Устройство дл выращивани монокристалла кремни из расплава

СПОСОБ ВЫТЯГИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Относится к выращиванию кристаллов в виде деталей газотурбинных двигателей. Тигель для рабочего расплава загружают шихтой с легирующими добавками и флюсом. Загружают шихтой с флюсом тигель для подпитывающего материала и бункер для порошкообразного подпитывающего материала. Из камер с тиглями откачивают воздух, заполняют их компрессионным газом с давлением большим, чем упругость наиболее летучего компонента шихты. Расплавляют шихту в тиглях. Уровень подпитывающего расплава устанавливают таким, при котором перепускное отверстие соединительного трубопровода перекрыто поплавковым клапаном. Вакуумируют камеру с рабочим расплавом. Визируют оптическую систему на уровень рабочего расплава в тигле. Приводят затравку в контакт с расплавом и вытягивают кристалл. Объем расплава в тиглях поддерживают автоматически. Получены однородные без газовых включений кристаллы полупроводников и оксидной керамики. 2 с. и 3 з. п. ф-лы, 3 ил.

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

Изобретение относится к получению полупроводников. Устройство для выращивания монокристаллов кремния содержит плавильную камеру с колпаком и поддоном, тигель, систему охлаждения, нагреватель, магнитную систему. Плавильная камера снабжена сменной средней частью, выполненной в виде ступенчатого цилиндра с охлаждаемой рубашкой, установленной между поддоном и колпаком. Наружная поверхность рубашки средней части снабжена направляющими элементами под обмотку магнитной системы. Средняя часть снабжена распорным устройством, выполненным в виде регулируемых упоров, расположенных равномерно по периметру камеры, установленных между корпусом и крышкой средней части. 2 з. п. ф-лы, 3 ил.

СПОСОБ ГОМОГЕНИЗАЦИИ РАСТВОР-РАСПЛАВОВ ИЛИ РАСПЛАВОВ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов, в частности к стадии предподготовки раствор-расплавов или расплавов, т.е. их гомогенизации, предшествующей росту кристалла. Для решения поставленной задачи осуществляют перемешивание раствор-расплавов или расплавов путем создания управляемого теплового поля в тигле, содержащем расплав или раствор-расплав. При этом используют нагревательную печь с вертикальным расположением нагревательных элементов, разделенных на секции, и осуществляют последовательное отключение нагрева секций печи с интервалом, обеспечивающим последовательное смещение центра схождения конвективных потоков, возникающих в расплаве или раствор-расплаве, от центра к стенкам тигля. 3 ил.

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

Область применения: изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при выращивании монокристаллов кремния по методу Чохральского. Сущность изобретения состоит в способе получения монокристаллического кремния, включающем расплавление исходного кремния в тигле, введение затравки, вытягивание кристалла из расплава на вращающуюся затравку, в котором процесс ведут в атмосфере инертного газа, при совпадении направлений вращения тигля и кристалла и при соотношении скоростей вращения тигля и кристалла, определяемом по формуле где ωT и ωK - соответственно скорость вращения тигля и кристалла, об/мин; k - число из интервала от 0,1 до 0,5; Dвн - внутренний диаметр кварцевого тигля, мм; dном - номинальный диаметр выращиваемого монокристалла, мм; hp - начальная глубина расплава в тигле, мм; Нн - длина греющей части нагревателя, мм; γ - коэффициент позиционирования, учитывающий положение тигля с расплавом в полости нагревателя, а также конструкцию теплового ...

СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

... 1. Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава, включающий изменение температуры расплава за счет управления, скоростей вытягивания и вращения кристалла, скоростей подъема и вращения тигля, при одновременном измерении высоты подъема кристалла и перемещения тигля, при постоянном уровне расплава, с введением в периоды разомкнутого состояния датчика уровня расплава скорости подъема тигля вверх большей, на величину опережения, чем это необходимо для условия постоянства уровня расплава, при данных параметрах скоростей вытягивания, заданного диаметра кристалла и внутреннего диаметра тигля, отличающийся тем, что в периоды замкнутого состояния датчика расплава, скорость подъема тигля вверх снижается на коэффициент снижения, по сравнению со скоростью при разомкнутом состоянии датчика расплава и при соблюдении условия стабилизации уровня расплава в тигле, что позволяет, при периодическом безостановочном движении тигля, с увеличенной и уменьшенной скоростью, за время цикла оценки ...

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫТЯГИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВОВ

Устройство для вытягивания кристаллов из расплавов, включающее герметичную камеру, внутри которой размещены тигель для расплава, теплоизоляция и нагреватель, соединенный с системой электропитания через токоподводы, жестко установленные в поддоне камеры, размещенном на гидродомкратах, отличающееся тем, что, с целью обеспечения безопасности обслуживания, устройство снабжено поплавковым клапаном, соединенным с гидродомкратом, и емкостями с электропроводящей жидкостью, жестко соединенными с токоподводами, при этом в емкостях установлены пальцы, соединенные с системой электропитания.

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов германия из расплава методом Чохральского для изготовления оптических и акустооптических элементов инфракрасного диапазона длин волн, применяемых в качестве материала для детекторов ионизирующих излучений и для изготовления подложек фотоэлектрических преобразователей. В процессе вытягивания линейное перемещение кристалла ведут со скоростями 0,6-0,9 мм/мин в циклическом режиме, при этом вытягивают монокристалл из расплава вверх, затем опускают монокристалл в расплав. Соотношение линейного перемещения вверх - вниз составляет 2:1. Величину абсолютного перемещения вверх h за один цикл рассчитывают согласно математической формуле отношений диаметра тигля к диаметру кристалла в мм: h меньше или равно 1,5D/D. Способ позволяет получать кристаллы германия с низкой плотностью дислокаций - до 250 см. 4 пр.

Устройство контроля положения фронта кристаллизации

Изобретение относится к устройству определения положения фронта кристаллизатДии,, используемому при кристаллизации кристаллов методами зонной плавки Бриджмена-Стокстаргера с целыо упрощения контроля положения фронта крист.аллизаггии. Устройство со дepжIiт нйгреватель 8, тигель 9 с расплавом 10 и фронтом 11 кристаллизации, кристалл 12, подзеску 2 с катушкой 1 индуктивности, расположенную соосно с нагреват.елем и тиглем с возможностью Еозвратио-поступательиого перемещения относительно нагревателя 8, при этом подвеска 2 катушкм 1 кинекати чески связана с электро17риводом 4 и датчиком 3 положенгш , вход электропривода Д связан с выходом блока 5 управления приводом, вход ко торого соедин ен с вьтходом индикатора 7 положения фронта кристалльгзацнИ;, один из входов V ЭТОРОГО связан с ВЫ ходом датчика 3 положения катушки, а другой подключен через блок измере- ник э шктрических пап,лметров к кату- ткй 1 ИНДУ к тиз нести, .1 ил.

Устройство для наблюдения за нагретыми телами

Способ выращивания кристаллов с периодической структурой

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов, которые могут найти применение в квантовой электронике. Цель изобретения - упростить способ получения и повысить выход кристаллов с периодической структурой. Способ реализуется путем возбуждения в объеме кристаллизуемого раствора или расплава ультразвуковой волны, волновой вектор которой параллелен направлению кристаллизации, при этом поверхности растущего кристалла и источника ультразвука служат стенками резонатора. Условия периодического возникновения стоячей ультразвуковой волны обеспечивает движение поверхности растущего кристалла, которая является отражателем ультразвукового резонатора. 1 ил.

Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung des Kristallwachstums

VERFAHREN ZUM ZIEHEN EINES ZYLINDRISCHEN KRISTALLS AUS EINER SCHMELZE

Verfahren zur Ziehung von Halbleitereinkristallen.

Verfahren zum Steuern einer Schmelze und Verfahren zum Züchten von Kristallen

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SILIZIUMEINKRISTALLS DAMIT HERGESTELLTER SILIZIUMEINKRISTALL UND SILIZIUMWAFER

Verfahren zum Herstellen von Kristallen

The invention relates to a device and method for growing crystals. According to the invention, signals which come from a neuronal network are superimposed on the control signals provided for a PID controller. Through this, single-crystals and polycrystals having a very high quality with regard to the outer shape and inner constitution are obtained.

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SILIZIUM-EINKRISTALLEN

FREISTELLENBEHERRSCHENDES SILICIUM MIT NIEDRIGER FEHLERDICHTE

HIGH-OXYGEN-CONTENT SILICON MONOCRYSTAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

METHOD OF PRODUCING CRYSTALS

Improvements in or relating to processes and apparatus for drawing crystalline bodies , such as semi-conductor bodies

In a process for the production of a crystalline body, such as a semi-conductor body, by drawing from a melt, the charge to form the melt consists of a loose agglomeration of relatively small particles such as granules or powder, and only part of the charge undergoes fusion, the fusion preferably being confined to a centre portion of the charge. A receptacle 2 contains the powder 3, which may be silicon or germanium, above which is an induction heating coil 4 provided with a downwardly directed concentrator in the form of a conical copper strip spiral 5. A part 11 of the material is maintained in the molten state by inductive heating, and a rigid continuous layer 12 forms around the molten material 11. A fused rod 13 is drawn upwardly out of the melt, the rod being clamped with a quartz tube 14 in a holder 15. The holder 15 is rotated on a shaft 16 passing through a hood 7, a vacuum being maintained under the hood 7 or the space filled with a protective gas. Fresh material ...

Grown junction type transistors and method of making same

... 801,620. Silicon transistors. TEXAS INSTRUMENTS, Inc. Nov. 22, 1956, No. 35781/56. Class 37. Silicon N-P-N junction transistors are made by pulling (preferably in an atmosphere of helium) from a melt containing a small amount of a Group V element, adding to the melt a small amount of a Group III element, drawing a P- region over the existing N-region, adding to the melt an excess of a Group V element and drawing a further N-region over the P-region. Preferably the original melt contains 1.0-4.0 mg. of Sb per 50 g. of Si, Al is added to give a concentration of 0.75-3 mg. of Al per 25 g. of Si, and finally As is added to give at least 50 mg. per 25 g. of Si. The first N-region (collector) then contains 0.5-2.0 x 10-7 Sb atoms, the base 2.5-10 Î 10-7 Al atoms together with Sb, and the second N-region (emitter) at least 4 x 10-5 As atoms together with Sb and Al per atom of silicon. The resistivities of the collector and base regions are 0.5-2.0 ohm-cm. and that of ...

DEVICE TO THE REGLUNG OF THE LAYER THICKNESS OF A DENDRITS DURING BREEDING A SILICON VOLUME

VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG EINES SILIZIUM-EINKRISTALLS

DEVICE FOR THE PRODUCTION OF A SILICON BLOCK

PROCEDURE AND DEVICE FOR THE DETERMINATION OF A RATIO FOR THE TRANSIENT AREA BETWEEN MELT AND CRYSTAL.

GROWING HIGH-OXYGEN CONTENT SILICON MONOCRYSTAL FOR SEMICONDUCTORS

METHOD FOR CONTROLLING THE OXYGEN LEVEL OF SILICON RODS PULLED ACCORDING TO THE CZOCHRALSKI TECHNIQUE

METHOD FOR CONTROLLING THE OXYGEN LEVEL OF SILICON RODS PULLED ACCORDING TO THE CZOCHRALSKI TECHNIQUE The present invention relates to an improved method for pulling semiconductor monocrystalline rods, in particular silicon rods, according to the Czochralski technique. The average oxygen concentration profile (02) is first determined for a given pulling equipment as a function of the length (L) of the rods pulled at a constant crucible rotation speed, that is, (02) = f(L). The improvement consists in pulling the rods at a crucible rotation speed VRC which varies as a function of L according to a predetermined profile to ensure an oxygen concentration profile which is about constant along the rod. In practice, under normal. conditions, it is sufficient to ensure at any moment that: grad VRC = k grad f(L) where k is a positive proportionality factor depending on the operating conditions. For example, if the oxygen concentration profile (02) at a constant rotation speed (Ro) represents a curve ...

METHOD FOR REGULATING CONCENTRATION AND DISTRIBUTION OF OXYGEN IN CZOCHRALSKI GROWN SILICON

METHOD FOR REGULATING CONCENTRATION AND DISTRIBUTION OF OXYGEN IN CZOCHRALSKI GROWN SILICON Oxygen concentration and distribution within silicon crystal rods drawn according to the Czochralski process from silicon melt contained in a silica crucible, are regulated through variation of both the magnitude and relative sense of direction of seed and crucible rotation rates with uniform distribution of the oxygen being accomplished by increasing crucible rotation rate to preselected values as a function of crystal rod growth and melt consumption.

METHOD FOR CONTROLLING THE OXYGEN LEVEL OF SILICON RODS PULLED ACCORDING TO THE CZOCHRALSKI TECHNIQUE

MINIMIZATION OF STRAIN IN SINGLE CRYSTALS

Verfahren zur Herstellung eines kristallinen, hochschmelzenden Körpers, insbesondere Halbleiterkörpers

Verfahren zur Herstellung von P-N-Grenzschicht-Halbleiterkörpern

Verfahren zum gezielten Dotieren

Verfahren zum Ziehen von kristallinen Halbleiterstäben aus der Schmelze

Verfahren zur Herstellung von Körpern mit mindestens einer P-N-Grenzschicht und nach dem Verfahren hergestellter Halbleiterkörper

Gezüchteter Kristall-Zonen-Transistor

Doped silicon monocrystal prodn - by using a seed crystal to draw a rod shaped single crystal uniformly doped with a pre-determined amt of antimony

Entire length of rod is uniformly doped by using a seed crystal to draw the monocrystal from a melt of silicon with a predetermined antimony content. The drawing process is carried out in an evacuable reaction vessel and in a protective gas atmosphere at sub-atmospheric pressure, part of the antimony being evaporated from it during the drawing process.

Verfahren zum Herstellen einer Schutzschicht aus einer Silizium- oder Germaniumstickstoff- Verbindung an der Oberfläche einer Halbleiterkristalls

Verfahren zum Herstellen von Scheiben aus einkristallinem Silizium oder Germanium

Verfahren zur Züchtung von dotierten Kristallen

Silicon crystals uniformly doped with antimony

FR--94593 E Uniformity is obtained by programmed reduction in pressure of protective atmosphere, causing increasing evaporation of antimony from the melt. - Epitaxial substrates are cut from silicon crystals made by this technique and semiconductor components and fabricated in such material.

Procedure for manufacturing hexagonal single crystals and their use as substrate for semiconductor components.

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДИАГНОСТИРОВАНИЯ УСТРОЙСТВА РЕГУЛИРОВАНИЯ РОСТА МОНОКРИСТАЛОВ

Устройство для диагностирования устройства регулирования роста монокристаллов относится к диагностическим устройствам оборудования технологических процессов. Устройство содержит m-разрядную логическую структуру, каждая декада которой включает четырехразрядный двоично-десятичный счетчик с выходами , первый и второй мультиплексоры, элемент ИЛИ-НЕ и схему обратной связи, которая содержит логические элементы И-НЕ, и ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ-ИЛИ. Управляющие входы декады и выход устройства диагностирования через управляющую и информационную шины соединены с вычислительным блоком устройства регулирования роста монокристаллов. В схеме обратной связи дополнительно введен логический элемент 3И-НЕ, шина управления дополнительно содержит управляющий выход Х, соединенный со схемой обратной связи каждой декады по первым входам логических элементов И-НЕ. Дополнительно элемент 3И-НЕ выходом соединен с другим входом элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ-ИЛИ, а входами, соответственно, с выходами счетчика и выходом элемента И-НЕ, другой ...

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ С НИЗКОЙ ПРОЗРАЧНОСТЬЮ ДЛЯ ТЕПЛОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Изобретение относится к области получения кристаллов, в частности получения кристаллов из расплава методом Чохральского. Устройство для выращивания монокристаллов содержит платиновый тигель для расплава, механизм вытягивания кристалла, индукционный нагреватель, расположенный вокруг тигля, и размещенный на тигле отражательный экран, который представляет собой кольцевую пластину, внешний диаметр которой составляет 0,96-0,98 от диаметра тигля, а расстояние между внутренним диаметром экрана и выращенным кристаллом составляет 4±0,5 мм. Изобретение позволяет получать кристаллы большой длины с высоким качеством по всей его длине за счет обеспечения стойкости процесса выращивания, т.е. увеличить коэффициент использования выращенных кристаллов.

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДИАГНОСТИРОВАНИЯ УСТРОЙСТВА РЕГУЛИРОВАНИЯ РОСТА МОНОКРИСТАЛОВ

Устройство для диагностики устройства регулирования роста монокристаллов относится к обработке цифровых данных, в частности при диагностировании многопроцессорных систем управления (МПСУ) ростовыми установками для выращивания крупногабаритных сцинтилляционных монокристаллов (МК). Устройство выполнено в виде диагностического ядра, содержащего связанные между собой запоминающее устройство и блок управления, соединенный через интерфейсную магистраль с многопроцессорной системой управления процессом выращивания МК, блок контроля управляющей программы, соединенный с последним, блок вычислений диагностических характеристик, регистр эталонных значений этих характеристик, выходами подключен к схеме сравнения, а вход регистра эталонных характеристик соединен с выходом запоминающего устройства. В устройство дополнительно введены мультиплексор, устройство организации очереди запросов на диагностирование и устройство передачи тестовых векторов, причем блок вычислений выполнен в виде модели-эталона ...

УСТРОЙСТВО ДЛЯ АДАПТИВНОГО УПРАВЛЕНИЯ выращиванием монокристаллов из РАСПЛАВА

Изобретение относится к отрасли выращивания крупногабаритных щелочно-галоидных сцинтилляционных монокристаллов из расплава. Устройство для управления выращиванием монокристаллов из расплава, которое обеспечивает повышение точности стабилизации диаметра монокристалла, выращивается путем предания устройству свойства адаптивности на основе машинного обучения и распознавания образов.

УСТРОЙСТВО КОНТРОЛЯ ПОЛОЖЕНИЯ УРОВНЯ РАСПЛАВА В УСТРОЙСТВЕ УПРАВЛЕНИЯ РОСТОМ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к устройствам контроля положения уровня расплава в устройствах управления процессом выращивания монокристаллов (МК) непрерывным вытяжением из расплава и может найти применение в производстве крупногабаритных щелочно-галоидных сцинтилляционных МК. Устройство содержит механически связанные между собой щуп с датчиком перемещений и электродвигатель с системой управления, которая включает блок обработки данных, контроллер управления двигателем и схему определения контакта щуп-расплав, первый выход которой подключен к первому входу контроллера, первый вход/выход блока обработки данных связан с системой управления ростом монокристалла. Щуп электрически связан со схемой определения контакта щуп-расплав. В устройство дополнительно введены логическая схема на элементах "И" и элементе "НЕ", а также реверсивный счетчик импульсов. При этом выход датчика перемещений щупа подключен к первому входу логической схемы, второй вход которой соединен с первым выходом схемы определения контакта ...

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ АIIВVI

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов. Устройство для выращивания монокристаллов группы AІІBVI содержит тигель с расплавом, верхний и нижний нагреватели и систему теплоизоляции, помещенные в охлаждающую ростовую печь, регулятор мощности нагревателей, соединенный с их токоподводами, а также узел перемещения тигля, содержащий в себе соединенный с тиглем водоохлаждаемый шток, связанный через червячную передачу с двигателем вертикального перемещения тигля, блок управления двигателем и отсчетное устройство величины перемещения штока. В устройство дополнительно введен энкодер в качестве отчетного устройства, логичный блок и устройство отображения информации. Вход энкодера соединен с валом двигателя, выход энкодера подключен ко входу логического блока, выходы которого соединены, соответственно, со входами регулятора мощности нагревателей, устройством отображения информации и блоком управления двигателем вертикального перемещения штока. Использование изобретения позволяет обеспечить ...

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов. Способ выращивания монокристаллов заключается в дискретном вытягивании монокристалла на затравку с неподвижного по вертикали тигля с расплавом с автоматической поддержкой в тигле постоянного уровня расплава, коррекции его температуры по сигналу датчика уровня расплава и подпитывания расплава исходящим сырьем, предварительно поданной в расположенную коаксиально тиглю кольцевую емкость для расплавления. Задают высоту дискретного вытягивания монокристалла и последующей замены уровня расплава, продолжительность рабочего цикла выращивания монокристалла и составляющих его стадий, в том числе, стадию дискретного вытягивания монокристалла, стадию управления, состоящую из операций измерения падения уровня расплава после подъема монокристалла, сравнение полученного значения с заданным и коррекции температуры расплаву по результату сравнения, стадию подпитки расплава и стадию выдержки после подпитания расплава, потом последовательно проводят ...

ПРИСТРІЙ ДЛЯ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ

Винахід належить до галузі матеріалознавства. Пристрій для вирощування монокристалів містить ростову піч, тигель з кільцевою порожниною, донний і бічний нагрівачі з блоками корекції їхньої температури, підживлювач із транспортною трубкою, датчик рівня розплаву, блок керування переміщенням кристалотримача, цифровий блок обробки даних, а також блок формування сигналу керування. Пристрій додатково містить датчик температури кільцевої порожнини тигля та блок порівняння заданої і фактичної температури зазначеної порожнини. Винахід забезпечує підвищення якості вирощених монокристалів.

ПРИСТРІЙ ДЛЯ КОНТРОЛЮ ПОЛОЖЕННЯ РІВНЯ РОЗПЛАВУ

Винахід належить до галузі вимірювальної техніки та може бути використаний для контролю положення рівня розплаву при вирощуванні монокристалів. Пристрій містить щуп з датчиком його переміщень та електродвигун із системою керування. Система керування включає блок обробки даних, контролер та схему визначення контакту щуп-розплав, виходи якої підключені до контролера та блока обробки даних. Вхід блока з'єднаний з датчиком переміщень щупа, а вихід зв'язаний із системою керування ростом монокристала. Щуп електрично зв'язаний зі схемою визначення контакту щуп-розплав. У пристрій додатково введений нульовий покажчик, механічно зв'язаний з валом датчика переміщень. Визначник положення нульового покажчика розташований на нерухомій частині пристрою. Перший вихід нульового покажчика підключений до другого входу контролера, а його другий вихід, що забезпечує початок відліку, з'єднаний із третім входом блока обробки даних. Винахід забезпечує підвищення якості вирощуваних монокристалів за рахунок збільшення ...

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВИРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Устройство для выращивания монокристаллов содержит электропривод кристаллодержателя, датчик уровня расплава, блок коррекции температуры расплава, блок управления подпиткой, питатель, блок задания временных интервалов, блок сравнения, датчик перемещения кристаллодержателя и блок коррекции температуры расплава. С целью повышения качества монокристаллов и надежности системы регулирования оно дополнительно содержит вычислительный блок. Изобретение относится к выращиванию монокристаллов и может найти применение в производстве крупногабаритных щелочно-галоидных монокристаллов, например, сцинтилляционных.

СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ

Спосіб вирощування монокристалів, у якому проводять дискретне витягування на затравку з нерухомого по вертикалі тигля з розплавом, автоматично підтримують у тиглі постійний рівень розплаву, корегують його температуру за сигналом датчика рівня розплаву і підживлюють розплав вихідною сировиною, яку попередньо подають у розташовану коаксіально тиглю кільцеву ємність для розплавлення, при цьому задають висоту дискретного витягування монокристала і величину падіння рівня розплаву, тривалість робочого циклу вирощування монокристала і стадій, що його складають, зокрема стадію дискретного витягування монокристала, стадію керування, яку забезпечують операціями виміру падіння рівня розплаву після підйому монокристала, порівняння одержаного значення з заданим і корекції температури розплаву за результатом порівняння, стадію підживлення розплаву і стадію витримки після підживлення розплаву, причому контролюють кількість стадій і повторення робочого циклу.

THE METHOD OF OPTIMIZING THE PARAMETERS OF GROWTH FOR CRYSTAL GROWTH BY KIROPULOS

Method for growing single crystals of paratellurite

ПРИСТРІЙ ДЛЯ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ

Пристрій для вирощування монокристалів містить ростову піч, тигель з кільцевою порожниною, донний і бічний нагрівачі з блоками корекції їхньої температури, підживлювач із транспортною трубкою, датчик рівня розплаву, блок керування переміщенням кристалотримача, цифровий блок обробки даних, а також блок формування сигналу керування. Додатково містить датчик температури кільцевої порожнини тигля та блок порівняння заданої і фактичної температури зазначеної порожнини.

Silicon single crystal growing apparatus and silicon single crystal growing method using same

Crystal pulling furnace argon gas flow rate control apparatus

Sapphire single crystal growth furnace

Automatic shoulder rotating process

Controlling agglomerated point defect and oxygen cluster formation induced by the lateral surface of silicon single crystal during CZ growth

The present invention relates to a process for preparing a single crystal silicon ingot, as well as to the ingot or wafer resulting therefrom. In one embodiment, the process comprises controlling the growth velocity, v, and the effective or corrected axial temperature gradient, as defined herein, such that, within a given segment of the ingot, the ratio v/Geffective, or v/Gcorrected, is substantially near the critical value thereof over a substantial portion of the radius of that segment, and controlling the cooling rate of the segment between (i) solidification and about 1250 DEG C, and (ii) about 1250 DEG C and about 1000 DEG C, in order to manipulate the effect of the lateral incorporation of intrinsic point defects therein, and thus limit the formation of agglomerated intrinsic point defects and/or oxygen precipitate clusters in a ring extending radially inward from about the lateral surface of the ingot segment. In this or an alternative embodiment, the axial temperature gradient and ...

Silicon single crystal growing crystal device and thermal energy adjusting module and hard shaft thereof

For growing crystal of the convection control device and crystal growth furnace

Single crystal silicon and manufacturing method thereof

A method for removing the sapphire crystal melt material of the bubble in the device and removing method

MONOCRYSTALLINE SILICON SUBSTRATE AND METHODS AND APPARATUS FOR MAKING

PROCESS AND DEVICE For ELIMINATION OF the PARASITIC FORMATIONS IN the GROWTH OF MONOCRYSTALS

Apparatus to cause the growth of solid homogeneous compositions

Manufactoring process of monocrystals of semiconductors including/understanding one or more junctions p-n

MONOCRYSTAL OF SILICATE Of ELEMENT OF RARE EARTHS AND SCINTILLATOR the CONTAINER

L'invention concerne un monocristal d'un silicate d'un élément des terres rares, qui contient de l'aluminium en une quantité supérieure à 0,4 ppm et d'au plus 50 ppm et/ou du fer en une quantité supérieure à 0,1 ppm et d'au plus 50 ppm et présente un facteur de transmission de la lumière, déterminé à une longueur d'onde de 450 nm, d'au moins 75 %, et un scintillateur qui comprend ce monocristal.

SLICE ONESELF AND PROCEEDED FOR SA PREPARATION.

Plaque SOI comprenant un tranche de substrat et une couche de silicium monocristallin d'une épaisseur inférieure à 500 nm, un excès en atomes de silicium interstitiels prédomine dans la totalité du volume, ainsi qu'un procédé de préparation comprenant les étapes suivantes : - tirage d'un monocristal de silicium selon Czochralski, la condition v/G < (v/G)crit = 1,3x10-3 cm2/ (Kxmin) étant respectée sur la totalité de la coupe transversale du cristal sur le front de cristallisation, un excès en atomes de silicium interstitiels prédomine dans le monocristal de silicium en formation, - séparation d'au moins une tranche donatrice de ce monocristal de silicium, - soudure de la tranche donatrice à une tranche de substrat et - réduction de l'épaisseur de la tranche donatrice en obtenant une couche de silicium soudée à la tranche de substrat d'une épaisseur inférieure à 500 nm.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL

Temperature correction control system of growing apparatus for silicon single crystal and manufacturing method for the same

... 본 발명의 실리콘 단결정 성장 장치의 온도 보정 제어 시스템은, 성장챔버 내부에 마련된 도가니와 히터에 의해 실리콘 융액(S)이 용해되고, 출입구를 통해 성장될 잉곳이 성장챔버의 내부로 삽입되어 상기 실리콘 융액과 접촉되어 단결정 잉곳으로 성장하는 실리콘 단결정 성장 장치에 있어서, 상기 실리콘 융액과 접촉된 잉곳이 소정 직경까지 확대하는 숄더링 공정에서 제 1 구간까지 진행된 시간 및 잉곳의 형상을 측정하는 잉곳 성장 형태 검출부와; 상기 잉곳 성장 형태 검출부에서 측정된 제 1 구간의 시간에 따른 잉곳의 형상을 저장하고, 그로잉 공정에서의 각 단계별 시간에 대응하는 성장된 잉곳 형상에 대한 기준 데이터 값을 저장하는 저장부와; 상기 저장부에 저장된 시간에 따른 잉곳의 형상에 대한 기준 데이터 값과 상기 측정된 시간에 따른 잉곳의 형상을 비교하여 그에 대응하는 숄더링 공정의 제 2 구간 및 바디 공정의 제 3 구간에 대한 보정 온도를 산출하는 보정 온도 산출부; 및 상기 산출된 보정 온도로 상기 제 2 구간 및 제 3 구간의 그로잉 공정의 각 단계별 온도를 제어하는 제어부를 포함하는 점에 그 특징이 있다.

METHOD OF MELT TEMPERATURE MEASURING AND ITS MEASURING DEVICD FOR PULLING INGOT APPARATUS

SINGLE CRYSTAL GROWING APPARATUS' ECCENTRIC CONTROL APPARATUS AND METHOD FOR IT

METHOD OF GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL AND SILICON SINGLE CRYSTAL GROWN BY THE METHOD

Apparatus for measuring an ingot and method for measuring an ingot using it

Heat shield apparatus and a ingot growing apparatus having the same

... 본 발명은 시드를 이용하여 석영도가니에 수용된 실리콘 융액으로부터 잉곳을 성장시키는 잉곳성장장치에 포함되는 열차폐장치로서, 상기 석영도가니의 상측에 배치되어, 상기 시드로부터 성장된 잉곳의 네크부가 통과되어 둘러싸일 수 있도록 형성된 넥 홀을 가지는 열차폐부; 상기 열차폐부에 연결되는 넥커버 와이어; 및 상기 넥커버 와이어의 권취된 양을 조절하여, 상기 열차폐부를 이동시키는 넥커버 승강부; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. 제안되는 본 발명에 따르면, 전위의 전파를 억제하여 네크부의 직경을 증가시킴으로써, 안정적으로 고중량, 무결점의 잉곳을 생산할 수 있는 장점이 있다.

METHOD AND AN APPARATUS FOR MANUFACTURING POLYCRYSTAL ROD USING COMBINED CORE MEMBER INCLUDING SECOND CORE MEMBER PREHEATED BY FIRST CORE MEMBER ELECTRICALLY HEATED

PURPOSE: A method and an apparatus for manufacturing a polycrystal rod using a combined core member is provided to easily heat a second core member by preheating the second core member using a first core member electrically heated. CONSTITUTION: A first core member(C1) made of resistive material and a second core member(C2) made of silicon are installed in an internal space of an eduction reactor. The first core member is electrically heated, and the second core member is preheated by using the heated first core member. The preheated second core member is electrically heated. A process gas is fed into the internal space of the eduction reactor while the first and second core members are electrically heated. © KIPO 2007 ...

Apparatus for Growing Silicon Single Crystal And Method For Growing the Same

INGOT GROWING CONTROLLER AND INGOT GROWING APPARATUS WITH IT

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTALLINE CAPABLE OF REDUCING INTERSTITIAL OXYGEN CONCENTRATION OF INGOT

PURPOSE: A method for manufacturing a silicon single crystalline is provided to increase the refresh time and to improve the device property by reducing interstitial oxygen concentration of an ingot. CONSTITUTION: In a silicon single crystalline manufacturing method using the Czochralski crystalline growth, an ingot(14) is grown by rotating a melting pot(17) filled with a silicon melted solutions(16) and a single crystalline silicon seed. The melting pot has a rotation speed of 0.1~5 rpm and the silicon seed has a rotation speed of 5~15 rpm, thereby the ingot has an interstitial oxygen concentration of 7 to 11 ppma in the ASTM F121-80 standards. © KIPO 2006 ...

Apparatus for silicon single crystal growth

Method for Manufacturing Silicon Single Crystal Ingot

SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS AND A CONTROLLING METHOD THEREOF CAPABLE OF CONTROLLING THE SURFACE LOAD DENSITY OF A HEATER IN REAL TIME

PURPOSE: A single crystal manufacturing apparatus and a controlling method thereof are provided to improve productivity and manufacturing efficiency by controlling the surface load density of a heater within a stable range. CONSTITUTION: A crucible(200) receives silicon solutions(S). A heater(300) is installed in a growth chamber(120) and is separated from the outer side of the crucible. A surface load density measuring device(350) measures the surface load density of the heater. A surface load density controlling device(400) controls the surface load density of the heater based on the measured surface load density. A current connecting device(500) supplies a current to the heater. COPYRIGHT KIPO 2013 ...

Method for melting semiconductor wafer raw material and crystal growing method for semiconductor wafer

The crucible and the side heater are held in the respective initial positions, and the raw material is put into the crucible. These initial positions are positions where the crucible side surface is mainly heated by the side heater. When the side heater heats the crucible side surface, the raw material is melted to form melt. When a part or all of the raw material is melted, the crucible is raised from the initial position or the side heater is lowered from the initial position. At this time, the position of the crucible or the side heater is adjusted such that the amount of heat applied to the lower side curved portion of the crucible side surface is greater than that in the initial relative position between the crucible and the side heater. And, if the crucible bottom part is heated by the side heater while the relative positions of the crucible and the side heater is maintained, the amount of heat applied to the crucible bottom part is increased as compared to the amount of heat applied ...

Remote monitoring/operating device of single crystal pulling apparatus

Using remote monitoring/operating device on single crystal pulling apparatus instead of operators going to each single crystal pulling apparatus field for monitoring, aiming to prevent operation burden or disasters if any abnormal status happens; and, for operators to be able to monitoring all single crystal pulling apparatuses as well as operating specific single crystal pulling apparatus at the same time to increase performance efficiency; and, to provide same or better eyesight reliability and action response as monitoring device conventionally installed direct on single crystal pulling apparatus for the mentioned remote monitoring/operating device; to enable operators to give orders to plural single crystal pulling apparatuses at the same time to handle emergency situations. [SOLUTION] According to the present invention, CZ burner 2 of each single crystal pulling apparatus will be respectively shown on each separated frame 312 D, 312Don 312 frame of a first monitoring device 310; and ...

Wafer with regions of low oxygen concentration

A single crystal silicon wafer has a thickness between a first surface and an opposite second surface from 50 [mu]m to 300 [mu]m. The wafer includes a first region extending a first depth from the first surface. The first region has a reduced oxygen concentration relative to an adjacent region of the wafer. The wafer has a bulk minority carrier lifetime greater than 100 [mu]s.

Control method and control system for growing ingot

The present invention provides a control method and control system for growing ingot. The ingot growth temperature optimization method at least includes: setting a target ingot diameter, a target pulling speed, and a target growth temperature; detecting an actual ingot diameter, adjusting a pulling speed according to the actual ingot diameter to form an actual pulling speed, and comparing the actual pulling speed with the target pulling speed; and when the difference between the actual pulling speed and the target pulling speed exceeds the deviation range, adjusting the target growth temperature to form a new target growth temperature; the above steps are repeated until the ingot growth is completed. The invention reduces the gap between the actual growth temperature and the target temperature by real-time correction of the ingot growth temperature during the ingot growth process, realizes fine control during the ingot growth process, and has an advantage to improve the ingot growth quality ...

Sio probe for real-time monitoring and control of oxygen during czochralski growth of single crystal silicon

Method for melting semiconductor wafer raw materia

CONTROLLING THE TEMPERATURE PROFILE IN A SHEET WAFER

A sheet wafer growth system includes a crucible for containing molten material and an afterheater positioned above the crucible. The afterheater has an inner surface disposed toward the crucible. The system further includes one or more shields adjacent to the inner surface of the afterheater. The afterheater and the shield(s) are configured to allow a sheet wafer to pass adjacent to the shield(s). Each shield has two or more substantially different thermally conductive regions such that the two or more regions are configured to control the temperature profile of the growing sheet wafer.

SEMICONDUCTOR WAFER MADE OF SINGLE-CRYSTAL SILICON AND PROCESS FOR THE PRODUCTION THEREOF

A semiconductor wafer and a process for the production thereof. The semiconductor wafer is made of single-crystal silicon with an oxygen concentration as per new ASTM of not less than 5.0 x 1017 atoms/ cm3 and of not more than 6.5 x 1017 atoms/cm3; a nitrogen concentration as per new ASTM of not less than 1.0 x 1013 atoms/cm3 and not more than 1.0 x 1014 atoms/cm3; a front side of the semiconductor wafer is covered with an epitaxial layer made of silicon; the semiconductor wafer comprises BMDs whose mean size is not more than 10 nm determined by transmission electron microscopy and whose mean density in a region adjacent to the epitaxial layer is not less than 1.0 x 1011 cm-3, determined by reactive ion etching after having subjected the wafer covered with the epitaxial layer to a heat treatment at a temperature of 780°C for a period of 3 h and to a heat treatment at a temperature of 600 °C for a period of 10 h.

METHOD FOR GROWING SILICON MONOCRYSTAL

A method for using the CZ method to grow a highly resistive silicon monocrystal that involves, when growing the silicon monocrystal, calculating a value equivalent to 1/3 the dopant concentration contributing to the target resistivity of the silicon monocrystal, setting growth conditions for controlling the concentration of light element impurities in the silicon monocrystal to be grown such that the amount of change in the carrier concentration due to donors originating with light element impurities that may form when a device is produced on the grown silicon monocrystal is at least the calculated value, and growing the silicon monocrystal having the target resistivity on the basis of the set growth conditions. Thus, provided is the method for growing a highly resistive silicon monocrystal which can suppress generation of donors originating with the light element impurities even following the device step and which can minimize variation from the target resistivity.

METHOD FOR PULLING A SINGLE CRYSTAL OF SILICON IN ACCORDANCE WITH THE CZOCHRALSKI METHOD

The invention relates to a method for pulling from a melt a single crystal of silicon in accordance with the Czochralski method, the single crystal having a resistivity of not more than 20 mΩcm, the method comprising: pulling a first portion of a thin neck at a first pulling speed, because of which the diameter of the first portion of the thin neck tapers, in comparison with the diameter of a seed crystal, at a rate of not less than 0.3 mm per mm of length of the thin neck to a target diameter of not more than 5 mm; pulling a second portion of a thin neck at a second pulling speed of less than 0.2 mm/min over a time period of not less than 3 min, without the diameter of the second portion of the thin neck increasing to more than 5.5 mm; and pulling a third portion of the thin neck at a third pulling speed of more than 2 mm/min.