Herstellung von Grabenisolierungs-Bereichen in einem Halbleitersubstrat

27-07-2006 дата публикации

Номер:

DE10103779B4

Автор: Ja Rong Hsieh, Pao Kuo Liu, Zhi-yong Wang

Принадлежит: Promos Technologies Inc

Контакты:

Номер заявки:

Дата заявки:

CPC - классификация

H H0 H01 H01L H01L2 H01L21 H01L21/H01L21/7 H01L21/76 H01L21/762 H01L21/7622 H01L21/76229

IPC - классификация

H H0 H01 H01L H01L2 H01L21 H01L21/H01L21/7 H01L21/76 H01L21/762 H01L21/7622 H01L21/76224

Получить PDF