Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 34. Отображено 34.
17-03-2023 дата публикации

원자층 식각 공정을 수행하는 것을 포함하는 반도체 소자 제조 방법

Номер: KR102511281B1
Автор: 성덕용, 오세진, 우제헌, 이현주, 임승규, 황기호
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 챔버 내의 정전척 상에 웨이퍼를 로딩하고, 상기 챔버 내부에 제1 가스를 공급하여 상기 웨이퍼 상에 상기 제1 가스를 흡착시키는 제1 주기의 공정을 수행하고, 상기 챔버 내부에 제2 가스를 공급하여 상기 챔버의 내부에 잔존하는 상기 제1 가스를 상기 챔버의 외부로 배출하는 제2 주기의 공정을 수행하고, 상기 챔버 내부에 제3 가스를 공급하고, 상기 제3 가스를 포함하는 플라즈마를 생성하고, 및 상기 플라즈마를 상기 웨이퍼 상에 충돌시켜 상기 웨이퍼 상에 흡착된 상기 제1 가스를 제거하는 제3 주기의 공정을 수행하고, 및 상기 웨이퍼를 상기 챔버의 외부로 언로딩하는 것을 포함하는 반도체 소자를 제조하는 방법이 설명된다.

Подробнее
Номер записи: 1
04-05-2018 дата публикации

ATOMIC LAYER ETCHING METHOD AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME

Номер: KR1020180045104A
Автор: WOO, JE HUN, SUNG, DOUG YONG, OH, SE JIN
Принадлежит:

The present invention provides an atomic layer etching method. The method comprises sequentially supplying etch gases suitable for etching various types of atoms when etching a film comprising the two or more types of atoms by atomic layer unit, and removing the atoms sequentially. It is possible to etch a layer accurately. COPYRIGHT KIPO 2018 (AA) Start (BB) End (CC) No (DD) Yes (S10) Step of providing a film comprising an atomic layer in which first atoms and second atoms which are different from each other are present (S21) Step of supplying first etching gas reactive with the first atoms and adsorbing the first etching gas to the first atoms (S22) Step of purging the first etching gas not adsorbed to the first atoms (S23) Step of removing the first atoms from which the first etching gas has been adsorbed (S24) Step of supplying second etching gas reactive with the second atoms to the second atoms to be absorbed to the second atoms (S25) Step of purging the second etching gas not adsorbed ...

Подробнее
Номер записи: 2
29-12-2017 дата публикации

PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер: KR1020170143068A
Автор: KIM, HAK YOUNG, HONG, JUNG PYO, SUN, JONG WOO, SUNG, DOUG YONG, LIM, YONG HO, JEON, YUN KWANG, JUNG, HWA JUN
Принадлежит:

A plasma processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention includes: a chamber; a window plate arranged on the upper side of the chamber and including a coupling hole; an injector including a body part which includes a plurality of nozzles and is coupled to the coupling hole, and a flange part radially extended from the body part and partially covering the bottom surface of the window plate; and a stopper coupled to the body part on the upper side of the window plate to prevent the injector from being separated from the coupling hole. Accordingly, the present invention can implement the uniform distribution of a process gas in the chamber. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

Подробнее
Номер записи: 3
02-07-2018 дата публикации

SUBSTRATE TREATING APPARATUS

Номер: KR1020180072916A
Автор: KIM, MIN SUNG, KIM, HAK YOUNG, SUNG, DOUG YONG, LIM, YONG HO, JEON, YUN KWANG
Принадлежит:

The present invention relates to a substrate treating apparatus for minimizing occurrence of arc discharge. The substrate treating apparatus comprises a chamber; a support unit positioned in the chamber and supporting a substrate; a gas supply unit positioned on the support unit and supplying a process gas into the chamber; and a liner unit positioned in the chamber and surrounding the support unit. The support unit includes a base, a chuck positioned on the base and having the substrate placed thereon, and a dielectric ring surrounding the chuck on the base and having a part thereof overlapping the liner unit. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

Подробнее
Номер записи: 4
04-05-2018 дата публикации

ANTENNA, PLASMA GENERATING CIRCUIT, PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME

Номер: KR1020180045105A
Автор: LEE, DONG HYUB, SUNG, DOUG YONG, WOO, JE HUN, KIM, BONG SEONG, LEE, JU HO, JEON, YUN KWANG, CHO, JUNG HYUN
Принадлежит:

According to the present invention, disclosed are an antenna, a plasma generating circuit, a plasma processing apparatus, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same. The circuit includes high frequency power sources for generating high frequency power, antennas for receiving the high frequency power to generate plasma, and inductors connecting the antennas to the high frequency power sources and having a second mutual inductance for canceling first mutual inductances between the antennas. It is possible to induce uniform plasma. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

Подробнее
Номер записи: 5
19-03-2025 дата публикации

Substrate process apparatus substrate process system including the same plasma detect method using the same and substrate process method using the same

Номер: KR20250038530A
Автор: 강찬수, 강대원, 김민주, 김태현, 남상기, 성덕용, 양정모, 오세진, 임건희, 임준호
Принадлежит:

A substrate processing apparatus includes a process chamber providing a process space, a stage located in the process chamber and configured to support a substrate, a window coupled to a side of the process chamber, and a scintillator layer coupled to one side surface of the window. The scintillator layer covers a portion of the one side surface of the window which is less than the full window surface. A second surface corresponding to another portion of the one side surface of the window is exposed. Light emitted by a plasma in the process space passes through the window and is collected by an optical system and analyzed. Ultraviolet light passing through the scintillator is converted to longer wavelength, generally visible, light. Comparing the light passing through the bare window with the light passing through the scintillator layer enables analysis of the plasma.

Подробнее
Номер записи: 6
13-02-2017 дата публикации

펄스 플라즈마의 고속 광학적 진단 시스템

Номер: KR0101700391B1
Автор: 이동수, 장성호, 김병희, 성덕용, 신동옥
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 본 발명의 기술적 사상에 의한 펄스 플라즈마의 진단 시스템은, 기판과 펄스 플라즈마의 반응에 의해 광이 발생하는 챔버; 상기 챔버에 펄스 신호를 포함하는 제1 펄스 RF 전력을 제공하는 제1 펄스 RF 전력 공급부; 상기 광을 검출하고, 상기 광을 전기 신호로 변환하는 발광 검출기 (Optical Emission Sensor; OES); 상기 전기 신호를 상기 펄스 신호와 동기화(synchronization)시키는 디지타이저(Digitizer); 상기 동기화된 전기 신호에 대응하는 상기 펄스 플라즈마의 파라미터를 측정하는 측정부;를 포함하는 펄스 플라즈마의 진단 시스템을 포함한다.

Подробнее
Номер записи: 7
04-08-2017 дата публикации

PROCESS CHAMBER MONITORING APPARATUS

Номер: KR1020170089546A
Автор: VLADIMIR PROTOPOPOV, HWANG, KI HO, SUNG, DOUG YONG, OH, SE JIN, INN, KUL, JANG, SUNG HO, JEON, YUN KWANG
Принадлежит:

A process chamber monitoring apparatus is provided. The process chamber monitoring apparatus includes a process chamber including a view port formed in a chamber body, a cover part arranged to correspond to the end part of the view port, having a first thickness in the direction of the center of the process chamber and having a pin hole formed thereon, and a sensing part inserted into the view port and monitoring the inside of the process chamber through the pinhole. The sensing area of the sensing part is determined according to the first thickness value of the cover part. Therefore, it is possible to check the abnormality of a process without affecting process execution. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

Подробнее
Номер записи: 8
24-03-2023 дата публикации

정전 척 및 그를 포함하는 기판 처리 장치

Номер: KR102513443B1
Автор: 김민성, 박명수, 성덕용, 전윤광
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 본 발명은 정전 척 및 그를 포함하는 기판 처리 장치를 개시한다. 정전 척은 금속 베이스와, 금속 베이스 상의 유전체 플레이트와, 상기 유전체 플레이트 내의 히터 부를 포함한다. 히터 부는 방위각 방향으로 분리된 히터들과, 상기 히터들 및 상기 베이스 사이에 배치되고, 상기 히터들과 중첩하여 상기 방위각 방향으로 분리되어 상기 복수개의 히터들과 각기 연결되는 복수개의 플레이트 전극들을 포함한다.

Подробнее
Номер записи: 9
19-03-2025 дата публикации

antenna circuit for generating plasma plasma processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер: KR102782333B1
Автор: 이동협, 성덕용, 우제헌, 김봉석, 이주호, 전윤광, 조정현
Принадлежит: 삼성전자주식회사

According to the present invention, disclosed are an antenna, a plasma generating circuit, a plasma processing apparatus, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same. The circuit includes high frequency power sources for generating high frequency power, antennas for receiving the high frequency power to generate plasma, and inductors connecting the antennas to the high frequency power sources and having a second mutual inductance for canceling first mutual inductances between the antennas. It is possible to induce uniform plasma.

Подробнее
Номер записи: 10
11-05-2016 дата публикации

PULSE PLASMA APPARATUS AND METHOD FOR DRIVING SAME

Номер: KR1020160050396A
Автор: KWON, OH YUNG, KANG, NAM JUN, SUNG, DOUG YONG, CHO, JUNG HYUN
Принадлежит:

In order to improve efficiency of a process of etching a semiconductor wafer using a pulse plasma by minimizing reflection power reflected from a process chamber, a pulse plasma apparatus according to the present invention applies pulse plasma power having a plurality of non-zero levels and matches an impedance by combining an impedance matching capacitance based on the plasma power having the plurality of levels according to a ratio of a duty cycle of the plasma having the plurality of levels. The pulse plasma apparatus comprises: a process chamber which includes an upper electrode and a lower electrode; a source RF generator which applies first-level RF pulse power having a first duty cycle and second-level RF pulse power having a second duty cycle to the upper electrode; a reflection power measurer which measures reflection RF power reflected again from the process chamber to the source RF generator; a first matching network which matches a plasma impedance of the process chamber with ...

Подробнее
Номер записи: 11
14-02-2019 дата публикации

플라즈마 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법

Номер: KR1020190015657A
Автор: 이동협, 우제헌, 성덕용, 이주호, 이현주, 전윤광
Принадлежит:

... 본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법을 개시한다. 그의 제조방법은, 제 1 및 제 2 안테나들 내에 제 1 및 제 2 고주파 파워들을 각각 제공하는 단계와, 상기 제 1 및 제 2 고주파 파워들의 전류 위상 차이를 변화하는 단계와, 상기 제 1 및 제 2 안테나들 내에 흐르는 제 1 및 제 2 전류들을 측정하여 상기 제 1 전류에 대한 상기 제 2 전류의 비율에 대응되는 전류 비를 계산하는 단계와, 상기 전류 비 내에 표준 값이 있는지를 판별하는 단계와, 상기 표준 값이 있으면 상기 표준 값의 상기 전류 비에서의 상기 제 1 및 제 2 전류들의 제 1 전류 위상 차이를 계산하는 단계를 포함한다.

Подробнее
Номер записи: 12
30-07-2015 дата публикации

PLASMA GENERATING APPARATUS

Номер: KR1020150087702A
Автор: KIM HYUNG JOON, SUNG, DOUG YONG, LEE, SANG HEON, JEON, SANG JEAN, PASHKOVSKIY VASILY, KIM, BONG SEONG, JEON, YUN KWANG
Принадлежит:

According to an embodiment of the present invention, the present invention relates to a plasma generating apparatus and comprises: a chamber which forms a reaction space separated from the outside; a wafer chuck which is placed in the lower part of the chamber; a plasma generating unit which is placed in the upper part of the chamber; a first RF power supply which supplies RF electric power to the plasma generating unit; a first matching unit which is included between the first RF power supply and the plasma generating unit; a second RF power supply which supplies RF electric power to the wafer chuck; and a second matching unit which is included between the first RF power supply and the plasma generating unit. The first RF power supply supplies a first level pulse electric power and a second pulse electric power having a different level of electric power depending on the time. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

Подробнее
Номер записи: 13
22-12-2017 дата публикации

ELECTROSTATIC CHUCK ASSEMBLY AND PLASMA PROCESSING APPARATUS HAVING SAME

Номер: KR1020170140926A
Автор: KWON, OH YUNG, KIM, KYUNG SUN, KIM, JAE HOON, SUNG, DOUG YONG
Принадлежит:

An electrostatic chuck assembly and a plasma processing apparatus having the same are disclosed. The electrostatic chuck assembly includes: a dielectric plate having an adsorption electrode for supporting a substrate and generating an electrostatic force for securing the substrate; a conductive base plate which is coupled to the dielectric plate so as to support the dielectric plate, and to which high-frequency power is applied; and an insulating plate composed of an insulating material, and including a low dielectric layer which is coupled to the base plate so as to support the base plate and which has a dielectric constant less than the dielectric constant of the insulating material. A high-frequency power load is configured to have a rod size in a range of 0.4 to 0.6, and a shield ring is made of a material having a dielectric constant of 5 or less. Thus, the present invention is able to increase a current supplied to a substrate so as to increase plasma uniformity. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

Подробнее
Номер записи: 14
30-11-2016 дата публикации

MATCHING DEVICE AND MATCHING SYSTEM INCLUDING SAME

Номер: KR1020160136769A
Автор: CHO, CHUNG HO, SUNG, DOUG YONG, YANG JANG GYOO
Принадлежит:

A matching device includes a generator and a matcher. A generator tunes the frequency of a power signal to provide a power signal. A matcher tunes the power signal based on a first capacitor and second capacitor and provides a matcher power signal. The matching device according to the embodiments of the present invention can increase impedance matching speed by fixing the value of the second capacitor included in the matcher and tuning the value of the first capacitance and the frequency of the power signal. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

Подробнее
Номер записи: 15
03-02-2016 дата публикации

SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING APPARATUS USED FOR SAME

Номер: KR1020160012302A
Автор: JEON, KANG MIN, KIM, KYUNG SUN, SUNG, DOUG YONG, KIM, TAE HWA, PARK, HEUNG SIK, KIM, JUNG MIN
Принадлежит:

The present invention discloses a substrate manufacturing method and a substrate manufacturing apparatus used for the same. The method may include the steps of: providing a substrate having a mask layer into a chamber; inducing a plasma reaction in the chamber; alternately providing a first gas and a second gas into the chamber, and etching the substrate exposed from the mask layer. Whenever each of the first gas and the second gas is provided into the chamber, each gas can be supplied at a stabilized supply pressure without the fluctuation of a cross-feed pressure pulse of the first gas and the second gas. COPYRIGHT KIPO 2016 (AA) Start (BB) No (CC) Yes (DD) End (S10) Provide a substrate into a chamber (S20) Induce plasma reaction into the chamber (S32) Provide a first gas (S34) Provide a second gas (S40) Is a manufacturing process of a substrate is completed? (S50) Stop the plasma reaction ...

Подробнее
Номер записи: 16
02-07-2018 дата публикации

DIELECTRIC WINDOW, PLASMA APPARATUS INCLUDING SAME, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020180072917A
Автор: LIM, SEUNG KYU, SUNG, DOUG YONG, PARK, MYOUNG SOO, KIM, JAE HOON, LEE, EUN YOUNG, CHUNG, SEI WON, HIRANO YOSHIHISA
Принадлежит:

Disclosed are a dielectric window capable of reducing process particles, a plasma apparatus including the same, and a manufacturing method thereof. The dielectric window comprises: a dielectric disk having at least one void; a filler filled in the void to flatten an upper surface of the dielectric disk; and a protective layer disposed on the filler and the dielectric disk. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

Подробнее
Номер записи: 17
17-05-2018 дата публикации

PLASMA ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME

Номер: KR1020180051741A
Автор: PARK, HO YONG, KANG, NAM JUN, SUNG, DOUG YONG, SHIM, SEUNG BO, CHO, JUNG HYUN
Принадлежит:

The present invention provides a plasma etching method capable of easily forming a circuit board having a high aspect ratio, and a manufacturing method of a semiconductor device using the same. According to an embodiment of the present invention, the plasma etching method comprises the following steps of: preparing a chamber in which a first electrode and a second electrode facing each other are located; loading a substrate having an etching target film within the chamber; and applying a plurality of RF powers to any one of the first electrode and the second electrode, and etching the etching target film. The plurality of RF powers include: a first RF power having a first frequency of 40 to 300 MHz; a second RF power having a second frequency of 100 KHz to 10 MHz; and a third RF power having a third frequency of 10 KHz to 5 MHz. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

Подробнее
Номер записи: 18
09-07-2018 дата публикации

PLASMA PROCESSING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD USING SAME

Номер: KR1020180077392A
Автор: SOHN, MIN KYU, SUNG, DOUG YONG, SHIM, SEUNG BO, JEONG, JAE WON, HAN PETERBYUNGHOON
Принадлежит:

The present invention discloses a plasma processing apparatus and a semiconductor element manufacturing method using the same. The apparatus comprises a chamber provided with a substrate; an electrode disposed in the chamber and generating plasma on the substrate using high frequency power; and a high frequency power supply unit connected to the electrode and supplying the high frequency power to the electrode. The high frequency power supply unit can control an etching rate of the substrate by controlling a slope or a width of diagonal lines of a valley in an on-pulsing section of a pulsing period of the high frequency power. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

Подробнее
Номер записи: 19
15-01-2019 дата публикации

정전 척, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법

Номер: KR1020190004867A
Автор: 김민성, 박명수, 여동윤, 성덕용, 이수호, 전윤광
Принадлежит:

... 본 발명은 정전 척, 기판 처리 장치, 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법을 개시한다. 정전 척은 척 베이스와, 척 베이스 상의 절연 플레이트와, 절연 플레이트 내에 배치된 셀 히터를 갖는 상부 히터 부와, 셀 히터를 제어하는 히터 제어 부를 포함한다. 히터 제어 부는 셀 히터의 저항을 측정하고, 상기 저항을 문턱 값과 비교하여 상기 셀 히터에 제공되는 히팅 파워를 제어할 수 있다.

Подробнее
Номер записи: 20
21-04-2016 дата публикации

PLASMA PROCESSING DEVICE

Номер: KR1020160043389A
Автор: KIM, HAK YOUNG, LEE, JI MYOUNG, KIM, JI HEE, SUNG, DOUG YONG, JEONG, KYEONG SEOK, CHOI, SEONG CHUL
Принадлежит:

Disclosed is a plasma processing device, comprising: a plate formed between a window covering a top portion of a chamber in which a plasma processing is performed, and an antenna generating a magnetic field; and a fluid supply unit supplying fluid for controlling the temperatures of the window and the antenna. The plate includes first and second regions receiving the fluid, and the fluid supply unit independently controls the first and second regions. The present invention provides the plasma processing device capable of reducing a temperature difference between a central portion and a peripheral portion of the window. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

Подробнее
Номер записи: 21
19-03-2025 дата публикации

PLASMA APPARATUS

Номер: KR102783125B1
Автор: 고정민, 김경현, 김남균, 김혁, 남상기, 성덕용, 유수영, 장성호, 정경수, 조영현
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 플라즈마 장치는 플라즈마 챔버, 제 1 전극, 에지 링 및 제 1 전자석 모듈을 포함할 수 있다. 상기 플라즈마 챔버 내에 플라즈마가 형성될 수 있다. 상기 제 1 전극은 상기 플라즈마 챔버의 저면에 배치되어 기판을 지지할 수 있다. 상기 에지 링은 상기 제 1 전극의 상부면에 배치된 상기 기판을 둘러쌀 수 있다. 상기 제 1 전자석 모듈은 상기 제 1 전극 내에 배치되어 자기장을 이용해서 상기 플라즈마의 밀도를 제어할 수 있다. 따라서, 기판 상의 막을 정밀하게 제어된 밀도를 갖는 플라즈마를 이용해서 정밀하게 처리할 수가 있다.

Подробнее
Номер записи: 22
12-05-2016 дата публикации

RAPID OPTICAL DIAGNOSIS SYSTEM FOR PULSED PLASMA

Номер: KR1020160052173A
Автор: LEE, DONG SOO, JANG, SUNG HO, KIM, BYEONG HEE, SUNG, DOUG YONG, SHIN, DONG OK
Принадлежит:

The present invention relates to a rapid optical diagnosis system for pulsed plasma, comprising: a chamber for emitting light by a reaction between a substrate and the pulsed plasma; a first RF power supply unit for supplying the chamber with first RF power including a pulsed signal; an optical emission sensor (OES) for detecting the light and transforming the light into an electric signal; a digitizer for synchronizing the electric signal with the pulsed signal; and a measurement unit for measuring a parameter of the pulsed plasma corresponding to the synchronized electric signal. The rapid optical diagnosis system for pulsed plasma according to the present invention can enhance stability of the pulsed plasma, process reproducibility between chambers, and yield of a wafer. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

Подробнее
Номер записи: 23
22-03-2023 дата публикации

플라즈마 식각 장치 및 반도체 공정 시스템

Номер: KR20230039870A
Автор: 김영도, 성덕용, 김병상, 김윤환, 양정모, 오세진, 장성호
Принадлежит:

... 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치는, 처리 공간을 갖는 하우징; 상기 하우징 내의 기판을 지지하는 지지 유닛 내에 포함되는 하부 전극; 상기 하부 전극과 마주하는 상부 전극; 상기 하우징의 측벽에 배치되는 측벽 전극; 상기 하부 전극에 연결되어 RF 전원을 인가하는 하부 RF 전원; 상기 상부 전극에 연결되어 RF 전원을 인가하는 상부 RF 전원; 상기 하부 전극과 인접하는 하부 절연 부재; 상기 상부 전극과 인접하는 상부 절연 부재; 상기 하부 절연 부재에 매립되어 제공되는 하부 감지 부재; 및 상기 상부 절연 부재에 매립되어 제공되는 상부 감지 부재;를 포함할 수 있다.

Подробнее
Номер записи: 24
29-11-2016 дата публикации

펄스 플라즈마 장치 및 펄스 플라즈마 장치 구동 방법

Номер: KR0101677748B1
Автор: 권오형, 강남준, 성덕용, 조정현
Принадлежит: 삼성전자 주식회사

... 본 발명의 기술적 사상에 의한 펄스 플라즈마 장치는 공정 챔버에서 반사되는 반사 전력을 최소화하여 펄스 플라즈마를 이용한 반도체 웨이퍼의 식각 공정의 효율성을 향상시키기 위해, 0이 아닌 복수의 레벨을 가진 펄스 플라즈마 전력을 인가하고, 상기 복수의 레벨의 플라즈마 전력에 따른 임피던스 정합 커패시턴스를 상기 복수의 레벨 플라즈마의 듀티 사이클의 비율에 따라 조합하여 임피던스를 정합할 수 있는 것을 특징으로 한다.

Подробнее
Номер записи: 25
13-03-2017 дата публикации

MICROWAVE PROBE, PLASMA MONITORING SYSTEM COMPRISING MICROWAVE PROBE, AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING SYSTEM

Номер: KR1020170028094A
Автор: OH, SE JIN, KO, WOONG, SUNG, DOUG YONG, PASHKOVSKIY VASILY, HWANG, KI HO
Принадлежит:

The present invention relates to a microwave probe capable of precisely detecting a plasma state in a plasma process, a plasma monitoring system including the probe, and a method of manufacturing a semiconductor device using the system. Provided is the microwave probe comprising: a body which has a structure extending in one direction; and a head which is connected to one end of the body and has a flat panel structure. In a plasma process, a surface of the head has a structure coming into contact with the outer surface of the viewport of a chamber, and is coupled to the chamber in a non-invasive manner. Microwaves are applied to the chamber through the head, and signals generated from the inside of the chamber are received. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

Подробнее
Номер записи: 26
09-01-2019 дата публикации

반도체 제조 장치, 이의 동작 방법

Номер: KR1020190003093A
Автор: 심승보, 최명선, 강남준, 성덕용, 정상민, 한병훈
Принадлежит:

... 반도체 제조 장치, 이의 동작 방법이 제공된다. 상기 반도체 제조 장치는, 서로 다른 제1 가스와 제2 가스를 포함하는 혼합 가스를 제공받는 플라즈마 챔버, 상기 플라즈마 챔버로 제1 시간에 제1 레벨의 소스 전압을 인가하고, 제2 시간에 상기 제1 레벨과는 다른 제2 레벨의 소스 전압을 인가하는 소스 전원, 상기 플라즈마 챔버로 상기 제1 시간에서 제1 턴 온(turn on) 전압을 인가하고, 상기 제2 시간에서 제1 턴 오프(turn off) 전압을 인가하는 제1 바이어스 전원 및 상기 플라즈마 챔버로 상기 제1 시간에서 제2 턴 오프 전압을 인가하고, 상기 제2 시간에서 제2 턴 온 전압을 인가하는 제2 바이어스 전원을 포함하되, 상기 플라즈마 챔버는, 상기 제1 시간에서 상기 소스 전원과 상기 제1 바이어스 전원에 의해 상기 혼합 가스로부터 제1 조건의 플라즈마를 형성하고, 상기 제2 시간에서 상기 소스 전원과 상기 제2 바이어스 전원에 의해 상기 혼합 가스로부터 상기 제1 조건과는 다른 제2 조건의 플라즈마를 형성한다.

Подробнее
Номер записи: 27
13-02-2019 дата публикации

반도체 장치의 제조 방법

Номер: KR1020190014693A
Автор: 오세진, 김유신, 김재우, 방진영, 성덕용, 황인용
Принадлежит:

... 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치의 제조 방법은, 기판 상에 제1 몰드층 및 제2 몰드층이 순차적으로 적층된 적층 구조물을 형성하고, 상기 적층 구조물 상에 제1 포토 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 제1 포토 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제2 몰드층을 식각하고, 상기 제1 포토 레지스트 패턴의 일부를 식각하여, 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 제1 포토 레지스트 패턴으로부터 반사된 제1 반사광들 사이의 간섭 현상에 의해 생성된 제1 프린지(fringe) 신호를 측정하고, 상기 제2 포토 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여, 상기 제2 몰드층 및 노출된 상기 제1 몰드층을 식각하여 계단식 구조를 형성하고, 상기 제2 몰드층으로부터 반사된 제2 반사광들 사이의 간섭 현상에 의해 생성된 제2 프린지 신호를 측정하고, 상기 제1 프린지 신호 및 상기 제2 프린지 신호를 합산하여 제3 프린지 신호를 산출하고, 상기 제3 프린지 신호를 이용하여 상기 제1 포토 레지스트 패턴의 상면의 제1 식각률(etch rate)을 산출하고, 상기 제1 식각률을 이용하여 상기 제1 포토 레지스트 패턴의 측면의 제2 식각률을 산출하고, 상기 제2 식각률을 이용하여 상기 제2 포토 레지스트 패턴의 측면의 식각 정도를 제어한다.

Подробнее
Номер записи: 28
23-03-2023 дата публикации

플라즈마 처리 장치

Номер: KR102512803B1
Автор: 변익수, 이상호, 노영진, 성덕용, 이천규
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 플라즈마 처리 장치는 플라즈마가 처리되는 공간을 제공하는 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내에 구비되며, 일면 상에 웨이퍼가 탑재되는 하부 전극, 상기 공정 챔버 내에 구비되며, 상기 하부 전극과 마주보는 상부 전극, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부 및 상기 하부 전극에 탑재된 상기 웨이퍼의 가장자리를 둘러싸도록 상기 하부 전극 상에 배치되는 포커스 링을 포함하고, 상기 포커스 링은 헥사고날(hexagonal) 결정구조를 가지는 실리콘카바이드(SiC)들로 이루어진 층을 포함하되, 상기 실리콘카바이드(SiC)들의 적어도 일부는 6H-SiC의 결정형일 수 있다.

Подробнее
Номер записи: 29
05-01-2017 дата публикации

APPARATUS FOR MONITORING VACUUM ULTRAVIOLET AND PLASMA PROCESS EQUIPMENT INCLUDING SAME

Номер: KR1020170001817A
Автор: OH, SE JIN, SUNG, DOUG YONG, HWANG, KI HO, JEON, YUN KWANG
Принадлежит:

The present invention relates to an apparatus for monitoring vacuum ultraviolet capable of being easily mounted and used in equipment and being applicable to various plasma processes, and plasma process equipment including the same. The apparatus for monitoring vacuum ultraviolet comprises a light control unit including a slit. The slit includes: a light filtering unit allowing plasma emitting light emitted from a process chamber performing a plasma process on a substrate to be filtered, is disposed to be adjacent to the optical control unit, and allowing the plasma emitting light passing through the slit to be selectively filtered by a predetermined wavelength band; a light collecting unit collecting the plasma emitting light selectively filtered by the light filtering unit; and a detecting unit detecting the plasma emitting light collected by the light collecting unit. The plasma emitting light selectively filtered by the light filtering unit is vacuum ultraviolet. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

Подробнее
Номер записи: 30
31-10-2016 дата публикации

SUBSTRATE MANUFACTURING APPARATUS, AND CERAMIC THIN FILM COATING METHOD THEREOF

Номер: KR1020160124992A
Автор: KIM, JUNG MIN, BANG, JIN YOUNG, OH, SE JIN, KANG, TAE KYUN, PARK, MYOUNG SOO, SUNG, DOUG YONG
Принадлежит:

The present invention discloses a substrate manufacturing apparatus and a ceramic thin film coating method thereof. The apparatus includes a chamber and a ceramic thin film on the inner wall of the chamber. The ceramic thin film includes a yttrium oxygen fluoride film (Y_xO_yF_z, x=1, y=1, 2, z=1, 2). COPYRIGHT KIPO 2016 ...

Подробнее
Номер записи: 31
01-12-2016 дата публикации

SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD AND CARBON PROTECTIVE FILM COATING METHOD THEREOF

Номер: KR1020160137746A
Автор: LIM, SEUNG KYU, PARK, MYOUNG SOO, SUNG, DOUG YONG
Принадлежит:

The present invention discloses a substrate manufacturing apparatus and a coating method of a carbon protective film thereof. The substrate manufacturing apparatus includes: a plasma processing module; and a carbon protective film coated on the plasma processing module. The carbon protective film includes a diamond layer. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

Подробнее
Номер записи: 32
26-09-2017 дата публикации

ELECTROSTATIC CHUCK AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE HAVING SAME

Номер: KR1020170107627A
Автор: KIM, MIN SUNG, PARK, MYOUNG SOO, SUNG, DOUG YONG, JEON, YUN KWANG
Принадлежит:

Disclosed are an electrostatic chuck, and a substrate processing device having the same. The electrostatic chuck comprises: a metal base; a dielectric plate on the metal base; and a heater unit inside the dielectric plate. The heater unit comprises: heaters separated in the azimuth directions; and a plurality of plate electrodes disposed between the heaters and the base and overlapped with the heaters to be separated in the azimuth directions to be connected to each heater. The present invention can heat a substrate at extremely minimized temperature distribution. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

Подробнее
Номер записи: 33
04-07-2017 дата публикации

PLASMA PROCESSING APPARATUS, PLASMA PROCESSING METHOD THEREOF, AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер: KR1020170075887A
Автор: OH, SE JIN, WOO, JE HUN, CHO, CHUNG HO, SUNG, DOUG YONG, YANG JANG GYOO, JUNG, JAE CHUL
Принадлежит:

According to the present invention, a plasma processing apparatus, a plasma processing method thereof, and a plasma etching method are disclosed. The apparatus comprises: a source electrode; a source high-frequency power generation unit; a source high-frequency power output unit; and a source power output management circuit unit. The source power output management circuit unit determines the amplitude and a duty cycle of pulse source high-frequency power based on plasma according to the amplitude of source high-frequency power of a continuous wave. COPYRIGHT KIPO 2017 (43) First source RF power output unit (continuous wave source RF power amplitude adjuster) (45) Second source RF power output unit (48) Source power output management circuit unit (53) First bias RF power output unit (55) Second bias RF power output unit (58) Bias power output management circuit unit (59) Non-overlapped signal generation unit ...

Подробнее
Номер записи: 34