Method for the production of semiconductor lasers
Номер патента: US4569721A
Опубликовано: 11-02-1986
Автор(ы): Nobuyuki Miyauchi, Seiki Yano, Takahiro Suyama, Toshiro Hayakawa
Принадлежит: Sharp Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 11-02-1986
Автор(ы): Nobuyuki Miyauchi, Seiki Yano, Takahiro Suyama, Toshiro Hayakawa
Принадлежит: Sharp Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for producing a waveguide structure in a surface-emitting semiconductor laser and surface-emitting semiconductor laser
Номер патента: US20060078029A1. Автор: Markus-Christian Amann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.