effing. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-08-15.

Power semiconductor drive circuit, power semiconductor circuit, and power module circuit device

Номер патента: US09729150B2. Автор: Motohiro Ando,Yuji Ishimatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Drive circuit for power semiconductor element

Номер патента: US09712155B2. Автор: Masahiro Ozawa,Toshiki Tanaka,Yoshitomo Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Apparatus for supplying high power electric loads operated in a pulse-like manner, especially for X-ray equipment

Номер патента: US4355276A. Автор: Pal Vittay. Владелец: Medicor Muvek. Дата публикации: 1982-10-19.

Transport element clamp system

Номер патента: AU2018202417B2. Автор: Michael Leslie Gilbertson,Jon P. Michel,Mark L. Carpenter. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-10-19.

Methods to harvest thermal energy during subsurface high power laser transmission

Номер патента: WO2021236131A1. Автор: Damian Pablo San Roman Alerigi. Владелец: Aramco Services Company. Дата публикации: 2021-11-25.

Method and apparatus for providing high power in a wireless power system

Номер патента: EP4404429A2. Автор: Hatem Zeine. Владелец: Ossia Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Systems and methods for high-power transmission

Номер патента: US20240284339A1. Автор: Sumit Verma,Alexander Sayenko,Fucheng Wang,Daniel Popp,Anatoliy S IOFFE. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

High-power, frequency-tunable, harmonic filtering system for multiple operating frequencies and related method

Номер патента: US20220368304A1. Автор: Phil Gelder. Владелец: Tri Teq LLC. Дата публикации: 2022-11-17.

High-power pump structure

Номер патента: US20200240417A1. Автор: Meng Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-07-30.

Systems and methods for high-power transmission

Номер патента: EP4418759A2. Автор: Sumit Verma,Alexander Sayenko,Fucheng Wang,Daniel Popp,Anatoliy S IOFFE. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Method and apparatus for providing high power in a wireless power system

Номер патента: EP4404429A3. Автор: Hatem Zeine. Владелец: Ossia Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

High-power, frequency-tunable, harmonic filtering system for multiple operating frequencies and related method

Номер патента: US12047050B2. Автор: Phil Gelder. Владелец: Tri Teq LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Minimizing interference caused by high-powered uplink transmissions from relay devices

Номер патента: US09992751B1. Автор: Nitesh Manchanda,Sreekar Marupaduga,Vanil Parihar. Владелец: Sprint Spectrum LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

High power density, high efficiency power electronic converter

Номер патента: US09906137B2. Автор: Adam Barkley,Marcelo Schupbach,XueChao Liu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

High efficiency LED drivers with high power factor

Номер патента: US09756688B2. Автор: Wei Chen. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Flexible-elongate-element clamp

Номер патента: GB2591786A. Автор: Arthur Brown Stephen,Thomas Leslie Colin,Preston Ewan. Владелец: Maats Tech Ltd. Дата публикации: 2021-08-11.

Device for cooling high power broadcast transmitters

Номер патента: WO2012048432A1. Автор: John David Lugtu,Ron Heffler,Ramon Mejia,Aleksander Sadowski,John Tremblay. Владелец: John Tremblay. Дата публикации: 2012-04-19.

Methods to harvest thermal energy during subsurface high power laser transmission

Номер патента: US12029125B2. Автор: Damian Pablo San Roman Alerigi. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor switch assembly comprising at least two power semiconductors

Номер патента: US20230421149A1. Автор: Matthias Lochner,Stefan Hain. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2023-12-28.

Combination High Power LED Strobe and Continuous Light

Номер патента: US20210003905A1. Автор: Daniel T. Emerson,David William TOLAN,Alejandro Cota,Brooks Pattrick Lame. Владелец: Light & Motion Industries. Дата публикации: 2021-01-07.

Systems and methods for high power operation in user equipment

Номер патента: US12101180B2. Автор: Elmar Wagner,Fucheng Wang,Anatoliy Sergey Ioffe. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for high-power combining

Номер патента: US11095257B1. Автор: Li Leah WANG. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2021-08-17.

Control method and device for quasi-resonant high-power-factor flyback converter

Номер патента: US09973095B2. Автор: Giovanni Gritti,Claudio Adragna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-15.

Suspension for high power micro speaker and high power micro speaker having the same

Номер патента: US09900703B2. Автор: Kyu Dong Choi,In Ho Jeong,Cheon Myeong Kim. Владелец: EM Tech Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Control method and device for quasi-resonant high-power-factor flyback converter

Номер патента: US09520796B2. Автор: Giovanni Gritti,Claudio Adragna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-12-13.

High power switching power supply with high power factor

Номер патента: US5267132A. Автор: Zdzislaw Gulczynski. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-11-30.

Variable high power amplifier with constant overall gain for a satellite communication system

Номер патента: EP1478088B1. Автор: John E. Eng,Eric Nicol. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2011-07-06.

High power and low loss acoustic filter

Номер патента: US20170244382A1. Автор: Kelly M. Lear. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Optical high-power amplifier circuit with switchable polarized output state

Номер патента: US20240243810A1. Автор: Stephen G. Lambert,James Franklin,Yuanjian Xu,Brian K. Pheiffer. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-07-18.

Sequential bias-controlled high power amplifier apparatus and method

Номер патента: US20080180176A1. Автор: Jong-Sung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

High power rechargeable spotlight with two way universal serial bus

Номер патента: US20200256524A1. Автор: Mathew Inskeep. Владелец: Vector Products Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

High power doherty amplifier using multi-stage modules

Номер патента: EP1861920A2. Автор: Raymond S. Pengelly,Simon M. Wood,James E. Crescenzi, Jr.,Tom Stewart Dekker. Владелец: Cree Microwave LLC. Дата публикации: 2007-12-05.

Modular high power solid state amplifier

Номер патента: US20020084852A1. Автор: Michael Lyons,Dean Cook,John Peitz,Edwin Stanfield. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

High power rechargeable spotlight with two way universal serial bus

Номер патента: US20180166890A1. Автор: Mathew Inskeep. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-14.

High power rechargeable spotlight with two way universal serial bus

Номер патента: US11054092B2. Автор: Mathew Inskeep. Владелец: Vector Products Inc. Дата публикации: 2021-07-06.

Reconfiguring impedance matching for high power circuits

Номер патента: US20070210873A1. Автор: Horst Schenkel,Bernd Friedel. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Drive control device for power semiconductor element, and power module

Номер патента: US12132472B2. Автор: Kenichi Morokuma,Yoshiko Tamada,Shotaro Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

High power rechargeable flashlight with two way universal serial bus

Номер патента: US09843208B2. Автор: Mathew Inskeep. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-12.

Enabling high-power UE transmission

Номер патента: US09775017B2. Автор: YANG Cao,Rajesh Kumar Mishra,Steven Paul Papa. Владелец: Parallel Wireless Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

High power channel state notification for mobile applications

Номер патента: US09565637B2. Автор: Pablo Tapia,Antoine Tran. Владелец: T Mobile USA Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

A circuit for generating a high power rf signal having low am and fm noise components

Номер патента: US3775698A. Автор: J Nugent,H Claypool. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1973-11-27.

Low-loss data transmission method for high-power induction-type power supply system

Номер патента: US20120193998A1. Автор: Ming-Chiu TSAI,Chi-Che Chan. Владелец: Fu Da Tong Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

High power flash battery system and method thereof

Номер патента: EP3560060A1. Автор: Tomas Tengner. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-10-30.

High power charge pump with inductive elements

Номер патента: EP4300799A2. Автор: Enzo ILLIANO. Владелец: BRUSA ELEKTRONIK AG. Дата публикации: 2024-01-03.

Two-dimensional scalable high-power optical phased array architecture with beam steering

Номер патента: US20230171000A1. Автор: Saeed ZEINOLABEDINZADEH. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2023-06-01.

Method and apparatus for regulated ac-to-dc conversion with high power factor and low harmonic distortions

Номер патента: US20180191237A1. Автор: Alexei V. Nikitin. Владелец: Avatekh Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Modular high-power off-board charger

Номер патента: EP4105063A1. Автор: Hao Fan,Chieh-Kai Chen,Mengfu Ke. Владелец: Wanbang Star Charge Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-21.

Dc high power distribution assembly

Номер патента: EP2106630A2. Автор: Glen Allen Evans,Richard Michael Grabowski. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2009-10-07.

High power user equipment (hpue) using coherently combined power amplifiers

Номер патента: WO2017176369A1. Автор: Sumit Verma,Haim Mendel Weissman. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-12.

Two-dimensional scalable high-power optical phased array architecture with beam steering

Номер патента: US12040839B2. Автор: Saeed ZEINOLABEDINZADEH. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2024-07-16.

Unified high power and low power battery charger

Номер патента: US20150194821A1. Автор: Jamie L. Langlinais,Talbott M. Houk,Mark A. Yoshimoto. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-07-09.

Bandwidth high-power T network tuner

Номер патента: US20070015478A1. Автор: Martin Jue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Sensor driver providing high power supply rejection ratio

Номер патента: US20240171133A1. Автор: Tim Piessens,Athanasios Sarafianos. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Systems and methods for low power excitation in high power wireless power systems

Номер патента: US12100969B2. Автор: Milisav Danilovic,Kylee Devro Sealy,Bryan ESTEBAN. Владелец: WiTricity Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods and apparatuses for operating groups of high-power LEDs

Номер патента: US09936546B2. Автор: Antonius Jacobus Maria Cremer,Machiel Slot. Владелец: Eldolab Holding BV. Дата публикации: 2018-04-03.

Method and apparatus for regulated three-phase AC-to-DC conversion with high power factor and low harmonic distortions

Номер патента: US09923448B2. Автор: Alexei V. Nikitin. Владелец: Avatekh Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Current enhanced driver for high-power solid-state radio frequency power amplifiers

Номер патента: US09899970B2. Автор: Chandra Khandavalli. Владелец: Eridan Communications Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

High-power conversion system

Номер патента: US09893525B1. Автор: Jianping Ying,Hongjian Gan,Teng Liu,Yong Zeng,Lifeng Qiao. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Quasi-switched, multi-band, high-power amplifier and method

Номер патента: US09716471B2. Автор: Samuel D. Tonomura,Mark A. Talcott,John Fraschilla,Anthony M. Petrucelli,Cynthia Y. Hang. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-07-25.

Method and device for high-power-factor flyback converter

Номер патента: US09621029B2. Автор: Giovanni Gritti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-11.

Low-inertia direct drive having high power density

Номер патента: US09553496B2. Автор: Rainer Marquardt. Владелец: Leantec Motor GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-01-24.

Method and apparatus for regulated three-phase AC-to-DC conversion with high power factor and low harmonic distortions

Номер патента: US09531282B1. Автор: Alexei V. Nikitin. Владелец: Avatekh Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Unified high power and low power battery charger

Номер патента: US09444281B2. Автор: Jamie L. Langlinais,Talbott M. Houk,Mark A. Yoshimoto. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

High power factor DC power supply with variable gain converter and fast-averaging control loop

Номер патента: US09419514B1. Автор: Wei Xiong. Владелец: Universal Lighting Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Power semiconductor device

Номер патента: US7538587B2. Автор: Toru Iwagami,Shinya Shirakawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-26.

Power supply with low to high power transition mode

Номер патента: EP3529884A1. Автор: Xiaochun Zhao,Vijayalakshmi Devarajan,Gangqiang Zhang,Vaibhav Garg,Angelo W. D. PEREIRA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-08-28.

Power semiconductor module and leakage current test method for the same

Номер патента: US20210011090A1. Автор: Tadahiko Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

High-power, high-fidelity tube amplifier

Номер патента: US5498996A. Автор: Scott G. Frankland. Владелец: Wavestream Kinetics. Дата публикации: 1996-03-12.

Variable uplink grant configurations for high power class devices

Номер патента: WO2024137071A1. Автор: AKASH Kumar,Sumitkumar Shrikant DUBEY. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-27.

High-power, high-fidelity tube amplifier

Номер патента: WO1996016474A1. Автор: Scott G. Farkland. Владелец: Wavestream Kinetics. Дата публикации: 1996-05-30.

Snubber circuit, power semiconductor module, and induction heating power supply device

Номер патента: US12133315B2. Автор: Takahiko Kanai. Владелец: Neturen Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Drive circuit of power semiconductor device

Номер патента: US09806593B2. Автор: Yasushi Nakayama,Ryosuke Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods and apparatuses for operating groups of high-power LEDs

Номер патента: US09560707B2. Автор: Antonius Jacobus Maria Cremer,Machiel Slot. Владелец: Eldolab Holding BV. Дата публикации: 2017-01-31.

Balancing currents of power semiconductors

Номер патента: US09503077B2. Автор: Mika Niemi. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2016-11-22.

Power semiconductor device

Номер патента: US09462708B2. Автор: Ingo Bogen. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-10-04.

High power-supply rejection ratio amplifying circuit

Номер патента: US20120049959A1. Автор: Rui Wang,Huijie Zhao,Jinyan Lin,Yunping Lang. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Resettable electronic fuse for high-power devices

Номер патента: US11967817B2. Автор: Jeffrey M. Brozek,Chien-Chih Chao,Benjamin Tesch. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Drive circuit for power semiconductor element, semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US20230308086A1. Автор: Takashi Masuhara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Liquid cooling device for the arrangement of a power semiconductor device

Номер патента: US12035514B2. Автор: Rainer Popp,Harald Kobolla,Christian Zeller. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-09.

Method and Device for Controlling Power Semiconductor Switches Connected in Parallel

Номер патента: US20170331362A1. Автор: Bernd Eckert,Stefan Butzmann,Peter Taufer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-11-16.

Liquid cooling device for the arrangement of a power semiconductor device

Номер патента: US20230038316A1. Автор: Rainer Popp,Harald Kobolla,Christian Zeller. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-02-09.

Systems and methods for high power uplink transmission

Номер патента: US12069583B2. Автор: David Richard Pehlke. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

High-power four-quadrant converter system

Номер патента: US20240322705A1. Автор: LI Jiang,Jie Zhang,Peng Wu,Xuesong Xu,Zhengyi Huang. Владелец: Hefei Institutes of Physical Science of CAS. Дата публикации: 2024-09-26.

High power resonance filters

Номер патента: CA1190617A. Автор: Derek A. Paice,Laszlo Gyugyi,Eugene C. Strycula. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1985-07-16.

Low inductance bus bar arrangement for high power inverters

Номер патента: US5422440A. Автор: Rudolfo Palma. Владелец: REM Technologies Inc. Дата публикации: 1995-06-06.

Wireless power transmitter for high fidelity communications and high power transfer

Номер патента: US11476725B2. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2022-10-18.

High power ultrasonic motor

Номер патента: CA2289065C. Автор: Thomas T. Hansen. Владелец: Etrema Products Inc. Дата публикации: 2006-12-05.

Wireless power transmitter for high fidelity communications and high power transfer

Номер патента: US11489372B2. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2022-11-01.

Wireless power transmitter for high fidelity communications at high power transfer

Номер патента: US11870509B2. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Remote sensing circuit and high-power supply apparatus having the same

Номер патента: US20100073835A1. Автор: Jee-Hoon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-25.

High-power wireless transmission and conversion

Номер патента: US20210234402A1. Автор: Richard C. Thompson,Andrew Thomas Sultenfuss. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2021-07-29.

Wireless Power Transmitter For High Fidelity Communications At High Power Transfer

Номер патента: US20220239342A1. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Wireless Power Transmitter for High Fidelity Communications and High Power Transfer

Номер патента: US20230223795A1. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

High-power factor rectification circuit and power converter

Номер патента: EP4199334A1. Автор: Wei Zhang,Ken Chin,Zhixiang Hu,Yuanjun Liu. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Thermal bus for cabinets housing high power electronics equipment

Номер патента: EP1415122A1. Автор: Dmitry Khrustalev,Jon Zuo. Владелец: Thermal Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Buck converter with high power efficiency

Номер патента: US20230163685A1. Автор: Jin-Yan SYU,Chih-Chen Li. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Wireless power transmitter for high fidelity communications and high power transfer

Номер патента: US11770031B2. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

High-power machine drive system based on modular multilevel converter

Номер патента: US20210265920A1. Автор: Fujin DENG,Pengyuan JIANG,Yihua Hu. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-08-26.

High-power machine drive system based on modular multilevel converter

Номер патента: US11121641B1. Автор: Fujin DENG,Pengyuan JIANG,Yihua Hu. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-09-14.

Operating a power semiconductor element

Номер патента: US20220021383A1. Автор: Benno Weis,Fabian Diepold. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2022-01-20.

Operating a power semiconductor element

Номер патента: US11916545B2. Автор: Benno Weis,Fabian Diepold. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-02-27.

Method and apparatus for providing high power in a wireless power system

Номер патента: US20240213804A1. Автор: Hatem Zeine. Владелец: Ossia Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Buck converter with high power efficiency

Номер патента: EP4184775A1. Автор: Jin-Yan SYU,Chih-Chen Li. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-05-24.

Methods to harvest electromagnetic energy during subsurface high power laser transmission

Номер патента: WO2021236130A1. Автор: Damian Pablo San Roman Alerigi. Владелец: Aramco Services Company. Дата публикации: 2021-11-25.

Interlocked high power fiber system using otdr

Номер патента: EP1025432A4. Автор: Ralph B Jander. Владелец: Tyco Submarine Systems Ltd. Дата публикации: 2005-06-15.

Interlocked high power fiber system using otdr

Номер патента: EP1025432A2. Автор: Ralph B. Jander. Владелец: Tyco Submarine Systems Ltd. Дата публикации: 2000-08-09.

High-power, multiple output amplifier

Номер патента: EP1792427A2. Автор: Richard B. Joerger,Clayton J. Emery. Владелец: Tellabs Petaluma Inc. Дата публикации: 2007-06-06.

Control apparatus and method to control a high-power electric motor

Номер патента: AU2021235580B2. Автор: Alessandro Ardesi,Giuseppe Muscarnera. Владелец: DANIELI AUTOMATION SPA. Дата публикации: 2023-12-14.

High power system with antiparallel protection diode arrangement

Номер патента: US20230412067A1. Автор: Karl Kyrberg,Magnus Hortans. Владелец: DANFOSS DRIVES OY. Дата публикации: 2023-12-21.

Automatic high-power electrical energy storage systems and management methods

Номер патента: CA3224196A1. Автор: William DE JONG. Владелец: Wright Energy Storage Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

High power systems and method of tuning same

Номер патента: AU7013987A. Автор: Tudor David Pike. Владелец: Marconi Co Ltd. Дата публикации: 1987-09-24.

High power systems

Номер патента: GB8606786D0. Автор: . Владелец: Marconi Co Ltd. Дата публикации: 1986-05-21.

High-power, multiple output amplifier

Номер патента: CA2576331A1. Автор: Richard B. Joerger,Clayton J. Emery. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

High power tunable capacitor

Номер патента: US20140055212A1. Автор: Chang-Ho Lee,Aristotele Hadjichristos,Kyu Hwan An,Minsik Ahn. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Automatic high-power electrical energy energy storage systems and management methods

Номер патента: US20240291288A1. Автор: William DE JONG. Владелец: Wright Energy Storage Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Automatic high-power electrical energy storage systems and management methods

Номер патента: EP4374473A1. Автор: William DE JONG. Владелец: Wright Energy Storage Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Converters for high power applications

Номер патента: WO2008027987A2. Автор: Jun Wen,Keyue Smedley. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2008-03-06.

High-Power Plasma Torch with Dielectric Resonator

Номер патента: US20230276562A1. Автор: Ashok Menon,Jovan Jevtic,Velibor Pikelja. Владелец: RADOM CORP. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of setting up a high power tuning system

Номер патента: GB2188202A. Автор: Tudor David Pike. Владелец: Marconi Co Ltd. Дата публикации: 1987-09-23.

Transmit receive switch with high power protection

Номер патента: EP1504280A1. Автор: Peter Karlsson,Ove Thomas Emanuelsson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2005-02-09.

High power efficient amplifier through digital pre-distortion and machine learning in cable network environments

Номер патента: US09712193B1. Автор: Hang Jin. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Heat-dissipating system for high-power cabinet and static var compensation system

Номер патента: US09706690B2. Автор: Teng Liu,Aixing Tong,Zejun Wang,Meihua Jin. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

High-power analog interference cancellation

Номер патента: US20230318647A1. Автор: Cenk Kose,Bruce Coy,Peter James SALLAWAY. Владелец: TrellisWare Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for monitoring at least one semiconductor element in a semiconductor module

Номер патента: US20240230724A9. Автор: Ulrich Wetzel,Jürgen Zettner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for monitoring at least one semiconductor element in a semiconductor module

Номер патента: US20240133924A1. Автор: Ulrich Wetzel,Jürgen Zettner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-04-25.

Pressure dependent control valve - has several independent main valves which can be opened or closed with control valve

Номер патента: DE2619637A1. Автор: Hubert Odenthal. Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-01-26.

Magnetic position sensor - has magnetic fiel field sensitive semiconductor element and samarium cobalt magnet

Номер патента: FR2245930A1. Автор: . Владелец: PEUGEOT and RENAULT. Дата публикации: 1975-04-25.

Combustion gas preheater for IC-engine - has gas inlet passage adjacent to exhaust gases with corrugated capsule between two manifolds

Номер патента: FR2449794A1. Автор: . Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 1980-09-19.

High-power-laser chip-fabrication apparatus and method thereof

Номер патента: US20070111479A1. Автор: Chih-Ming Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Connecting passage between two hinged vehicles

Номер патента: RU2651535C2. Автор: Кнуд МОЗАНЕР,Марк Хайнрих. Владелец: Хюбнер ГмбХ энд Ко.КГ. Дата публикации: 2018-04-19.

High-powered high-voltage test device with integrated active air cooling

Номер патента: US10191100B2. Автор: Stefan Baldauf,Rudolf Blank. Владелец: B2 ELECTRONIC GMBH. Дата публикации: 2019-01-29.

Optics assembly for high power laser tools

Номер патента: US09360631B2. Автор: Mark S. Zediker,Brian O. Faircloth,Jason D. Fraze. Владелец: Foro Energy Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

High power led floodlight lamps and floodlight systems using said floodlight lamps to illuminate sports fields

Номер патента: US20200049319A1. Автор: Rüdiger Lanz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-13.

Plasma cutter having high power density

Номер патента: WO2009085370A1. Автор: Anthony Van Bergen Salsich. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC.. Дата публикации: 2009-07-09.

High-powered high-voltage test device

Номер патента: US20160069944A1. Автор: Stefan Baldauf,Rudolf Blank. Владелец: B2 ELECTRONIC GMBH. Дата публикации: 2016-03-10.

High power zoom lens system and image pickup apparatus

Номер патента: US7821723B2. Автор: Nobuaki Toyama. Владелец: Fujinon Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

High power misalignment-tolerant fiber assembly

Номер патента: US09453967B2. Автор: Yan Xiao,Richard L. Duesterberg. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Three-component composition for highly powerful cooling

Номер патента: RU2544662C2. Автор: Виссам РАШЕ. Владелец: Аркема Франс. Дата публикации: 2015-03-20.

Vane Cell Machine having a Pressure Piece which Delimits Two Pressure Chambers

Номер патента: US20170138197A1. Автор: Gerd Gaisser. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-05-18.

Gangway between two articulately connected vehicles

Номер патента: US09889863B2. Автор: Marc Heinrich,Knud Mosaner. Владелец: Huebner GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-02-13.

Current source having a high power supply rejection ratio

Номер патента: US5936460A. Автор: Kamran Iravani. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

High-power laser beam transmitter including depolarizer

Номер патента: US20240231024A1. Автор: Seung Jin Hwang. Владелец: Hillab Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

High-power LED bulb

Номер патента: US10876725B1. Автор: Qing Lan,Tianlong DAI,Shoubao Chen,Ligen Liu,WenHao LIN. Владелец: Shenzhen Guanke Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

High Power Reciprocating Pump Manifold and Valve Cartridges

Номер патента: US20150071803A1. Автор: Xiaolun Huang. Владелец: Federal Signal Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

High power led lamp with full angle lighting

Номер патента: RU2746242C1. Автор: Юрий Борисович Соколов. Владелец: Юрий Борисович Соколов. Дата публикации: 2021-04-09.

High-power power system and lawn mower

Номер патента: US20200060089A1. Автор: BIN Li. Владелец: Zhejiang Lera New Energy Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

RAID with high power and low power disk drives

Номер патента: EP1605455A3. Автор: Sehat Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2006-10-04.

High-power seismic wave early warning method and system

Номер патента: US12117573B2. Автор: Che-Min Lin,Yu-Tzu Huang,Kung-Chun Lu,Chung-Che Chou,Shu-Hsien CHAO. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2024-10-15.

Switching a computing device from a low-power state to a high-power state

Номер патента: US09552037B2. Автор: Leng Ooi. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

High-power five cylinder plunger pump

Номер патента: US20210301807A1. Автор: HONG Liu,Jixin Wang,Xiaosong Wei,Haiping Cui,Wenping Cui. Владелец: Yantai Jereh Petroleum Equipment and Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Optics assembly for high power laser tools

Номер патента: US20170059854A1. Автор: Mark S. Zediker,Brian O. Faircloth,Jason D. Fraze. Владелец: Foro Energy Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

High-power led bulb

Номер патента: GB2589726A. Автор: LAN QING,LIN WenHao,Liu Ligen,Chen Shoubao,DAI Tianlong. Владелец: Shenzhen Guanke Tech Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Bellows for a gangway between two vehicles movably connected to one another or for a jetway

Номер патента: US20230047833A1. Автор: Andreas Kunze. Владелец: Huebner GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-02-16.

Photonic integrated circuit structure with polarization device for high power applications

Номер патента: US20230417989A1. Автор: Yusheng Bian. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Arrangement Comprising at Least One Power Semiconductor Module and a Transport Packaging

Номер патента: US20110180918A1. Автор: Stefan STAROVECKY. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2011-07-28.

High power microwave petroleum recovery and refinement

Номер патента: WO2009085347A1. Автор: Ravi Varma. Владелец: University of Denver. Дата публикации: 2009-07-09.

Photonic integrated circuit structure with polarization device for high power applications

Номер патента: US20240241313A1. Автор: Yusheng Bian. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

High power portable reservoir heater

Номер патента: US20240240825A1. Автор: Christopher Jackson Crawford. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

Locating device for locating a source emitting a short-duration high power microwave pulse

Номер патента: US09423483B2. Автор: Adam Umerski,Frank Sonnenmann. Владелец: Diehl BGT Defence GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-08-23.

Improvements in or relating to self-locking actuators for the rotary movement of an element between two end positions

Номер патента: GB1064281A. Автор: Henry Vernon King. Владелец: Plessey UK Ltd. Дата публикации: 1967-04-05.

Method and device for treating cancer with electrical therapy in conjunction with a catheter and high power pulser

Номер патента: US20100228248A1. Автор: Adam H. Griffin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-09.

Modular lighting system including high-powered LED lighting modules

Номер патента: EP1586810A3. Автор: Francesco Iannone. Владелец: VLM SpA. Дата публикации: 2006-11-22.

High-power beam control with wavefront correction utilizing phase conjugation and adaptive optics

Номер патента: EP1362226A2. Автор: Robert W. Byren,Alvin F. Trafton. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2003-11-19.

High-power hybrid-electric propulsion systems and methods

Номер патента: WO2023167751A2. Автор: Narotam Singh GREWAL,Nabeel Ahmed Shirazee. Владелец: Propelled Limited. Дата публикации: 2023-09-07.

High-power hybrid-electric propulsion systems and methods

Номер патента: WO2023167751A8. Автор: Narotam Singh GREWAL,Nabeel Ahmed Shirazee. Владелец: Epropelled Limited. Дата публикации: 2023-10-12.

High-power hybrid-electric propulsion systems and methods

Номер патента: WO2023167751A3. Автор: Narotam Singh GREWAL,Nabeel Ahmed Shirazee. Владелец: Epropelled Inc.. Дата публикации: 2023-11-16.

High-power hybrid-electric propulsion systems and methods

Номер патента: GB2627653A. Автор: Singh Grewal Narotam,Ahmed Shirazee Nabeel. Владелец: Epropelled Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

High-power beam control with wavefront correction utilizing phase conjugation and adaptive optics

Номер патента: WO2003027621A3. Автор: Robert W Byren,Alvin F Trafton. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2003-08-21.

High-power and heavy-load back-to-back planetary gear test platform

Номер патента: ZA202311616B. Автор: Lin Fu,SHAN CHANG,Lidong Jiang,Yanjiong YUE. Владелец: No 703 Res Institute Of Cssc. Дата публикации: 2024-07-31.

Enhanced thermal design for high power lighting fixture

Номер патента: WO2024116157A1. Автор: Laurent Rene Raymond COLLOT,Kaveesh SIVARAJ. Владелец: Neos Ventures Investment Limited. Дата публикации: 2024-06-06.

Enhanced thermal design for high power lighting fixture

Номер патента: US20240183523A1. Автор: Laurent Rene Raymond COLLOT,Kaveesh SIVARAJ. Владелец: Multi Faith Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

High-power and heavy-load back-to-back planetary gear test platform

Номер патента: US12111226B1. Автор: Lin Fu,SHAN CHANG,Lidong Jiang,Yanjiong YUE. Владелец: No703 Research Institute Of Cssc. Дата публикации: 2024-10-08.

High-power hybrid-electric propulsion systems and methods

Номер патента: EP4440933A2. Автор: Narotam Singh GREWAL,Nabeel Ahmed Shirazee. Владелец: Epropelled Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

High power laser iris cutters

Номер патента: US09957766B2. Автор: Robert R. Rice,Mark S. Zediker,William F. Krupke,Brian O. Faircloth. Владелец: Foro Energy Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Adhesive composition for high-power optical fiber

Номер патента: US09765246B2. Автор: Kazushi Kimura,Hirokazu Kageyama,Seiko Mitachi. Владелец: Yokohama Rubber Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

High power tri-proof LED lamp

Номер патента: US09625128B2. Автор: Fuxing Lu. Владелец: Xiamen Pvtech Co ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

High-power extractor for juices

Номер патента: RU2723354C2. Автор: Чхом Тху И КИМ. Владелец: Чхом Тху И КИМ. Дата публикации: 2020-06-10.

Downhole deep tunneling tool and method using high power laser beam

Номер патента: CA2914624C. Автор: Sameeh Issa Batarseh. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2017-11-07.

Dielectric material used on high power stainless steel plates and the preparation method thereof

Номер патента: US20070281848A1. Автор: Shenghong Wu,Taijun Deng. Владелец: INDUCON INDUSTRIES Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

High speed and high power laser scribing methods and systems

Номер патента: US09873277B2. Автор: Darryl J. Costin, JR.,Darryl J. Costin, Sr.,Kimberly L. Ripley. Владелец: RevoLaze LLC. Дата публикации: 2018-01-23.

Optical power splitter for splitting high power light

Номер патента: US5408553A. Автор: Ronald E. English, Jr.,John J. Christensen. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1995-04-18.

Bearing of lever which is provided with pivot arm in relation to pressure piece

Номер патента: RU2678796C2. Автор: Томас КЛААС. Владелец: Бпв Бергише Ахзен Кг. Дата публикации: 2019-02-01.

High power optical fiber coupling

Номер патента: CA2406423A1. Автор: Gary S. Duck,Derwyn Johnson. Владелец: Lumentum Ottawa Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Composite piston rod for high power reciprocating engines

Номер патента: US3903753A. Автор: Ernst Pfleiderer,Adolf Ottl. Владелец: MAN Maschinenfabrik Augsburg Nuernberg AG. Дата публикации: 1975-09-09.

High Damage Threshold and Highly Reliable Broad-band Mid-IR Coatings for High Power Fluoride Fiber Laser

Номер патента: US20230287557A1. Автор: Wei Lu,Feng Niu,Yimin Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-14.

Shielding of light transmitter/receiver against high-power radio-frequency radiation

Номер патента: WO2001057561A1. Автор: David R. Sar. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2001-08-09.

High damage threshold and highly reliable broad-band mid-IR coatings for high power fluoride fiber laser

Номер патента: US11959164B2. Автор: Wei Lu,Feng Niu,Yimin Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-16.

Disposable hygiene products applying an elastic spandex fiber with high power retention

Номер патента: US20100198181A1. Автор: Sang-Won Cho,Yeon-Soo Kang,Bo-Hyun Bang,Seung-Won Soe. Владелец: Hyosung Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Mobile cart with high-power slurry vacuum and containment

Номер патента: US20230000296A1. Автор: Donald A. Pope, JR.. Владелец: Refuse Materials Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Shielding of light transmitter/receiver against high-power radio-frequency radiation

Номер патента: EP1252537A1. Автор: David R. Sar. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2002-10-30.

Array-type-transducer-based high-power ultrasound delivery system

Номер патента: US8624207B2. Автор: Hung-I Yeh,Cheng-Huang Su. Владелец: MACKAY MEMORIAL HOSPITAL. Дата публикации: 2014-01-07.

High power active cooling system for a cpu or other heat sensitive element

Номер патента: EP1395895A2. Автор: Ronen Meir. Владелец: Active Cool Ltd. Дата публикации: 2004-03-10.

Friction bearing between two travelling parts, one relative to another

Номер патента: RU2395017C2. Автор: Клод МОН,Кристелль ФУШЕ,Вероник ЖИФФАР. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2010-07-20.

High power vacuum attachment apparatus

Номер патента: US5208941A. Автор: Mark Ettere. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-05-11.

High power reciprocating pump manifold and valve cartridges

Номер патента: US20160138585A1. Автор: Xiaolun Huang. Владелец: Federal Signal Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

High Power Flashlight with Polymer Shell

Номер патента: US20190017694A1. Автор: Kevin Parsons. Владелец: Armament Systems and Procedures Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

High power grid global navigation satellite systems corrections

Номер патента: US11835633B1. Автор: John Hane. Владелец: Spectrum Co LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

High-power dynamic lens for additive manufacturing

Номер патента: WO2020107107A1. Автор: Todd Deaville,Vito Abate. Владелец: Magna International Inc.. Дата публикации: 2020-06-04.

LED light source assembly and high-power lamp using the same

Номер патента: US11774046B2. Автор: Yang Li,Weijun Zhang,Chao Fu,Zhenghong MA,Bingshuang ZHANG. Владелец: Zhejiang Yankon Mega Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Minimizing high power laser thermal blooming in the atmosphere

Номер патента: US7010005B1. Автор: David C. Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-07.

Electric control valve

Номер патента: US20100038569A1. Автор: Haiqing Li,Zhenming Li. Владелец: Beijing HaiLin Auto Control Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-18.

High-power dynamic lens for additive manufacturing

Номер патента: EP3887894A1. Автор: Todd Deaville,Vito Abate. Владелец: Magna International Inc. Дата публикации: 2021-10-06.

Backlight using high-powered corner led

Номер патента: EP2057491A2. Автор: Mark Pugh,Gerard Harbers,Serge Bierhuizen. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2009-05-13.

Feed-through seal for a high-power laser fiber optical cable

Номер патента: WO2003009037A3. Автор: William M Carra,Brian T Rosenberger. Владелец: Brian T Rosenberger. Дата публикации: 2003-12-31.

Feed-through seal for a high-power laser fiber optical cable

Номер патента: WO2003009037A2. Автор: Brian T. Rosenberger,William M. Carra. Владелец: LOCKHEED MARTIN CORPORATION. Дата публикации: 2003-01-30.

Feed-through seal for a high-power laser fiber optic cable

Номер патента: US20030016936A1. Автор: Brian Rosenberger,William Carra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

High-power thermoacoustic refrigerator

Номер патента: WO1997005433A3. Автор: Steven Lurie Garrett. Владелец: Steven Lurie Garrett. Дата публикации: 1997-03-27.

High-power thermoacoustic refrigerator

Номер патента: WO1997005433A2. Автор: Steven Lurie Garrett. Владелец: Steven Lurie Garrett. Дата публикации: 1997-02-13.

Sealing device between two axisymmetric coaxial parts

Номер патента: US09869193B2. Автор: Serge René Morreale,Arnaud Jean-Marie Pierrot. Владелец: SNECMA SAS. Дата публикации: 2018-01-16.

Holographic high power illumination distribution system

Номер патента: US09740169B2. Автор: Quinn Y. Smithwick. Владелец: Disney Enterprises Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

High power acoustical transducer with elastic wave amplification

Номер патента: US3872330A. Автор: Darrow L Miller,William Y Wells. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1975-03-18.

POWER SEMICONDUCTOR MODULE HAVING LAYERED INSULATING SIDE WALLS

Номер патента: US20120001317A1. Автор: . Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2012-01-05.

Package for High Power Devices

Номер патента: US20120001316A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Power semiconductor device of tablet structure

Номер патента: RU2231862C1. Автор: А.В. Новиков,А.И. Савкин. Владелец: Савкин Анатолий Иванович. Дата публикации: 2004-06-27.

Power semiconductor module

Номер патента: US20120001227A1. Автор: TAKAHASHI Kiyoshi,Okita Souichi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Planet high-power reduction gear

Номер патента: RU2260727C1. Автор: А.И. Суровцев. Владелец: Суровцев Александр Ильич. Дата публикации: 2005-09-20.

METHOD OF DETERMINING SHIFT BETWEEN TWO IMAGES

Номер патента: US20120002845A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

High-power led lamp having heat dissipation assembly

Номер патента: SG128493A1. Автор: Kuang-Tseng Lin. Владелец: Kuang-Tseng Lin. Дата публикации: 2007-01-30.

Module of power semiconductor instruments

Номер патента: RU2462787C2. Автор: Йорг ДОРН,Томас КЮБЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2012-09-27.

High-power planetary mini reduction gear

Номер патента: RU2222733C2. Автор: А.И. Суровцев. Владелец: Суровцев Александр Ильич. Дата публикации: 2004-01-27.

Interlocked high power fiber system using otdr

Номер патента: WO1998016017B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1998-07-16.