СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДСТРАИВАЕМОГО ТОНКОПЛЕНОЧНОГО РЕЗИСТОРА

Способ относится к области электронной техники и может быть использован в производстве тонкопленочных резисторов. Способ включает последовательное нанесение на диэлектрическую подложку резистивного и проводящих слоев и формирование рисунка схемы. Для подстройки сопротивления резистора к требуемому значению осуществляют деформацию подложки в направлении, соответствующему знаку требуемого приращения сопротивления после установки подложки в корпусе, внутреннее пространство которого обеспечивает свободу перемещения при деформации подложки в результате давления на диэлектрическую подложку, создаваемого в противоположных направлениях механическим путем. Техническим результатом является обеспечение возможности подстройки сопротивления тонкопленочного резистора в процессе эксплуатации в электронной схеме, а также осуществление возможности двухсторонней подстройки. 2 ил.

ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИЙ КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ, ШИХТА ДЛЯ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ И ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩАЯ КОМПОЗИЦИЯ

Изобретение относится к электротехнической промышленности и может быть использовано для изготовления электропроводящих покрытий, пленочных нагревательных элементов. Электропроводящий композиционный материал содержит в мас.%: нитрид титана TiN - 65-70 и железо Fe - 30-35. Для получения заявляемого электропроводящего композиционного материала используют шихту, содержащую в мас.%: ферротитан 60-70 и предварительно азотированный ферротитан 30-40. Электропроводящая композиция содержит заявляемый электропроводящий композиционный материал 30-70 мас.% и связующее, в качестве которого используют кремнийорганическое соединение в количестве 30-70 мас.%. Техническим результатом изобретения является расширение рабочего интервала температур электропроводящего композиционного материала при его высокой температурной стабильности. 3 н.п. ф-лы, 2 ил.

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано, например, для изготовления толстопленочных пассивных элементов и газоразрядных индикаторных панелей на стеклянной подложке. Изобретение позволяет повысить термостабильность резисторов за счет использования для их изготовления материала, который, кроме проводящей фазы и легкоплавкого некристаллизующегося стекла, дополнительно содержит легкоплавкое кристаллизующееся стекло, при этом соотношение легкоплавкого кристаллизующегося и легкоплавкого некристаллизующегося стекол находится в пределах от 1:1 до 6:1. 1 табл.

ПЛЕНОЧНЫЙ РЕЗИСТОР

Предлагаемая полезная модель относится к электронной технике и может быть использована при создании пленочных резисторов в гибридных микросборках. Технический результат: повышение нагрузочной способности резистора за счет уменьшения градиента температуры по его поверхности. Сущность изобретения: пленочный резистор, содержащий диэлектрическую подложку с расположенным на ее поверхности прямоугольным резистивным элементом с каналом повышенной проводимости прямоугольной формы, соединяющим контактные площадки и выполненным в виде двухслойной резистивной структуры, резистор содержит дополнительный канал повышенной проводимости, причем оба канала расположены вдоль боковых кромок резистивного элемента, имеют одинаковую ширину wk, определяемую соотношением wk≤0.25w, где w - ширина резистивного элемента, а удельное сопротивление слоев, образующих каналы, определяется соотношением: RS2≥l,5RS1, где RS1 - удельное поверхностное сопротивление слоя шириной w; RS2 - удельное поверхностное сопротивление ...

СОСТАВ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЗИСТИВНОЙ ПЛЕНКИ

Изобретение относится к составам для получения толстых резистивных пленок, используемых в толстопленочных резисторах и пленочных электронагревателях. Пленку, обладающую высокой адгезионной прочностью и влагостойкостью, получают обжигом заготовки, состоящей из кремнеземсодержащей подложки и слоя, нанесенного из заявляемого состава, содержащего 7-80 мас.% азотнокислого натрия или азотнокислого калия и 20-93 мас.% порошка алюминия. Технический результат заключается в достижении высоких прочностных свойств пленки, высокой адгезии ее к подложке и влагостойкости, хороших электрофизических свойств. 1 табл.

Устройство для измерения характеристик резистора

Полезная модель относится к радиоэлектронной технике и может быть использована при разработке устройств СВЧ-электроники. Устройство включает диэлектрическую подложку с ячейкой прямоугольной формы для размещения резистора и два параллельных проводника. Один подводящий проводник состоит из двух частей и обеспечивает контакт выводов резистора с измерительными приборами. Другой, дополнительный, выполнен шириной и длиной, равными ширине и длине подводящего проводника, и предназначен для оценки паразитного влияния подводящего проводника на измеряемые характеристики резистора. Технический результат - повышение точности измерений характеристик резистора путем учета влияния характеристик подводящего проводника на измеряемые параметры резистора. 1 ил.

КОМПОЗИЦИОННЫЙ РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к области электротехники, в частности к композиционному резистивному материалу, который может быть использован при изготовлении нагревательных элементов для местного обогрева в технических и бытовых условиях. Композиционный резистивный материал содержит токопроводящую фазу на основе технического углерода, полученного канальным способом, с высокоразвитой удельной площадью поверхности, которая составляет 400-500 м2/г, с размерами частиц от 15 до 25 нм и полиуретановый лак, при следующем соотношении компонентов, в мас.%: технический углерод 18-22, полиуретановый лак - остальное. Минимальное отклонение температуры нагрева от заданной по всей площади тепловыделяющего покрытия в пределах ±0,4°С в диапазоне температур от 25 до 110°С, а также простота в изготовлении материала и низкая его себестоимость является техническим результатом изобретения. 1 з.п. ф-лы, 2 табл.

ВЫСОКООМНЫЙ ПОЛИКРЕМНИЕВЫЙ РЕЗИСТОР

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к конструкции высокоомных поликремниевых резисторов, и может быть использовано как в качестве дискретных приборов, так и в качестве элемента при создании больших и сверхбольших интегральных схем различного назначения. Поликремниевый резистор содержит область поликремния на изолирующем ее от подложки и элементов интегральной схемы диэлектрике, высоколегированные области контактов резистора, легированный слой в теле резистора, полученный после формирования металлизации, отожженный при сравнительно низкой температуре (250°С÷850°С) и поэтому имеющий ограниченную глубину, меньшую, чем толщина поликремниевого слоя. Заявляемая конструкция позволяет получать большие поверхностные сопротивления поликремниевых резисторов с высокой точностью за счет того, что легирование тела резистора и отжиг его при сравнительно невысокой температуре проводятся после формирования металлизации, то есть легированный слой тела резистора имеет глубину, меньшую, чем ...

СТЕКЛОСВЯЗУЮЩЕЕ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ РУТЕНИЙСОДЕРЖАЩИХ СОЕДИНЕНИЙ

Использование: изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к щелочесодержащим стекловидным материалам, которые могут быть использованы в качестве постоянного стеклосвязующего при изготовлении толстопленочных резисторов на основе ретенийсодержащих соединений. Сущность изобретения состоит в том, что известное стеклосвязующее, включающее оксиды кремния; оксид цинка и оксид алюминия, дополнительно содержит оксид бора, оксид свинца, оксид кальция, оксид калия и оксид натрия при следующем соотношении компонентов, мас.%: SiO2 30 40; B2O3 5 15; PbO 25 35; Al2O3 3 8; ZnO - (1 7), CaO 2 5; K2O 2 7; Na2O 1 5. Данное изобретение позволяет повысить качество толстопленочных резисторов за счет увеличения влагостойкости толстопленочных паст для изготовления рутенийсодержащих резисторов. 2 табл.

ПРЕЦИЗИОННЫЙ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ РЕЗИСТОР

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных микросборок, а более конкретно для конструирования и изготовления тонкопленочных резисторов на диэлектрических подложках. Прецизионный тонкопленочный резистор (ТПР) содержит диэлектрическую подложку с размещенными на ее поверхности пленочным прямоугольным резистивным элементом со ступенчатым утолщением пленки и двумя пленочными контактными выводами на его концах, причем толщина ступенек примерно равна толщине резистивной пленки основного резистора, кромка первой ступеньки, считая от вывода, проходит перпендикулярно линии тока по всей ширине резистора на расстоянии для одной - не менее толщины основной части резистивной пленки, а конкретное значение этого расстояния и толщины ступеньки рассчитывается путем моделирования с учетом свойств резистивной пленки. Третий же пленочный металлический контактный вывод является потенциальным и подключается к телу основного резистора полосой из основного ...

КОМПОЗИЦИЯ НА ОСНОВЕ СПЛАВА МЕДИ

Использование: для электромагнитного экранирования, электропроводящего клея, для проводящих схем, для электродов и трафаретной печати, для печати резистивных клемм. Сущность изобретения: композиция содержит, порошок сплава меди - 100 мас.ч., полученный путем распыления и имеющий общую формулу AqxCuy, где x и y - значения атомного соотношения, выбранные из условий 0,001≅x≅0,4; 0,06≅y≅0,99; x+y=1, одно или несколько органических связующих - 5-200 мас. ч. , добавку, способную удалять оксид меди 00,01-100 мас.ч., при этом концентрация серебра на поверхности каждой частицы порошка сплава меди более чем в 2,1 раза превышает среднюю концентрацию серебра в частице и в каждой частице вблизи поверхности есть область, в которой концентрация серебра возрастает с уменьшением расстояния от поверхности. Композиция на основе сплава меди обладает рядом отличных свойств, таких как электропроводность, устойчивость к окислению и миграции. 3 з.п. ф-лы.

ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ РЕЗИСТОР

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных микросборок, а более конкретно для конструирования и изготовления тонкопленочных резисторов на диэлектрических подложках. Тонкопленочный резистор содержит прямоугольный резистивный элемент, два электрода гребенчатой формы из многослойной проводящей структуры с гребнями, расположенными навстречу друг другу, и n прямоугольных резистивных элементов при n≥2, расположенных параллельно ширине электродов, а также дополнительно имеет (n-1) прямоугольных резистивных элементов, расположенных между торцами гребней одного из электродов и основаниями другого из электродов таким образом, что сформированная между электродами резистивная полоса выполнена в форме «меандра» одинаковой ширины, не имеющая разрывов, из однородного резистивного материала. Техническим результатом является снижение сложности конструкции тонкопленочного резистора, снижение сложности изготовления, а также снижение границы нижнего ...

ПЛАТИНОВАЯ РЕЗИСТИВНАЯ ПАСТА

Изобретение относится к области электротехники, а именно к платиновой резистивной пасте, которая может использоваться в процессах формирования пленочных элементов микроэлектронных устройств, в частности для изготовления полупроводниковых газовых сенсоров. Повышение поверхностного сопротивления пленочных резисторов до 2-10 Ом/квадрат и снижение температуры вжигания пасты до 850-900°С на алюмооксидной керамике является техническим результатом изобретения, который обеспечивается подобранным составом платиновой резистивной пасты, которая содержит от 60 до 75 мас.% порошка плакированного платиной оксида алюминия, от 8 до 22 мас.% кальций-алюмосиликатного стекла, от 0 до 4 мас.% оксида алюминия и от 16 до 18 мас.% органического связующего. Исследование долговременной стабильности пленочного резистивного микронагревателя газового сенсора из описанной выше пасты показало уход менее 1,5% по току во время непрерывной работы при температуре 450°С в течение 2 лет. 2 з.п. ф-лы, 1 табл.

РЕЗИСТИВНЫЙ УГЛЕРОДНЫЙ КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к области электротехники, в частности к композиционному резистивному углеродному материалу, может найти применение для приготовления высокоэлектропроводных, обеспечивающих надежный электрический контакт паст и клеев, а также при изготовлении промышленных и бытовых нагревателей. Резистивный углеродный композиционный материал включает токопроводящие фазы на основе высокоэлектропроводных марок технического углерода в сочетании с высокоэлектропроводными коллоидными марками графита и термостойкое полимерное связующее. При этом он содержит технический углерод с высокоразвитой удельной площадью поверхности 300÷600 м/г и выше, с размером частиц от 10 до 50 нм в сочетании с коллоидными графитовыми препаратами с размерами частиц графита менее 4 мкм и раствор термостойкого полимерного связующего. В качестве связующего использован термостойкий полимер в виде раствора. Техническим результатом является повышение удельной электропроводности и уменьшение сопротивления. 7 з.п. ф-лы ...

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ПРОВОЛОЧНОГО РЕЗИСТОРА

Способ изготовления высоковольтного проволочного резистора, включающий укладку токоведущего элемента в керамическую плитку, сборку резистивного тела и оснастку резистора, отличающийся тем, что укладку токоведущего элемента производят в сырую керамическую плитку послойно с одновременной сборкой и последующим обжигом резистивного тела.

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НЕОДНОРОДНОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ РЕЗИСТИВНОГО СЛОЯ В RC-СТРУКТУРАХ

Использование: в радиоэлектронике, при реализации частотно-избирательных цепей с распределенными RC-фильтрами. Сущность изобретения: предлагаемый способ основан на том, что резистивный слой выполняют из твердого электролита переменного состава, а воздействие на этот слой осуществляют, прикладывая постоянное напряжение смещения в пределах от 0,1 до 0, 4 В/мм, величину которого определяют из требуемой неоднородности, и образец выдерживают под напряжением смещения в течение часа. 3 ил., 2 табл.

ТЕРМОСТАБИЛЬНАЯ ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ МИКРОСХЕМА

Термостабильная тонкопленочная микросхема, содержащая корпус, выводы корпуса, диэлектрическую подложку, соединенную с корпусом посредством клеевого шва, узловую сеть тонкопленочных резисторов, элементы которой выполнены из N отдельных резисторов, а ее общее сопротивление зависит от структуры узловой сети и от значений сопротивления в ячейках этой структуры, причем требуемое значение интегрального сопротивления микросхемы обеспечено в процессе подгонки дискретно путем структурирования узловой сети на основании запомненных в процессе измерения данных и расчетных математических соотношений, отличающаяся тем, что имеет узловую сеть интегрального резистора, состоящую из отдельных резистивных чипов, выполненных на кристаллах, полученных путем деления общей диэлектрической подложки микросхемы на К частей разрезанием в продольном и поперечном направлениях, отдельные резистивные чипы электрически соединены проволочными перемычками путем сварки или пайки таким образом, что в узловой резистивной сети ...

ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩАЯ РЕЗИСТИВНАЯ КОМПОЗИЦИЯ

... 1. Электропроводящая резистивная композиция, содержащая распределенные в полимерном связующем частицы электропроводящего вещества и электроизолирующее вещество, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит вещество, регулирующее температурный коэффициент сопротивления, состоящее из силицидов железа, при этом содержание кремния в силицидах железа находится в пределах 14,3-81,0 вес.%, в качестве полимерного связующего и электроизолирующего вещества использованы термостойкие полимеры, а в качестве электропроводящего вещества использованы пиролитический графит и никель, при следующем соотношении компонентов, вес.%: Полимерное связующее 24-62 Электропроводящее вещество 16-55 Регулирующее вещество 20-50 2. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что размер частиц электропроводящих веществ составляет: никель - менее 5 мкм, пиролитический графит - менее 1,0 мкм. 3. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что в качестве термостойкого полимерного связующего использованы фторопласты. 4. Композиция по ...

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Резистивный материал, содержащий технический углерод, молотый силикат натрия, окись кальция, кварцевый песок, доменный шлак и воду, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона удельного сопротивления и увеличения прочности на сжатие, он дополнительно содержит отсев известняка CaCO3 при следующем соотношении компонентов, мас.%: Технический углерод - 0,001 - 15,0 Молотый силикат натрия - 0,001 - 21,0 Окись кальция - 0,001 - 15,0 Кварцевый песок - 0,001 - 75,0 Доменный шлак - 0,001 - 75,0 Отсев известняка CaCO3 - 0,001 - 25,0 Вода - Остальное ...

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НЕОДНОРОДНОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ РЕЗИСТИВНОГО СЛОЯ В RC-СТРУКТУРАХ

Изобретение относится к области радиоэлектроники, в частности к способам электрического управления параметрами RС-структур и может быть использовано при реализации частотно-избирательных цепей с распределенными НС-фильтрами. Техническая задача: является упрощение технологии получения и процесса управления неоднородностью распределенного сопротивления. Способ основан на том, что резистивный слой выполняют из ионно-электронного проводника с переменным составом, к концам которого прикладывают постоянное напряжение смещения, величина которого определяется требуемой неоднородностью и находится в пределах от 0,1 до 0,4 В/мм.

ПЛЕНОЧНЫЙ РЕЗИСТОР

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано при создании пленочных резисторов в гибридных микросборках. Целью изобретения является повышение допустимой мощности пленочного резистора. Пленочный резистор содержит диэлектрическую подложку 1, на которой размещены контактные площадки 2 и прямоугольный резистивный элемент 3, включающий две области 4, удельное поверхностное сопротивление которых в 1,4 1,6 раз превышает удельное поверхностное сопротивление сплошного резистивного слоя, образующего прямоугольный резистивный элемент 3. Области 4 примыкают к контактным площадкам 2 в их центральных частях со стороны прямоугольного резистивного элемента 3. Приведены формулы выбора размеров областей 4, что обеспечивает достижение цели и повышение надежности устройства за счет снижения термических напряжений в конструкции пленочного резистора. 1 ил. 1 табл.

УСТРОЙСТВО ЗАЩИТЫ ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЙ С ВАРИСТОРАМИ, ИМЕЮЩИМИ БЛИЗКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Материал для термисторов

Резистивный материал

Способ температурной компенсации сопротивления резистора

СПОСОБ ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМ ПЕНСАЦИИ СОПРОТИВЛЕНИЯ РЕЗИСТОРА, 304050 iopt f3c fi 2,3, -номера резисторов включающий измерение величины сопротивления на фиксированных температурах , построение кривой температурной зависимости и подгонку величины сопротивления резистора, отличающийся тем, что, с целью повьшения точности термокомпенсации сопротивления резистора, после построения кривой температурной зависимости определяют температуру , соответствующую максимальной и минимальной величинам сопротивления при температуре t. , после чего рабочую температуру резистора изменяют до совпадения с температурой . 100 . 1 ...

Безреактивная катушка сопротивления

Резистор

Резистивный материал

Терморезистор

Способ изготовления резистивных датчиков влажности

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ГАЗОРАЗРЯДНЫХ ИНДИКАТОРНЫХ ПАНЕЛЕЙ

Резистивный материал

Электрическое непроволочное сопротивление

Материал для резисторов

Резистивный материал

Резистивный материал

Резистивный материал

Резистивный материал

Резистор объемного типа

Резистивный материал

Способ обработки поверхности керамических оснований непроволочных сопротивлений

Резистивный материал

Мощный объемный резистор

Резистивный материал для тонкопленочных резисторов

РЕЗИСТИВНКЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий хром, вольфрам, кремн:Ий и ди:оксид марганца, отличаюМ и и с я тем, что, с целью расширения диапазона значений удельного сопротивления в высокоомную часть при низком значении температурного коэффициента сопротивления, он дополнительно содержит диоксид церия при следующем количественном соотношении компонентов, вес.%: Вольфрам 10-20 Кремний15-25 Диоксид марганца 15-30 Диоксид церия8-36 ХромОстальное ...

Тонкопленочный подстраиваемый резистор

ТОНК01ШЕНОЧНЫЙ ПОДСТРАИВАЕМЫЙ РЕЗИСТОР, содержащий диэлектрическую подложку с размещенным на ней подстраиваемым резистивным элементом и контактными площадками, отличающийся тем, что, с целью повьшеиия стабильности номинала резистора путем обеспечения возможности его подстройки после изготовления резистора и в процессе его эксплуатации , он снабжен электроискровым планарным электродом, размешенным на да1электрической подложке и выполненным с острием, ориентированным на подстраиваемый резистивный элемент,.

Планочный резистор

ПЛЕНОЧНЫЙ РЕЗИСТОР, содержащий диэлектрическую подложку. на которой размещен резистивный элемент со взаимно перпендикулярньии. вьтодами и контактными площадками, отличающийся тем, что, с целью повышения точности электрического сопротивленияj стороны контактных площадок, примыкающие к резистивному элементу, расположены параллельно друг другу и под углом 45 к оси взаимно перпендикулярных вьшодов резистивного элемента. 91/в./ ...

Резистивный материал

Материал для низкоомных тонкопленочных резисторов

... 1. МАТЕРИАЛ ДЛЯ НИЗКООМНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ .РЕЗИСТОРОВ, содержащий молибден и легирующие добавки, отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности и жаростойкости резисторов, в качестве легирующих добавок он содержит титан, ниобий, тантал, хром. 1пантаноид, выбрантой из группы, включаптвй лантан, |иттрий и церий, и полутароксид алюмяння при следукщем соотношении компонентов, мас.%: Лантаноид, выбранный из группы, включаю щей лантан, иттрий 0,1-0,3 и церий 0,5-2,3 Полу тарок сия алюминия 1,5-10 Хром 0,1-3,0 Титан Ниобий 0,4-12 Тантал 10-12 .Молибден Остальное ...

Резистивный материал

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ,содержа1ций токопроводящую композицию на основе углеродсодержащей фазы с металлической добавкой, отличающий с я тем, что, с целью уменьшения величины температурного коэффициента сопротивления резистивного материала , в качестве углеродсодержащей фазы с меташшческой добавкой использовано слоистое соединение пиролитического гра4н1та с цезием с концентрацией цезия в пнрдлитическом графите, соответствующей фазовому составу . (Л 00 Ю О 2-S TfStfSit ...

Резистивный материал

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ, включакжций портландцемент, порошок углерода , песок кварцевый, воду, о т л ичающийс я тем, что, с целью увеличения коэффициента нелинейности и расширения диапазона удельного сопротивления в в лсокоомную область, он дополнительно содержит оксид цинка при следующем количественном соотношении компонентов, мае.%: Портландцемент29-43 Порошок углерода 6-29 Песок кварцевый4-34 Оксид цинка10-25 Остальное Вода ...

Терморезистор

ТЕРМОРЕЗИСТОР, содержащий изолирующую подложку, на которой расположены термочувствительный элемент из халькогениднбго полугпровбдникового материала и пленка защитного , о т л и .ч а щ и и с я тем, что с цельюрасширения диапазона рабочих тем- ператур терморезисторов, в качестве халькогенидного полупроводникового материала, термочувствительного элемента испбльэована пленка моносульфида европия, при этом толщина пленки ьюносульфида европия составляет 15-30 толщины пленки защитного покрытия.

Композиционный резистивный материал

RC-структура с распределенными параметрами

Резистивный материал

Резистивный материал

Резистивный материал

Резистивный материал

Октавинилсилсесквиоксан в качестве мате-РиАлА,чуВСТВиТЕльНОгО K дЕйСТВию элЕКТРОН-НОгО ОблучЕНия и СпОСОб ЕгО пОлучЕНия

Октааллилсилсесквиоксан в качестве материала,чувствительного к действию электронного облучения

Резистор

Резистор

Резистор большой мощности для шунтирования контактов дугогасительного устройства выключателя высокого напряжения

Материал для толстопленочных резисторов

ELEKTRISCHE WIDERSTANDSSTRUKTUR

Schichtwiderstand

Widerstand, insbesondere SMD-Widerstand

Widerstand (18), insbesondere SMD-Widerstand, mit a) einem flächigen, metallischen Trägerelement (19) mit einer Oberseite und einer Unterseite, b) einem flächigen Widerstandselement (21) aus einem Widerstandsmaterial, wobei das Widerstandselement (21) auf der Unterseite des Trägerelements (19) angeordnet ist, c) mindestens zwei getrennten metallischen Anschlussteilen (22, 23), die das Widerstandselement (21) elektrisch kontaktierend und teilweise an der Unterseite des Trägerelements (19) angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass e) die Anschlussteile (22, 23) an dem Widerstand (18) seitlich frei liegen und seitlich sichtbar von einem Lot benetzbar sind.

ELEKTRONISCHE DICKSCHICHT-MATERIALIEN.

UEBERSPANNUNGSABLEITER FUER TELEKOMMUNIKATIONSENDSTUECKE.

UEBERSPANNUNGSABLEITER FUER TELEKOMMUNIKATIONSENDSTUECKE.

Schutzimpedanz für eine netzspannungsgespeiste elektronische Schaltung

Zusammensetzung für Dickschicht-Widerstand.

THIN OR THICK LAYER TECHNIC VOLTAGE DIVIDER

Verfahren zum Herstellen eines Chipwiderstandes.

Schicht-Typ Widerstand.

CHIP-WIDERSTAND

Ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung stellt einen Chip-Widerstand bereit, der ein Substrat, eine Widerstandsschicht, eine erste leitfähige Schicht, eine Isolierschicht, eine zweite leitfähige Schicht, eine dritte leitfähige Schicht und eine vierte leitfähige Schicht aufweist. Das Substrat hat eine vorderseitige Fläche und eine rückseitige Fläche, die in einer Dickenrichtung in einander entgegengesetzte Richtungen weisen, wobei eine Seitenfläche zwischen der vorderseitigen und der rückseitigen Fläche angeordnet ist. Die Widerstandsschicht ist auf der vorderseitigen Fläche. Die erste leitfähige Schicht befindet sich auf der vorderseitigen Fläche, und zwar elektrisch verbunden mit der Widerstandsschicht. Die Isolierschicht bedeckt die Widerstandsschicht und die erste leitfähige Schicht, wobei ein erster Rand auf der ersten leitfähigen Schicht angeordnet ist. Die zweite leitfähige Schicht bedeckt die erste leitfähige Schicht und die Isolierschicht, wobei sie den ersten Rand überspannt, und ...

Verfahren zur Herstellung eines Widerstands

Verfahren zur Serienfertigung eines elektrischen Widerstandes fuer integrierte Schaltungen

Widerstand, insbesondere SMD-Widerstand, und zugehöriges Herstellungsverfahren

Die Erfindung betrifft einen Widerstand (18), insbesondere einen SMD-Widerstand, mit einem flächigen, metallischen Trägerelement (19) mit einer Oberseite und einer Unterseite, einem flächigen Widerstandselement (21) aus einem Widerstandsmaterial, wobei das Widerstandselement (21) auf der Unterseite des Trägerelements (19) angeordnet ist, sowie mit mindestens zwei getrennten metallischen Anschlussteilen (22, 23), die das Widerstandselement (21) elektrisch kontaktieren und teilweise an der Unterseite des Trägerelements (19) angeordnet sind. Es wird vorgeschlagen, dass die Anschlussteile (22, 23) an dem Widerstand (18) seitlich frei liegen und seitlich sichtbar von einem Lot benetzbar sind. Weiterhin umfasst die Erfindung ein entsprechendes Herstellungsverfahren.

Verfahren zur Herstellung gedruckter Schaltungen

Thin-film resistance thermometer

As a base, a thin-film resistance thermometer has a substrate having at least one electrically nonconducting surface on which a thin-film semiconductor resistance element is situated between two metal contacts. The sensitivity of such a resistance thermometer can be appreciably improved by making it of TaOxNy, where x and y fulfil the requirement that x >/= 2-2y and by covering the resistance element with a protective layer.

TEMPERATURABHAENGIGES ELEKTRISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN UND MATERIAL ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN

VERFAHREN ZUM ABGLEICH VON TEMPERATUREMPFINDLICHEN WIDERSTAENDEN

Widerstandsmasse und ihre Verwendung.

TINTE BZW. DRUCKFARBE FUER ELEKTRISCHE WIDERSTAENDE

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES VERFORMTEN OBERFLÄCHENMONTIERTEN WIDERSTANDES

RESISTOR MATERIALS

SUBSTRAT FUER EINE GEDRUCKTE SCHALTUNG MIT WIDERSTANDSELEMENTEN

KERAMISCHER ZUENDER, VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG UND MATERIAL FUER DIE VERWENDUNG IN EINEM ZUENDER

Hochohmiger Widerstand

DÜNNSCHICHTWIDERSTAND MIT TANTALPENTOXID FEUCHTIGKEITSBARRIERE

Präzisionswiderstandselement und dieses enthaltender variabler Widerstand

Verfahren zum Herstellen von sehr duennen, roehrchen

Verfahren zur Herstellung eines Kohleschichtwiderstands

Zusatz-Widerstandsanordnung bzw.-bauteil

Tantal-Film auf fester Unterlage

Elektronisches Bauelement

METAL FOIL HAVING ELECTRICAL RESISTANCE LAYER, AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

The present invention provides a metal foil provided with an electrical resistance layer, in which peeling between the metal foil and the electrical resistance layer disposed on the metal foil can be prevented and variation in the resistivity of the resistance layer can be reduced, and a method of manufacturing the same. The present invention includes a metal foil with an electrical resistance layer including a metal foil having a surface of a ten-point mean roughness Rz, which is measured by an optical method according to 1 μm or less and the surface being treated by irradiation with ion beams at an ion beam intensity of 0.70-2.10 sec·W/cmand an electrical resistance layer disposed on the surface of the metal foil. 1. A metal foil with an electrical resistance layer comprising:{'sup': 2', '2, 'a metal foil having a surface of a ten-point mean roughness Rz, which is measured by an optical method according to 1μm or less and the surface being treated by irradiation with ion beams at an ion beam intensity of 0.70 sec·W/cm-2.10 sec·W/cm; and'}an electrical resistance layer disposed on the surface of the metal foil.2. The metal foil with the electrical resistance layer according to claim 1 , wherein the electrical resistance layer has variation of a sheet resistance of less than ±5%.3. The metal foil with the electrical resistance layer according to claim 1 , further comprising a thermoplastic resin layer disposed on the electrical resistance layer.4. The metal foil with the electrical resistance layer according to claim 3 , wherein a peel strength is 0.7 kN/m or more.5. The metal foil with the electrical resistance layer according to claim 1 , wherein the electrical resistance layer is formed from a metal selected from the group consisting of aluminum claim 1 , nickel claim 1 , chromium claim 1 , copper claim 1 , iron claim 1 , indium claim 1 , zinc claim 1 , tantalum claim 1 , tin claim 1 , vanadium claim 1 , tungsten claim 1 , zirconium claim 1 , molybdenum claim 1 , ...

STRAIN GAUGE

A strain gauge includes a flexible substrate; and resistors each formed of a Cr composite film. The resistors include a first resistor and a second resistor that are formed on one side of the substrate, and include a third resistor and a fourth resistor that are formed on another side of the substrate. The first resistor, the second resistor, the third resistor, and the fourth resistor constitute a Wheatstone bridge circuit. 1. A strain gauge comprising:a flexible resin substrate;{'sub': '2', 'resistors each formed of a film that includes Cr, CrN, and CrN; and'}a functional layer formed of a metal, an alloy, or a metal compound, the functional layer being in a lower surface of the resistors,wherein an element included in the functional layer is diffused into the film, wherein the resistors include a first resistor and a second resistor that are formed on one side of the substrate; and a third resistor and a fourth resistor that are formed on another side of the substrate,wherein the first resistor, the second resistor, the third resistor, and the fourth resistor constitute a Wheatstone bridge circuit, andwherein a gauge factor of the strain gauge is 10 or more.2. The strain gauge according to claim 1 , further comprising two electrodes for applying an input voltage to the Wheatstone bridge circuit; and two other electrodes for obtaining an output voltage of the Wheatstone bridge circuit claim 1 ,wherein the two electrodes and the two other electrodes are formed on the one side of the substrate.3. The strain gauge according to claim 2 , wherein the two electrodes and the two other electrodes are electrically each connected claim 2 , through a given via hole provided in the substrate claim 2 , to a corresponding pad from among pads extending from both end portions of each of the third resistor and the fourth resistor claim 2 , andwherein each of the two electrodes and the two other electrodes is continuously formed, from the one side of the substrate, on a sidewall of ...

RESISTOR

A resistor includes a body and two connecting members. The body is made from an ohmic material and has two opposite side faces. Each of the connecting members has a side surface that has a connecting region welded to a respective one of the side faces of the body. 1. A resistor comprising:a body made from an ohmic material and having two opposite side faces; andtwo connecting members, each of which has a side surface that has a connecting region welded to a respective one of said side faces of said body.2. The resistor as claimed in claim 1 , wherein said connecting region of said side surface of each of said connecting members is welded to a respective one of said side faces of said body using an electron beam welding technique.3. The resistor as claimed in claim 2 , wherein said body and said connecting members are each cuboid in shape.4. The resistor as claimed in claim 3 , wherein said body is made from an alloy including iron claim 3 , chromium claim 3 , and aluminum.5. The resistor as claimed in claim 3 , wherein said connecting members are made from an alloy including copper.6. The resistor as claimed in claim 3 , wherein each of said side faces is rectangular in shape claim 3 , said connecting region of said side surface of each of said connecting members being rectangular in shape.7. The resistor as claimed in claim 6 , wherein each of said side faces has a first width claim 6 , said connecting region of said side surface of each of said connecting members having a second width that is identical to the first width.8. The resistor as claimed in claim 7 , wherein each of said side surfaces has a first length perpendicular to the second width claim 7 , said connecting region of said side surface of each of said connecting members having a second length perpendicular to the second width claim 7 , a ratio of the second length to the first length (H) being smaller than 1 and greater than 0.6. This application claims priority of Taiwanese Application No. 104215362 ...

Resistor Component

A resistor component is provided, including a ceramic bar having a film applied thereon, a protection layer formed on the film in a middle portion of the ceramic bar, an end plating layer formed on the film at two ends of the ceramic bar, an insulation layer formed on the protection layer, and a color coded marking formed on the insulation layer that indicates the resistance of the resistor component. The end plating layer is formed by a barrel plating method and includes copper, tin, nickel and a combination thereof. The resistor component thus has a low cost and is manufactured by a simple process, simultaneously avoids the occurrence of pores or incompletely sealed join that may be caused by the prior method. Therefore the resistor component has high reliability. 1. A resistor component , comprising:a ceramic bar having a film applied thereon;a protection layer formed on the film in a middle portion of the ceramic bar;an end plating layer formed on the film at two ends of the ceramic bar;an insulation layer formed on the protection layer; anda color coded marking formed on the insulation layer.2. The resistor component of claim 1 , wherein the film acts as a resistive layer.3. The resistor component of claim 1 , wherein the end plating layer is formed on the ceramic bar by a barrel plating method.4. The resistor component of claim 1 , wherein the end plating layer comprises copper claim 1 , tin claim 1 , nickel claim 1 , or a combination thereof.5. The resistor component of claim 1 , wherein the insulation layer is formed before the protection layer claim 1 , and the resistor component has a resistance that is adjusted by cutting the film.6. The resistor component of claim 5 , wherein the film is cut by a laser cutting machine or a laser slicer.7. The resistor component of claim 1 , wherein the protection layer is made of epoxy resin.8. The resistor component of claim 1 , wherein the color coded marking is made of epoxy resin. 1. Field of the InventionThis ...

LIGHT INCIDENT ANGLE CONTROLLABLE ELECTRONIC DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Disclosed herein is a method of changing characteristics of an electronic device, including the steps of: applying light to an electronic device through a plurality of media having different refractive indexes from each other, the electrical characteristics of the electronic device being changed depending on the amount of incident light; and changing an incident angle of light applied the electronic device to adjust the amount of incident light. There is provided a method of providing light incident angle dependency by a simple procedure of accumulating additional media in various electronic devices. In the method, the light incident angle selectivity of the electronic device can be maintained even when the inclination angle of the device is changed depending on the axis parallel to the incident direction of light even though the incident direction thereof is fixed. This means that the performance of the device can be controlled only by changing the inclination angle of the device without greatly changing the dynamic state of the device. Further, since the movement speed of photons is higher than that of electrons and the signal interference of photons is lower than that of electrons, an additional effect of increasing the operating speed of the device or decreasing the size of the device can be expected. 1. A method of changing characteristics of an electronic device , comprising the steps of:applying light to an electronic device through a plurality of media having different refractive indexes from each other, the electrical characteristics of the electronic device being changed depending on the amount of incident light; andchanging an incident angle of light applied to the electronic device to adjust the amount of incident light.2. The method of claim 1 , wherein a first medium having a first refractive index is disposed on the surface of the electronic device claim 1 , and the light penetrates a second medium having a second refractive index larger than the ...

ADJUSTABLE INTERNAL GATE RESISTOR

The disclosure describes a method for controlling a voltage that is applied to a voltage controlled circuit element. In one example, the method includes controlling, by a semiconductor light source, a resistance value of a photoresistor coupled to a voltage controlled circuit element. The method includes applying, by a gate driver and via the photoresistor, a voltage to the voltage controlled circuit element. The method further includes controlling the voltage applied to the voltage controlled circuit element in order to control a current through the voltage controlled circuit element. In some examples, controlling the voltage applied to the voltage controlled circuit element may be accomplished by controlling the resistance value of the photoresistor in order to control a voltage drop across the photoresistor. Circuits that implement the method are also described. 1. A method comprising:controlling, by a semiconductor light source, a resistance value of a photoresistor coupled to a voltage controlled circuit element; andapplying, by a gate driver and via the photoresistor, a voltage to the voltage controlled circuit element to drive the voltage controlled circuit element to one of an ON state or an OFF state,wherein controlling the resistance value of the photoresistor controls a voltage drop across the photoresistor to control the voltage applied at the voltage controlled circuit element so as to control a current through the voltage controlled circuit element.2. The method of claim 1 , wherein controlling the resistance value of the photoresistor comprises setting a fixed resistance value.3. The method of claim 2 , wherein setting the fixed resistance value comprises: generating claim 2 , by the semiconductor light source claim 2 , an amount of light; and delivering the amount of light to the photoresistor.4. The method of claim 1 , wherein controlling the resistance value of the photoresistor comprises setting one of a TURN ON resistance value or a TURN OFF ...

MAGNETIC SENSOR

A magnetic sensor includes at least one MR element and a coil. The coil includes at least one conductor portion. The at least one conductor portion is each located at a position such that a partial magnetic field generated by the conductor portion is applied to one of the at least one MR element, the one corresponding to the conductor portion, and extends along an imaginary curve curving to protrude in a direction away from the corresponding MR element. 1. A magnetic sensor comprising:at least one magnetoresistive element whose resistance changes with an external magnetic field; anda coil that generates a coil magnetic field, the coil magnetic field being a magnetic field to be applied to the at least one magnetoresistive element, whereinthe coil includes at least one conductor portion,the coil magnetic field includes a partial magnetic field generated by each of the at least one conductor portion, andthe at least one conductor portion is each located at a position such that the partial magnetic field generated by the conductor portion is applied to one of the at least one magnetoresistive element, the one corresponding to the conductor portion, and extends along an imaginary curve curving to protrude in a direction away from the corresponding magnetoresistive element.2. The magnetic sensor according to claim 1 , further comprising a support member that supports the at least one magnetoresistive element claim 1 , whereinthe support member includes a top surface opposed to the at least one magnetoresistive element and a bottom surface located on a side opposite to the top surface.3. The magnetic sensor according to claim 2 , wherein:the top surface of the support member includes a curved surface portion curving to protrude in a direction away from the bottom surface of the support member; andthe at least one magnetoresistive element is located on the curved surface portion.4. The magnetic sensor according to claim 3 , wherein:the at least one magnetoresistive element ...

CHIP RESISTOR AND CHIP RESISTOR ASSEMBLY

A chip resistor includes a base substrate having first and second surfaces opposing each other. First and second resistor layers are separated from each other and are on the first surface of the base substrate. First and second terminals are on opposing end portions of the base substrate, respectively, and are connected to first sides of the first and second resistor layers, respectively. Third and fourth terminals are between the first and second terminals, and are respectively connected to second sides of the first and second resistor layers that respectively oppose the first sides of the first and second resistor layers. 1. A chip resistor comprising:a base substrate having first and second surfaces opposing each other;first and second resistor layers separated from each other and on the first surface of the base substrate;first and second terminals on opposing end portions of the base substrate, respectively, and connected to first sides of the first and second resistor layers, respectively; andthird and fourth terminals between the first and second terminals, and respectively connected to second sides of the first and second resistor layers that respectively oppose the first sides of the first and second resistor layers.2. The chip resistor of claim 1 , wherein the first resistor layer extends from the first terminal and includes a portion that protrudes to connect to the third terminal claim 1 , and the second resistor layer extends from the second terminal and includes a portion that protrudes to connect to the fourth terminal.3. The chip resistor of claim 1 , wherein the third terminal covers the second side of the first resistor layer claim 1 , and the fourth terminal covers the second side of the second resistor layer.4. The chip resistor of claim 1 , wherein a first resistance value between the first and third terminals is different from a second resistance value between the second and fourth terminals.5. The chip resistor of claim 1 , further comprising: ...

CHIP RESISTOR, MOUNTING STRUCTURE FOR CHIP RESISTOR, AND MANUFACTURING METHOD FOR CHIP RESISTOR

[Object] 1. A chip resistor comprising:a first electrode;a second electrode spaced apart from the first electrode in a first direction;a resistor portion bonded to the first electrode and the second electrode;a first intermediate layer connected to the first electrode and the resistor portion;a second intermediate layer connected to the second electrode and the resistor portion; anda coating film covering the first electrode;wherein the coating film is made of a material having a higher absorptance of a laser beam of a predetermined wavelength than that of a material forming the first electrode, and the first intermediate layer contains at least the material forming the coating film.2. The chip resistor according to claim 1 , wherein the coating film is made of Sn or solder.3. The chip resistor according to claim 2 , wherein the resistor portion extends along a plane spreading in the first direction and a second direction crossing the first direction claim 2 ,the first electrode includes a first principal surface facing one side in a thickness direction of the resistor portion;the coating film includes a first-principal-surface coating portion covering the first principal surface, the first-principal-surface coating portion covering the first principal surface over a region from an end closer to the second electrode in the first direction to an end opposite in the first direction from the end closer to the second electrode.4. The chip resistor according to claim 3 , wherein the first electrode includes a second principal surface facing away from the first principal surface claim 3 , andthe coating film includes a second-principal-surface coating portion covering the second principal surface.5. The chip resistor according to claim 4 , wherein the second-principal-surface coating portion covers the second principal surface over a region from an end closer to the second electrode in the first direction to an end opposite in the first direction from the end closer to ...

IMPLEMENTING CONFORMAL COATING COMPOSITION FOR HIGH CURRENT CIRCUIT APPLICATIONS

A method and structure are provided for implementing a conformal coating composition for high current applications. A copper particulate filler material layer is added over a standard conformal coating layer of a circuit component. The added layer aids in dispersing the heat away from the circuit component. The copper particulate filler material reacts with sulfur bearing gasses and prevents corrosive agents from reacting with the underlying component metallurgy, thus extending the product life. 113-. (canceled)14. A structure for implementing a conformal coating composition for high current applications comprising:a first conformal coating layer on a circuit component;the conformal coating composition including a copper particulate filler material layer deposited over the first conformal coating layer on the circuit component.15. The structure as recited in wherein the first conformal coating layer on a circuit component includes a standard conformal coating layer on a circuit component.16. The structure as recited in wherein the conformal coating composition including a copper particulate filler material layer is formed by a filler-free silicone conformal coating including copper particulate as a filler material.17. The structure as recited in wherein the conformal coating composition including a copper particulate filler material layer is formed by a filler-free silicone conformal coating including copper particulate as a filler material having about 10 weight percent (wt %) copper particulate of less than 75 microns.18. The structure as recited in wherein the copper particulate filler material layer reacts with sulfur bearing gasses and prevents corrosive agents from reacting with the underlying component metallurgy.19. The structure as recited in wherein the copper particulate filler material layer coating serves to disperse heat and getter sulfur bearing gas components protecting the underlying circuitry. The present invention relates generally to the data ...

Solid-State Resistor for Pulsed Power Machines

A flexible solid-state resistor comprises a string of ceramic resistors that can be used to charge the capacitors of a linear transformer driver (LTD) used in a pulsed power machine. The solid-state resistor is able to absorb the energy of a switch prefire, thereby limiting LTD cavity damage, yet has a sufficiently low RC charge time to allow the capacitor to be recharged without disrupting the operation of the pulsed power machine. 1. A solid-state resistor for pulsed power machines , comprising:a flexible string of at least two ceramic resistors;an insulating outer shell enclosing the string of ceramic resistors; andinsulating oil contained within the outer shell and encapsulating the string of ceramic resistors.2. The solid-state resistor of claim 1 , wherein the resistance of the resistor is greater than 50 kohm.3. The solid-state resistor of claim 1 , wherein the insulating outer shell comprises a flexible polymer tube. This application claims the benefit of U.S. Provisional Application No. 61/943,567, filed Feb. 24, 2014, which is incorporated herein by reference.This invention was made with Government support under contract no. DE-AC04-94AL85000 awarded by the U.S. Department of Energy to Sandia Corporation. The Government has certain rights in the invention.The present invention relates to resistors for pulsed power systems and, in particular, to a solid-state resistor for pulsed power machines.Most pulsed power machines require the use of resistors that are subject to high voltage and high power dissipation. Aqueous-electrolyte resistors have traditionally been used in pulsed power systems for fast voltage-divider probes, charging/trigger resistors in Marx banks, dummy loads, absorbers of reflected pulses, and capacitor bank dumps. These water-based resistors are simple, robust, have low-inductance, are capable of operation at high voltage and high current, and are capable of dissipating large pulse energies while preserving their operating capacity. ...

ISOLATING SEMICONDUCTING SINGLE-WALLED NANOTUBES OR METALLIC SINGLE-WALLED NANOTUBES AND APPROACHES THEREFOR

Embodiments in accordance with the present disclosure include methods, polymers, and complexes. For example, a method embodiments includes providing a solution including a disassembled supramolecular polymer and a bond disrupting agent, adding an antisolvent to the solution to precipitate the supramolecular polymer, and isolating the precipitated supramolecular polymer from the bond disrupting agent. The isolated supramolecular polymer is configured to selectively disperse single-walled carbon nanotubes (SWNTs) of a particular electrical type from a SWNT mixture including SWNTS of at least two electrical types 1. A method comprising:providing a solution including a disassembled supramolecular polymer and a bond disrupting agent;adding an antisolvent to the solution to precipitate the supramolecular polymer; andisolating the precipitated supramolecular polymer from the bond disrupting agent, wherein the isolated supramolecular polymer is configured to selectively disperse single-walled carbon nanotubes (SWNTs) of a particular electrical type from a SWNT mixture including SWNTS of at least two electrical types.2. The method of claim 1 , wherein providing the solution includes:providing a dispersed complex including the supramolecular polymer and single-walled carbon nanotubes (SWNTs) of a particular electrical type; andadding the bond disrupting agent to the dispersed complex to disassemble the supramolecular polymer and isolating the SWNTs.3. The method of claim 2 , wherein isolating the SWNTs includes filtering the SWNTs of the particular type from the solution.4. The method of claim 1 , wherein providing the solution includes isolating single-walled carbon nanotubes (SWNTs) from a SWNT mixture by:adding a supramolecular polymer to the SWNT mixture to form a mixture of non-dispersed SWNTs of a first electrical type and the supramolecular polymer, and a dispersed complex including SWNTs of a second electrical type and the supramolecular polymer,removing the non- ...

Chip Resistor and Method for Producing Same

The invention is to provide a chip resistor suitable for lowering an initial resistance value. A chip resistor according to the present invention is provided with: an insulating substrate ; a pair of front electrodes which are provided on a front surface of the insulating substrate so as to face each other with a predetermined interval therebetween; a resistive element which is provided so as to bridge the front electrodes ; a pair of auxiliary electrodes which are provided so as to cover the front electrodes and overlap end portions of the resistive element ; and the like. The chip resistor is configured such that: the front electrodes are formed of a material which contains 1 to 5 wt % Pd and the balance Ag; and the auxiliary electrodes are formed of a material which contains 15 to 30 wt % Pd and a metal material (e.g. Au) lower in resistivity than Pd and the balance Ag. 1. A chip resistor comprising: an insulating substrate; a pair of front electrodes which are provided on a front surface of the insulating substrate so as to face each other with a predetermined interval therebetween; a resistive element which is provided to extend onto the pair of front electrodes; and auxiliary electrodes which are provided so as to cover the front electrodes and overlap end portions of the resistive element; wherein:the front electrodes are formed of a material which contains 1 to 5 wt % palladium and the balance silver, and the auxiliary electrodes are formed of a material containing 15 to 30 wt % palladium and a metal material lower in resistivity than palladium and the balance silver.2. A chip resistor according to claim 1 , wherein:a countervailing distance between the auxiliary electrodes is set to be narrower than a countervailing distance between the front electrodes.3. A chip resistor according to claim 1 , wherein:the resistive element has a resistance value which has been lowered by re-sintering.4. A method for producing a chip resistor comprising:a step of printing ...

ELECTRICAL RESISTOR, HONEYCOMB STRUCTURE, AND ELECTRIC HEATING CATALYTIC DEVICE

An electrical resistor includes borosilicate particles, Si-containing particles, and pore parts. The pore parts are constituted by gaps between the borosilicate particles and the Si-containing particles and surround the borosilicate particles and the Si-containing particles. A honeycomb structure includes the electrical resistor. An electric heating catalytic device has the honeycomb structure. 1. An electrical resistor comprising:borosilicate particles;Si-containing particles; andpore parts constituted by gaps between the borosilicate particles and the Si-containing particles and surrounding the borosilicate particles and the Si-containing particles whereinthe electrical resistor has a cumulative pore volume of 0.05 ml/g or more.2. The electrical resistor according to claim 1 , wherein{'sup': '−4', 'the electrical resistor has an electrical resistivity of 0.0001 Ω·m or more and 1 Ω·m or less and an electrical resistance increase rate of 0/K or more and 5.0×10/K or less in a temperature range of 25 to 500° C.'}3. The electrical resistor according to claim 1 , whereinthe Si-containing particles are at least one type selected from a group consisting of Si particles, Fe—Si-based particles, Si—W-based particles, Si—C-based particles, Si—Mo-based particles, and Si—Ti-based particles.4. The electrical resistor according to claim 1 , whereinin the borosilicate particles, a content of B atoms is 0.1 mass % or more and 5 mass % or less.5. The electrical resistor according to claim 1 , whereinin the borosilicate particles, a total content of at least one type of alkali atom selected from a group consisting of Na, Mg, K, and Ca is 2 mass % or less.6. The electrical resistor according to claim 1 , whereinthe borosilicate particles are aluminoborosilicate particles.7. The electrical resistor according to claim 1 , whereinthe electrical resistor is configured to be used for a honeycomb structure in an electric heating catalytic device.8. A honeycomb structure comprising{'claim- ...

CHIP RESISTOR

The chip resistor according to the present disclosure includes insulating substrate, a pair of upper face electrodes provided on both ends of one face of insulating substrate, and resistor provided on the one face of insulating substrate and connected between the pair of upper face electrodes. The chip resistor includes a pair of end-face electrodes provided on both end faces of insulating substrate to be electrically connected to the pair of upper face electrodes, and plating layer formed on portions of the pair of upper face electrodes and faces of the pair of end-face electrodes. Insulating film formed of a resin is provided on another face opposite to the one face of insulating substrate. Insulating film has a thickness of more than or equal to 30 μm. 1. A chip resistor comprising:an insulating substrate;a pair of upper face electrodes provided on both ends of one face of the insulating substrate;a resistor provided on the one face of the insulating substrate, the resistor being provided between the pair of upper face electrodes to be electrically connected to the pair of upper face electrodes;a pair of end-face electrodes provided on both end faces of the insulating substrate to be electrically connected to the pair of upper face electrodes; anda plating layer disposed on portions of the pair of upper face electrodes and faces of the pair of end-face electrodes, whereinan insulating film is comprised of a resin and provided on another face of the insulating substrate, the other face being opposite to the one face of the insulating substrate.2. The chip resistor according to claim 1 , further comprisinga pair of back face electrodes provided at both ends of the other face of the insulating substrate,wherein the insulating film is disposed between the insulating substrate and one of the pair of back face electrodes.3. The chip resistor according to claim 1 , whereinthe insulating film has a thickness of less than or equal to three tenths of a thickness of the ...

RUTHENIUM OXIDE POWDER, THICK FILM RESISTOR COMPOSITION, THICK FILM RESISTOR PASTE, AND THICK FILM RESISTOR

A ruthenium oxide powder having a rutile crystal structure is provided, wherein a crystallite diameter D1, calculated from a peak of a (110) plane measured by an X-ray diffraction method, is 25 nm or more and 80 nm or less, a specific surface area diameter D2, calculated from a specific surface area, is 25 nm or more and 114 nm or less, and a ratio of the crystallite diameter D1 (nm) to the specific surface area diameter D2 (nm) satisfies a following formula (1). 1. A ruthenium oxide powder having a rutile crystal structure , whereina crystallite diameter D1, calculated from a peak of a (110) plane measured by an X-ray diffraction method, is 25 nm or more and 80 nm or less,a specific surface area diameter D2, calculated from a specific surface area, is 25 nm or more and 114 nm or less, and {'br': None, 'i': D', 'D, '0.70≤1/2≤1.00 \u2003\u2003(1)'}, 'a ratio of the crystallite diameter D1 (nm) to the specific surface area diameter D2 (nm) satisfies a following formula (1).'}2. A thick film resistor composition comprising:{'claim-ref': {'@idref': 'CLM-00001', 'claim 1'}, 'the ruthenium oxide powder according to ; and'}a glass powder.3. The thick film resistor composition according to claim 2 , wherein a ratio of the ruthenium oxide powder is 5% by mass or more and 50% by mass or less claim 2 , with respect to the ruthenium oxide powder and the glass powder.4. The thick film resistor composition according to claim 2 , wherein the glass powder has a 50% volume cumulative particle size of 5 μm or less.5. A thick film resistor paste in which the thick film resistor composition according to is dispersed in an organic vehicle.6. A thick film resistor comprising:{'claim-ref': {'@idref': 'CLM-00001', 'claim 1'}, 'the ruthenium oxide powder according to ; and'}a glass component.7. The thick film resistor according to claim 6 , wherein a ratio of the ruthenium oxide powder is 5% by mass or more and 50% by mass or less claim 6 , with respect to the ruthenium oxide powder and the ...

Polymer thick film resistor compositions

A polymer thick film resistor composition is disclosed which comprises: (1) finely divided particles of a conductive metal having a surface area of 0.3 to 3.0 m 2 /g; (2) finely divided particulate material having a surface area greater than 100 m 2 /g; (3) a thermoplastic resin; dissolved in (4) an organic solvent having a volatility rating of 10,000 to 50,000; wherein the composition is substantially curable within 2.5 minutes by heating to a temperature of 135° C., and further wherein the volume ratio of particulate material to resin is at least 3.5, and the weight ratio of solvent to resin is 3 to 5.

Chip resister inserted in isolator and method for manufactu ring the chip resister

본 발명은 협소한 공간내에서도 충분한 접합면적을 확보할 수 있을 뿐만 아니라 전극형태를 변형하여 전극과 접합물간의 결합력을 증가시켜, 접합특성을 향상시키면서 소형화가 가능한 비가역소자 삽입용 칩저항과 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 칩저항은 비가역소자 삽입용 칩저항은 일측면에 오목홈이 형성된 직사각형의 프레임과, 상기 프레임 상면의 중앙에서 오목홈이 형성된 측면으로 치우쳐 형성되는 저항층과, 상기 오목홈이 형성된 측면에 대향하는 측면에 연결된 상기 프레임 상면에 저항층의 일단과 연결되도록 형성되는 제1전극층과, 상기 저항층의 다른 단에 연결되어 오목홈이 형성된 측면에 연결된 프레임 상면에서, 오목홈이 형성된 측면을 거쳐 하면까지 이어져 형성되는 제2전극층으로 이루어지며, 상기 프레임의 하면에 형성된 제2전극층은 하나이상의 요(凹)부와 하나이상의 철(凸)부를 갖는 굴곡형태로 인쇄된다.

Gas sensing element

Zno-varistor manufacturing method

본 발명은 ZnO의 예비 소결을 통해 ZnO 입자 성장을 한 다음, 성장된 ZnO 입자들을 크기별로 분류하고, 다른 첨가물과 혼합하고 소성하여 배리스터내의 입계 갯수를 감소시켜서 저전압용 배리스터를 제조하는 방법에 관한 것이다.

High voltage resistance and high voltage power supply having such high voltage resistance

(57)【要約】 本発明は電気絶縁材料のほぼ方形の基板を有する高電圧抵抗に関するものである。この基板の両端に２つの電極が設けられ、これら電極が曲がりくねった形状の抵抗層により互いに接続されている。本発明によれば、基板の１つの側面又は、互いに対向する両側面に１つ以上の凹所を形成する。この種類の高電圧抵抗又はこのような高電圧抵抗を有する高電圧電源は、より一層高電圧で動作させることができるか或いはその耐用年数を一層長くすることができ、又はこれらの双方を達成することができる。

Piezoelectric element thermistor and the piezoelectric element packaging part including this

本发明涉及压电元件用热敏电阻以及包括此的压电元件封装件。根据本发明的压电元件用热敏电阻包括：基板，具有第一表面和第二表面；第一至第四端子电极，布置于所述第一表面；热敏电阻层，布置于所述第一表面，通过第一连接电极以及第二连接电极而分别与所述第一端子电极和第二端子电极电连接；以及第一晶体振荡器用电极和第二晶体振荡器用电极，布置于所述第二表面，分别与所述第三端子电极以及第四端子电极电连接。

Chip resistance and its use

Resistor compositions

A thick film resistor composition for firing in a low oxygencontaining atmosphere comprises finely divided particles of (a) an anion-deficient semiconductive material consisting essentially of a refractory metal nitride, oxynitride or mixture thereof; (b) one or more metallic conductive materials or precursors thereof; and (c) a nonreducing glass having a softening point below that of the semiconductive material dispersed in (d) organic medium.

Temperature Compensation Dielectric Ceramic Composition

본 발명은 온도보상용 유전체 자기 조성물에 관한 것으로, 상온에서 유전율 80 이상, 그리고 1000 이상의 높은 품질계수 Q와 양호한 온도특성을 갖도록 하여 캐패시터 및 노이즈 제거용 EMI(전자파장해)필터 제작에 이용하는 한편, 전극재료로는 고가의 Pd이나 Pt재료 대신에 저가의 은합금을 이용할 수 있는 온도보상용 유전체 자기 조성물에 관한 것이다. 이에 따른 본 발명은 희토류가 포함된 온도보상용 유전체 자기 조성물에 있어서, 70mol% 이산화티탄(Ti0 2 ), 16mon%의 탄산바륨(BaCO 3 ), 5~9mol%의 산화네오디뮴(Nd 2 O 3 ), 1~5mol%의 산화세륨(CeO 2 )으로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 온도보상용 유전체 자기조성물에 관한 것이다.

ELECTRICAL RESISTANCE WITH RESIN BINDER

L'INVENTION CONCERNE UNE RESISTANCE ELECTRIQUE A LIANT RESINEUX. ELLE SE RAPPORTE A UNE RESISTANCE ELECTRIQUE FORMEE PAR UNE COMPOSITION CONTENANT 40 A 90 EN POIDS D'UNE RESINE THERMOPLASTIQUE NON POLAIRE TELLE QU'UNE POLYOLEFINE, 0,5 A 30 EN POIDS D'UNE RESINE THERMOPLASTIQUE POLAIRE, CONTENANT PAR EXEMPLE DES MOTIFS ACRYLIQUES, 5 A 30 EN POIDS DE GRAPHITE ET 1 A 20 EN POIDS DE NOIR DE CARBONE. LA TENEUR EN OXYGENE DU NOIR DE CARBONE, LA QUANTITE DE NOIR DE CARBONE, LA QUANTITE DE GROUPES POLAIRES DE LA RESINE THERMOPLASTIQUE POLAIRE ET LA QUANTITE DE RESINE THERMOPLASTIQUE POLAIRE PRESENTENT UNE RELATION PERMETTANT L'OBTENTION D'UNE RESISTIVITE UNIFORME, COMPRISE ENTRE 1.10 ET 1.10O.CM. APPLICATION A LA FABRICATION DE RESISTANCES ELECTRIQUES. THE INVENTION RELATES TO AN ELECTRICAL RESISTANCE A RESINOUS BOND. IT RELATES TO AN ELECTRICAL RESISTANCE FORMED BY A COMPOSITION CONTAINING 40 TO 90 BY WEIGHT OF A NON-POLAR THERMOPLASTIC RESIN SUCH AS A POLYOLEFIN, 0.5 TO 30 BY WEIGHT OF A POLAR THERMOPLASTIC RESIN, CONTAINING FOR EXAMPLE ACRYLIC PATTERNS , 5 TO 30 BY WEIGHT OF GRAPHITE AND 1 TO 20 BY WEIGHT OF BLACK CARBON. THE OXYGEN CONTENT OF CARBON BLACK, THE QUANTITY OF CARBON BLACK, THE QUANTITY OF POLAR GROUPS OF THE POLAR THERMOPLASTIC RESIN AND THE QUANTITY OF POLAR THERMOPLASTIC RESIN SHOW A RELATIONSHIP ALLOWING THE OBTAINING OF A UNIFORM RESISTIVITY AND COMPLIANT WITH 1.10, 1.10O.CM. APPLICATION TO THE MANUFACTURING OF ELECTRICAL RESISTORS.

Resistors and their manufacturing process

ELECTRIC RESISTANCE WITH RESINOUS BINDER

Electrical resistance and its manufacturing process

Patent FR2346829B1

Electrical resistance

Low-voltage coefficient resistance paste

本发明公开了一种低电压系数电阻浆料，所述电阻浆料的质量百分比组成为：导电粉末10%～35%、玻璃粘结相35%～55%、添加剂1%～10%、有机载体30%～35%，所述导电粉末为二氧化钌、钌酸铅中至少一种，所述玻璃粘结相为在纯氧气气氛下950±10℃煅烧20～25小时制备的钛酸铅钡复合铅硼硅玻璃。本发明采用钛酸铅钡复合铅硼硅玻璃为玻璃粘结相，对电阻的电压系数特性进行调整，使电阻浆料备了电压系数小的特点，可满足高压电阻器产品使用要求。

Surface-modified ruthenium oxide conductive material, lead-free glass(es), thick film resistor paste(s), and devices made therefrom

本发明涉及可配制成适用于制备厚膜电阻器材料的浆料的表面改性RuO 2 导电材料和无铅粉状玻璃材料。最适于本发明的电阻范围为具有10千欧/平方至10兆欧/平方的薄层电阻的电阻器。所得的电阻器具有±100ppm/℃的TCR。

Four-terminal resistor

一種四端子電阻器，在基板表面設置大面積且具有幾何形狀對稱的電阻層，電阻層的上設置電極層，該電極層包含二相同幾何形狀的子電極層以一定間距對稱設置，每一子電極層包含一電流端子與一電壓檢測端子。特別是該電流端子以及電壓端子可以互換使用，可提高四端電阻的使用彈性。

Electrical resistors

In forming a plurality of resistor components a resistive metal film is deposited on an inert, electrically nonconductive base. Parallel electrode strips are deposited on the resistive film and parallel overglaze strips are deposited on the resistive film between and slightly overlapping the electrode strips. This structure is separated into a plurality of resistor components by making a series of parallel cuts down through all the layers along lines at right angles to a line following the longitudinal axis of said glaze strips; annealing the structure to refuse the overglaze; and performing a second series of parallel cuts at right angles to said first cuts and following lines midway of said electrodes strips.

Process for the production of a cermet resistance layer, in particular for potentiometers

Es wird ein Cermetwiderstandselement unter Verwendung einer Silber-Goldlegierung zur Verbesserung der Kontaktwiderstandsveränderungen sowie das Verfahren zur Herstellung des Elements offenbart. Es werden ein Goldresinat und ein Silberresinat mit den Edelmetallresinaten und der Glasfritte zur Herstellung des Cermetmaterials vermischt. Die Mischung wird erwärmt, um die organischen Resinatmaterialien herauszutreiben und das Silber und das Gold zu legieren. Das resultierende Material wird zu einem Pulver gemahlen, wieder erwärmt und wieder gemahlen. Das Pulver wird mit einem flüchtigen Material vermischt, um eine Paste zu bilden, die zur Bildung des Widerstandselements auf ein Substrat aufgetragen werden kann. Das Element wird erwärmt, um das flüchtige Material herauszutreiben und das Glas in eine feste Masse zu verschmelzen. Das Silber und das Gold bilden während des Verfahrens eine Silber-Goldlegierung und lagern sich auf der Oberseite des Elements in Kügelchen ab und verbessern die Kontaktwiderstandsveränderungen des Elements. A cermet resistor element using a silver-gold alloy to improve contact resistance changes and the method of manufacturing the element are disclosed. A gold resinate and a silver resinate are mixed with the noble metal resinates and the glass frit to produce the cermet material. The mixture is heated to drive out the organic resinate materials and alloy the silver and gold. The resulting material is ground to a powder, reheated, and ground again. The powder is mixed with a volatile material to form a paste that can be applied to a substrate to form the resistor element. The element is heated to drive out the volatile material and fuse the glass into a solid mass. The silver and gold form a silver-gold alloy during the process and are deposited in spheres on the top of the element and improve the contact resistance changes of the element.

ELECTRIC HEATING PLATE

RESISTANCE CIRCUIT FOR STRESS GAUGE.

Resistors with integral molded metal terminals

Resistor with a resistor element

本发明公开一种电阻器，电阻器包括电阻本体、第一电极组件以及第二电极组件，电阻本体包括电阻层，第一电极组件包括对称分布于电阻层两侧的二个第一电极，第一电极与电阻层电连接，第二电极组件包括对称分布于电阻层两侧的二个第二电极，第二电极与电阻层电连接，且位于电阻层同一侧的第一电极及第二电极分别与电阻层连接的位置具有等电位。本发明的电阻器通过伏安法检测不会产生压降，提高伏安法检测阻值精度测量的准确性。

Humidity sensor

Leaded NTC Thermistors

본 발명은 리드선이 부착된 NTC 서미스터에 있어서 서미스터의 소자로서 종래의 양면 전극형 칩 대신에 표면 실장형 구조를 갖는 칩을 사용한 것을 특징으로 한다. The present invention is characterized in that a chip having a surface mount structure is used as an element of a thermistor in an NTC thermistor with a lead wire instead of a conventional double-sided electrode type chip. 여기서 표면실장형 구조를 갖는 NTC 소자는 후막법, 박막법 또는 이들의 복합에 의해 제조될 수 있다. The NTC device having the surface mount structure can be manufactured by a thick film method, a thin film method or a combination thereof. 이와 같이 표면실장형 구조를 채택함으로서 첫째 NTC 소자의 저항을 레이저 식각법에 의해 정밀 조정할 수 있고, 둘째 슬릿이 형성된 기판을 사용함으로서 단순한 압력의 부과에 의한 칩브레이킹법을 이용하여 개개의 소자로 분리가 가능하여 종래와 같은 절단하는 공정을 없애고 양산형 제조공정을 채택할 수 있다. By adopting the surface-mount structure as described above, the resistance of the first NTC device can be precisely adjusted by laser etching, and the second slit substrate is used to separate it into individual devices using the chip breaking method by simply applying pressure. It is possible to eliminate the cutting process as in the prior art and adopt a mass production type manufacturing process. 한편, 리드선의 위치를 단면, 상면 또는 배면에 부착함으로서 보호층의 두께를 크게 낮출 수 있다. 이렇게 함으로서 종래의 양면전극형을 사용한 경우 NTC 소자가 전극과 보호층에 의해 두껍게 포장되어 있는 것에 비해 센서로서의 감도와 측정 정밀도를 크게 개선하게 된다. On the other hand, the thickness of the protective layer can be greatly reduced by attaching the position of the lead wire to the end face, the top face or the back face. In this way, in the case of using the conventional double-sided electrode type, the sensitivity and measurement accuracy as the sensor are greatly improved as compared with the NTC element thickly packaged by the electrode and the protective layer.

Improvements in or relating to electrical resistances

1,094,541. Resistors. BEDCO ELECTRONICS Ltd. Aug. 23, 1965 [Aug. 25, 1964], No. 34771/64. Heading H1S. A resistor comprises a cylindrical (plastics or ceramic) former 31 carrying a resistive element 35 of conductive silicone rubber which may be formed by depositing the silicone rubber in a screw thread 34 (or in two such threads of opposite pitch which cross each other). Alternatively, the element may comprise a coating covering the former or, if a tubular former is used, its inner or outer surface, and may be formed by painting or by dipping into a solution of toluene (or suitable industrial solvent) conductive silicon rubber and a catalyst. The electrodes may be clamped on the ends of the former or may be of metallic paint or may be formed by metal bushes.

Production of electrical resistor elements

Article with electrically-resistive glaze for use in high-electric fields and method of making same

A substrate, such as a ceramic body, carries a layer of glaze consisting essentially of (a) an inorganic oxide glass matrix that is essentially free from ions which migrate in a high-electric field, (b) about 1 x 1019 to 50 x 1019 antimony cations distributed in each cubic centimeter of the glass matrix, and (c) about 4 to 30 weight percent with respect to the weight of said glaze of discrete tin-oxide particles in the antimony-containing glass matrix. The method comprises dissolving antimony, as a compound thereof, in a glass, mixing together particles of said glass and tin-oxide particles, coating the mixture on a substrate, heating the coated substrate to melt the glass particles while retaining tin oxide in discrete particulate form, and then solidifying the molten coating.

Color television tube

BODY PROVIDED WITH A GLAZE HAVING STABLE PROPERTIES IN A HIGH ELECTRIC FIELD USED IN PARTICULAR IN ELECTRONIC CANNONS

Chip resistor

A chip resistor (1) is provided with a pair of terminal electrodes (4, 5) which are constituted in chips and arranged on end sections of an insulating substrate (2); and a resistive film (3), which is formed on an upper plane of the insulating substrate (2) to be electrically continuous with the terminal electrodes (4, 5) and has a trimming groove (3a) on the part of it for setting a resistive value. The terminal electrodes (4, 5) include a lower plane electrode (4b) formed on a lower plane of the insulating substrate (2), and the lower plane electrode (4b) extends to a portion directly under a narrow section (8) having a narrow width in a resistive film (3) by having the trimming groove (3a) formed on the part of the resistive film (3).

Temperature-responsive element

A reliable humidity sensor is sintered with four components of MgO, LiCl, V205, and Sb2O3. The sum weight of the V2O5 and Sb2O3 is less than 20 mole % of the total weight and the mole ratio of the LiCl and the MgO is 0.42 to 1.12.

Resistor compositions

The invention is directed to a thick film resistor composition for firing in a low oxygen-containing atmosphere comprising finely divided particles of (a) a semiconductive material consisting essentially of a refractory metal carbide, oxycarbide or mixtures thereof and (b) a nonreducing glass having a softening point below that of the semiconductive material dispersed in (c) organic medium and to resistor elements made therefrom. [US4657699A]

Resistor compositions

A thick film resistor composition for firing in a low oxygencontaining atmosphere comprises finely divided particles of (a) a semiconductive material consisting essentially of a carbide, oxycarbide or mixture thereof of an element selected from a refractory metal, aluminium and silicon; and (b) a nonreducing borosilicate glass sinterable in the range of 750 to 1200 deg. C having a softening point below that of the semiconductive material, dispersed in (c) organic medium.

Ceramic electrical resistance

Large-size ceramic substrate

本发明公开了一种大规格的陶瓷基板。这种大规格的陶瓷基板包括陶瓷基板本体；成片区，所述成片区设置在所述陶瓷基板本体的表面；白边，所述白边设置在所述成片区的四周；所述成片区设有若干形成在陶瓷基板本体表面的一次凹痕和二次凹痕；所述一次凹痕与所述二次凹痕垂直相交；所述一次凹痕的深度大于所述二次凹痕的深度；所述陶瓷基板的外尺寸如下：长度≥89.60mm，宽度≥79.60mm，厚度≥0.43mm。本发明通过增大陶瓷基板的长宽尺寸，极大地增加了基片的生产效率，并且能够有效控制翘曲的发生，有利于大规模地自动化生产，降低材料、人工及时间成本。

Electroconductive article, method of producing same, and motor produced from the article

An electroconductive material has at least one portion in which the electrical resistance varies continuously along a gradient. Accordingly, since the material is not formed by directly bonding different elements, it does not have a weak joint portion. Further, since other material characteristics basides electrical resistance also vary along a gradient, for instance, when the material is used at a high or low temperature, a large thermal stress does not generate at an interface between different elements of the material due to a difference of thermal expansion coefficients of such elements. A method of producing an electroconductive material comprises the steps of adding and additive to a base material, producing plural alloy materials having different compositions, respectively, overlapping the produced plural alloy materials, and joining the overlapped materials by plastic processing. A motor uses the above electroconductive material as a conductor provided in a plural slots. Consequently, starting characteristics of the motor are improved due to the skin effect, and internal stress of the motor due to the thermal expansion of the conductor is decreased. Moreover, the reliability of the motor is improved.

High power thick film resistor

A high power thick film resistor having improved power handling capability is obtained with a resistor having two overlying thick film layers wherein the first thick film layer has a relatively low resistivity and the second thick film layer has a relatively high resistivity.

Ceramic resistance card and automatic positioning resistance adjusting method

本发明提出了一种陶瓷电阻片及自动定位调阻方法，通过设置包括线排本部、定位部和焊接部的首位金属线，以及第二厚膜电阻层，在调阻定位时，激光光束只需对准定位部旁边的空白区域进行烧蚀，当定位部被烧断时，焊接部与线排本部之间的电阻值出现明显增加，即可确定定位部所在位置，进而以定位部所在位置为原点计算得到初始待调阻烧蚀的位置，如此，可实现快速精准定位，无需人工寻找初始待调阻烧蚀的位置，调阻效率大幅度提高；设置弧形弯曲的第一厚膜电阻层、金属线以及金属片，可在尽量小的空间内容纳尽可能多的功能部件。

COLOR TELEVISION IMAGE REPRODUCING TUBE

Electrical resistance element

An electric resistance element of the molybdenum silicide type comprising at least one hot zone and at least two lead-in conductors, wherein the hot zone includes an homogenous silicide material that contains molybdenum and tungsten having the chemical formula MoxW1-xSi2, where x is between 0.5 and 0.75, characterized in that from 10% to 40% of the total weight is replaced with at least one of the compounds molybdenum boride or tungsten boride; and that said compounds are present in the silicide material in particle form.

Method of making an electrical resistor

A kind of resistor production method, resistor and circuit

本发明提供了一种电阻器制作方法、电阻器及电路，该电阻器包括绝缘基体；设置在绝缘基体上的电阻体及分别与该电阻体连接的第一电极和第二电极；以及与第一电极至少与其部分重叠的第一导电层和与第二电极至少与其部分重叠的第二导电层；设置于第一电极和第一导电层之间的用于阻挡外界腐蚀物与第一电极接触的第一阻挡层，和/或，设置于第二电极和第二导电层之间的用于阻挡外界腐蚀物与第二电极接触的第二阻挡层。通过本发明的实施，在电极与导电层之间增加阻挡层，防止了外界中的腐蚀物与电极接触，避免了电极因接触到这些腐蚀物而遭到腐蚀，在防止腐蚀方面取得了显著的进步，提高了产品性能的可靠性。

Electrical resistor with novel termination and method of making same

ABSTRACT OF THE DISCLOSURE An electrical resistor and method of making same including a substrate of an electrical insulating material having on a surface thereof a film of a resistance material and a ter-mination film of a conductive material at each end of the resistance film. The resistance film is preferably a layer of a glass having embedded therein conductive particles such as tantalum nitride and tantalum or tungsten carbide and tungsten. The termination film contains either molybdenum, tungsten or a mixture thereof.

Sintering-resistant resistor slurry

本发明公开了一种耐烧结型电阻浆料，其重量百分比组成为：导电粉末10%～20%、玻璃粉粘结剂20%～30%、无机添加剂1%～3%、有机载体35%～50%、耐烧结改性剂15%～25%；所述耐烧结改性剂的重量百分比组成为：叶腊石粉65%～85%、硅微粉15%～35%，其制备方法为：按照重量百分比组成，将叶腊石粉和硅微粉经混料机混合后加入球磨罐中，并加入去离子水及锆球，球磨至粒度D50为2～3μm，湿料用筛网过筛后烘干至水分＜0.5%。本发明通过添加叶腊石粉与硅微粉的混合物，使获得的电阻浆料可以承受1000～1100℃温度烧结，并在此温度下烧结多次后产品的阻值变化率较小。

Sensitive element

Method for manufacturing resistive films by magnetron sputtering

FIELD: radio engineering. SUBSTANCE: invention relates to radio engineering and can be used in the manufacture of thin resistive films. Method of forming a resistive film is reactive magnetron sputtering. As the basis of the resistive film, it is proposed to use oxide of stainless steel elements. EFFECT: use of oxide of stainless steel elements as a material for the resistive film providing greater reproducibility in comparison with analogues; as well as predicting the sheet resistance using a mathematical model of the process of the resistive film formation by the method of reactive magnetron sputtering. 1 cl, 2 dwg, 1 tbl РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 2 658 310 C1 (51) МПК H01C 7/00 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01C 7/00 (2006.01) (21)(22) Заявка: 2017128201, 07.08.2017 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 20.06.2018 Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 07.08.2017 (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: RU 2369934 C1, 10.10.2009. RU (45) Опубликовано: 20.06.2018 Бюл. № 17 (54) Способ изготовления резистивных плёнок методом магнетронного распыления (57) Реферат: Изобретение относится к радиотехнике и стали в качестве материала для резистивной может быть использовано при изготовлении пленки, обеспечивающей большую по сравнению тонкопленочных резисторов. Способ с аналогами воспроизводимость; а также формирования резистивной пленки - реактивное прогнозирование удельного поверхностного магнетронное распыление. В качестве основы сопротивления при помощи математической резистивной пленки предлагается использовать модели процесса формирования резистивной оксид элементов нержавеющей стали. пленки методом реактивного магнетронного Техническим результатом изобретения является: распыления. 2 ил., 1 табл. использование оксида элементов нержавеющей R U 2 6 5 8 3 1 0 1281058 A1, 27.09.2013. RU 2006082 C1, 15.01.1994. RU 2382440 C1, 20.02.2010. SU 1819070 A1, 27. ...

Method for manufactuing a metal thin film resistor device and method for manufacturing a metal thin film temperature sensor using the same

금속 박막 저항체 소자의 내구성을 향상시키고 그 사이즈를 최소화할 수 있는 금속 박막 저항체 소자의 제조 방법 및 이를 이용한 금속 박막 온도 센서의 제조 방법이 개시된다. 기판 상에 제1 절연막을 형성하고, 제1 절연막 상부에 감광막을 도포한 후, 감광막을 패터닝하여 제1 절연막 상에 감광막 패턴들을 형성한다. 감광막 패턴들을 마스크로 이용하여 제1 절연막을 패터닝하여 절연막 패턴을 형성한 후, 절연막 패턴들 사이 및 감광막 패턴들 상에 금속 박막을 형성한다. 감광막 패턴들을 제거하여 절연막 패턴들 사이에 금속 박막 패턴을 형성한다. 금속 박막 패턴 및 절연막 패턴 상에 제2 절연막을 형성하고 금속 박막 패턴의 패드 영역에 리드 와이어를 부착한 후, 리드 와이어의 상부 및 그 주변부에 보호막을 형성하여 금속 박막 저항체 소자를 제조한다. 금속 박막 패턴 형성시 절연막의 식각을 통한 패턴 형성방법을 이용하여 금속 박막 에칭 시 발생하는 소자의 열화 내지 내구성의 저하 문제 및 소자의 소형화 문제가 해결 가능하며, 금속 박막 저항체의 저항 값을 쉽게 조절할 수 있고, 금속 박막 패턴의 라인 폭의 감소에 따른 고저항 금속 박막 온도 센서를 제조할 수 있으므로 온도 분해능을 향상시킬 수 있다. Disclosed are a method of manufacturing a metal thin film resistor element and a method of manufacturing a metal thin film temperature sensor using the same, which can improve durability of a metal thin film resistor element and minimize its size. After forming a first insulating film on the substrate, and applying a photoresist film on the first insulating film, the photoresist film is patterned to form photoresist patterns on the first insulating film. After forming the insulating film pattern by patterning the first insulating film using the photoresist patterns as a mask, a metal thin film is formed between the insulating film patterns and on the photoresist patterns. The photosensitive film patterns are removed to form a metal thin film pattern between the insulating film patterns. After forming a second insulating film on the metal thin film pattern and the insulating film pattern and attaching the lead wire to the pad region of the metal thin film pattern, a protective film is formed on the upper part and the periphery of the lead wire to manufacture a metal thin film resistor element. When forming a metal thin film pattern, it is possible to solve the problem of deterioration or durability of the device and miniaturization of the device, which can be solved by etching the metal thin film by using a pattern forming method through etching of the ...

Patent FR2352759B1

Semiconductor ceramic elements

본 발명의 세라믹 소자는 LaCoO 3 와 같은 회토류 및 전이 원소 산화물로 형성된다. 이 세라믹 소자는 용기 바닥, 용기 등에 의해 분위기로부터 실질적으로 격리되어 있다.

Low-voltage coefficient resistance paste

本发明公开了一种低电压系数电阻浆料，所述电阻浆料的质量百分比组成为：导电粉末10%～35%、玻璃粘结相35%～55%、添加剂1%～10%、有机载体30%～35%，所述导电粉末为二氧化钌、钌酸铅中至少一种，所述玻璃粘结相为在纯氧气气氛下950±10℃煅烧20～25小时制备的钛酸铅钡复合铅硼硅玻璃。本发明采用钛酸铅钡复合铅硼硅玻璃为玻璃粘结相，对电阻的电压系数特性进行调整，使电阻浆料备了电压系数小的特点，可满足高压电阻器产品使用要求。

Agglomerates with variable electrical conductivity, based on carborundum

High impedance thin film for strain gauge application

A resistive thin film (1) made of grains (3) of conductive material having an average size, in a dielectric medium (2) is characterized by the total thickness of the film (1) being between 3 and ten times the average size of the grains (3). The film (1) is used to make a cell of a pressure sensor and the cell is included in a shell of a pressure sensor.

COLOR TELEVISION IMAGE REPRODUCING TUBE

Tube muni de moyens de sélection des couleurs connectés par l'intermédiaire d'au moins un ressort de contact métallique à une couche de résistance appliquée sur la face intérieure du tube. Le ressort de contact entre en contact électrique avec cette couche de résistance par l'intermédiaire d'une face de contact appliquée sur ladite couche de résistance constituée par une couche de matériau bon conducteur de l'électricité. Application aux tubes cathodiques. Tube provided with color selection means connected by means of at least one metallic contact spring to a resistance layer applied to the inner face of the tube. The contact spring comes into electrical contact with this resistance layer via a contact face applied to said resistance layer consisting of a layer of material that is a good conductor of electricity. Application to cathode ray tubes.

Resistor composition

A resistor composition comprising at least one electrically conductive powder selected from the group consisting of (a) tin oxide power and (b) powder resulting from heat treatment of tin oxide and tantalum oxide, a glass frit and double oxide of tantalum dispersed in an organic vehicle. In the resistor composition, the mixing amount of the double oxide of tantalum is preferably 30 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the sum of the electrically conductive powder and the glass frit. The resistor composition provides highly reproducible thick film resistors having superior properties and high stability over a wide range of resistance by addition of the tantalum double oxides.

Voltage non-linear resistor and fabricating method

A non-linear resistor having a high impulse withstanding ability is obtained by directly applying a crystallised glass to the side surface of a sintered body of a ZnO element, and then bake-attaching the crystallised glass to the side surface of the ZnO element by heat treatment. Since impulse withstanding ability is improved by applying the crystallised glass as the side surface high-resistivity layer of the voltage non-linear resistor, the performance and the reliability of an arrester can be improved.

Resistant paste for manufacturing thick-film resistor

내용 없음. No content.

A kind of sapphire thin film piece vacuum gauge

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种蓝宝石薄膜片真空规管。一种蓝宝石薄膜片真空规管，包括：外壳；薄膜片，所述薄膜片的材质为蓝宝石材料，所述薄膜片将外壳内部空间分为真空空间和被测空间；陶瓷极板，所述陶瓷极板固定设置在真空空间内，所述陶瓷极板与所述薄膜片平行相对的那一表面上镀有一层主电极；第一电极柱，所述第一电极柱一端与外部电容测量电路相接，另一端与外壳相接；第二电极柱，所述第二电极柱一端与外部电容测量电路相连，另一端穿过外壳与陶瓷极板相接，且与外壳绝缘；进气口，所述进气口设置在所述外壳上，并位于所述被测空间所在的一侧。本发明中提供的真空规管中，采用蓝宝石材料的薄膜片作为可变电极，具有应力次数高和耐腐蚀的优点。

Polymer thick film resistor compositions

公开了一种聚合物厚膜电阻组合物，它包括：(1) 表面积为0.3—3.0m 2 /g的精细分散的导电金属，(2) 表面积大于100m 2 /g的精细分散的颗粒材料，(3)一 种热塑性树脂，它溶于(4)，(4)是一种有机溶剂，具有 挥发标称值10,000—50,000；其中，组合物能通过加 热至135℃，在2.5分钟内基本固化，此外，颗粒材料 与树脂的体积比至少为3.5，而且溶剂与树脂的重量 比为3—5。

Non-metallic, electrical resistance mass

Chip resistor

Surface-mounted thermistor

本发明提供一种贴片热敏电阻器，涉及一种通过使用时进行对折封装，便于运输的贴片热敏电阻器，属于电气元件领域。提供的一种通过采用基材内前有两组电阻元件，通过折叠基材，形成电阻元件的拼合，进行电阻体的组合，同时基材进行封装形成热敏电阻器，包括封装组件、电阻元件，封装组件为透明塑膜，塑膜表面涂覆有封装胶膜，电阻元件分为两组，对称嵌置于封装组件上，通过沿着封装组件中部对折，两组电阻元件拼合形成电阻元件，所述封装组件包括封装膜、封装胶膜、离型膜，所述电阻元件包括电极、热敏电阻体。

Thick film resistor

A novel construction for a thick film resistor is disclosed. A substrate has a first face deposited with a layer of resistive material. Between the substrate and this first layer is located a strip of conductive material. The strip of material is oriented at approximately right angles to the current path through the first layer, midway along the current path. A second layer of resistive material is located on a second face, parallel to the first face, and the first and second layers are connected electrically in series such that the current path through the second layer is orthogonal to the current path through the first layer.

Thick-film element having flattened resistor layer

A thick-film element is, e.g., a thick-film resistor element and includes at least a pair of electrode layers (2a, 2b) formed on one major surface of an insulating (1) substrate by adhesion by using thick-­film printing and having a film thickness of 5 µm or less, and at least one flat resistor layer (3) formed by adhesion by using thick-film printing so that two sides thereof overlap and are electrically connected to the electrode layers.

Electrical resistors

PRECISION RESISTOR AND METHOD FOR LASER FITTING ITS RESISTANCE

Настоящее изобретение относится к области электротехники, а именно к технологии изготовления резистивных элементов, в частности тонкопленочной технологии. Задачей настоящего изобретения является создание простого, надежного и технологичного резистора и способа лазерной подгонки его сопротивления. Уменьшение времени, требуемого на лазерную подгонку одного резистора, ведёт к уменьшению времени на подгонку всего массива резисторов, формируемых на подложке, что, в свою очередь, ведёт к снижению затрат и оптимизации производства. Поставленная задача в прецизионном резисторе, содержащем изоляционную подложку, несущую на рабочей поверхности тонкопленочный резистивный слой с рисунком в виде меандра с областями различного сопротивления, содержащий перемычки, короткозамыкающие элементы меандра и предназначенные для удаления при подгонке сопротивления резистора, решена тем, что перемычки выполнены в целом П-образными, выступающими за пределы рисунка в виде меандра, причем резистор снабжен участком точной подгонки сопротивления, выполненным в виде сплошного участка тонкопленочного резистивного слоя, размещенного на рабочей поверхности подложки на одном уровне с выступающими в целом П-образными перемычками. The present invention relates to the field of electrical engineering, in particular to the technology of manufacturing resistive elements, in particular thin-film technology. The present invention is the creation of a simple, reliable and technologically advanced resistor and method of laser adjustment of its resistance. Reducing the time required to laser fit a single resistor leads to a decrease in the time to fit the entire array of resistors formed on the substrate, which, in turn, leads to lower costs and optimize production. The task in a precision resistor containing an insulating substrate, carrying on the working surface a thin film resistive layer with a meander pattern with areas of different resistance, containing jumpers, short-circuiting meander elements and ...

John thomson

Four-terminal resistor

本实用新型提供一种四端子电阻器，在基板表面设置大面积且具有几何形状对称的电阻层，电阻层的上设置电极层，该电极层包含二相同几何形状的子电极层以一定间距对称设置，每一子电极层包含一电流端子与一电压检测端子。特别是该电流端子以及电压端子可以互换使用，可提高四端电阻的使用弹性。

Screen-printed cylindrical resistors and method of making it

A thick-film screen-printed elongate cylindrical resistor, comprises: (a) an elongate cylindrical substrate (10) having a diameter in the range of about 1/10 inch (2.5 mm) to about 1/2 inch (12.5 mm), (b) a V-serpentine screen-printed pattern (11) of thickfilm resistive material adherently applied onto said substrate (10) in such orientation that the two rows of apexes (14, 15) of said pattern (11) are generally along lines that are generally parallel to each other and to the axis of said substrate, said rows (14, 15) being spaced apart circumferentially of said pattern (11), to thereby form a space (16) between said rows (14, 15), said pattern (11) having line sections (12, 13) of adjacent lines that are not parallel to each other but instead are at small acute angles to each other, the gaps (16) between said apexes (14, 15) in each of said rows, at the open ends of the V-serpentine loops, and determined in a direction longitudinal to said substrate, being sufficiently large to cause said resistor to have a high voltage and/or power rating, said gaps (G) at said open ends of said loops being substantially larger than are the gaps (g) at the closed ends of said loops, said pattern (11) having end portions (20) that extend to the vicinities of the ends of said substrate (10), (c) cup-shaped metal end caps (22, 23) press-fit on the ends of said substrate (10) and electrically connected, respectively, to said end portions (20), (d) leads (24, 25) connected to said end caps (22, 23), and (e) an environmentally-protective insulating coating provided over said pattern. The apexes (14, 15) of the V-serpentine pattern (11) may each have an outer edge (17), closest to said space (16) between said rows, that is convex and rounded. The ratio of the width of said gaps (G) between apexes of said pattern at the open ends of said loops, to the line width of said pattern (11) at angularly-related sections (12, 13) thereof, may be in the range of 1.2 to 1, to 3 to 1. In a method of ...

A kind of dielectric paste and preparation method thereof being adapted to aluminium silicon carbide substrate

本发明公开了一种适配铝碳化硅基材的介质浆料及其制备方法，该介质浆料包括重量份为：74%‑79%玻璃粉、20%‑25%有机相、1%‑3%助剂；玻璃粉由氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化钡、氧化铝、氧化钛组成，有机相由松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素组成；该介质浆料含铅量为0，且热性质与铝碳化硅基材匹配度高，经烧结后形成的介质层不起皮、不鼓泡，对铝碳化硅基材起到优异的绝缘保护作用。该制备方法包括：制备玻璃粉、制备有机相、制备介质浆料、丝印烧结；e、检查并测试耐电压强度；该制备方法能够有效地生产制备上述介质浆料。

Film attenuator

An electrical film attenuator or other film resistor network comprising an insulating substrate having adherently mounted thereon a single film resistive element, said element being provided with at least three terminals in electrical contact therewith and, on said element and in electrical contact therewith, an electrically conductive layer dividing up said element into three distinct portions two of which will have the same electrical resistance value after removal of part of said element at a locus midway between two of said terminals, one of which being an input and the other an output terminal, the third portion of said electrical resistive element being shaped so as to enable its electrical resistance value to be adjusted by removing part of it, each of said first two portions being in electrical contact with only one of said two terminals, the third portion being electrically connected to the remaining terminal or terminals.

Chip resistor

The purpose of the present disclosure is to provide a chip resistor that is capable of reducing the possibility of occurrence of mounting failures. A chip resistor according to the present invention is provided with: an insulating substrate (11); a pair of first upper surface electrodes (12) that are provided to both ends of the upper surface of the insulating substrate (11); and a resistor (13) that is formed between the first upper surface electrodes (12) and provided to the upper surface of the insulating substrate (11). The chip resistor is further provided with: a pair of second upper surface electrodes (14) that are connected to the resistor (13) and formed on the upper surface of the first upper surface electrodes (12); and a protective film (15) that is provided so as to cover parts of the exposed resistor (13) and the pair of second upper surface electrodes (14). Further, the length of the portions of the resistor (13) that are formed on the first upper surface electrodes (12) is set longer than that of the portion of the resistor (13) formed between the pair of first upper surface electrodes (12), and the distance between the end (13a) of each of opposing sides of the resistor (13) and the corresponding end surface (11a) of the insulating substrate (11) is set equal to or less than 100 µm.

CONDUCTIVE DEVICE USING CONDUCTIVE POLYMER COMPOSITIONS

DISPOSITIF CONDUCTEUR UTILISANT DES COMPOSITIONS POLYMERES CONDUCTRICES. LA PRESENTE INVENTION DECRIT UN DISPOSITIF CONDUCTEUR, UTILISANT UNE COMPOSITION POLYMERE CONDUCTRICE, QUI COMPREND UNE MASSE D'UNE COMPOSITION POLYMERE CONDUCTRICE DANS LAQUELLE UN COMPLEXE DE TRANSFERT DE CHARGES CONDUCTEUR EST CONTENU DANS UNE MATRICE DE POLYMERE, ET AU MOINS UNE PAIRE D'ELECTRODES RELIEES ELECTRIQUEMENT A LA MASSE, AU MOINS UN COMPOSANT DUDIT COMPLEXE ETANT CONTENU DANS OU AU VOISINAGE D'AU MOINS UNE DES ELECTRODES. CONDUCTIVE DEVICE USING CONDUCTIVE POLYMERIC COMPOSITIONS. THE PRESENT INVENTION DESCRIBES A CONDUCTIVE DEVICE, USING A CONDUCTIVE POLYMER COMPOSITION, WHICH INCLUDES A MASS OF A CONDUCTIVE POLYMER COMPOSITION IN WHICH A CONDUCTIVE CHARGE TRANSFER COMPLEX IS CONTAINED IN A POLYRODMER MATRIX, AND AT LEAST A PAIR OF E ELECTRICALLY TO GROUND, AT LEAST ONE COMPLEX OF THE SAID COMPLEX IS CONTAINED IN OR NEAR AT LEAST ONE OF THE ELECTRODES.

Improvements to electrical resistances and their manufacture

Ruthenium oxide powder, composition for thick film resistor elements using same, and thick film resistor element

本发明提供一种氧化钌粉末、使用它的厚膜电阻体用组合物及厚膜电阻体，该氧化钌粉末即便在钌的含有率低的情况下也可廉价地制造具有充分性能的片式电阻器、混合集成电路或电阻网络等的电子部件材料。具体而言提供了如下的氧化钌粉末、厚膜电阻体用组合物及厚膜电阻体糊状物：氧化钌(RuO 2 )粉末具有金红石型晶体结构，其特征为，以X射线衍射法测定其(110)面得到的微晶直径为3至10nm，且Ru含量为73质量%以上；厚膜电阻体用组合物是通过将由氧化钌粉末形成的导电性微粒与玻璃粉末作为主要构成成分混配而成的；厚膜电阻体糊状物是通过将厚膜电阻体组合物分散于含有脂肪酸的有机载体中而成的厚膜电阻体糊状物，其特征为，相对于100重量份的氧化钌而言，脂肪酸的含量为0.1至10重量份。

Surface-modified ruthenium oxide conductive material, lead-free glass, thick film resistor paste, and devices made therefrom

Metal-ceramic resistance mass and method for the production of such resistors

MATERIAL REMOVAL PROCESS FROM AN ELECTRONIC COMPONENT

L'invention concerne la fabrication des composants électroniques. Pour faciliter le montage d'un composant électronique 110, muni d'une couche de matière de contact 116, sur des conducteurs 132 et 134, on place tout d'abord le composant sur un substrat 130 muni d'une ouverture 154, puis on crée une discontinuité 160 dans la couche 116, à l'aide d'un disque abrasif 156. Application à la fabrication des thermistances. The invention relates to the manufacture of electronic components. To facilitate the mounting of an electronic component 110, provided with a layer of contact material 116, on conductors 132 and 134, the component is first placed on a substrate 130 provided with an opening 154, then it is placed. creates a discontinuity 160 in the layer 116, using an abrasive disc 156. Application to the manufacture of thermistors.

New electrical resistance

Electrically conductive object, method for its production and motor made from the object

Resistor compositions

Resistor compositions

Resistance materials and making method there of

내용 없음. No content.