Technique for the growth and fabrication of semipolar (Ga,Al,In,B)N thin films, heterostructures, and devices
Номер патента: KR101351396B1
Опубликовано: 07-02-2014
Автор(ы): 라자트 샤르마, 로버트 엠. 주니어 패럴, 벤자민 에이. 하스켈, 슈지 나카무라, 스티븐 피. 덴바스, 아르판 챠크라보르티, 우메쉬 케이. 미쉬라, 제임스 에스. 스펙, 트로이 제이. 베이커, 피. 모건 패티슨
Принадлежит: 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아, 재팬 사이언스 앤드 테크놀로지 에이젼시
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Опубликовано: 07-02-2014
Автор(ы): 라자트 샤르마, 로버트 엠. 주니어 패럴, 벤자민 에이. 하스켈, 슈지 나카무라, 스티븐 피. 덴바스, 아르판 챠크라보르티, 우메쉬 케이. 미쉬라, 제임스 에스. 스펙, 트로이 제이. 베이커, 피. 모건 패티슨
Принадлежит: 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아, 재팬 사이언스 앤드 테크놀로지 에이젼시
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TECHNIQUE FOR THE GROWTH AND FABRICATION OF SEMIPOLAR (Ga,Al,In,B)N THIN FILMS, HETEROSTRUCTURES, AND DEVICES
Номер патента: US20180013035A1. Автор: Nakamura Shuji,DenBaars Steven P.,Speck James S.,JR. Robert M.,Chakraborty Arpan,Sharma Rajat,Farrell,Haskell Benjamin A.,Baker Troy J.,Mishra Umesh K.,Pattison P. Morgan. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.