处理iii族氮化物晶体表面的方法和iii族氮化物晶体衬底
Номер патента: CN101066583B
Опубликовано: 19-01-2011
Автор(ы): 石桥惠二, 西浦隆幸
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-01-2011
Автор(ы): 石桥惠二, 西浦隆幸
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal, and method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal substrate
Номер патента: US20100233870A1. Автор: Yuichi Oshima. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.