Nitride crystal substrate and method for manufacturing the same
Номер патента: US20220154367A1
Опубликовано: 19-05-2022
Автор(ы): Fumimasa Horikiri
Принадлежит: Sciocs Co Ltd, Sumitomo Chemical Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-05-2022
Автор(ы): Fumimasa Horikiri
Принадлежит: Sciocs Co Ltd, Sumitomo Chemical Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
NITRIDE CRYSTAL, NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, EPILAYER-CONTAINING NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
Номер патента: US20170115239A1. Автор: ISHIBASHI Keiji,NAKAHATA Seiji,NISHIURA Takayuki,KAJI Tokiko. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.