RESISTIVE SWITCHING MEMORY INCLUDING RESISTIVE SWITCHING LAYER FABRICATED USING SPUTTERING AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

03-06-2021 дата публикации

Номер:

US20210167286A1

Автор: BAEK Gwang Ho, HONG Jin Pyo, HYEON Da Seul, JANG Gabriel, Kim Tae Yoon

Принадлежит: IUCF-HYU (Industry-Univesity Cooperation Foundation Hanyang University)

Контакты:

Номер заявки:

Дата заявки:

CPC - классификация

C C2 C23 C23C C23C1 C23C14 C23C14/C23C14/0 C23C14/08 C23C14/5 C23C14/54 H H0 H01 H01J H01J3 H01J37 H01J37/H01J37/3 H01J37/34 H01J37/341 H01J37/3417 H01J37/342 H01J37/3426 H01L H01L4 H01L45 H01L45/H01L45/0 H01L45/08 H01L45/1 H01L45/12 H01L45/123 H01L45/1233 H01L45/125 H01L45/1253 H01L45/14 H01L45/146 H01L45/149 H01L45/16 H01L45/162 H01L45/1625

IPC - классификация

C C2 C23 C23C C23C1 C23C14 C23C14/C23C14/0 C23C14/08 C23C14/5 C23C14/54 C23C14/541 H H0 H01 H01L H01L4 H01L45 H01L45/H01L45/1 H01L45/12 H01L45/123 H01L45/1233

Получить PDF