METHOD FOR FABRICATING NANOGAP ELECTRODES, NANOGAP ELECTRODES ARRAY, AND NANODEVICE WITH THE SAME
Номер патента: US20140054788A1
Опубликовано: 27-02-2014
Автор(ы): Majima Yutaka, Muraki Taro, TANAKA Daisuke, Teranishi Toshiharu
Принадлежит: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 27-02-2014
Автор(ы): Majima Yutaka, Muraki Taro, TANAKA Daisuke, Teranishi Toshiharu
Принадлежит: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Devices with embedded non-volatile memory and metal gates and methods for fabricating the same
Номер патента: US09583499B1. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Yiang Aun Nga,Weining Cheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-28.