Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor

11-01-2011 дата публикации

Номер:

US7867896B2

Автор: Hua Chung, Ling Chen, Vincent W. Ku, Wei Cao

Принадлежит: Applied Materials Inc

Контакты:

Номер заявки:

Дата заявки:

CPC - классификация

C C2 C23 C23C C23C1 C23C16 C23C16/C23C16/0 C23C16/04 C23C16/045 C23C16/3 C23C16/34 C23C16/4 C23C16/44 C23C16/440 C23C16/4408 C23C16/45 C23C16/455 C23C16/4555 C23C16/45557 H H0 H01 H01L H01L2 H01L21 H01L21/H01L21/2 H01L21/28 H01L21/285 H01L21/2856 H01L21/28562

IPC - классификация

C C2 C23 C23C C23C1 C23C16 C23C16/C23C16/0 C23C16/04 C23C16/045 C23C16/3 C23C16/34 C23C16/36

Получить PDF