METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE FOR EXTENDED SURFACE RAMAN DIFFUSION AND SUBSTRATE
Номер патента: FR3031415B1
Опубликовано: 21-07-2017
Автор(ы): Stefan Landis, Vincent Reboud
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique CEA, Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Опубликовано: 21-07-2017
Автор(ы): Stefan Landis, Vincent Reboud
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique CEA, Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Methods for determining suitability of silicon substrates for epitaxy
Номер патента: EP4359590A1. Автор: Zheng Lu,Shan-hui LIN,Chun-Chin Tu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.