Methods for forming FinFETs with self-aligned source/drain

06-01-2015 дата публикации

Номер:

US8927377B2

Автор: Jeffrey Junhao XU, Ying Zhang, Ziwei Fang

Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd

Контакты:

Номер заявки:

Дата заявки:

CPC - классификация

H H0 H01 H01L H01L2 H01L29 H01L29/H01L29/6 H01L29/66 H01L29/667 H01L29/6679 H01L29/66795

IPC - классификация

H H0 H01 H01L H01L2 H01L29 H01L29/H01L29/1 H01L29/16 H01L29/165 H01L29/6 H01L29/66 H01L29/665 H01L29/6654 H01L29/66545 H01L29/667 H01L29/6679 H01L29/66795

Получить PDF