氮化镓材料层表面粗化的方法.

氮化镓材料层表面粗化的方法

Номер патента: CN104425666B
Опубликовано: 15-02-2019
Автор(ы): 刘哲, 夏晓翔, 李俊杰, 杨海方, 顾长志
Принадлежит: Institute of Physics of CAS
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of manufacturing a gallium nitride substrate

Номер патента: US20180112330A1. Автор: Young-soo Park,Jun-Youn Kim,Young-jo Tak,Mi-Hyun Kim,Sam-Mook KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-26.

STRUCTURE INCLUDING GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE

Номер патента: US20150214037A1. Автор: MOON Chang-youl,WENXU Xianyu,KIM Yeon-hee,PARK Yong-young. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

Manufacturing method of free standing gallium nitride using electrochemical etching method and photoelectric electrode for water decomposition gydrogen production including the same

Номер патента: KR102211486B1. Автор: 김진호,황종희,이영진,김선욱,전대우,라용호,손호기. Владелец: 한국세라믹기술원. Дата публикации: 2021-02-02.

METHOD OF MAKING A GALLIUM NITRIDE DEVICE

Номер патента: US20170294517A1. Автор: Bedell Stephen W.,Sadana Devendra K.,Fogel Keith E.,Lauro Paul A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US09466612B2. Автор: Jung Ho Kim,Dongwoo Kim,Yong-Hoon Son,Daehyun Jang,Myoungbum Lee,Kihyun Hwang,Sangryol Yang,Ju-Eun Kim,Sunghae Lee,JinGyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Sealing structure for a bonded wafer and method of forming the sealing structure

Номер патента: US09837287B2. Автор: Yu Hua,Kuanchieh YU,Yuankun HOU,Yuelin ZHAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Sealing structure for a bonded wafer and method of forming the sealing structure

Номер патента: US09653312B2. Автор: Yu Hua,Kuanchieh YU,Yuankun HOU,Yuelin ZHAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of forming vertical transistor devices with self-aligned replacement gate structures

Номер патента: US09530863B1. Автор: Carl Radens,John H. Zhang,Brian A. Cohen,Kwan-Yong Lim,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of obtaining planar semipolar gallium nitride surfaces

Номер патента: US09978845B2. Автор: Jung Han,Benjamin Leung. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-22.

FinFET structures and methods of forming the same

Номер патента: US09543419B1. Автор: Chun-Hsiang FAN,Mao-Lin Huang,Chun-Hsiung Lin,Yung-Ta Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for treating a gallium nitride layer comprising dislocations

Номер патента: US09991341B2. Автор: Arnaud Yvon. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for treating a gallium nitride layer comprising dislocations

Номер патента: US09536747B2. Автор: Arnaud Yvon. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of Manufacture Using Complementary Conductivity-Selective Wet-Etching Techniques for III-Nitride Materials and Devices

Номер патента: US20200381260A1. Автор: Young Jae Park,Russell Dean Dupuis,Shyh-Chiang Shen,Oliver Moreno,Theeradetch Detchprohm. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Method of manufacturing gallium nitride single-crystal substrate and method of manufacturing single-crystal substrate of nitride of group 13 element in periodic table

Номер патента: US20240300064A1. Автор: Yuri OSUMI. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

METHOD OF MAKING A GALLIUM NITRIDE DEVICE

Номер патента: US20170194449A1. Автор: Bedell Stephen W.,Sadana Devendra K.,Fogel Keith E.,Lauro Paul A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Gallium nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11810783B2. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Kazukuni Hara,Chiaki Sasaoka. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2023-11-07.

Embedded gallium-nitride in silicon

Номер патента: US09911602B2. Автор: Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Ghavam G. Shahidi,William J. Gallagher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Embedded gallium-nitride in silicon

Номер патента: US09685329B2. Автор: Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Ghavam G. Shahidi,William J. Gallagher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of fabricating super-junction based vertical gallium nitride JFET and MOSFET power devices

Номер патента: US12080757B2. Автор: Hao Cui,Clifford Drowley. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Manufacturing method of wafer

Номер патента: US20230398640A1. Автор: Asahi Nomoto. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of forming trench cut

Номер патента: US09490136B1. Автор: Chia-Tien Wu,Yung-Hsu WU,Yu-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09412649B1. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chia-Tien Wu,Tsai-Sheng Gau,Yung-Sung Yen,Yung-Hsu WU,Kuei-Shun Chen,Ta-Ching Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of providing thinned layer of epitaxial semiconductor material having substantially uniform reverse breakdown voltage characteristic

Номер патента: US4154663A. Автор: Robert L. Adams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1979-05-15.

Method of manufacturing a semiconductor wafer having an SOI configuration

Номер патента: US09842762B1. Автор: Berthold Reimer,Boris Bayha. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of making high electron mobility transistor structure

Номер патента: US09583588B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09941139B2. Автор: Yung-Sung Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Vertical semiconductor component on the basis of gallium nitride with a structured intermediate layer

Номер патента: US20240234512A9. Автор: Kevin Dannecker,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device including first and second gate insulating films disposed on a semiconductor layer and manufacturing method of the same

Номер патента: US09466706B2. Автор: Tohru Oka,Noriaki Murakami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of fabricating super-junction based vertical gallium nitride jfet and mosfet power devices

Номер патента: US20230127978A1. Автор: Hao Cui,Clifford Drowley. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Method of fabricating super-junction based vertical gallium nitride JFET and MOSFET power devices

Номер патента: US11824086B2. Автор: Hao Cui,Clifford Drowley. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Method of improving line roughness in substrate processing

Номер патента: US09508557B2. Автор: Hoyoung Kang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of fabricating super-junction based vertical gallium nitride jfet and mosfet power devices

Номер патента: US20240105767A1. Автор: Hao Cui,Clifford Drowley. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of nonstoichiometric cvd dielectric film surface passivation for film roughness control

Номер патента: WO2010056731A1. Автор: Kwanghoon Kim,Lance Kim. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2010-05-20.

Complementary Field Effect Transistors Using Gallium Polar and Nitrogen Polar III-Nitride Material

Номер патента: US20150221649A1. Автор: Charles R. Eddy, Jr.,Francis J. Kub,Travis J. Anderson,Michael A. Mastro,Jennifer K. Hite. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2015-08-06.

Vertical semiconductor component on the basis of gallium nitride with a structured intermediate layer

Номер патента: US20240136407A1. Автор: Kevin Dannecker,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240014272A1. Автор: Takashi Ishida,Shoichi Onda,Takashi Ushijima,Jun Kojima,Seiya Hasegawa,Chiaki Sasaoka. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of lithography process with an under isolation material layer

Номер патента: US8877598B2. Автор: Chung-Ming Wang,Yu Lun Liu,Chia-Chu Liu,Ya Hui Chang,Kuei-Shun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-04.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor processing methods of forming photoresist over silicon nitride materials

Номер патента: US6323139B1. Автор: Scott Jeffrey DeBoer,John T. Moore,Mark Fischer,J. Brett Rolfson,Annette L. Martin,Ardavan Niroomand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-27.

Method of making a gallium nitride device

Номер патента: US20170194449A1. Автор: Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Keith E. Fogel,Paul A. Lauro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Method of making a gallium nitride device

Номер патента: US20170294517A1. Автор: Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Keith E. Fogel,Paul A. Lauro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Method of making a gallium nitride device

Номер патента: US09748353B2. Автор: Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Keith E. Fogel,Paul A. Lauro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing vertical gallium nitride based light emitting diode

Номер патента: US8361816B2. Автор: Jung Hee Lee,Jae Hoon Lee,Jae Chul Ro,Hyun Ick Cho,Dae Kil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-29.

Method of fabricating semiconductor device including two-dimensional material layer defining air-gap, and semiconductor device

Номер патента: US20230163023A1. Автор: Soyoung LEE,Keunwook SHIN,Sungjoo An,Jungsoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Ceramic substrate structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240339320A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chi-Ming Chen,Chung-Yuan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of forming an integrated circuit using a patterned mask layer

Номер патента: US09640398B2. Автор: MING-CHING Chang,De-Fang Chen,Chao-Cheng Chen,Chun-Hung Lee,Yih-Ann Lin,Tzu-Yen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of making a semiconductor device using a barrier and antireflective coating (BARC) layer

Номер патента: US09589798B2. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09768064B1. Автор: Chun-Wei Hsu,Chi-Jen Liu,Yi-Sheng Lin,Liang-Guang Chen,Cheng-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of patterning a material layer

Номер патента: US09570302B1. Автор: Kevin Huang,Jeng-Horng Chen,Shu-Hao Chang,Kuo-Chang Kau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of making a semiconductor device using multiple layer sets

Номер патента: US09455156B2. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li,Chun-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09543165B2. Автор: Yung-Sung Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of preventing charge accumulation in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US09881785B2. Автор: Chang-Won Lee,Un-Jeong Kim,Young-geun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing a spacer for dual gate electronic memory cell and associated electronic memory cell

Номер патента: US09437705B2. Автор: Anthony DE LUCA,Christelle Charpin-Nicolle. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of fabricating semiconductor device with reduced trench distortions

Номер патента: US09418868B1. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chia-Tien Wu,Tsai-Sheng Gau,Yung-Sung Yen,Yung-Hsu WU,Kuei-Shun Chen,Ta-Ching Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240266184A1. Автор: Hsuan-Wu Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

A method of improving adhesion of a cap layer to a porous material layer on a wafer

Номер патента: WO2001078127A2. Автор: Rao V. Annapragada. Владелец: Philips Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2001-10-18.

A method of improving adhesion of a cap layer to a porous material layer on a wafer

Номер патента: EP1275140A2. Автор: Rao V. Annapragada. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2003-01-15.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09530728B2. Автор: Yi-Nien Su,Su-Jen Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09698048B2. Автор: Yung-Sung Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12100615B2. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of Manufacturing a III-N Enhancement Mode HEMT Device

Номер патента: US20220181159A1. Автор: Niels Posthuma,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-06-09.

Methods for forming features in a material layer utilizing a combination of a main etching and a cyclical etching process

Номер патента: US09543163B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Sean S. Kang,Mang-Mang Ling,Jungmin Ko,Bradley Howard,Jeremiah T. Pender. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of fabricating nonpolar gallium nitride-based semiconductor layer, nonpolar semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09966497B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods of manufacturing the gallium nitride based semiconductor devices

Номер патента: US20140327049A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Ki-se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-06.

Gallium nitride base semiconductor device

Номер патента: US5239188A. Автор: ATSUSHI Watanabe,Tetsuya Takeuchi,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1993-08-24.

Method of growing gallium nitride-based crystal and heat treatment apparatus

Номер патента: US09966258B2. Автор: Kota Umezawa,Yosuke Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method Of Manufacturing Gallium Nitride Substrate And Gallium Nitride Substrate Manufactured By The Same

Номер патента: US20140001484A1. Автор: Junyoung Bae,Junsung Choi,Joon Hoi Kim,Boik Park,Cheolmin Park,Dongyong Lee,Wonjo Lee,Sungkeun Lim,Kwangje Woo,Woorihan Kim. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

A method of producing a group III nitride semiconductor crystal, a method of manufacturing a gallium nitride-based compound semiconductor, a gallium nitride-based compound semiconductor, a gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and a light source using the semiconductor light-emitting device

Номер патента: DE10196361T5. Автор: Yusuhito Chiba Urashima,Mineo Chiba Okuyama,Tetsuo Chiba Sakurai,Hisayuki Chiba Miki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2005-05-25.

Method for manufacturing gallium nitride substrate using the hydride vapor phase epitaxy

Номер патента: US20190371597A1. Автор: Jea Gun Park,Tae Hun Shim,Jae Hyoung Shim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2019-12-05.

METHOD OF MAKING A GALLIUM NITRIDE DEVICE

Номер патента: US20190296113A1. Автор: Bedell Stephen W.,Sadana Devendra K.,Fogel Keith E.,Lauro Paul A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

Method of manufacturing a gallium nitride film separated from a substrate by epitaxy

Номер патента: JP2005527978A. Автор: アセヌ、ラレシェ,ジル、ナタフ,ベルナール、ボーモン. Владелец: Lumilog SA. Дата публикации: 2005-09-15.

Method of manufacturing of a semi-conductor element and semi-conductor element

Номер патента: US20130015426A1. Автор: Xue Wang,Andreas Waag,Shunfeng Li. Владелец: Technische Universitaet Braunschweig. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of forming a nanowire

Номер патента: US09564317B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Martin Christopher Holland,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method Of Manufacturing Gallium Nitride Substrate And Gallium Nitride Substrate Manufactured Thereby

Номер патента: US20130328059A1. Автор: Junyoung Bae,Junsung Choi,Joon Hoi Kim,Boik Park,Cheolmin Park,Dongyong Lee,Wonjo Lee,Sungkeun Lim,Woorihan Kim. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Method of manufacturing gallium nitride-based single crystal substrate

Номер патента: US20050072353A1. Автор: Hun Hahm,Young Park,Soo Min Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190326323A1. Автор: Min Woo Park,Kyo Yeon CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180175053A1. Автор: Min Woo Park,Kyo Yeon CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of fabricating gate electrode using a hard mask with spacers

Номер патента: US20110230029A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Methods of fabricating complementary gallium nitride integrated circuits

Номер патента: US09978852B2. Автор: Philippe Renaud. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing gallium nitride substrate

Номер патента: US20130260538A1. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

STRUCTURE INCLUDING GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE

Номер патента: US20140110717A1. Автор: MOON Chang-youl,WENXU Xianyu,KIM Yeon-hee,PARK Yong-young. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-24.

For using the method and system of the gallium nitride electronic device of engineering substrate

Номер патента: CN104541373B. Автор: 聂辉,唐纳德·R·迪斯尼,伊舍克·C·克孜勒亚尔勒. Владелец: A Woji Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-08.

Substrate for preparing gallium nitride radio frequency device, preparation method of substrate and gallium nitride radio frequency device

Номер патента: CN112713082A. Автор: 孙勇,徐松,袁卫华,彭立波,曹华翔,程文进,罗才旺,罗南安. Владелец: CETC 48 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-27.

METHOD OF MANUFACTURING A GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE

Номер патента: US20180112330A1. Автор: PARK Young-Soo,KIM Jun-youn,TAK Young-jo,KANG Sam-Mook,KIM Mi-Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-04-26.

Method of fabricating a gallium nitride merged p-i-n schottky (mps) diode by regrowth and etch back

Номер патента: US20150200268A1. Автор: David P. Bour,Isik C. Kizilyalli,Hui Nie,Andrew P. Edwards,Madhan M. Raj,Brian Alvarez. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Method of producing a gallium nitride based singlecrystal substrate

Номер патента: KR100586940B1. Автор: 이수민,박영호,함헌주. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2006-06-07.

Method of fabricating a gallium nitride merged P-I-N schottky (MPS) diode by regrowth and etch back

Номер патента: US9397186B2. Автор: David P. Bour,Isik C. Kizilyalli,Hui Nie,Andrew P. Edwards,Madhan M. Raj,Brian Alvarez. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

The method that groove isolation construction is formed in semiconductor material layer

Номер патента: CN108336014A. Автор: 黄晓橹,柯天麒,罗加聘. Владелец: Huaian Imaging Device Manufacturer Corp. Дата публикации: 2018-07-27.

Methods of combining silicon and III-nitride material on a single wafer

Номер патента: US8866190B2. Автор: Mike Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-10-21.

Methods of combining silicon and III-Nitride material on a single wafer

Номер патента: US20060289876A1. Автор: Mike Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2006-12-28.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of depositing gallium nitride on a substrate

Номер патента: US11127878B2. Автор: Ahmad Shuhaimi Bin Abu Bakar,Mohd Adreen Shah Bin Azman Shah. Владелец: Universiti Malaya. Дата публикации: 2021-09-21.

Method of depositing gallium nitride on a substrate

Номер патента: US20200411714A1. Автор: Ahmad Shuhaimi Bin Abu Bakar,Mohd Adreen Shah Bin Azman Shah. Владелец: Universiti Malaya. Дата публикации: 2020-12-31.

Manufacturing method of gallium nitride film

Номер патента: US20230374649A1. Автор: Masanobu Ikeda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride

Номер патента: US5210051A. Автор: Calvin H. Carter, Jr.. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1993-05-11.

Gallium nitride material and device deposition on graphene terminated wafer and method of forming the same

Номер патента: US09574287B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Can Bayram,Keith E. Fogel,John A. Ott,Christos D. Dimitrakopoulos. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for the reuse of gallium nitride epitaxial substrates

Номер патента: US09396943B2. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Daniel F. Feezell,Casey O. Holder. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-07-19.

Growing method of gallium nitride related compound semiconductor crystal and gallium nitride related compound semiconductor device

Номер патента: US5716450A. Автор: Hitoshi Okazaki,Seiji Togawa. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1998-02-10.

METHOD OF FORMING p-TYPE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR, METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20110111578A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

METHOD OF FORMING p-TYPE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR, METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20100279495A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Method for producing by vapour-phase epitaxy a gallium nitride film with low defect density

Номер патента: US7455729B2. Автор: Jean-Pierre Faurie,Bernard Beaumont,Pierre Gibart. Владелец: Lumilog SA. Дата публикации: 2008-11-25.

Preparation methods of quantum dot light emitting device and quantum dot display panel using stacked sacrificial layer and photoresist layer

Номер патента: US12127464B2. Автор: Haowei Wang,Zhenqi Zhang,Xiaoyuan Zhang,Wenhai MEI,Aidi ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for the reuse of gallium nitride epitaxial substrates

Номер патента: US9773704B2. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Daniel F. Feezell,Casey O. Holder. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-09-26.

Methods and structures for preparing single crystal silicon wafers for use as substrates for epitaxial growth of crack-free gallium nitride FILMS and devices

Номер патента: US9337024B2. Автор: Ananda H. Kumar. Владелец: Siramics Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Selective gallium nitride regrowth on (100) silicon

Номер патента: US9099381B2. Автор: Devendra K. Sadana,Can Bayram,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

Method and system for diffusing magnesium in gallium nitride materials using sputtered magnesium sources

Номер патента: US11881404B2. Автор: Cem Basceri,Vladimir Odnoblyudov,Ozgur Aktas. Владелец: Qromis Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for achieving improved epitaxy quality (surface texture and defect density) on free-standing (aluminum, indium, gallium) nitride ((al,in,ga)n) substrates for opto-electronic and electronic devices

Номер патента: US6447604B1. Автор: Robert P. Vaudo,Jeffrey S. Flynn,George R. Brandes,Xueping Xu,Barbara E. Landini,David M. Keogh. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2002-09-10.

Stress relaxation trenches for gallium nitride microled layers on silicon substrates

Номер патента: US20230369532A1. Автор: Raghav SREENIVASAN,Tyler Sherwood. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of growing gallium nitride based semiconductor layers and method of fabricating light emitting device therewith

Номер патента: US09449815B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Woo Chul Kwak,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

METHOD OF FABRICATING NONPOLAR GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LAYER, NONPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130248818A1. Автор: Choi Seung Kyu,Kim Chae Hon,Jung Jung Whan. Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-09-26.

METHOD OF FABRICATING NONPOLAR GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LAYER, NONPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150270435A1. Автор: Choi Seung Kyu,Kim Chae Hon,Jung Jung Whan. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Method, non-polar semiconductor device and its manufacturing method of the nonpolar gallium nitride-based semiconductor of manufacture

Номер патента: CN104205297B. Автор: 崔承奎,金材宪,郑廷桓. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-15.

Manufacturing method of silicon-based gallium nitride LED epitaxial structure

Номер патента: CN105914270A. Автор: 陈立人,冯猛,刘恒山. Владелец: FOCUS LIGHTINGS TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-31.

Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09450211B2. Автор: Ki-Wan Ahn,Jae-Hyuck JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of creation of electric wire bindings between solar cells

Номер патента: RU2553774C2. Автор: ЙЕГЕР Франк КЛЯЙНЕ,Юрген КАЧУН,Штефан ХЕРМЕС. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2015-06-20.

Method of mounting semiconductor chips, semiconductor device obtained using the method, method of connecting semiconductor chips, three-dimensional structure in which wiring is provided on its surface, and method of producing the same

Номер патента: US09795033B2. Автор: Hiroaki Fujiwara,Shingo Yoshioka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of forming nitride semiconductor film

Номер патента: US12094710B2. Автор: Nobuaki Takahashi,Yusuke Mori,Hitoshi Miura,Masayuki Imanishi,Ryuji KATAYAMA,Koji Neishi. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of fabricating a gallium nitride P-i-N diode using implantation

Номер патента: US9171900B2. Автор: Isik C. Kizilyalli,Richard J. Brown,Hui Nie,Andrew P. Edwards,Donald R. Disney. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2015-10-27.

Method for producing a vertical semiconductor device with epitaxially grown iii-v epitaxy using the substrate several times, and corresponding semiconductor device, in particular based on gallium nitride

Номер патента: US20240234546A1. Автор: Christian Huber,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190115215A1. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of manufacture of integral elements of microcircuits on the epitaxial structures of gallium arsenide

Номер патента: RU2665368C1. Автор: Александр Сергеевич Федоров,Григорий Юрьевич Вечерко. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" ОАО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2018-08-29.

A kind of preparation method of enhancement type gallium nitride fieldtron

Номер патента: CN108305834A. Автор: 梁世博. Владелец: Beijing China Carbon Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-20.

METHODS OF MANUFACTURING THE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140021512A1. Автор: Lee Jae-Hoon,KIM Ki-se. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-23.

METHOD OF FABRICATING A GALLIUM NITRIDE MERGED P-I-N SCHOTTKY (MPS) DIODE

Номер патента: US20140287570A1. Автор: NIE Hui,Kizilyalli Isik C.,Brown Richard J.,Bour David P.,Romano Linda,Prunty Thomas R.,Edwards Andrew P.. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

METHODS OF MANUFACTURING THE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140327049A1. Автор: Lee Jae-Hoon,KIM Ki-se. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

Method of fabricating a gallium nitride p-i-n diode using implantation

Номер патента: US20140346527A1. Автор: NIE Hui,Kizilyalli Isik C.,DISNEY Donald R.,Brown Richard J.,Edwards Andrew P.. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

METHOD OF PREPARING GRAPHENE QUANTUM DOT, HARDMASK COMPOSITION INCLUDING THE GRAPHENE QUANTUM DOT OBTAINED BY THE METHOD, METHOD OF FORMING PATTERN USING THE HARDMASK COMPOSITION, AND HARDMASK FORMED FROM THE HARDMASK COMPOSITION

Номер патента: US20190031906A1. Автор: KIM Sangwon,Lee Dongwook,SHIN Hyeonjin,Jung Alum,SEOL Minsu,LEE Yunseong,JEONG Seongjun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-01-31.

Method of preparing graphene quantum dot, hardmask composition including the graphene quantum dot obtained by the method, method of forming patterning using the hardmask composition, and hardmask formed from the hardmask composition

Номер патента: KR102486388B1. Автор: 정아름,김상원,이동욱,신현진,설민수,이윤성,정성준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-01-09.

METHOD OF MOUNTING SEMICONDUCTOR CHIPS, SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED USING THE METHOD, METHOD OF CONNECTING SEMICONDUCTOR CHIPS, THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE IN WHICH WIRING IS PROVIDED ON ITS SURFACE, AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20130200522A1. Автор: YOSHIOKA Shingo,FUJIWARA Hiroaki. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-08-08.

Method of manufacturing thin film transistor,thin film transistor manufactured by using the method, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and organic light-emitting display apparatus manufactured by using the method

Номер патента: US20140299860A1. Автор: Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Jong-Ryuk Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-09.

Method of mounting semiconductor chips, semiconductor device obtained using the method, method of connecting semiconductor chips, and three-dimensional structure, on the surface of which wiring is provided and fabrication method thereof

Номер патента: KR101359117B1. Автор: 히로아키 후지와라,신고 요시오카. Владелец: 파나소닉 주식회사. Дата публикации: 2014-02-05.

Method of mounting semiconductor chips, semiconductor device obtained using the method, method of connecting semiconductor chips, and three-dimensional structure, on the surface of which wiring is provided and fabrication method thereof

Номер патента: KR101284376B1. Автор: 히로아키 후지와라,신고 요시오카. Владелец: 파나소닉 주식회사. Дата публикации: 2013-07-09.

Method of mounting semiconductor chips, semiconductor device obtained using the method, method of connecting semiconductor chips, and three-dimensional structure, on the surface of which wiring is provided and fabrication method thereof

Номер патента: TW201104766A. Автор: Hiroaki Fujiwara,Shingo Yoshioka. Владелец: Panasonic Elec Works Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-01.

Method of mounting semiconductor chips, semiconductor device obtained using the method, method of connecting semiconductor chips, three-dimensional structure in which wiring is provided on its surface, and method of producing the same

Номер патента: US8759148B2. Автор: Hiroaki Fujiwara,Shingo Yoshioka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Method of mounting semiconductor chips, semiconductor device obtained using the method, method of connecting semiconductor chips, and three-dimensional structure, on the surface of which wiring is provided and fabrication method thereof

Номер патента: EP2378547A4. Автор: Hiroaki Fujiwara,Shingo Yoshioka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-04.

Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured by the method, method of manufacturing flat panel display device, and flat panel display device manufactured by the method

Номер патента: KR100626032B1. Автор: 김민규,신현수,구재본,모연곤. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2006-09-20.

Method of mounting semiconductor chips, semiconductor device obtained using the method, method of connecting semiconductor chips, and three-dimensional structure, on the surface of which wiring is provided and fabrication method thereof

Номер патента: EP2378547A1. Автор: Hiroaki Fujiwara,Shingo Yoshioka. Владелец: Panasonic Electric Works Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-19.

Preparation method of narrow-band-gap carbon nitride material, and product and application thereof

Номер патента: CN112645293B. Автор: 姚璐,张灵,谢广新,周贤菊,唐笑,李艳虹,凌发令,何利蓉,相国涛. Владелец: Chongqing University of Post and Telecommunications. Дата публикации: 2023-05-12.

Preparation method of narrow-band-gap carbon nitride material, product and application thereof

Номер патента: CN112645293A. Автор: 姚璐,张灵,谢广新,周贤菊,唐笑,李艳虹,凌发令,何利蓉,相国涛. Владелец: Chongqing University of Post and Telecommunications. Дата публикации: 2021-04-13.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: US12112983B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for manufacturing inter-instrument insulation of high-power gallium nitride transistors

Номер патента: RU2761051C1. Автор: Владимир Александрович Беспалов,Алексей Александрович Зайцев,Владимир Ильич Егоркин,Валерий Евгеньевич Земляков,Максим Николаевич Журавлёв,Лариса Валентиновна Якимова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2021-12-02.

Method of forming nitride semiconductor film

Номер патента: US20210217618A1. Автор: Nobuaki Takahashi,Yusuke Mori,Hitoshi Miura,Masayuki Imanishi,Ryuji KATAYAMA,Koji Neishi. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2021-07-15.

Fabrication of gallium nitride semiconductor layers by lateral growth from trench sidewalls

Номер патента: CA2331893C. Автор: Robert F. Davis,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke,Darren B. Thomson,Tsvetanka Zheleva,Scott A. Smith. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2007-01-23.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: EP3961719A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Fabrication of gallium nitride layers by lateral growth

Номер патента: AU2349100A. Автор: Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke,Darren B. Thomson,Eric P. Carlson,Pradeep Rajagopal,Robert F Davis. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2000-06-19.

Low-defect density gallium nitride semiconductor structures and fabrication methods

Номер патента: US20100171124A1. Автор: Pankaj B. Shah,Michael A. Derenge,Daniel J. Ewing,Tsvetanka S. Zheleva. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2010-07-08.

Thin film structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09337021B2. Автор: Sung Bo Lee,Heung Nam HAN. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2016-05-10.

Gallium nitride-based chip, chip preparation method, gallium nitride power device, and circuit

Номер патента: US20230085872A1. Автор: Zhaozheng Hou,Gaofei TANG,Hanxing WANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device structure having air gap and methods of forming the same

Номер патента: US20230386901A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

A method of patterning a two-dimensional material for use in the manufacture of an electronic device

Номер патента: GB2626352A. Автор: McDonnell Liam. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Broken line repair method of tft substrate

Номер патента: US20180088365A1. Автор: He Zhao,Kecheng Xie. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of manufacturing nanowire

Номер патента: US7642177B2. Автор: Hans S. Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-05.

Method of manufacturing nanowire

Номер патента: US8258049B2. Автор: Hans S. Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-04.

Conductive plug and method of forming the same

Номер патента: US09685373B2. Автор: Chin-Ta Su,Yung-Tai Hung,Meng-Tsung Ko. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of growing III-N semiconductor layer on Si substrate

Номер патента: US09460917B2. Автор: Andrew Clark,Rytis Dargis,Nam Pham,Erdem Arkun. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Gallium nitride based semiconductor device and manufacturing method of gallium nitride based semiconductor device

Номер патента: US20190006184A1. Автор: Daisuke Mori,Katsunori Ueno,Chizuru Inoue,Ryo Tanaka,Hideaki Matsuyama,Masaharu Edo,Shinya Takashima,Hideaki Teranishi,Hirotaka SUDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Method of forming pn junction including transition metal dichalcogenide, method of fabricating semiconductor device using the same, and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US20230245887A1. Автор: Jin-Hong Park,Jin-Hyuk Kim,Sang-Yong Park,Sejin KYUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of forming carbon layer and method of forming interconnect structure

Номер патента: US20220068633A1. Автор: Hyeonjin Shin,Keunwook SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

A method of patterning a two-dimensional material for use in the manufacture of an electronic device

Номер патента: WO2024153479A1. Автор: Liam Mcdonnell. Владелец: PARAGRAF LIMITED. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing photosensitive epoxy structure using photolithography process and method of manufacturing inkjet printhead using the method of manufacturing photosensitive epoxy structure

Номер патента: US20090047605A1. Автор: Min-Soo Kim,Dong-sik Shim,Moon-Chul Lee,Yong-seop Yoon,Yong-won Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-19.

Gallium nitride substrates and functional devices

Номер патента: US09653649B2. Автор: Masahiro Sakai,Makoto Iwai,Katsuhiro Imai,Yoshitaka Kuraoka. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

High electron mobility transistor with periodically carbon doped gallium nitride

Номер патента: US09608103B2. Автор: Jeffrey Craig Ramer,Karl Knieriem. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Gallium nitride material and methods associated with the same

Номер патента: WO2006012298A9. Автор: John Claassen Roberts,Pradeep Rajagopal,Edwin Lanier Piner. Владелец: Edwin Lanier Piner. Дата публикации: 2006-04-20.

Methods of making three dimensional nand devices

Номер патента: US20150380424A1. Автор: Yanli Zhang,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,George Matamis,Senaka Krishna Kanakamedala,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088234A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of planarizating film

Номер патента: US09917006B1. Автор: Chun-Chang Wu,Ching-Sen Kuo,Feng-Jia Shiu,Chun-Chang Chen,Shun-Shing Yang,Chihy-Yuan Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of forming openings in a material layer

Номер патента: US09911611B2. Автор: Ru-Gun Liu,Yung-Sung Yen,Chieh Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09620522B1. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods of making three dimensional NAND devices

Номер патента: US09397107B2. Автор: Yanli Zhang,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,George Matamis,Senaka Krishna Kanakamedala,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-19.

Methods of forming semiconductor memory devices

Номер патента: US20150037949A1. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Method of fabricating silicon thin film layer

Номер патента: US20070048983A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Ji-sim Jung,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Jong-Man Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Methods of forming interconnect structures using via holes filled with dielectric film first and structures formed thereby

Номер патента: US20200365451A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method of forming a dram bit line contact

Номер патента: EP1063698A3. Автор: Charles H. Dennison,Kunal Parekh,Mark Jost. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-01-03.

Method of forming wiring pattern, and method of forming source electrode and drain electrode for TFT

Номер патента: US20060051500A1. Автор: Toshimitsu Hirai,Shinri Sakai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Printed circuit board for mounting chip and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2014069733A1. Автор: Sang Myung Lee,Sung Soo Park,Yun Ho An,Woo Young Lee,Young Joon Son,Ran Kim,Won Suk JUNG,Joon Wook Han. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2014-05-08.

Display substrate and method of fabricating display substrate

Номер патента: EP3453052A1. Автор: Dejiang Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-13.

Metal lines for interconnect structure and method of manufacturing same

Номер патента: US09735052B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Carlos H. Diaz,Yung-Hsu WU,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods of forming semiconductor memory devices

Номер патента: US09305933B2. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-05.

Method of forming oxide layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190279862A1. Автор: Hiroshi Morita,Youn-Joung Cho,Jin-Wook Park,Yasuhisa Furihata,Tae-Jin YIM. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Method of Manipulating Deposition Ratges of Poly-Silicon and Method of Manufacturing a SiGe HBT Device

Номер патента: US20220172950A1. Автор: Zhenqi Li,Gim Chye OWE,Ronghao FU. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Asymmetric fet including sloped threshold voltage adjusting material layer and method of fabricating same

Номер патента: US20120171831A1. Автор: Yue Liang,Dureseti Chidambarrao,Xiaojun Yu,Jun Yuan,Sunfei Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Iii-nitride material semiconductor structures on conductive silicon substrates

Номер патента: US20240266405A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of forming SiOCN material layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09887080B2. Автор: Gi-gwan PARK,Kang-Hun Moon,Yong-Suk Tak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Methods of forming nanowire devices with doped extension regions and the resulting devices

Номер патента: US09490340B2. Автор: Jing Wan,Guillaume Bouche,Shao-Ming Koh,Andy C. Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09443732B1. Автор: Tae Sun Kim,Yeojin Lee,Yura Kim,Kwangsub Yoon,Jaekyung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods of forming multiple n-type semiconductor devices with different threshold voltages on a semiconductor substrate

Номер патента: US20140227845A1. Автор: Yanxiang Liu,Manfred Eller,Johannes Van Meer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Parasitic channel mitigation in iii-nitride material semiconductor structures

Номер патента: EP3347920A1. Автор: John Claassen Roberts,Kevin J. Linthicum,Allen W. Hanson,James W. Cook, Jr.. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-07-18.

Nucleation layers for growth of gallium-and-nitrogen-containing regions

Номер патента: US20220319836A1. Автор: Michael Chudzik,Michel Khoury,Ria Someshwar,Daniel Deyo,Sha ZHAO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Method of forming dielectric material layer using plasma

Номер патента: US20240304441A1. Автор: Yoshio SUSA,Yoshiyuki Kikuchi,Norihiko Ishinohachi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-12.

Stack packages having with confined underfill fillet and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09966278B1. Автор: Taehoon Kim,Hyun Kyu RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Parasitic channel mitigation in III-nitride material semiconductor structures

Номер патента: US09627473B2. Автор: John Claassen Roberts,Kevin J. Linthicum,Allen W. Hanson,James W. Cook, Jr.. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of fabricating semiconductor device having contact structures

Номер патента: US09543202B2. Автор: Youngseok Kim,Jamin KOO,Kongsoo Lee,Goeun BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of making composite substrate from sic

Номер патента: RU2728484C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-07-29.

Multi-step planarizing method for forming a patterned thermally extrudable material layer

Номер патента: US20030008494A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Method to form dual channel group III-V and Si/Ge FINFET CMOS and integrated circuit fabricated using the method

Номер патента: US09515090B2. Автор: Effendi Leobandung,Daniele Caimi,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Interlayers in selective area growth of gallium nitride (gan) based structures

Номер патента: WO2018182633A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-10-04.

Epitaxial gallium nitride alloy ferroelectronics

Номер патента: US20230070465A1. Автор: PING Wang,DING Wang,Zetian Mi. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-03-09.

Over-voltage protection of gallium nitride semiconductor devices

Номер патента: US20150001551A1. Автор: RUI Zhou,Peter Micah Sandvik,Avinash Srikrishnan Kashyap. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-01-01.

Method for reducing the concentration of oxygen, carbon, and silicon impurities on nitrogen-polar surfaces of gallium nitride

Номер патента: US8669168B1. Автор: Glenn G. Jernigan,Douglas S. Katzer,David F. Storm,Steven C. Binari. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2014-03-11.

Method of forming titanium nitride films with (200) crystallographic texture

Номер патента: US20200035481A1. Автор: Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Method for Preparing Isolation Area of Gallium Oxide Device

Номер патента: US20210013027A1. Автор: Xin Tan,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Xingye Zhou,Yuanjie Lv,Shixiong LIANG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2021-01-14.

Method for preparing isolation area of gallium oxide device

Номер патента: US11244821B2. Автор: Xin Tan,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Xingye Zhou,Yuanjie Lv,Shixiong LIANG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2022-02-08.

High electron mobility transistor, field-effect transistor, epitaxial substrate, method of manufacturing epitaxial substrate, and method of manufacturing group iii nitride transistor

Номер патента: CA2570558A1. Автор: Takashi Sakurada,Makoto Kiyama,Shin Hashimoto,Tatsuya Tanabe,Tomihito Miyazaki,Kouhei Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Method for forming an acoustic mirror with reduced metal layer roughness and related structure

Номер патента: EP2171845A2. Автор: Paul P. Gehlert,Christopher F. Shepard,Bradley P. Barber. Владелец: Avago Technologies Wireless IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2010-04-07.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2650350C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-04-11.

Method of forming ohmic contacts

Номер патента: US3929525A. Автор: Frank Zygmunt Hawrylo. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-12-30.

Gate metal formation on gallium nitride or aluminum gallium nitride

Номер патента: US11990343B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy Edward Boles,John Stephen Atherton,Jason Matthew BARRETT. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Gate metal formation on gallium nitride or aluminum gallium nitride

Номер патента: US20240258110A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy Edward Boles,John Stephen Atherton,Jason Matthew BARRETT. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of growing nitride semiconductor layer, nitride semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09728404B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Woo Chul Kwak,Jae Hoon Song,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Gallium nitride devices with discontinuously graded transition layer

Номер патента: US09437686B2. Автор: Kevin J. Linthicum,T. Warren Weeks, Jr.,Thomas Gehrke,Edwin Lanier Piner. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Gallium nitride self-supported substrate, light-emitting device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09548418B2. Автор: Yukihisa Takeuchi,Tsutomu Nanataki,Jun Yoshikawa,Takashi Yoshino,Kei Sato,Morimichi Watanabe,Katsuhiro Imai,Tomohiko Sugiyama. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Integration of leds on gallium-nitride with devices on aluminum/gallium nitride, gallium nitride on silicon substrates for led ac

Номер патента: RU2615215C2. Автор: Теодор ЧУНГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for producing gallium nitride light emitting diode wafer

Номер патента: US7498187B2. Автор: Guocong Chen,Mengyuan Wang. Владелец: Podium Photonics Guangzhou Ltd. Дата публикации: 2009-03-03.

Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices

Номер патента: AU1300295A. Автор: Vladimir Dmitriev,John A. Edmond,Kenneth Irvine. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1995-07-03.

Gallium nitride semiconductor structures with compositionally-graded transition layer

Номер патента: US8344417B2. Автор: Edwin L. Piner,Kevin J. Linthicum,T. Warren Weeks, Jr.,Thomas Gehrke. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-01-01.

Gallium nitride materials and methods

Номер патента: US6617060B2. Автор: Edwin L. Piner,Kevin J. Linthicum,T. Warren Weeks, Jr.,Thomas Gehrke. Владелец: Nitronex Corp. Дата публикации: 2003-09-09.

Polycrystalline gallium nitride self-supported substrate and light emitting element using same

Номер патента: US20180351038A1. Автор: Tsutomu Nanataki,Kei Sato,Morimichi Watanabe,Katsuhiro Imai,Yoshitaka Kuraoka. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Led package structure and method of manufacturing the same, and led display

Номер патента: US20220005984A1. Автор: Chien-Shou Liao. Владелец: Skiileux Electricity Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Gallium nitride vertical light emitting diode structure and method of separating a substrate and a thin film in the structure

Номер патента: US20050186783A1. Автор: Mu-Jen Lai,Schang-Jing Hon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

LED package structure and method of manufacturing the same, and LED display

Номер патента: US12132153B2. Автор: Chien-Shou Liao. Владелец: Skiileux Electricity Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Oxygen controlled PVD aluminum nitride buffer for gallium nitride-based optoelectronic and electronic devices

Номер патента: US09929310B2. Автор: Vivek Agrawal,Rongjun Wang,Mingwei Zhu,Anantha Subramani,Daniel Lee Diehl,Nag B. Patibandia. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods of modifying the composition of material layers

Номер патента: US12113157B2. Автор: William Freeman,Hongjin Jiang. Владелец: Tectus Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of manufacturing aluminum nitride layer

Номер патента: US20240297266A1. Автор: June O Song. Владелец: Wavelord Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for producing gallium nitride light emitting diode wafer

Номер патента: US20070254395A1. Автор: Guocong Chen,Mengyuan Wang. Владелец: Podium Photonics Guangzhou Ltd. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of fabricating micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: WO2020107216A1. Автор: Peng Chen,Xinxia ZHANG,Guolei Wang,Hengbin LI. Владелец: HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of fabricating micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: EP3888130A1. Автор: Peng Chen,Xinxia ZHANG,Guolei Wang,Hengbin LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-06.

Method of fabricating optical devices using laser treatment

Номер патента: US09786810B2. Автор: James W. RARING,Mathew Schmidt,Nicholas J. Pfister. Владелец: Soraa Laser Diode Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Gallium nitride anodes for organic electroluminescent devices and displays

Номер патента: WO1997047051A1. Автор: Samuel Clagett Strite,Ching Wan Tang. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 1997-12-11.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound

Номер патента: CA2054242C. Автор: Masahiro Kotaki,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 1996-06-25.

Fabrication method of nitride light emitting diodes

Номер патента: US20170117436A1. Автор: Chang-Cheng Chuo,Chia-Hung CHANG,Cheng-Hung Lee,Zhibo XU,Hsiang-Lin Hsieh,Chan-chan LIN. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

Reusable nitride wafer, method of making, and use thereof

Номер патента: USRE49677E1. Автор: Mark P. D'Evelyn,Michael Ragan Krames. Владелец: SLT Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Reusable nitride wafer, method of making, and use thereof

Номер патента: US20170247812A1. Автор: Mark P. D'Evelyn,Michael Ragan Krames. Владелец: Soraa Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Reusable nitride wafer, method of making, and use thereof

Номер патента: US09653554B2. Автор: Mark P. D'Evelyn,Michael Ragan Krames. Владелец: Soraa Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Three-Dimensional Gallium Nitride (GaN) Pillar Structure Light Emitting Diode (LED)

Номер патента: US20150221827A1. Автор: Changqing Zhan,Mark Albert Crowder,Paul J. Schuele. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Method of making semiconductor light- emitting device

Номер патента: US20110076788A1. Автор: Masaki Ueno,Masahiro Adachi,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Shinji Tokuyama,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Manufacturing method of group 13 nitride crystal

Номер патента: US09404196B2. Автор: Takashi Satoh,Masahiro Hayashi,Chiharu Kimura,Seiji Sarayama,Naoya Miyoshi,Hiroshi Nambu. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Gallium nitride-based sensor having heater structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190097067A1. Автор: Hyeong Ho Park,Kyungho Park,Chuyoung CHO,Yu Min Koh. Владелец: Korea Advanced Nano Fab Center. Дата публикации: 2019-03-28.

Gallium nitride-based sensor having heater structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3460468A3. Автор: Hyeong Ho Park,Kyungho Park,Chuyoung CHO,Yu Min Koh. Владелец: Korea Advanced Nano Fab Center. Дата публикации: 2019-04-24.

Gallium nitride-based sensor having heater structure and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2019066145A1. Автор: Hyeong Ho Park,Kyungho Park,Chuyoung CHO,Yu Min Koh. Владелец: Korea Advanced Nano Fab Center. Дата публикации: 2019-04-04.

Heterostructural field-effect transistor based on gallium nitride with improved stability of the current-voltage characteristic to ionizing radiation

Номер патента: RU2646529C1. Автор: Александр Григорьевич Гудков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Святослав Игоревич Видякин,Владимир Геннадьевич Тихомиров,Артем Аркадьевич Городничев,Андрей Артурович Зыбин,Яков Михайлович Парнес. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2018-03-05.

Method for manufacturing a gallium nitride power field-effect transistor

Номер патента: RU2668635C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-10-02.

Method of fabricating a merged P-N junction and schottky diode with regrown gallium nitride layer

Номер патента: US09525039B2. Автор: Ozgur Aktas,Quentin Diduck,Isik C. Kizilyalli,Hui Nie,Thomas R. Prunty,Dave P. Bour. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of fabricating array substrate, array substrate, and display apparatus thereof

Номер патента: WO2019029125A1. Автор: Yonglian QI,Lianjie QU,Hebin ZHAO,Shuai LIU,Bingqiang GUI,Guangdong SHI. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2019-02-14.

Array substrate and method of manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20220310670A1. Автор: JIAN Ma,Wenming REN,Jinliang HU,Chengyong ZHAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Method of fabricating array substrate, array substrate, and display apparatus thereof

Номер патента: US20210175261A1. Автор: Yonglian QI,Lianjie QU,Hebin ZHAO,Shuai LIU,Bingqiang GUI,Guangdong SHI. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, display substrate, and display apparatus

Номер патента: US09704998B2. Автор: Chunsheng Jiang,Jingfei Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Array substrate and method of manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20240234446A1. Автор: JIAN Ma,Wenming REN,Jinliang HU,Chengyong ZHAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing an organic light emitting diode (oled) substrate and oled substrate

Номер патента: US20210226148A1. Автор: Lijun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159989A1. Автор: Jeong Pyo Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Methods of forming a nano-sheet transistor device with a thicker gate stack and the resulting device

Номер патента: US09991352B1. Автор: Ruilong Xie,Julien Frougier,Steven Bentley,Ali Razavieh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of forming a bottom electrode of a magnetoresistive random access memory cell

Номер патента: US09847477B2. Автор: Wei-Chieh Huang,Jieh-Jang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US11043575B2. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Organic light emitting diode display panel and method of manufacturing same

Номер патента: US20210351366A1. Автор: Zhao Li. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175358A1. Автор: Hyun Min Lee,Jung Taik Cheong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Array substrate of display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09929217B2. Автор: Wen-Pin Chen,Tsu-Wei Chen,Kuo-Kuang Chen,Hong-Syu Chen,Teng-Ke Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods of preparing nanodevices

Номер патента: US09919921B2. Автор: Steven George,Joseph J. Brown,George Dee Skidmore,Victor M. Bright,Nathan T. Eigenfeld,Jason M. Gray. Владелец: University of Colorado Foundation Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Flexible display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09443915B2. Автор: HAYK KACHATRYAN,Kihyun Kim,Taewoong Kim,Sunho Kim,Hyunwoo KOO,Jeongho KIM,Yeongon MO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Magnetic resistance structure, method of manufacturing the magnetic resistance structure, and electronic device including the magnetic resistance structure

Номер патента: US09368177B2. Автор: Min Wang,Min-Woo Kim,Hwansoo Suh,Insu Jeon,Young-Jae Song,Sung-Kyu Jang,Sung-joo Lee,Qinke WU,Seong-jun JUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Colaboration. Дата публикации: 2016-06-14.

Quantum bits and method of forming the same

Номер патента: US09355362B2. Автор: Patrick B. Shea,John J. Talvacchio,Erica C. Folk,Daniel J. Ewing. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Transfer material layers for graphene fabrication process

Номер патента: EP4059044A1. Автор: Xue Zhen,Steven J. Koester,Gregory J. Sherwood,Justin Theodore NELSON,Philippe Pierre Joseph Buhlmann,Qun Su. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2022-09-21.

Methods of manufacturing gallium nitride devices

Номер патента: US09978858B2. Автор: Robert Joseph Therrien,Allen W. Hanson,Sameer Singhal,Jerry Wayne Johnson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Fractal-edge thin film and method of manufacture

Номер патента: US09679940B2. Автор: Oray Orkun Cellek. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Methods of Manufacturing Gallium Nitride Devices

Номер патента: US20170154989A1. Автор: Robert Joseph Therrien,Allen W. Hanson,Sameer Singhal,Jerry Wayne Johnson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Method of forming semiconductor structure with anti-punch through structure

Номер патента: US09595442B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Yao-De Chiou,Jui-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Image sensor having a plurality of phototransistors separated by trench-gate structures and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472706B2. Автор: Hirofumi Watanabe,Kazuhiro Yoneda,Katsuhiko Aisu,Yasukazu Nakatani,Takaaki Negoro,Katsuyuki Sakurano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Display panel, array substrate, and method of manufacturing thereof

Номер патента: US12120926B2. Автор: Sihang BAI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of fabricating organic light-emitting diode

Номер патента: US09455406B1. Автор: Wei-Sheng Huang,Hsiao-Ping Fang. Владелец: Chien Hwa Coating Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Three-dimensional memory device containing ferroelectric memory elements encapsulated by transition metal nitride materials and method of making thereof

Номер патента: US20210050371A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Seung-Yeul Yang,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-02-18.

Integrated gallium nitride capacitor-transistor structures

Номер патента: WO2018174872A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-09-27.

Optimum high density 3d device layout and method of fabrication

Номер патента: US20220059413A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Transistor devices, power devices, and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP4402723A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Gallium nitride material devices and associated methods

Номер патента: US09608102B2. Автор: Robert Joseph Therrien,Allen W. Hanson,Sameer Singhal,Jerry Wayne Johnson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Vertical multichannel gallium nitride transistor

Номер патента: US20240097017A1. Автор: Christian Huber,Daniel Krebs,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-03-21.

Gallium nitride material devices and associated methods

Номер патента: EP1969635A1. Автор: Robert J. Therrien,Allen W. Hanson,Sameer Singhal,Jerry Wayne Johnson. Владелец: Nitronex Corp. Дата публикации: 2008-09-17.

Methods of forming variable-depth device structures

Номер патента: US20200363719A1. Автор: Ludovic Godet,Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Andre P. Labonte. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Gallium nitride material based semiconductor devices including thermally conductive regions

Номер патента: WO2002069373A2. Автор: T. Warren Weeks,Ricardo M. Borges,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: Nitronex Corporation. Дата публикации: 2002-11-14.

Folded channel gallium nitride based field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240355921A1. Автор: Xinyu Liu,Xinhua Wang,Qimeng JIANG,Sen Huang,Xinyue DAI. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-24.

High temperature transducer using SOI, silicon carbide or gallium nitride electronics

Номер патента: US09915578B2. Автор: Anthony D. Kurtz,Wolf S. Landmann,Alexander A. Ned,Joseph R. VanDeWeert. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Ultra-dense led projector using thinned gallium nitride

Номер патента: US20190179222A1. Автор: Kwong-Hin Henry Choy,Paul Scott Martin. Владелец: Tectus Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Vertical semiconductor component on the basis of gallium nitride with a front-side measuring electrode

Номер патента: US20240128133A1. Автор: Klaus Heyers,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Gallium nitride semiconductor substrate with semiconductor film formed therein

Номер патента: US09472629B2. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of manufacturing laminated electronic component

Номер патента: US20180090268A1. Автор: Takeshi Kobayashi,Makoto Yamamoto,Yutaka Noguchi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Superconductive wire and method of its manufacturing

Номер патента: RU2332737C2. Автор: Судзи ХАХАКУРА,Казу ОХМАЦУ,Казуя ОХМАЦУ,Косо ФУДЗИНО,Маса КОНИСИ,Масая КОНИСИ. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2008-08-27.

Fabrication method of all solid-state thin-film battery

Номер патента: US20180287186A1. Автор: Yun Seog Lee,Devendra K. Sadana,Joel P. de Souza,Kunal Mukherjee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Fabrication method of all solid-state thin-film battery

Номер патента: US20180287188A1. Автор: Yun Seog Lee,Devendra K. Sadana,Joel P. de Souza,Kunal Mukherjee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Precursor compositions including a curable component and surface coated or modified hollow glass microspheres, articles, additive manufacturing methods, and methods of interfering with electromagnetic radiation

Номер патента: US20240150551A1. Автор: Klaus Hintzer,Adrian S. Eckert,Badri Veeraraghavan,Jens Eichler,Christian Weinmann,Michael H. Stalder,Stefan V. Friedrich,Jennifer J. SOKOL,Tom GAIDE,Friedrich M. WOLFF,Philipp Jurgen Semmler,Karoline Anne Ostrowski. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2024-05-09.

Precursor compositions including a curable component and surface coated or modified hollow glass microspheres, articles, additive manufacturing methods, and methods of interfering with electromagnetic radiation

Номер патента: EP4334389A1. Автор: Klaus Hintzer,Adrian S. Eckert,Badri Veeraraghavan,Jens Eichler,Christian Weinmann,Michael H. Stalder,Stefan V. Friedrich,Jennifer J. SOKOL,Karoline Anna OSTROWSKI,Tom GAIDE,Friedrich M. WOLFF,Philipp Jurgen Semmler. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2024-03-13.

Negative electrode material for non-aqueous electrolyte secondary battery, method of producing the same, negative electrode active material layer for non-aqueous electrolyte secondary battery, negative electrode for non-aqueous electrolyte secondary battery, and non-aqueous electrolyte secondary battery

Номер патента: US20150303468A1. Автор: Hiroki Yoshikawa,Masahiro Furuya,Hiromichi KAMO,Takakazu Hirose,Kohta Takahashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Negative electrode material for non-aqueous electrolyte secondary battery, method of producing the same, negative electrode active material layer for non-aqueous electrolyte secondary battery, negative electrode for non-aqueous electrolyte secondary battery, and non-aqueous electrolyte secondary battery

Номер патента: US10686189B2. Автор: Hiroki Yoshikawa,Masahiro Furuya,Hiromichi KAMO,Takakazu Hirose,Kohta Takahashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

For use in the method method of producing a scanning electron microscope image having reduced distortion and scanning electron microscopes

Номер патента: GB1569299A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-06-11.

Gallium nitride nano-superstructure, preparation methods therefor and gallium nitride-based laser

Номер патента: EP4235985A1. Автор: MIAO Wang,Ke Xu,Jianfeng Wang,Juemin YI. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-08-30.

Gallium Nitride Nano Superstructure and Preparation Method Thereof and Gallium Nitride-Based Laser

Номер патента: US20240288617A1. Автор: MIAO Wang,Ke Xu,Jianfeng Wang,Juemin YI. Владелец: SUZHOU INSTITUTE OF NANO-TECH AND NANO-BIONICS (SINANO) CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing layered structure constituting all-solid-state battery, apparatus for manufacturing the same, and all-solid-state battery provided with layered structure

Номер патента: US09484568B2. Автор: Osamu Sugino,Masahiko Nagasaka,Shogo Nakajima,Takayuki Nozawa,Ikuto Mishima. Владелец: Sintokogio Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of producing carbon nitride

Номер патента: RU2425799C2. Автор: Сергей Николаевич Филиппов,Рейо ЛАППАЛАЙНЕН,Мохаммад Ареф Хасан МАМАХЕЛЬ. Владелец: Карбодеон Лтд Ой. Дата публикации: 2011-08-10.

Gallium nitride particles and method for producing same

Номер патента: US20210139328A1. Автор: Hideto Kuramochi,Masami Mesuda. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Method of improving cycle-life of alkali metal-sulfur secondary battery

Номер патента: US20190386347A1. Автор: Aruna Zhamu,Bor Z. Jang. Владелец: Nanotek Instruments Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of preparing negative electrode for rechargeable lithium battery and rechargeable lithium battery including negative electrode

Номер патента: US20240055575A1. Автор: Hyun Wook Jung,Kwan Young Lee,Jin Seok Park,Taeil LEE,Juhye Bae,Won-gi AHN,Min-Young Jeong,Gwangwon PARK. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of preparing negative electrode for rechargeable lithium battery and rechargeable lithium battery including negative electrode

Номер патента: EP4318626A1. Автор: Hyun Wook Jung,Kwan Young Lee,Jin Seok Park,Taeil LEE,Juhye Bae,Won-gi AHN,Min-Young Jeong,Gwangwon PARK. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Method of preparing dry electrode, device for manufacturing dry electrode, dry electrode, and lithium battery

Номер патента: US20240322120A1. Автор: Hyun Nam,Donggeun Lee,Seunguk Kwon,Yeonhee YOON,Ilkyong KWON,Jinhyon Lee,Ahram Pyun,Youmin Bang,Seongdae Kim,Jongsup Choi. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Reuse method of active material of positive electrode scrap

Номер патента: EP4287353A1. Автор: Se-Ho Park,Doo-Kyung Yang,Min-Seo Kim,Jeong-Bae Lee,Eun-Kyu SEONG,Yong-Sik SEO. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Method of preparing electrode for lithium secondary battery and electrode for lithium secondary battery prepared thereby

Номер патента: EP3335260A1. Автор: Young Geun Choi,Song Taek Oh,Sol Nip Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-06-20.

Negative electrode active material for fluoride ion battery, negative electrode active material layer for fluoride ion battery, fluoride ion battery, and method for producing negative electrode active material for fluoride ion battery

Номер патента: EP4401171A1. Автор: Naoki Matsui,Takeshi Tojigamori. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2024-07-17.

Negative electrode active material for fluoride ion battery, negative electrode active material layer for fluoride ion battery, fluoride ion battery, and method for producing negative electrode active material for fluoride ion battery

Номер патента: US20240243283A1. Автор: Naoki Matsui,Takeshi Tojigamori. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of manufacturing metal-graphite brush material for motor

Номер патента: US20090060772A1. Автор: Hiroshi Kobayashi. Владелец: Aisin Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of manufacturing electrode for rechargeable lithium battery, electrode manufactured therefrom, and rechargeable lithium battery including the electrode

Номер патента: US20240136530A1. Автор: Ungyu Paik,Seung-Hun Han,Hoyong AN,Kyuseo Lee,Soochan KIM,Hyeseung JUNG,Chaewoong CHO,Keemin PARK,Seungcheol MYEONG,Taeseup SONG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-04-25.

A method for reactive magnetron sputter deposition of gallium oxide thin films

Номер патента: EP4230761A1. Автор: Andris Azens,Martins Zubkins,Edgars BUTANOVS,Juris Purans. Владелец: Latvijas Universitates Cietvielu Fizikas Instituts. Дата публикации: 2023-08-23.

Method of reusing positive electrode material

Номер патента: US12021205B2. Автор: Sang Hoon Choy,Joo Yul BAEK,Jun Muk Lim,Woo Ha Kim,In Seong Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of mass-analysis with resonant excitation of ions and device for its implementation

Номер патента: RU2634614C1. Автор: Евгений Васильевич Мамонтов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2017-11-02.

METHOD OF REGISTERING USE OF MOBILE TERMINAL TO IMAGE FORMING APPARATUS, THE IMAGE FORMING APPARATUS USING THE METHOD, METHOD OF REQUESTING REGISTRATION OF USE OF THE MOBILE TERMINAL, AND THE MOBILE TERMINAL USING THE METHOD

Номер патента: US20150126115A1. Автор: Park Hyun-Wook,KIM Jin-hyung,PARK Sung-joon,YUN Chang-jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-05-07.

METHOD OF MOUNTING SEMICONDUCTOR CHIPS, SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED USING THE METHOD, METHOD OF CONNECTING SEMICONDUCTOR CHIPS, THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE IN WHICH WIRING IS PROVIDED ON ITS SURFACE, AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20140090876A1. Автор: YOSHIOKA Shingo,FUJIWARA Hiroaki. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

METHOD OF MOUNTING SEMICONDUCTOR CHIPS, SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED USING THE METHOD, METHOD OF CONNECTING SEMICONDUCTOR CHIPS, THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE IN WHICH WIRING IS PROVIDED ON ITS SURFACE, AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20140097004A1. Автор: YOSHIOKA Shingo,FUJIWARA Hiroaki. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-04-10.

Heterocyclic compound, organic light emitting device comprising the same,manufacturing method of the same and composition for organic material layer of organic light emitting device

Номер патента: TW202000861A. Автор: 朴建裕,梁承圭,崔義晶,金東駿. Владелец: 南韓商喜星素材股份有限公司. Дата публикации: 2020-01-01.

Method of producing highly porous silicon nitride material with fibrous structure and installation for its implementation

Номер патента: RU2634443C1. Автор: Виктор Григорьевич Гилев,Иван Борисович Пуртов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2017-10-30.

Fabricating method of semi-polar gallium nitride

Номер патента: US20220056580A1. Автор: Ping-Hai CHIAO,Wen-Chung LI. Владелец: WAFER WORKS Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of depositing a gallium nitride-based III-V group compound semiconductor crystal layer

Номер патента: US5433169A. Автор: Shuji Nakamura. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1995-07-18.

Gallium nitride traveling wave structures

Номер патента: WO2008100889A2. Автор: Paul Saunier,Hua-Quen Tserng,Kevin L. Robinson. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2008-08-21.

Gallium nitride traveling wave structures

Номер патента: EP2115777A2. Автор: Paul Saunier,Hua-Quen Tserng,Kevin L. Robinson. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-11.

Integral frame structure from the layered polymer composite material, method of its manufacturing and tooling for the method implementation

Номер патента: RU2664043C2. Автор: Владимир Евгеньевич Биткин,Александр Владимирович Денисов,Владимир Владимирович Агапов,Евгений Валериевич Назаров,Марина Анатольевна Денисова,Сергей Александрович Гордеев,Пётр Павлович Каштанов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро "Пластик". Дата публикации: 2018-08-14.

Manufacturing method of resistive random access memory device

Номер патента: US12063796B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Chia-Wen Cheng,Ping-Kun Wang,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230422470A1. Автор: Eunjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Display apparatus comprising irradiated regions and dams and method of manufacturing the same

Номер патента: US12069894B2. Автор: Gyoowan Han,Wonyong Kim,Jongki KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Electrode with immobilised protein and method of its production and functional element and method of its production

Номер патента: RU2532841C2. Автор: Ёсио ГОТО,Сэйдзи ЯМАДА,Юити ТОКИТА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2014-11-10.

Method of converting data streams with possibility of random access and corresponding method of its decording

Номер патента: RU2331914C2. Автор: Хайву ЧЖАО,Йонг ЧЭН,Гуожонг ВАНГ,Юн ХЕ. Владелец: Сентрал Рисерч Акэдеми Оф Сва Груп. Дата публикации: 2008-08-20.

System and method of in-band modem for data transmission over digital wireless communication networks

Номер патента: RU2563159C2. Автор: Пэнцзюнь ХУАН,Кристиан ПИЧ,Вольфганг ГРАНЦОВ,Николай К.Н. ЛЕУНГ,Марк В. ВЕРНЕР,Кристиан СГРАЯ,Кристоф А. ЙОЕТТЕН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2015-09-20.

Method of high-voltage pulse system operation

Номер патента: RU2710432C1. Автор: Юрген КАЛЬКЕ,Райнхарт МЮЛЛЕР-ЗИБЕРТ. Владелец: Зельфраг Аг. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of upperlink transmission with multiple antennas

Номер патента: RU2533186C2. Автор: Сянян ЧЖУАН,Тайлер БРАУН,Колин ФРЭНК,Сандип КРИШНАМУРТХИ,Кеннет СТЮАРТ. Владелец: Моторола Мобилити, Инк.. Дата публикации: 2014-11-20.

Method of manufacturing group III nitride single crystal, device used for the method and group III nitride single crystal obtained by the method

Номер патента: US7361220B2. Автор: Yasuo Kitaoka,Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Isao Kidoguchi,Takatomo Sasaki,Hisashi Minemoto,Mamoru Imade,Yasunori Kai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-22.

Method of monitoring and controlling combustion of device operating on gaseous fuel in burner and combustion controlling system operating in accordance with above-mentioned method

Номер патента: RU2640866C2. Автор: Маурицио Акилле АБАТЕ,Лорис БЕРТОЛИ,Алессандро ФРАНК,Джанкарло ПИРОВАНО. Владелец: Сит С.П.А.. Дата публикации: 2018-01-12.

Method of assessing heat resistance of organophosphorus pesticides when performing disinsection

Номер патента: RU2690705C1. Автор: Галина Юрьевна Полякова,Евгений Дмитриевич Орлов,Марина Александровна Каземирова,Марина Александровна Арабская,Сергей Анатольевич Дымнич,Анатолий Андреевич Брагинец,Марина Александровна Леготина,Любовь Семеновна Валькова,Николай Викторович Хромов,Максим Сергеевич Емелин,Сергей Павлович Казакин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "33 Центральный научно-исследовательский испытательный институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-06-05.

Method of controlling drive wheels of motor vehicle (versions)

Номер патента: RU2684815C2. Автор: Ральф Уэйн КАННИНГЭМ,Росс Дайкстра ПЕРСИФУЛЛ. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-04-15.

Methods of screening inhibitors of biomolecular interactions using phase separation as in cellulo read-out

Номер патента: WO2022159642A3. Автор: Dan Bracha,Paul Ackerman,Clifford P. Brangwynne,Chanelle JUMPER. Владелец: THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods of screening inhibitors of biomolecular interactions using phase separation as in cellulo read-out

Номер патента: EP4281771A2. Автор: Dan Bracha,Paul Ackerman,Clifford P. Brangwynne,Chanelle JUMPER. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-29.

Methods of screening inhibitors of biomolecular interactions using phase separation as in cellulo read-out

Номер патента: US20240302350A1. Автор: Dan Bracha,Paul Ackerman,Clifford P. Brangwynne,Chanelle JUMPER. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of producing comb or star copolymers using epoxy-functionalized nitroxylethers

Номер патента: AU2003267011A1. Автор: Rudolf Pfaendner,Jochen Fink,Wiebke Wunderlich,Francesco Fuso. Владелец: Ciba SC Holding AG. Дата публикации: 2004-03-29.

Method of producing comb or star copolymers using epoxy-functionalized nitroxylethers

Номер патента: EP1534765A1. Автор: Rudolf Pfaendner,Jochen Fink,Wiebke Wunderlich-Wippert,Francesco Fuso. Владелец: Ciba SC Holding AG. Дата публикации: 2005-06-01.

FABRICATING METHOD OF SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE

Номер патента: US20220056580A1. Автор: Li Wen-Chung,Chiao Ping-Hai. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

Method of Manufacturing Crystalline Gallium Nitride Film

Номер патента: US20200255974A1. Автор: YAMAGUCHI Akira,MURAKAMI Hisashi,Koukitu Akinori. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

Method of making a gallium nitride crystalline composition having a low dislocation density

Номер патента: US9279193B2. Автор: Mark Philip D'Evelyn,Xian-An Cao,Dong-Sil Park,Huicong Hong,Kristi Jean Narang,Larry Qiang Zeng. Владелец: Momentive Performance Materials Inc. Дата публикации: 2016-03-08.

Method of screening reporgramming factor, reprogramming factor screened by the method, method of using the reprogramming factor, method of differentiating undifferentiated fused cells and method of constructing cell, tissues and organs

Номер патента: WO2003027277A1. Автор: Takashi Tada,Norio Nakatsuji,Masako Tada. Владелец: Japan As Represented By The President Of The University Of Kyoto. Дата публикации: 2003-04-03.

Method of screening reporgramming factor, reprogramming factor screened by the method, method of using the reprogramming factor, method of differentiating undifferentiated fused cells and method of constructing cell, tissues and organs

Номер патента: EP1437403A4. Автор: Takashi Tada,Norio Nakatsuji,Masako Tada. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-27.

Method of preparing vinylchloride-based resin capable of producing plastisol with low viscosity, vinylchloride-based resin prepared using the method, method of preparing vinylchloride-based plastisol, and vinylchloride-based plastisol prepared using the method

Номер патента: EP1943279A4. Автор: Kyung-hyun Kim,Chan-Hee Lee,Yoonjeong Baek,Hyunkyou Ha. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2011-08-03.

METHOD OF TRANSMITTING INQUIRY MESSAGE, DISPLAY DEVICE FOR THE METHOD, METHOD OF SHARING INFORMATION, AND MOBILE TERMINAL

Номер патента: US20140033050A1. Автор: CHOI Won-Jong,Shin In-Young. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-30.

A kind of preparation method of the graphite phase carbon nitride material of the high polycondensation of high-ratio surface

Номер патента: CN110127637A. Автор: 薛冰,杨欣,许杰,柳娜,俞洲弘. Владелец: CHANGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-08-16.

Ft using the method method of controlling rolling of an aircraft and an aircra

Номер патента: GB2043561A. Автор: . Владелец: Dornier GmbH. Дата публикации: 1980-10-08.

Preparation method of doped graphite-like carbon nitride material

Номер патента: CN110813343B. Автор: 江治,戚荣杰. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2020-12-01.

Method of production of gallium from alkali-aluminate solutions of aluminous production

Номер патента: RU2264481C1. Автор: В.Н. Диев,С.П. Яценко,Л.А. Пасечник,Г.М. Рубинштейн,В.Б. Садовников. Владелец: Институт химии твердого тела Уральского Отделения Российской Академии наук. Дата публикации: 2005-11-20.

Method of extracting gallium from metal wastes of aluminium electrolytic refining

Номер патента: RU2336351C2. Автор: Иоан Владимирович Давыдов,Александр Сергеевич Сенюта. Владелец: Открытое акционерное общество "РУСАЛ Всероссийский Алюминиево-магниевый Институт". Дата публикации: 2008-10-20.

Manufacturing method of gallium nitride substrate

Номер патента: US20240149379A1. Автор: Asahi Nomoto. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for the synthesis of gallium nitride with n2 near room temperature

Номер патента: WO2024054772A3. Автор: Zakaria Y. AL BALUSHI,Sara Christy SUSANTO. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for extraction of gallium from fly ash

Номер патента: RU2506332C1. Автор: Дачжао ГУ,Иньшань ЦЗЯН,Цуньди ВЭЙ,Чжаохуа ГО,Пин ЦЗОУ,Цзяньго ХАНЬ,Дэли ЮЙ,Исинь ЧЖАО,Чуньбинь ГО. Владелец: Чайна Шэньхуа Энерджи Компани Лимитед. Дата публикации: 2014-02-10.

Method of manufacturing single crystals by growth from the vapour phase

Номер патента: CA1071068A. Автор: Guy-Michel Jacob,Jean-Philippe Hallais. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1980-02-05.

Method of manufacturing laminated packaging material and laminated packaging material

Номер патента: RU2676426C2. Автор: Петер ЭМАН. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2018-12-28.

Apparatus for large volume ammonothermal manufacture of gallium nitride crystals and methods of use

Номер патента: US09724666B1. Автор: Mark P. D'Evelyn,Douglas W. Pocius,Pakalapati Tirumala Rajeev. Владелец: Soraa Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Package with gable top for poured food products and method of sizing it

Номер патента: RU2375273C2. Автор: Паоло ФОНТАНАЦЦИ. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2009-12-10.

Gallium nitride crystal, group 13 nitride crystal, group 13 nitride crystal substrate, and manufacturing method

Номер патента: US20150247257A1. Автор: Takashi Satoh,Masahiro Hayashi,Chiharu Kimura,Seiji Sarayama,Naoya Miyoshi,Hiroshi Nambu. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Gallium nitride crystal, group 13 nitride crystal, group 13 nitride crystal substrate, and manufacturing method

Номер патента: US09863058B2. Автор: Takashi Satoh,Masahiro Hayashi,Chiharu Kimura,Seiji Sarayama,Naoya Miyoshi,Hiroshi Nambu. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Composite materials and methods of making and use thereof

Номер патента: WO2023235245A1. Автор: Chih-Hao Chang,I-Te Chen,Vijay Anirudh PREMNATH. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of space discrimination of distance in solving problem of positioning of mobile means by rho-rho fixing in surface-mounted local radio navigation system

Номер патента: RU2644762C1. Автор: Виктор Григорьевич Маркин,Владимир Андреевич Шуваев,Евгений Михайлович Красов,Александр Викторович Журавлев,Александр Александрович Толстоусов. Владелец: Акционерное общество научно-внедренческое предприятие "ПРОТЕК". Дата публикации: 2018-02-14.

Method of manufacture of large-sized bodies of rotation with surface of variable curvature of a multi-layer designed construction from polymer composite materials

Номер патента: RU2664942C1. Автор: Олег Владимирович Козлов,Алексей Генрихович Захаров,Дмитрий Анатольевич Лаптев,Нурия Зафаровна Герасимова. Владелец: Акционерное общество "Пермский завод "Машиностроитель". Дата публикации: 2018-08-23.

Methods of forming or repairing part with overhung section, and related turbomachine part

Номер патента: CA3201261A1. Автор: Kassy Moy Hart,Jacob Andrew Salm,Jason NEVILLE,Jillian Jamison WOOLRIDGE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-16.

Handrail, child carrier having the handrail, and method of manufacturing the handrail

Номер патента: GB2582056A. Автор: Wu Haitao. Владелец: Wonderland Switzerland AG. Дата публикации: 2020-09-09.

Method for preparing super-resolution lens based on metal-dielectric strip array, and using method of super-resolution lens

Номер патента: US20240264343A1. Автор: Yu Gu,Ping Gao,Xiangang Luo,Zeyu ZHAO,Yunfei LUO,Kaipeng LIU. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-08.

Layered structure, sensor and method of producing and use of the same

Номер патента: EP1362353A1. Автор: Raimo Korhonen,Tapio MÄKELÄ,Salme Jussila,Mikko Pietila. Владелец: Metso Corp. Дата публикации: 2003-11-19.

Layered structure, sensor and method of producing and use of the same

Номер патента: EP1362353B1. Автор: Raimo Korhonen,Tapio MÄKELÄ,Salme Jussila,Mikko Pietila. Владелец: Avantone Oy. Дата публикации: 2008-06-11.

Method for preparing functionally graded thermal barrier coatings based on failure modes and the method of preparation

Номер патента: LU506144B1. Автор: Kun Liu,Xing Guo. Владелец: Univ Zhengzhou Light Ind. Дата публикации: 2024-07-22.

Method of fabricating a composite engineered wood material floor board

Номер патента: US09616650B2. Автор: Francois Roy. Владелец: BOA-FRANC SENC. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing light emitting element of fluorescent light source forming highly precise photonic structure in fluorescence emitting surface of light emitting element

Номер патента: US09494296B2. Автор: Daisuke Yajima,Kazuyuki Tsuruoka. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2016-11-15.

Optical spot size converter and a method of making such

Номер патента: US12038611B2. Автор: Wei Jiang,Daniel Aloysius Nolan,Aramais Robert Zakharian,Dan Trung NGUYEN. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Micromechanical apparatus and method of forming a micromechanical device layer

Номер патента: EP1641710A2. Автор: Michael Judy,Bruce K. Wachtmann. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2006-04-05.

Method of producing carrier for hydrotreating catalyst

Номер патента: RU2633967C1. Автор: Олег Владимирович Климов,Елена Александровна Столярова,Александр Степанович Носков,Юлия Витальевна Ватутина,Галина Ивановна Корякина,Владимир Владимирович Данилевич,Евгений Юрьевич Герасимов. Владелец: Акционерное общество "Газпромнефть - Омский НПЗ" (АО "Газпромнефть - ОНПЗ"). Дата публикации: 2017-10-20.

Method of investing the object surface by the infrared device

Номер патента: RU2659457C2. Автор: Евгений Владимирович Левин,Александр Юрьевич Окунев. Владелец: Александр Юрьевич Окунев. Дата публикации: 2018-07-02.

Method for the synthesis of gallium nitride with n2 near room temperature

Номер патента: WO2024054772A2. Автор: Zakaria Y. AL BALUSHI,Sara Christy SUSANTO. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of manufacturing slider

Номер патента: US20090238952A1. Автор: Mitsuru Kubo,Satoshi Tomita,Masayuki Hamakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-09-24.

Method of forming a linear panel from multi-layer panel material assemblies

Номер патента: US12090722B2. Автор: Pieter Van Rees. Владелец: Hunter Douglas Industries BV. Дата публикации: 2024-09-17.

Taxidermy mannequin and method of making the same

Номер патента: US09607529B2. Автор: Scott LENNARD. Владелец: MCKENZIE SPORTS PRODUCTS LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of producing gallate solution

Номер патента: RU2712162C1. Автор: Александр Александрович Дамаскин,Александр Геннадиевич Сусс,Максим Николаевич Печёнкин,Анна Александровна Дамаскина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2020-01-24.

Extreme ultraviolet pellicles and method of manufacturing

Номер патента: US20240248391A1. Автор: Feng Q. Liu,Jeffrey W. Anthis,Mark Saly,Lakmal C. Kalutarage,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Flexible composite laminate with high suture retention strength and method of making same

Номер патента: US20240156583A1. Автор: Craig Fitzpatrick,Anthony Green,Kirk Myers. Владелец: International Polymer Engineering Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Extreme ultraviolet pellicles and method of manufacturing

Номер патента: WO2024155654A1. Автор: Feng Q. Liu,Jeffrey W. Anthis,Mark Saly,Lakmal C. Kalutarage,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing nano antenna

Номер патента: US09958609B2. Автор: Sunil Kim,Duhyun LEE,Changbum Lee,Jungwoo Kim,Byunggil Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods of bonding superabrasive particles in an organic matrix

Номер патента: US09902040B2. Автор: Chien-Min Sung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-27.

Laser slicer of crystal ingots and a method of slicing gallium nitride ingots using a laser slicer

Номер патента: US09452495B1. Автор: Tadao Hashimoto,Sierra HOFF. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules

Номер патента: US8979999B2. Автор: Mark P. D'Evelyn. Владелец: Soraa Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Method for separation of gallium from aluminium

Номер патента: RU2586168C1. Автор: Мария Викторовна Цыганкова,Александр Маркович Резник,Елена Иосифовна Лысакова,Яна Юрьевна Ершова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технологический университет". Дата публикации: 2016-06-10.

Method of manufacturing semiconductor and exposure system

Номер патента: US09448487B2. Автор: Shih-Rung Wu,rui-ming Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of testing thermally-assisted magnetic head

Номер патента: US09437226B1. Автор: Takashi Honda,Seiichi Takayama,Ryuji Fujii,Osamu Harakawa,Masahiro Kuribayashi,Tadatoshi Koba. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of gallium-68 production, application thereof, and relevant device for implementation of specified method

Номер патента: RU2343965C2. Автор: Ирина ВЕЛИКИАН,Бенгт ЛАНГСТРОМ,Герд Й. БЕЙЕР. Владелец: Джи-И Хелткер Лимитед. Дата публикации: 2009-01-20.

Method for producing gallium nitride crystal

Номер патента: US20210285124A1. Автор: Makoto Watanabe,Shinya AKIYAMA. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Methods of additively manufacturing a manufactured component, additive manufacturing systems that perform the methods, and storage media that directs additive manufacturing systems to perform the methods

Номер патента: EP4385645A1. Автор: Eric M. Chapman,Dana A. Henshaw. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of constructing a foundation

Номер патента: AU2018216633B2. Автор: James Edward GRANT. Владелец: Ecoflex Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Manufacturing method of mask plate for shielding during sealant-curing

Номер патента: US20150277226A1. Автор: Yong Liu,Hongmin Li,Xianjie SHAO,Qinghua Jiang,Xiaohe Li. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Method of duplicating a hologram and hologram optical element

Номер патента: US20240302793A1. Автор: Kun Li,Shin-Tson Wu,Tao ZHAN,Jianghao XIONG. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of recovering gallium from solid gallium-containing materials

Номер патента: RU2237740C1. Автор: И.В. Давыдов,А.С. Сенюта,ченко М.Г. Дь,М.Г. Дьяченко. Владелец: Открытое акционерное общество "Всероссийский алюминиево-магниевый институт". Дата публикации: 2004-10-10.

Method of recycling wastes of semiconductive gallium compounds

Номер патента: RU2554253C2. Автор: Виталий Евгеньевич Дьяков. Владелец: Виталий Евгеньевич Дьяков. Дата публикации: 2015-06-27.

Catalyst reducing the concentration of sulphur in benzines used in the method of catalytical cracking in the catalyst fluidised layer

Номер патента: RU2442649C2. Автор: Ричард Ф. ВОРМСБЕХЕР,Руичжонг ХУ,Руичжонг ХУ (US),Ричард Ф. ВОРМСБЕХЕР (US). Владелец: В.Р.Грейс Энд Ко.-Конн.. Дата публикации: 2012-02-20.

Method of recovering gallium from gallium and aluminum-containing metallized material

Номер патента: RU2293780C2. Автор: Геннадий Иванович Мальцев,Станислав Степанович Набойченко,Владимир Иванович Скороходов,Андрей Борисович Лебедь,Алексей Александрович Хренников,Борис Константинович Радионов,Ирина Петровна Шидловска,Ирина Петровна Шидловская,Павел Викторович Дубровин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Медногорский медносерный комбинат". Дата публикации: 2007-02-20.

Method of forming dielectric material layer using plasma

Номер патента: US20240271280A1. Автор: Yoshio SUSA,Yoshiyuki Kikuchi,Norihiko Ishinohachi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-15.

Manufacturing method of mask plate for shielding during sealant-curing

Номер патента: US09823567B2. Автор: Yong Liu,Hongmin Li,Xianjie SHAO,Qinghua Jiang,Xiaohe Li. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Adaptive straps for brassiere products and the method of making the same

Номер патента: EP4401596A1. Автор: Kang Zhang,Jifan Li,Shilong Zhang,Sui Lung Cheung. Владелец: Four K Knitters Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Gallium precursors for deposition of gallium-containing oxide films

Номер патента: US20240287675A1. Автор: Julien Gatineau,Ziyun Wang,Yumin Liu,Bo Peng. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of protecting side plating of vessel and vessel for transportation of cold liquids

Номер патента: RU2619677C2. Автор: Реко-Антти СУОЯНЕН,Ари СИПИЛА. Владелец: Акер Арктик Текнолоджи Ой. Дата публикации: 2017-05-17.

CATALYST SYSTEM AND METHOD OF REDUCING NOx

Номер патента: RU2386475C2. Автор: Каидонг Чен,Григорий Лев Соловейчик,Джонатан Ллойд МЭЙЛ,Элисон Лиана ПАЛМАТЬЕ,Тереза Гросела РОША,Дан ХАНКУ,Грегори Ли УОРНЕР,Дженнифер Кэтлин РЕДЛАЙН,Эрик Джордж БУДЕШЕЙМ,Стенли Тереза БАДДЛ. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2010-04-20.

New hybrid organic-inorganic material im-19 and method of its production

Номер патента: RU2490059C2. Автор: Жоэль ПАТАРЭН,Дэльфин БАЗЕР-БАШИ,Жераль ШАПЛЕ,Анжелик СИМОН-МАССЕРОН,Николя БА. Владелец: Ифп. Дата публикации: 2013-08-20.

Method of gallium recovery from aluminate solutions

Номер патента: RU2157421C2. Автор: Л.К. Алтунина,Т.В. Павлова,А.Г. Филимошкин,Е.Б. Чернов,Г.А. Терентьева,Е.Г. Прибытков. Владелец: Институт химии нефти СО РАН. Дата публикации: 2000-10-10.

Method for the layer-by-layer production of a cured three-dimensional shaped body, shaped body obtainable by the method, and use thereof

Номер патента: EP4164822A1. Автор: Dennis BARTELS,Dominik Polsakiewicz. Владелец: ASK CHEMICALS GMBH. Дата публикации: 2023-04-19.

Method for coloring or figuring a surface of a soft magnet and coloring or figuring medium material used in the method

Номер патента: US20100291390A1. Автор: Chin-Mei Fan Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Progressive cavity apparatus with transducer and methods of forming and use

Номер патента: EP2238352A2. Автор: Geoff Downton. Владелец: Prad Research and Development Ltd. Дата публикации: 2010-10-13.

Sintered polycrystalline gallium nitride

Номер патента: EP1444165A2. Автор: Mark P. D'Evelyn,Dong-Sil Park,Suresh S. Vagarali,David C. Pender. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2004-08-11.

Sintered polycrystalline cubic boron nitride material

Номер патента: EP3596243A1. Автор: Antionette Can,Anne Myriam Megne MOTCHELAHO,Miriam MIRANDA-FERNANDEZ. Владелец: Element Six UK Ltd. Дата публикации: 2020-01-22.

Method for concealing optical defects in surfaces

Номер патента: US20220305767A1. Автор: Heinrich Huber,Moritz Reifferscheid. Владелец: Lufthansa Technik AG. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for concealing optical defects in surfaces

Номер патента: US12059878B2. Автор: Heinrich Huber,Moritz Reifferscheid. Владелец: Lufthansa Technik AG. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for the layer-by-layer production of a cured three-dimensional shaped body, shaped body obtainable by the method, and use thereof

Номер патента: US20230191653A1. Автор: Dennis BARTELS,Dominik Polsakiewicz. Владелец: ASK CHEMICALS GMBH. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for the layer-by-layer production of a cured three-dimensional shaped body, shaped body obtainable by the method, and use thereof

Номер патента: WO2021254953A1. Автор: Dennis BARTELS,Dominik Polsakiewicz. Владелец: ASK CHEMICALS GMBH. Дата публикации: 2021-12-23.

Local administration of gallium compositions to treat pain

Номер патента: US09517198B2. Автор: Lawrence R. Bernstein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for laminating optical defects in surfaces

Номер патента: CA3148623A1. Автор: Heinrich Huber,Moritz Reifferscheid. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-04.

Method and system for detection of anomalies in surfaces

Номер патента: US11151713B2. Автор: Douglas Adams,Rupesh Wasudevrao KUMBHARE,Deepak DINKAR,Saravanan SOLAIYAPPAN,Hari KURUP,Nichol SOWELL,Chad Rogers,LaShema M. BURRELL,Thomas L. Kuczynski. Владелец: DISTRICT OF COLUMBIA WATER & SEWER AUTHORITY. Дата публикации: 2021-10-19.

Polycrystalline compacts, earth-boring tools including such compacts, and methods of fabricating polycrystalline compacts

Номер патента: US09498867B2. Автор: Valery N. Khabashesku,Vladimir P. Filonenko. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of growing group III nitride crystals

Номер патента: US8449672B2. Автор: Boris N. Feigelson,Richard L. Henry. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2013-05-28.

Method of producing carboxylic acids and derivatives thereof

Номер патента: RU2383526C2. Автор: Джон СМИТ Уоррен. Владелец: Бп Кемикэлз Лимитед. Дата публикации: 2010-03-10.

ANTIBODIES TO FcRH5, THEIR IMMUNOCONJUGATES AND METHODS OF THEIR USE

Номер патента: RU2583270C2. Автор: Джо-Энн Хонго,Кристи ЭЛКИНС,Эндрю Полсон,Бин ЧЖЭН,Джагатх Р. ДЖУНУТУЛА,Аллен ЭБЕНС,Камелия АДАМС,Янь У.. Владелец: Дженентек, Инк.. Дата публикации: 2016-05-10.

Mesoporous metal nitride materials and methods

Номер патента: WO2013062938A1. Автор: Francis DiSalvo,Minghui Yang,Michelle MACLEOD. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-02.

Mesoporous metal nitride materials and methods

Номер патента: US20140302323A1. Автор: Francis DiSalvo,Minghui Yang,Michelle MACLEOD. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-09.

Pressure actuated valves and methods of use

Номер патента: CA3089081A1. Автор: David B. Malcolm. Владелец: MALCO LLC. Дата публикации: 2022-02-05.

System and method for using augmented reality display in surface treatment procedures

Номер патента: US09864909B2. Автор: Patrick Ryan,Jonathan Martin,Mark Lawrence,Brian Bare,Paul Sells. Владелец: Huntington Ingalls Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of treatment of fluocarbon raw

Номер патента: RU2267352C2. Автор: ДЕР ВАЛЬТ Айзек Якобус ВАН. Владелец: Сауф Эфрикан Нуклеа Энерджи Корпорейшн Лимитед. Дата публикации: 2006-01-10.

Ice-resistant drilling complex for development of continental shelf and method of formation of ice-resistant drilling complex for development of continental shelf

Номер патента: RU2734326C1. Автор: Виктор Фёдорович Ленский,Максим Васильевич Ковалев,Виталий Викторович Носков. Владелец: Акционерное общество "Центральное конструкторское бюро "Коралл". Дата публикации: 2020-10-15.

Method of producing salt solution of dibasic acids and diamines

Номер патента: RU2488603C2. Автор: Жан-Франсуа ТЬЕРРИ,Себастьен ЛОМЕЛЬ,Вероник БОССЕННЕК. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2013-07-27.

Method of postmastectomy syndrome treatment in early postoperative period

Номер патента: RU2715616C1. Автор: Марина Юрьевна Герасименко,Александр Геннадьевич Куликов,Татьяна Николаевна Зайцева,Ольга Викторовна Ярустовская,Инна Сергеевна Евстигнеева,Константин Андреевич Тетерин,Сергей Федорович Козеев,Сергей Петрович Злобин,Оксана Михайловна Перфильева,Мария Георгиевна Лутошкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение дополнительного профессионального образования "Российская медицинская академия непрерывного профессионального образования" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ДПО РМАНПО Минздрава России). Дата публикации: 2020-03-02.

Method of complex repartition of materials, installation and fuel element for its realisation

Номер патента: RU2333425C2. Автор: Анатолий Анатольевич Дядик,Виктор Владимирович Даукш. Владелец: Виктор Владимирович Даукш. Дата публикации: 2008-09-10.

Method of determining temperature characteristics in liquid metal medium and device for carrying out said method

Номер патента: RU2736410C1. Автор: Петр Готлобович Фрик,Иван Александрович Беляев,Наталья Юрьевна Пятницкая,Евгений Валентинович Свиридов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2020-11-16.

Catalyst for production of hydrocarbon from synthesis gas, method for catalyst production, method of catalyst regeneration and method of hydrocarbon production from synthesis gas

Номер патента: RU2436627C2. Автор: Кенитиро ФУДЗИМОТО,Нориюки ЯМАНЕ. Владелец: Ниппон Стил Инджиниринг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2011-12-20.

Method of production of the liquid heat carrier used as the indirect source of heat at realization of the endothermal reactions and the method of realization of the reactions of reforming of the hydrocarbons

Номер патента: RU2283272C2. Автор: Эрманно Филиппи. Владелец: Аммониа Казале С.А.. Дата публикации: 2006-09-10.

Method of treatment of the discharge gases in the processes of desulphurization and the installation for the method realization (versions)

Номер патента: RU2279909C2. Автор: Джен Кай ЧЕН. Владелец: Флуор Корпорейшн. Дата публикации: 2006-07-20.

Method of pasturing cultivation and culturing of brine shrimp

Номер патента: RU2629669C1. Автор: Константин Александрович Корляков,Валерий Викторович Шапошников,Леонид Леонидович Лопатин,Игорь Леонидович Лопатин. Владелец: Игорь Леонидович Лопатин. Дата публикации: 2017-08-31.

Method for oxidative halogenation and method of producing halogenated c1 product

Номер патента: RU2409547C2. Автор: Саймон Г. ПОДКОЛЗИН,Эрик Э. СТЕНГЛЭНД,Альберт Э. Мл. ШВЕЙЗЕР,Марк Э. ДЖОУНС. Владелец: Дау Глобал Текнолоджиз Инк.. Дата публикации: 2011-01-20.

Method of manufacture of the laminated paper of the high density and with the high oxygen permeability and the paper of the high-density produced by this method

Номер патента: RU2299812C2. Автор: Кнут Магне ФУРУХЕЙМ. Владелец: Кнут Магне ФУРУХЕЙМ. Дата публикации: 2007-05-27.

Method of erecting a heat-insulated concrete wall with preliminary surface treatment on a 3d construction printer and device for implementing it

Номер патента: RU2744829C1. Автор: Константин Сергеевич Храмов,Дмитрий Леонидович Печерский,Владимир Валерьевич Заев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Хабаровск 3Д". Дата публикации: 2021-03-16.

Method of application of material in agricultural field

Номер патента: RU2550077C2. Автор: Патрик ЧИНКИВСКИЙ. Владелец: ДИР ЭНД КОМПАНИ. Дата публикации: 2015-05-10.

Method of determining the position of optical sensors in the device for control of the closed product profile (versions)

Номер патента: RU2629877C2. Автор: Денис Сергеевич Назаренко,Александр Григорьевич Бахрах. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Марви". Дата публикации: 2017-09-04.

Method of two-phase obtaining of liposomes and methods of their application in production of diagnostic reagents

Номер патента: RU2567746C2. Автор: Йожеф АНТАЛЬ,Зольтан ВАЙДА,Жужанна ТАКАТШИ,Беата НАДЬ. Владелец: ДИАГОН Кфт.. Дата публикации: 2015-11-10.

Zeolite-containing catalyst for coverting hydrocarbons, method of making said catalyst and method of converting hydrocarbon petroleum products using said catalyst

Номер патента: RU2372142C2. Автор: Джун ЛОНГ,Ксингтиан ШУ,Джиушун ЖАНГ,Жиджиан ДА,Хуипинг ТИАН,Жениу ЧЕН,Вейлин ЖАНГ,Юксия ЖУ,Юджиан ЛИУ. Владелец: Рисёч Институт Оф Пертролеум Проусессинг, Синопек. Дата публикации: 2009-11-10.

Method of detecting degenerative muscular diseases and method of determining therapeutic efficiency in case of diseases

Номер патента: RU2524641C2. Автор: Йосихиро УРАДЕ,Син`ити ТАКЕДА,Косуке АРИТАКЕ,Тосихико МАРУЯМА,Синия КАМАУТИ,Акинори НАКАМУРА. Владелец: Нэшнл Сентер Оф Ньюролоджи Энд Сайкайэтри. Дата публикации: 2014-07-27.

Method of determining electronic work function in vacuum (versions)

Номер патента: RU2346267C1. Автор: Роберт Рихардович Салем. Владелец: Инновационный технический центр Общество с ограниченной ответственностью "СИТИС". Дата публикации: 2009-02-10.

Method of choosing the method of conducting endocardial electrodes in the right heart sections with implantation of antiarrhythmic devices

Номер патента: RU2662417C1. Автор: Игорь Александрович Ковалев,Мария Александровна Школьникова,Леонид Сергеевич Коков,Игорь Алексеевич Хамнагадаев,Сергей Артурович Термосесов,Артем Анатольевич Евмененко,Азамат Маратович Баймуканов,Илья Леонидович Ильич,Игорь Иосифович Хамнагадаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский национальный исследовательский медицинский университет им. Н.И. Пирогова" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО РНИМУ им. Н.И. Пирогова Минздрава России). Дата публикации: 2018-07-25.

Door frame plat band, method for manufacturing door frame plat band, workpiece for implementing the method

Номер патента: RU2749947C1. Автор: Евгений Валерьевич Макаров. Владелец: Евгений Валерьевич Макаров. Дата публикации: 2021-06-21.

Method of constructing a curve of soil deformation

Номер патента: RU2728739C1. Автор: Вадим Григорьевич Офрихтер,Вадим Валерьевич Антипов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2020-07-30.

Method of commixing of fluid mediums

Номер патента: RU2247595C2. Автор: Харальд ЛИНГА,Инге Сверре Лунд НИЛЬСЕН,Финн Патрик НИЛЬСЕН,Руне ФАНТОФТ,Гейр Инге ЭЙДЕ. Владелец: Статойл Аса. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for modification of yeast schizosaccharomyces pombe by means of the cre-lox system of bacteriophage p1, transformant that is obtained in such a method and the method of microbiological synthesis of dairy acid

Номер патента: RU2652877C1. Автор: Сергей Павлович Синеокий,Лариса Николаевна Борщевская,Татьяна Леонидовна Гордеева,Анна Николаевна Калинина,Михаил Михайлович Вустин,Марина Александровна Великая,Маргарита Александровна Котова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ГосНИИгенетика). Дата публикации: 2018-05-03.

Method of the chemical reprocessing of the ash-and-slag materials with production of silicon dioxide and aluminum oxide

Номер патента: RU2302375C2. Автор: Владимир Владимирович Жабо,Карл Ефимович Зегер,Эльмира Мироновна Тимошенко,Владимир Владимирович Ильюшин,Михаил Александрович Грайвер. Владелец: Закрытое акционерное общество "ЭКОНЭФ". Дата публикации: 2007-07-10.

Rapid method of predicting fire-hazardous properties of anthraquinone and dyes based thereon using molecular descriptors and artificial neural networks

Номер патента: RU2692241C1. Автор: Денис Сергеевич Королев. Владелец: Денис Сергеевич Королев. Дата публикации: 2019-06-24.

Method of production of the raw material for manufacture of the glass

Номер патента: RU2302379C2. Автор: Пьер ЖАНВУАН,ВЕРЖ Арно ЛЕ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2007-07-10.

Method of the non-concentrated nitric acid production

Номер патента: RU2296706C1. Автор: Николай Викторович Юргенсон,Надежда Васильевна Горшкова,Максим Лейбович Ферд,Людмила Петровна Егорова,Людмила Петровна Грошева,Анатолий Петрович Лагуткин,Андрей Анатольевич Поморцев. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский и проектный институт азотной промышленности и продуктов органического синтеза" (ОАО "ГИАП"). Дата публикации: 2007-04-10.

Ferment lovastatin esterase, immobilised on hard carrier, method of ferment immobilisation, biocatalysed flow reactor and method of simvastatin treatment

Номер патента: RU2475538C2. Автор: Ришард ОСТАШЕВСКИЙ,Доминик КОШЕЛЕВСКИЙ,Вальдемар КУРЕК,Дорота ПАТРАЛЬСКАЯ. Владелец: Институт Хеми Органичней, Польская Академия Наук. Дата публикации: 2013-02-20.

Method of manufacture of the double-layer reinforced concrete products

Номер патента: RU2288843C1. Автор: Тол Амирович Хежев,Толя Амирович Хежев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2006-12-10.

Method of treatment of the liquid medium and the device for its realization

Номер патента: RU2305588C2. Автор: Эмануил Ихилович Бланк,Поль Эмануилович Бланк. Владелец: Поль Эмануилович Бланк. Дата публикации: 2007-09-10.

Method of metalation of bulky blanks in the reactor of the plant for volumetric metalation, the design of the reactor and the method of its manufacturing

Номер патента: RU2665860C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Павел Аркадьевич Киселёв,Михаил Владимирович Никитин. Владелец: Павел Аркадьевич Киселёв. Дата публикации: 2018-09-04.

Photopolymerised composition for single-stage obtaining of polymer nanoporous material with hydrophobic pore surface, nanoporous polymer material with selective sorbing properties, method of obtaining thereof, method of single-stage formation based thereon of water-separating filtering elements and method of purifying organic liquids from water

Номер патента: RU2525908C1. Автор: Татьяна Ивановна Куликова,Алексей Николаевич Конев,Сергей Николаевич Менсов,Сергей Артурович Чесноков,Глеб Арсентьевич Абакумов,Роман Сергеевич Ковылин,Максим Александрович Батенькин,Юрий Владимирович Чечет. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлорганической химии им. Г.А. Разуваева Российской академии наук (ИМХ РАН). Дата публикации: 2014-08-20.

Method of determination the suitability of the canned erythrocytic suspension for transfusion

Номер патента: RU2647457C1. Автор: Александр Михайлович Черныш,Елена Карловна Козлова,Виктор Васильевич Мороз,Виктория Александровна Сергунова,Ольга Евгеньевна Гудкова. Владелец: Федеральное Агентство Научных Организаций Федеральное Государственное Бюджетное Научное Учреждение "Федеральный Научно-Клинический Центр Реаниматологии И Реабилитологии" (Фнкц Рр). Дата публикации: 2018-03-15.

Method of the synthesis of ammonia from the nitrogen and hydrogen mixture produced from the natural gas

Номер патента: RU2284296C2. Автор: Вилльем ДЕЙВИ. Владелец: МГ Текнолоджиз АГ. Дата публикации: 2006-09-27.

Method of neck processing in upper double-sided clothing

Номер патента: RU2693294C1. Автор: Ольга Владимировна Панюшкина,Людмила Анатольевна Королева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Владивостокский государственный университет экономики и сервиса" (ВГУЭС). Дата публикации: 2019-07-02.

Method of obtaining continuous cell line and application of continuous cell line

Номер патента: RU2329060C2. Автор: Николаус ОСТЕРРИДЕР,Дэниел ШУМАХЕР. Владелец: Ломанн Энимал Хелт Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2008-07-20.

Method of obtaining mixture of carboxylic acid/diol suitable for use during manufacture of polyester

Номер патента: RU2330014C2. Автор: Роберт ЛИН. Владелец: Истман Кемикал Компани. Дата публикации: 2008-07-27.

Method of forming hydraulic curtain (embodiments), method of protecting fish from ingress into water intake (embodiments), method of antifouling protection (embodiments), fish-protection device, complex fish-protective device (embodiments), protective element

Номер патента: RU2697091C2. Автор: Сергей Николаевич Салиенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Осанна" (ООО "Осанна"). Дата публикации: 2019-08-12.

Method of positioning a surface/underwater object as it passes along a given fairway

Номер патента: RU2726388C1. Автор: Игорь Борисович Широков,Георгий Алексеевич Иванов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Генезис-Таврида". Дата публикации: 2020-07-13.

Phenolformaldehyde resins exsiccated by sputtering, the method of its production and application

Номер патента: RU2292357C2. Автор: Шун-Тунг ЧИУ,Кертис Майкл ШИЛАСТ,Эрик Кеннет ЛЭМ. Владелец: Хексион Спешелти Кемикалс, Инк.. Дата публикации: 2007-01-27.

Methods of production of the copolymers from nonsaturated monocarboxylic acid and the derivative of the monounsaturated carboxylic acid and the material produced by the given methods

Номер патента: RU2292363C2. Автор: Франц Карлхайнц БРАЙТВИЗЕР (умер),Петер ШТАЙН,Вернер ГАЙЕР,Томас БАРТЕЛЬ. Владелец: Рем ГмбХ энд Ко. КГ. Дата публикации: 2007-01-27.

Method of in-place diagnostics of ship's steering units technical condition changes as a result of the ice loads impact and device for its implementation

Номер патента: RU2655611C2. Автор: Александр Владимирович Углов,Ольга Петровна Куркова,Юлия Николаевна Углова,Ольга Николаевна Горовая,Геннадий Олегович Мокрый. Владелец: Открытое акционерное общество "Авангард". Дата публикации: 2018-05-29.

Method of controlling lines of production and packaging of logs of sanitary-hygienic paper and a line in which said method is used

Номер патента: RU2739081C2. Автор: Лука ПАГАНЕЛЛИ,Давиде ГИЗЕЛЛИ,Лука ФРАСНЕТТИ. Владелец: Фабио Перини С.П.А.. Дата публикации: 2020-12-21.

Method of marking locations along roads on map

Номер патента: RU2716363C1. Автор: Сяоцин ТАН. Владелец: Сяоцин ТАН. Дата публикации: 2020-03-11.

Method of monitoring and assessing knowledge

Номер патента: RU2695829C1. Автор: Евгений Геннадьевич МАТРОСОВ. Владелец: Евгений Геннадьевич МАТРОСОВ. Дата публикации: 2019-07-29.

Method of measuring shape and size of parts of human body, method of searching flat object of known shape and size on image, method of separating part of human body from background on image

Номер патента: RU2684436C1. Автор: Виктор Валерьевич Посметьев,Григорий Владимирович Чуйко,Андрей Анатольевич Ревков,Иван Сергеевич Щедрин,Егор Андреевич Ревков,Наталья Демьяновна Гришко,Дмитрий Михайлович Канин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Фиттин". Дата публикации: 2019-04-09.

Method of manufacture of the thermoinsulating cylindrical vacuum boards and the board manufactured by the method

Номер патента: RU2295445C2. Автор: ГРЕГОРИО Пьераттилио ДИ. Владелец: Саес Геттерс С.П.А.. Дата публикации: 2007-03-20.

Method of production of the powdery complex additive "linamix p-90-t" for the concretes and building mortars and the powdery complex additive "linamix p-90-t" for the concretes and building mortars

Номер патента: RU2292316C1. Автор: Александр Федорович Ковалев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Полипласт". Дата публикации: 2007-01-27.

Method of determining a working point of a hydraulic machine and an apparatus for realizing said method

Номер патента: RU2717468C2. Автор: Квентин АЛЛУЭН,Николя ПЕРРИССЕН-ФАБЕР,Рено ГИЙОМ. Владелец: ДжиИ Риньюэбл Текнолоджиз. Дата публикации: 2020-03-23.

Improved vinyl content modifier composition and methods of using said composition

Номер патента: RU2557060C2. Автор: Терренс Э. ХОГАН,Варуна КИРИДЕНА. Владелец: Бриджстоун Корпорейшн. Дата публикации: 2015-07-20.

Method of manufacturing stand for toothpicks, method of manufacturing holder for toothpicks, method of manufacturing of guide for toothpicks and method of manufacturing bearing surface for toothpicks

Номер патента: RU2465801C1. Автор: Александр Иванович Максимов. Владелец: Александр Иванович Максимов. Дата публикации: 2012-11-10.

Method of main pipeline route monitoring

Номер патента: RU2699940C1. Автор: Николай Николаевич Скуридин,Евгений Витальевич Овчинников,Виталий Александрович Кумаллагов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский институт трубопроводного транспорта" (ООО "НИИ Транснефть"). Дата публикации: 2019-09-11.

Heterogeneous mixture of polymers and method of increasing content of filling agent in paper or carton sheet with its application (versions)

Номер патента: RU2521590C2. Автор: Фрэнк Дж. САТМЕН,Джозеф М. МЭХОУНИ,Роберт Энтони ДЖИЛЛ,Дэниел Брюс ЭВАНС. Владелец: Спешалти Минерэлз (Мичиган) Инк.. Дата публикации: 2014-06-27.

Method of rehabilitation treatment of post-traumatic ankle joint contraction after fractures of shin bones

Номер патента: RU2647830C1. Автор: Юрий Иванович Романенко,Анатолий Федорович Беляев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тихоокеанский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-03-19.

Method of production of carbamide, the installation for the method realization (versions), method of the installation upgrade (versions)

Номер патента: RU2301798C2. Автор: Йозеф Хюберт Мессен. Владелец: ДСМ Ай Пи ЭССЕТС Б.В.. Дата публикации: 2007-06-27.

Method of extracting polymer from solution

Номер патента: RU2470036C2. Автор: Жан-Кристоф ЛЕПЕР,Дени ГЕТС,Жан-Рафаэль КАЙ. Владелец: Солвей (Сосьете Аноним). Дата публикации: 2012-12-20.

Method of viewing and target tracking (options) and radar location complex for its implementation (options)

Номер патента: RU2673877C2. Автор: Борис Григорьевич Беляев,Павел Васильевич Заболотный,Пётр Васильевич Стародымов. Владелец: Акционерное общество "Концерн воздушно-космической обороны "Алмаз-Антей". Дата публикации: 2018-12-03.

Method of production of ethanole

Номер патента: RU2277587C9. Автор: Виктор Михайлович Перелыгин,Светлана Юрьевна Никитина,Владимир Степанович Моисеенко,Алла Борисовна Дячкина,чкина Алла Борисовна Д. Владелец: Алла Борисовна Дячкина. Дата публикации: 2007-05-20.

Method of synthesizing of the oxidizing agent and its application

Номер патента: RU2276657C2. Автор: Лее Эдвард СИАМПИ,Грегори Ф. СМИС,Бёрни КНОБЛ. Владелец: Эй Би Инишио Л Си. Дата публикации: 2006-05-20.

Method of non-invasive remote temperature control of deeply located organs and tissues

Номер патента: RU2672379C1. Автор: Станислав Михайлович Иванов,Элкуно Аврумович Перельштейн,Сергей Маркович Полозов,Алексей Михайлович Фадеев. Владелец: Сергей Маркович Полозов. Дата публикации: 2018-11-14.

Method of application lacquer on security papers, particularly on security papers printed by intaglio method, for example, banknotes, and machine for application lacquer for performing method

Номер патента: RU2513682C2. Автор: Стефан БОЛОНИНИ. Владелец: КБА-НотаСис СА. Дата публикации: 2014-04-20.

Method of selecting yag-laser impact in syndrome of primary persistent vitreous humor in children

Номер патента: RU2666688C1. Автор: Наталия Николаевна Арестова,Наира Семеновна Егиян,Роман Владимирович Калиниченко,Людмила Анатольевна Катаргина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Московский научно-исследовательский институт глазных болезней имени Гельмгольца" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-09-11.

Method of production of melamine in the reactor

Номер патента: RU2275364C2. Автор: Фердинанд КОГЛГРУБЕР,Хартмут БУККА,Герхард КУФАЛ. Владелец: Агролинц Меламин Гмбх. Дата публикации: 2006-04-27.

Method of purging heat exchanger tubes with fluidic agent and device for its implementation

Номер патента: RU2358219C2. Автор: Георг КРЭМЕР,Конрад МАЙЕР-ХАЙНЕК. Владелец: Арева Нп Гмбх. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of ice cover destruction

Номер патента: RU2629569C1. Автор: Шамиль Бабугаджиевич Абдуллаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Method of evaluating print quality and complex of means for implementation thereof

Номер патента: RU2739525C1. Автор: Татьяна Владимировна Кашинская,Юрий Владимирович Степанов,Сергей Аркадьевич Кузин,Герман Сергеевич Плотницкий. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Лаборатория Электрографии". Дата публикации: 2020-12-25.

Plasmochemotronic method of the oxygen-containing steam-gas mixture production and the apparatus for the method realization

Номер патента: RU2285753C2. Автор: Евгений Дмитриевич Зыков,Тамара Николаевна Зыкова. Владелец: Тамара Николаевна Зыкова. Дата публикации: 2006-10-20.

Film, sheet of the laminated material and the methods of their manufacture

Номер патента: RU2319615C2. Автор: Кеннет Л. ЛИЛЛИ,Лэрри Хьюи МаКЭМИШ. Владелец: Клоупэй Плэстик Продактс Компани, Инк.. Дата публикации: 2008-03-20.

Method of manufacture of the molded laminated formed component and the press used in the method

Номер патента: RU2270756C2. Автор: ВИНТЕР Хюго ДЕ,Иван ВАНЛЮЧЕН. Владелец: Ректисель. Дата публикации: 2006-02-27.

Method of production of an elastomer

Номер патента: RU2263123C2. Автор: Герхард Йозеф БЛЕЙЗ,Эрик ХЮЙГЕНС. Владелец: Хантсмэн Интернэшнл Ллс. Дата публикации: 2005-10-27.

Method of low-temperature processing of organic solid municipal waste and installation for its implementation

Номер патента: RU2744225C1. Автор: Виктор Васильевич Оболонский,Владимир Семенович Севостьянов,Максим Владимирович Севостьянов,Дмитрий Николаевич Перелыгин,Сергей Николаевич Глаголев,Николай Тихонович Шеин,Роман Юрьевич Шамгулов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова. Дата публикации: 2021-03-03.

Combination of the movable tractor and the baler, a method of controlling the combination of the movable tractor and the baler and a machine-readable medium containing instructions for realizing the method

Номер патента: RU2738777C1. Автор: Йоахим БОЙДЕНС,Тома ДЕББО,Дидье ВЕРХАГЕ,Вутер БООН,Фрэнсис ДЕ КЕСЕЛЬ,Дрис ЛИФОГ,Йохан О ВАНПУККЕ,Ерун ВЕРМАНДЕР,Нил ВАНХЕККЕ. Владелец: СиЭнЭйч ИНДАСТРИАЛ БЕЛДЖИУМ НВ. Дата публикации: 2020-12-16.

Ethers of aldonic acid, method of obtaining them and method of obtaining pharmaceutical biologically active materials connected to their free amino groups with polysaccharides or derivatives of polysaccharides

Номер патента: RU2330046C2. Автор: Клаус ЗОММЕРМЕЙЕР. Владелец: Супрамол Парентерал Коллоидс Гмбх. Дата публикации: 2008-07-27.

Method of obtaining diphenylcarbonate

Номер патента: RU2528048C2. Автор: Дз. Йонг РИУ. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2014-09-10.

Method of production of particles

Номер патента: RU2288030C2. Автор: Мазин НИКОЛЯ. Владелец: Глаксо Груп Лимитед. Дата публикации: 2006-11-27.

Method of monitoring state of diaphragm from boron-cutting alumina-cement concrete piles in earth dam by electrical tomography

Номер патента: RU2678535C1. Автор: Павел Владимирович Кондратенко,Станислав Викторович Сольский,Роман Николаевич Орищук. Владелец: Акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский институт гидротехники имени Б.Е. Веденеева". Дата публикации: 2019-01-29.

Methods of treating, diagnosing and monitoring of rheumatoid arthritis

Номер патента: RU2539112C2. Автор: Мл. Глинн ДЕННИС,Флавиус Мартин,Майкл Дж. ТАУНСЕНД. Владелец: Дженентек, Инк.. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of selection of individual means of hygiene oral cavity

Номер патента: RU2677272C1. Автор: Вячеслав Васильевич Маслов,Максим Вячеславович Маслов,Татьяна Вячеславовна Маслова,Ирина Николаевна Антонова,Татьяна Борисовна Ткаченко,Яна Романовна Кардашенко,Клара Александровна Кутергина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Первый Санкт-Петербургский государственный медицинский университет имени академика И.П. Павлова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2019-01-16.

Method of formation of the gas-dripping spray and the device for its realization

Номер патента: RU2292959C1. Автор: Игорь Александрович Лепешинский. Владелец: Игорь Александрович Лепешинский. Дата публикации: 2007-02-10.

Versions of carbon fibre package and versions of methods of winding said package

Номер патента: RU2409511C2. Автор: Такаюки КИРИЯМА,Норихито МАКИ. Владелец: Мицубиси Рэйон Ко., Лтд.. Дата публикации: 2011-01-20.

The method of extraction and the method of realization of the reaction with usage of the supercritical fluids

Номер патента: RU2271850C2. Автор: Стивен Т. ХОРХОТА,Саид САИМ. Владелец: Берингер Ингельхайм Фармасьютиклз, Инк.. Дата публикации: 2006-03-20.

Method of non-destructive testing of surface metal layer roughness

Номер патента: RU2619798C1. Автор: Павел Владимирович Сорокин,Алексей Иванович Солдатов,Андрей Алексеевич Солдатов,Мария Алексеевна Костина,Александр Григорьевич Мельников. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2017-05-18.

Method of production of polycrystalline silicon

Номер патента: RU2278075C2. Автор: Александр В чеславович Елютин,Александр Вячеславович Елютин,Леонард Степанович Иванов,Владимир Григорьевич Левин,Денис Владимирович Назаркин,В чеслав Александрович Харченко,Вячеслав Александрович Харченко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет". Дата публикации: 2006-06-20.

Catalyst for catalytic cracking and method of increasing catalyst selectivity (versions)

Номер патента: RU2548362C2. Автор: Шоуе КУИ,Джианхонг ГОНГ,Джун ЛОНГ,Юхао КСУ,Джинлиан ТАНГ,Йибин ЛУО,Джиушун ЖАНГ,Жиджиан ДА,Юксиа ЖУ. Владелец: Ресерч Инститьют Оф Петролеум Процессинг, Синопек. Дата публикации: 2015-04-20.

Method of rendering emergency cardiac care

Номер патента: RU2644303C1. Автор: Олег Николаевич Бодин,Анатолий Геннадьевич Убиенных,Касымбек Адильбекович Ожикенов,Фагим Касымович Рахматуллов,Виталий Германович Полосин,Максим Игоревич Сафронов,Антон Сергеевич Сергеенков,Дмитрий Алексеевич Аржаев,Артур Фагимович Рахматуллов,Андрей Юрьевич Бодин,Руслан Фагимович Рахматуллов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью (ООО) "Кардиовид". Дата публикации: 2018-02-08.

Method of structural description of recombinant polyclonal protein or polyclonal cell line

Номер патента: RU2426795C2. Автор: Лоне Кер РАСМУССЕН,Серен Кофод Расмуссен,Торбен ФРАНСЕН,Петер Сайер АНДЕРСЕН. Владелец: Симфоген А/С. Дата публикации: 2011-08-20.

METHOD OF SULFIDIZING OF UO2 POWDER AND THE METHOD OF TABLETTING OF THE NUCLEAR FUEL BASED ON UO2 OR THE MIXTURES OF (U, Pu)O2 OXIDES WITH ADDITION OF BRIMSTONE

Номер патента: RU2286611C2. Автор: Сильви ДЮБУА,Лоран КАРАНОНИ. Владелец: Компани Женераль де Матьер Нюклеэр. Дата публикации: 2006-10-27.

Nanoporous ultra-fine powders and the sol-gel from alpha aluminum oxide, the method of their preparation

Номер патента: RU2302374C2. Автор: Юху ВАНГ. Владелец: Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк.. Дата публикации: 2007-07-10.

Method of reconstructing a lts plant in order to avoid the formation of flare gases (versions)

Номер патента: RU2714486C1. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2020-02-18.

Plants with modified growth and/or development and method of creating thereof

Номер патента: RU2522480C2. Автор: Ксинг Ванг ДЕНГ,Янфен ЛИУ. Владелец: Нэшнл Инститьют Фо Байолоджикэл Сайенсес. Дата публикации: 2014-07-20.

Method of production of the raw mixture for manufacture of the finishing and ornamental construction products (versions)

Номер патента: RU2276117C2. Автор: Владимир Антонович Войтович,Геннадий Васильевич Спирин,Артем Андреевич Спирин. Владелец: Артем Андреевич Спирин. Дата публикации: 2006-05-10.

Method of oxidising alkane, method of obtaining alkyl-carboxylate and alkenyl-carboxylate with isolation of alkenes by absorption method, method of obtaining vinyl-acetate with isolation of ethylene by absorption method

Номер патента: RU2330004C2. Автор: Эндрью Ричард ЛУСИ. Владелец: Бп Кемикэлз Лимитед. Дата публикации: 2008-07-27.

Superficially treated titanium material with the high resistance to the oxidization, the method of its production and the combustion motor exhaust system made out of this material

Номер патента: RU2308540C2. Автор: Кендзи ЯМАМОТО,Такаси ЯСИКИ,Ейитиро ЙОСИКАВА. Владелец: Кабусики Кайся Кобе Сейко Се. Дата публикации: 2007-10-20.

Method of manufacture of mineral fiber

Номер патента: RU2747186C2. Автор: Себастьен БРОНЬЕ,Гийом ГЕРИ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ИЗОВЕР. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of catheterization and method of endovascular occlusion of bronchial and intercostal arteries

Номер патента: RU2661097C1. Автор: Валерий Борисович Хватов,Евгений Александрович Тарабрин,Леонид Сергеевич Коков,Юрий Донович Волынский,Александр Григорьевич Чучалин. Владелец: Государственное бюджетное учреждение здравоохранения города Москвы Научно-исследовательский институт скорой помощи имени Н.В. Склифосовского Департамента здравоохранения г. Москвы. Дата публикации: 2018-07-11.

Method of complex processing of residue of atmospheric distillation of gas condensate and installation for its implementation

Номер патента: RU2672254C1. Автор: Саламбек Наибович Хаджиев,Малкан Хусаиновна Кадиева,Хусаин Магамедович Кадиев,Никита Александрович Кубрин,Ольга Николаевна Каратун,Андрей Викторович Мельниченко,Ольга Юрьевна Павлюковская,Олег Владимирович Татаянц. Владелец: Публичное акционерное общество "Газпром". Дата публикации: 2018-11-13.

Integrated method of producing jatropha methyl ester and byproducts

Номер патента: RU2528387C2. Автор: Пушпито Кумар ГХОШ,Сандхиа Чандрика Прасад МИШРА,Махеш Рамниклал ГАНДХИ,Сумеш Чандра УПАДХИАИ,Паримал ПАУЛ,Притпал Сингх АНАНД,Кириткумар Мангалдас ПОПАТ,Анупама Виджайкумар ШРИВАСТАВ,Санджив Кумар МИШРА,Неелам ОНДХИЯ,Рамеш Дудабхай МАРУ,Гангадхаран ДИАЛ,Харшад БРАХМБХАТТ,Винод БОРИЧА,Доонгар Рам ЧАУНДХАРИ,Крушнадевсингх Сукхдевсинх ЗАЛА,Бабулал РЕБАРИ. Владелец: Каунсил Оф Сайентифик Энд Индастриал Рисерч. Дата публикации: 2014-09-20.

Method of encapsulating submicron particles with polymer and device for implementation thereof

Номер патента: RU2767910C1. Автор: Максим Петрович Данилаев,Владимир Александрович Куклин,Анна Игоревна Энская,Сергей Алексеевич Карандашов,Сергей Анатольевич Михайлов,Михаил Александрович Клабуков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева - КАИ". Дата публикации: 2022-03-22.

Solid carrier covered with the layer on the basis of chitosan and the method of its manufacture

Номер патента: RU2293751C2. Автор: Ален ДОМАР,Северин ДЕСПОН,Ноэль КАРТЬЕ,Элиан ЭСПЮШ. Владелец: Альстром Резеч Энд Сервисез. Дата публикации: 2007-02-20.

Method of production of the wash distillate

Номер патента: RU2312147C2. Автор: Александр Борисович Зельдман. Владелец: Александр Борисович Зельдман. Дата публикации: 2007-12-10.

Design of form to make stairs and stair platforms, method to manufacture such form and method of its usage

Номер патента: RU2525407C2. Автор: Пьеро КРЕТТИ. Владелец: Пластедиль С.А.. Дата публикации: 2014-08-10.

Method of preparing injection form of chondroitin sulfate

Номер патента: RU2677330C2. Автор: Ольга Сергеевна Шелудченко. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Фармфирма "Сотекс". Дата публикации: 2019-01-16.

Method of express diagnostics of sheep and goats

Номер патента: RU2648845C2. Автор: Андрей Георгиевич Кощаев,Юрий Андреевич Лысенко,Алексей Владимирович Мищенко,Олег Юрьевич Черных,Георгий Анастасович Джаилиди,Василий Александрович Баннов,Роман Анатольевич Кривонос,Александр Анатолиевич Лысенко,Владимир Николаевич Шевкопляс,Альберт Николаевич Чернов,Светлана Георгиевна Дресвянникова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2018-03-28.

Composition for the tread of the pneumatic tire and the method of its production

Номер патента: RU2302435C2. Автор: Фанни БАРБОТЕН,Филипп ЛОБРИ,Пьер РОБЕР,Жан-Мишель Фавро. Владелец: МИШЛЕН РЕШЕРШ Э ТЕКНИК С.А.. Дата публикации: 2007-07-10.

Method of monolithic building, 3d printing method and device therefor

Номер патента: RU2683447C1. Автор: Христофор Авдеевич Джантимиров,Андрей Иванович Звездов,Петр Христофорович Джантимиров. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский центр "Строительство", АО "НИЦ "Строительство". Дата публикации: 2019-03-28.

Increase in surface quality

Номер патента: US11822310B2. Автор: Ludger Hummeler,Christopher Schmitt. Владелец: EOS GmbH. Дата публикации: 2023-11-21.

Failure prediction in surface treatment processes using artificial intelligence

Номер патента: US20240012400A1. Автор: Martin Sehr,Eugen Solowjow,Shashank Tamaskar,Juan L. Aparicio Ojea,Wei Xi XIA,Ines UGALDE DIAZ. Владелец: Siemens Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of selective treatment of productive formation, device for its implementation and hydraulic fracturing unit

Номер патента: RU2736078C1. Автор: Салават Анатольевич Кузяев. Владелец: Салават Анатольевич Кузяев. Дата публикации: 2020-11-12.

Method of vanadium extraction and recovery

Номер патента: RU2561554C2. Автор: Дамиан Эдвард Джерард КОННЕЛЛИ,Дэнис Стивен ЯН,Сай Вей ЛАМ. Владелец: ТиЭнДжи Лимитед. Дата публикации: 2015-08-27.

Method of purifying baddeleyite concentrate

Номер патента: RU2356839C2. Автор: Эфроим Пинхусович Локшин,Валерий Николаевич Лебедев,Игорь Семенович Бармин,Лидия Николаевна Ахметшина,Дмитрий Викторович Забальский. Владелец: Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук. Дата публикации: 2009-05-27.

Isolation method of water influxes to well (variants)

Номер патента: RU2667241C1. Автор: Александр Сергеевич Жиркеев,Альфия Камилевна Сахапова,Дильбархон Келамединовна Хасанова,Елена Юрьевна Вашетина. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2018-09-18.

Method of continuous butt-welding with plasma and laser, and method of producing pipes by proposed welding method

Номер патента: RU2356713C2. Автор: Санг-Хун ЛИ,Йонг-Хи ВОН,Тае-Сеонг КИМ,Тае-Джунг ЛИ,Юнг-Хун БЫУН,Сук-Джо НА,Сук-Хван ЙУН,Джае-Рыун ХВАНГ. Владелец: Корея Адванст Инститъют оф Сайенс энд Текнолоджи. Дата публикации: 2009-05-27.

Method of production of ammonia-lime fertilizer

Номер патента: RU2265001C1. Автор: О.А. Широбоков,С.С. Костюченко,А.Н. Авраменко,С.М. Кононов,В.Н. Громотков,В.Ф. Перепечко,Е.Н. Контарева,В.А. Царевский,И.А. Мицак,В.Г. Зоров,В.М. Овчинников. Владелец: Закрытое акционерное общество "Минерально-химическая компания "ЕвроХим" (ЗАО "МХК "ЕвроХим"). Дата публикации: 2005-11-27.

Catalyst for fischer-tropsch synthesis and method of its production

Номер патента: RU2639155C1. Автор: Александр Петрович Савостьянов,Роман Евгеньевич Яковенко,Григорий Борисович Нарочный,Алексей Николаевич Салиев,Вера Григорьевна Бакун,Сергей Иванович Сулима. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова". Дата публикации: 2017-12-20.

Method of converting bisulphide to elemental sulfur

Номер патента: RU2769804C2. Автор: Йоханнес Бернардус Мария КЛОК,Аннемик ТЕР ХЕЙНЕ,Фредерикус ДЕ РИНК,Сес Ян Нико БЕЙСМАН. Владелец: Пакелл Б.В.. Дата публикации: 2022-04-06.

Method of neural-like dynamic electric stimulation and device for implementation thereof

Номер патента: RU2722812C1. Автор: Сергей Юрьевич Рявкин. Владелец: Сергей Юрьевич Рявкин. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of producing 2,3,3,3-tetrafluoropropylene

Номер патента: RU2535214C2. Автор: Джон Уильям СМИТ,Клэр МакГИНЕСС,Эндрю Пол ШЭРРАТ,Эндрю Марк ТЕЙЛОР. Владелец: Мексичем Аманко Холдинг С.А. Де С.В.. Дата публикации: 2014-12-10.

METHOD OF α-CHLORACETOPHENONE SYNTHESIS (VERSIONS)

Номер патента: RU2644778C1. Автор: Александр Васильевич Кучин,Ирина Юрьевна Чукичева,Ирина Валериановна Логинова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Коми научного центра Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2018-02-14.

Blade spar of aerodynamic model of propeller and method of its manufacture

Номер патента: RU2652545C1. Автор: Владимир Алексеевич Козлов,Юрий Юрьевич Евдокимов,Сергей Владимирович Ходунов,Александр Викторович Усов,Антон Анатольевич Горский,Иван Владимирович Трифонов,Сергей Юрьевич Козырев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный аэрогидродинамический институт имени профессора Н.Е. Жуковского" (ФГУП "ЦАГИ"). Дата публикации: 2018-04-26.

Method of surface marking with controlled periodic structures

Номер патента: RU2696804C1. Автор: Вадим Павлович Вейко,Михаил Константинович Москвин,Галина Викторовна Одинцова,Валерий Витальевич Романов,Надежда Николаевна Щедрина. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2019-08-06.

Method of refinement of deep kimberlite quarries

Номер патента: RU2661769C1. Автор: Артур Дмитриевич Андросов,Артур Артурович Андросов,Григорий Владимирович Шубин,Любовь Владимировна Петрова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Восточный федеральный университет имени М.К.Аммосова". Дата публикации: 2018-07-20.

Method of non-invasive blood irradiation and device for its implementation (versions)

Номер патента: RU2738013C1. Автор: Вячеслав Иванович Анисимов,Сергей Евгеньевич Каторкин,Николай Александрович Лысов. Владелец: Частное учреждение образовательная организация высшего образования "Медицинский университет "Реавиз". Дата публикации: 2020-12-07.

Method of manufacturing of the disc stampings from the pressed blanks of high-liquid heat-resistant nickel alloys

Номер патента: RU2653386C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Михаил Михайлович Бакрадзе,Николай Валентинович Моисеев,Борис Самуилович Ломберг,Сергей Борисович Трусов,Владимир Владимирович Строков,Михаил Николаевич Летников,Андрей Вячеславович Андреенков,Кирилл Геннадьевич Лысов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2018-05-08.

Method of estimating the combustible properties of substances

Номер патента: RU2657831C1. Автор: Маргарита Александровна Косарева,Наталья Юрьевна Добрынина,Елена Викторовна Гайнуллина,Мария Леонидовна Кондратьева,Татьяна Валерьевна Якубова,Александр Викторович Кокшаров,Светлана Николаевна Пазникова,Ирина Михайловна Фоминых. Владелец: Ирина Михайловна Фоминых. Дата публикации: 2018-06-15.

Method of reducing the vertical temperature gradient in the construction of protected ground

Номер патента: RU2689063C1. Автор: Денис Геннадьевич Дроздов,Геннадий Александрович Манатейкин. Владелец: Денис Геннадьевич Дроздов. Дата публикации: 2019-05-27.

Method of measuring in situ the spectrum of extinction of a transparent sample in a photochemical process

Номер патента: RU2726271C1. Автор: Никита Михайлович Битюрин,Антон Андреевич Смирнов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2020-07-10.

Method of foarming the skill of constructing symmetrical images in connection with the training of the eye and the device for its implementation

Номер патента: RU2749251C1. Автор: Сергей Аркадьевич Новоселов,Лариса Ивановна Львова,Лидия Сергеевна Попова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный педагогический университет" (УрГПУ). Дата публикации: 2021-06-07.

Method of production of carbonic acid ester

Номер патента: RU2280023C2. Автор: Нобухиса МИЯКЕ,Хадзиме НАГАХАРА. Владелец: Асахи Касеи Кемикалз Корпорейшн. Дата публикации: 2006-07-20.

Method of alkoxylation of the organic compounds in the presence of the new framework materials

Номер патента: RU2308465C2. Автор: Ульрих МЮЛЛЕР,Михаель ШТЕССЕР,Раймунд РУППЕЛЬ,Ева БАУМ,Эдвард БОРЕС,Маркус ЗИГИ,Лайза ЛОБРИ,Омар М. ЯГИ,Мохамед ЕДДАУДИ. Владелец: Дзе Риджентс Оф Дзе Юниверсити Оф Мичиган. Дата публикации: 2007-10-20.

Method of producing urea and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2446152C2. Автор: Федерико ЗАРДИ,Паоло БРУНЕНГО,Паоло СТИККИ,Федерико ЗАРДИ (CH),Паоло БРУНЕНГО (CH),Паоло СТИККИ (CH). Владелец: Уреа Касале С.А.. Дата публикации: 2012-03-27.

Ultrafine gallium nitride powder preparation method

Номер патента: RU2319667C1. Автор: Александр Александрович Громов,Александр Андреевич Дитц,Юли Игоревна Строкова,Юлия Игоревна Строкова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет. Дата публикации: 2008-03-20.

METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120000528A1. Автор: Smith David,Dennis Tim,Harrington Scott,Manning Jane,Waldhauer Ann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of high-viscosity oil and bitumen deposits development

Номер патента: RU2597303C1. Автор: Олег Вячеславович Салимов,Радик Зяузятович Зиятдинов,Марат Инкилапович Амерханов. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2016-09-10.

METHOD OF FABRICATING A GALLIUM NITRIDE MERGED P-I-N SCHOTTKY (MPS) DIODE BY REGROWTH AND ETCH BACK

Номер патента: US20140048902A1. Автор: NIE Hui,Kizilyalli Isik C.,Bour David P.,Raj Madhan M.,Alvarez Brian,Edward Andrew P.. Владелец: AVOGY , INC.. Дата публикации: 2014-02-20.

Surface processing method of p type gallium nitride

Номер патента: CN101335204B. Автор: 张国义,胡晓东,王彦杰,胡成余. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-06-09.

Method of forming barrier layer between low k material layer and interconnect

Номер патента: TW548794B. Автор: Shyh-Dar Lee,Chen-Chiu Hsue. Владелец: Silicon Integrated Sys Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured by using the method, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and organic light-emitting display apparatus manufactured by using the method

Номер патента: US20120313114A1. Автор: LEE Dong-Hyun,PARK Jong-Ryuk,SEO Jin-Wook,PARK Byoung-Keon,LEE Ki-Yong. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-12-13.

Method of Manufacturing Thin Film Transistor, Thin Film Transistor Manufactured Using the Method, Method of Manufacturing Organic Light-Emitting Display Apparatus, and Organic Light-Emitting Display Apparatus Manufactured Using the Method

Номер патента: US20120326157A1. Автор: PARK Jong-Ryuk,SEO Jin-Wook,Lee Tak-Young,PARK Byoung-Keon,LEE Ki-Yong. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-12-27.

Method of determination of ultrasound damping factor in material layer

Номер патента: SU1012123A1. Автор: Игорь Алексеевич Муляр. Владелец: Донской Ордена Трудового Красного Знамени Сельскохозяйственный Институт. Дата публикации: 1983-04-15.

METHOD OF INCREASING THE GAS PERMEABILITY OF IRELORADO MATERIAL LAYER

Номер патента: SU429094A1. Автор: . Владелец: В. П. Якубовский, В. И. Лысенко , В. А. Шурхал Институт газа Украинской ССР. Дата публикации: 1974-05-25.

METHOD OF LITHOGRAPHY PROCESS WITH AN UNDER ISOLATION MATERIAL LAYER

Номер патента: US20130323898A1. Автор: Liu Chia-Chu,Chen Kuei-Shun,Wang Chung-Ming,Liu Yu Lun,Chang Ya Hui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-05.

Preparation method of mesoporous graphite-phase carbon nitride material

Номер патента: CN104692344A. Автор: 徐建华,颜松,周家明,王善斌,杭祖圣,寇波,谈玲华. Владелец: Nanjing Institute Of Technology. Дата публикации: 2015-06-10.

Synthetic method of hydrophilic graphite phase carbon nitride material

Номер патента: CN109850858B. Автор: 王继刚,邹婧叶. Владелец: ZHANGJIAGANG DONGDA INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2020-08-11.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

REINFORCEMENT FOR ASPHALTIC PAVING, METHOD OF PAVING, AND PROCESS FOR MAKING A GRID WITH THE COATING FOR ASPHALTIC PAVING

Номер патента: US20120003889A1. Автор: Lee Sugjoon,NEWTON Mark J.,Fague Gary R.,Woolstencroft Jon,Goupil Richard,Hook Kerry. Владелец: SAINT-GOBAIN TECHNICAL FABRICS AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of obtaining gallium nitride

Номер патента: RU2516404C2. Автор: Александр Петрович Амосов,Юрий Михайлович Марков,Георгий Владимирович Бичуров,Людмила Александровна Шиганова,Дамир Ленарович Тазиев,Юлия Владимировна Титова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный технический университет". Дата публикации: 2014-05-20.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

UZM-35 ZEOLITIC COMPOSITION, METHOD OF PREPARATION AND PROCESSES

Номер патента: US20120003147A1. Автор: . Владелец: UOP LLC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE WAFER

Номер патента: US20120003824A1. Автор: Lee Ho-jun,KIM Yong-Jin,Lee Dong-Kun,Kim Doo-Soo,Lee Kye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

UZM-7 ALUMINOSILICATE ZEOLITE, METHOD OF PREPARATION AND PROCESSES USING UZM-7

Номер патента: US20120004484A1. Автор: . Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

UZM-45 ALUMINOSILICATE ZEOLITE, METHOD OF PREPARATION AND PROCESSES USING UZM-45

Номер патента: US20120004486A1. Автор: . Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing large-size gallium antimonide monocrystals

Номер патента: RU2528995C1. Автор: Михаил Валерьевич Меженный,Вадим Сергеевич Ежлов,Алла Георгиевна Мильвидская,Елена Владимировна Молодцова. Владелец: Открытое акционерное общество " Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности ОАО " Гиредмет". Дата публикации: 2014-09-20.

Method of impacting bioactive points during reflexotherapy of renal dysfunction and implementation device

Номер патента: RU2325145C1. Автор: Евгений Михайлович Рукин. Владелец: Евгений Михайлович Рукин. Дата публикации: 2008-05-27.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

HONEYCOMB STRUCTURE BODY AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003420A1. Автор: Betsushiyo Takahiro,Aoki Hiromasa,Sakamoto Kazuhisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20120003587A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE PRESSURE VESSEL AND METHOD OF ASSEMBLING THE SAME

Номер патента: US20120000916A1. Автор: Kleber Richard M.,Kia Hamid G.,Wang Chen-Shih,Carsley John E.,Berger Elisabeth J.,SUN Ce,Schultheis Valentin,Fell Stephan. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STRETCHING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, ULTRASONIC TRANSDUCER, ULTRASONIC WAVE PROBE AND ULTRASONIC WAVE MEDICAL IMAGE DIAGNOSIS DEVICE

Номер патента: US20120004555A1. Автор: . Владелец: Konica Minolta Medical & Graphic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DESCALING METALLIC DEVICES

Номер патента: US20120000791A1. Автор: . Владелец: ABBOTT LABORATORIES. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING A DRESSING

Номер патента: US20120001366A1. Автор: . Владелец: BOEHRINGER TECHNOLOGIES, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF AND ARRANGEMENT FOR LINKING IMAGE COORDINATES TO COORDINATES OF REFERENCE MODEL

Номер патента: US20120002840A1. Автор: van Dam Peter Michael,Linnenbank Andreas Christianus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NEW METHODS OF TREATING DRY EYE SYNDROME

Номер патента: US20120003296A1. Автор: Shantha Totada R.,Shantha Erica Maya,Shantha Jessica Gowramma. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of growing single crystals of lanthanum-gallium silicate

Номер патента: RU2126064C1. Автор: О.А. Бузанов,В.В. Аленков,А.Б. Гриценко. Владелец: Рафида Девелопментс Инкорпорейтед. Дата публикации: 1999-02-10.

Arrangement of track superstructure on bridges with trip on ballast and method of its erection

Номер патента: RU2492291C1. Автор: Алексей Сергеевич Васильков,Сергей Николаевич Корнев,Антон Андреевич Дорошкевич,Эдуард Максович Гитман,Александр Васильевич Батурин,Валерий Владимирович Кондратов,Андрей Витальевич Бобриков. Владелец: Открытое акционерное общество по проектированию строительства мостов "Институт Гипростроймост". Дата публикации: 2013-09-10.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making semiconductor light-emitting elements

Номер патента: RU2479892C2. Автор: Юрий Николаевич Макаров,Сергей Юрьевич Курин,Хелава Хейкки,Татьяна Юрьевна Чемекова,Андрей Алексеевич Антипов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Галлий-Н". Дата публикации: 2013-04-20.

DETONATOR CARTRIDGE AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120000387A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL SYSTEM AND METHOD OF USE FOR CONTROLLING CONCENTRATIONS OF ELECTROLYZED WATER IN CIP APPLICATIONS

Номер патента: US20120000488A1. Автор: Herdt Brandon,Ryther Robert. Владелец: ECOLAB USA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-destructive method of stress measurement in object surface layer and stress gauge

Номер патента: RU2534565C1. Автор: Геннадий Алексеевич Копылов,Наталья Григорьевна Фёдорова. Владелец: Наталья Григорьевна Фёдорова. Дата публикации: 2014-11-27.

Heat-resistant foamed polymer composite material, method of producing base therefor and method of producing material

Номер патента: RU2545287C1. Автор: Сергей Константинович Есаулов. Владелец: Сергей Константинович Есаулов. Дата публикации: 2015-03-27.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Improving Print Performance in Flexographic Printing Plates

Номер патента: US20120003588A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of protective sleeves installation in horizontal hole under water or other barriers

Номер патента: RU2561399C1. Автор: Игорь Григорьевич Ткаченко,Борис Геннадьевич Шумский,Вадим Георгиевич Гераськин,Сергей Николаевич Шабров,Пётр Николаевич Шабров,Сергей Петрович Сусликов,Андрей Анатольевич Кучеренко. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Газпром Трансгаз Краснодар". Дата публикации: 2015-08-27.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming magnetoresistive memory element based on tunnel junction and structure thereof

Номер патента: RU2522714C2. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Сергей Александрович Гусев,Александр Юрьевич Климов,Андрей Александрович Фраерман,Владимир Всеволодович Рогов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2014-07-20.

Plain bearing bushing and method of its production

Номер патента: RU2347963C2. Автор: Сергей Михайлович Романов,Дмитрий Сергеевич Романов. Владелец: Дмитрий Сергеевич Романов. Дата публикации: 2009-02-27.

Method of field effect transistor production with schottky barrier

Номер патента: RU2349987C1. Автор: Вадим Леонидович Романов,Максим Викторович Драгуть. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2009-03-20.

Method of complex processing of bauxites

Номер патента: RU2257347C1. Автор: Геннадий Павлович Поднебесный,Лариса Николаевна Сынкова,Ольга Ивановна Михайлова,Галина Алексеевна Амбарникова,Алмаз Турдуметович Ибрагимов. Владелец: Акционерное общество "Алюминий Казахстана". Дата публикации: 2005-07-27.

Method of growing crystals of group iii metal nitrides

Номер патента: RU2405867C2. Автор: Юрий Николаевич Макаров,Сергей Александрович Смирнов,Александр Соломонович Сегаль. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Галлий-Н". Дата публикации: 2010-12-10.

Method of induction surfacing

Номер патента: RU2496620C1. Автор: Николай Викторович Мендрух,Елена Николаевна Мендрух,Наталья Сергеевна Терзиева. Владелец: Наталья Сергеевна Терзиева. Дата публикации: 2013-10-27.

Method of obtaining big-volume monocrystals of gallium antimonide with low dislocation density

Номер патента: RU2534106C1. Автор: Вадим Сергеевич Ежлов,Алла Георгиевна Мильвидская,Елена Владимировна Молодцова. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности ОАО "Гиредмет". Дата публикации: 2014-11-27.

Method for desorption of gallium

Номер патента: RU2091161C1. Автор: Юрий Александрович Фомичев,Ольга Павловна Полякова,Александр Юрьевич Скворцов. Владелец: Николаевский глиноземный завод. Дата публикации: 1997-09-27.

Method of metallic gallium refining

Номер патента: RU2034069C1. Автор: Галина Павловна Бондаренко. Владелец: Галина Павловна Бондаренко. Дата публикации: 1995-04-30.

METHOD OF STERILIZING AN ORTHOPAEDIC IMPLANT

Номер патента: US20120000058A1. Автор: Vogel David,LAMBERT Richard,MCLEAN Terry. Владелец: Smith & Nephew, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF CONTINUOUSLY PRODUCING ELECTRONIC FILM COMPONENTS

Номер патента: US20120000065A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Making a Combustion Turbine Component Having a Plurality of Surface Cooling Features and Associated Components

Номер патента: US20120000072A9. Автор: James Allister W.,Morrison Jay A.,Merrill Gary B.,Fraser Iain A.,Paulus John R.,Lane Jay E.,Appleby Mike P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPRESSION SPRINGS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120000073A1. Автор: . Владелец: Renton Coil Spring Company. Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

WALL FORMED IN SOIL, THE WALL INCLUDING A HOLLOW PREFABRICATED ELEMENT, AND A METHOD OF MAKING SUCH A WALL

Номер патента: US20120000148A1. Автор: MATHIEU Fabrice,BOREL Serge,HAMELIN Jean Pierre,CANO Joël. Владелец: SOLETANCHE FREYSSINET. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MONITORING SOOT MASS IN A PARTICULATE FILTER AND MONITORING SYSTEM FOR SAME

Номер патента: US20120000184A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ICE MAKER OF REFRIGERATOR AND POWER SAVING METHOD OF ICE MAKER

Номер патента: US20120000216A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ABSORPTION HEAT PUMP SYSTEM AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120000221A1. Автор: Wang Kai,Abdelaziz Omar,Vineyard Edward Allan,ZALTASH Abdolreza. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Refining The Grain Structure Of Alloys

Номер патента: US20120000317A1. Автор: Flemings Merton C.,Ragone David V.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-Layer Compressible Foam Sheet and Method of Making the Same

Номер патента: US20120000384A1. Автор: Vest Ryan W.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Metal pallet and method of making same

Номер патента: US20120000401A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Colouring Tin And Tin-Containing Articles

Номер патента: US20120000412A1. Автор: Woods Trish. Владелец: University of Plymouth. Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for the Collection, Retention, and Redistribution of Rainwater and Methods of Construction of the Same

Номер патента: US20120000546A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing composite parts

Номер патента: US20120000597A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Roll Assembly for a Fiber-Web Machine and Method of Attenuating Vibration of a Fiber-Web Machine Roll

Номер патента: US20120000623A1. Автор: Jorkama Marko. Владелец: METSO PAPER, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

BLOWOUT PREVENTERS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120000647A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROLYTIC METHOD OF FUEL

Номер патента: US20120000788A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ALKYLBENZENE AND CATALYST USED THEREFOR

Номер патента: US20120000819A1. Автор: MATSUSHITA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF CONTROLLING WELDING

Номер патента: US20120000895A1. Автор: Nakagawa Akira,KAWAMOTO Atsuhiro,MUKAI Yasushi,KOWA Masaru,Sato Kimiya. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRODUCE WEIGHING SCALE WITH A CAMERA AND METHODS OF OPERATING A PRODUCE WEIGHING SCALE HAVING A CAMERA

Номер патента: US20120000976A1. Автор: Rollyson Stephen,Ehrhardt Dale. Владелец: NCR Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SELF-SERVICE CHECKOUT PAY STATION LOCATED REMOTE FROM A PRODUCE WEIGHING SCALE AND METHODS OF OPERATING SUCH A SELF-SERVICE CHECKOUT PAY STATION

Номер патента: US20120000978A1. Автор: Rollyson Stephen,Ehrhardt Dale. Владелец: NCR Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ADAPTIVE DATA READER AND METHOD OF OPERATING

Номер патента: US20120000982A1. Автор: Gao WenLiang,Cherry Craig D.. Владелец: Datalogic Scanning, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Electron Diffraction Tomography

Номер патента: US20120001068A1. Автор: . Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MINING ORE

Номер патента: US20120001474A1. Автор: Stokes Andrew. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001534A1. Автор: KIM Tae-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF ILLUMINATION

Номер патента: US20120001553A1. Автор: . Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Determining Distance to a Ferrous Material

Номер патента: US20120001621A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RESONANCE IMAGING APPARATUS AND MAGNETIC RESONANCE IMAGING METHOD OF CONTROLLING IMAGE CONTRAST

Номер патента: US20120001632A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONTAINER ELECTRONIC SEAL DEVICE WHICH CAN BE SELECTIVELY LOCKED AND UNLOCKED USING EXTERNAL MEMORY AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120001757A1. Автор: LEE Hye-Jin,Kim Hyun-Chul,JUNG Sea-Hee,LEE Hyun-Chel,KONG Jae-Hoon,SON Ho-Jun,KU Sang-Gun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF PROVIDING TRAFFIC INFORMATION WITH TURNING INFORMATION AT INTERSECTIONS

Номер патента: US20120001770A1. Автор: Oh Chi Nam,Kim Tae Soo,Park Sung Hwan,Ma Young Eon,Kim Min Suk. Владелец: HYUNDAI MOTOR COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

AVIONICS DEVICE, SYSTEMS AND METHODS OF DISPLAY

Номер патента: US20120001773A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PIEZORESISTIVE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND PIEZORESISTIVE-TYPE TOUCH PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001870A1. Автор: LEE Kang Won,Lee Seung Seob. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROCESSING 3D IMAGES, AND CORRESPONDING SYSTEM

Номер патента: US20120001904A1. Автор: EYMARD FRANKIE. Владелец: STMICROELECTRONICS (GRENOBLE 2) SAS. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PHOTOGRAPHING APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120002065A1. Автор: PARK Wan Je,Seung Jung Ah. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

TAIL THE MOTION METHOD OF GENERATING SIMULATED STROBE MOTION VIDEOS AND PICTURES USING IMAGE CLONING

Номер патента: US20120002112A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

COORDINATE INPUT APPARATUS, LIGHT RECEIVING APPARATUS OF THE COORDINATE INPUT APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002217A1. Автор: Kobayashi Katsuyuki,Yoshimura Yuichiro. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ALLOCATING IP ADDRESS OF IMAGE FORMING APPARATUS USING DHCP, IMAGE FORMING APPARATUS AND SYSTEM OF ALLOCATING IP ADDRESS USING DHCP

Номер патента: US20120002240A1. Автор: MIN Ju-won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Номер патента: US20120002347A1. Автор: Balliette William M.,Jamison Keith D.. Владелец: FARADOX ENERGY STORAGE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Seismic Acquisition in Marine Environments Using Survey Paths Following a Series of Linked Deviated Paths and Methods of Use

Номер патента: US20120002503A1. Автор: EICK Peter M.,BREWER Joel D.,Shan Shan,Janiszewski Frank D.. Владелец: ConocoPhillips Company. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF EVALUATING REPRODUCE SIGNAL AND OPTICAL DISC DEVICE

Номер патента: US20120002526A1. Автор: Minemura Hiroyuki,Eto Soichiro,Kurokawa Takahiro,Kusaba Shuichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ALLOCATING RADIO RESOURCE

Номер патента: US20120002634A1. Автор: Seok Yong Ho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DTV TRANSMITTING SYSTEM AND METHOD OF PROCESSING BROADCAST DATA THEREIN

Номер патента: US20120002730A1. Автор: Choi In Hwan,Kwak Kook Yeon,Lee Hyoung Gon,Kim Byoung Gill,Kim Jin Woo,Kim Jong Moon,Song Won Gyu,KIM Jae Hyung,HONG Sung Ryong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIGITAL BROADCASTING SYSTEM AND METHOD OF PROCESSING DATA IN DIGITAL BROADCASTING SYSTEM

Номер патента: US20120002748A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF PROVIDING AN EMERGENCY CONTACT PARTY LINE

Номер патента: US20120002791A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DETERMINING SHIFT BETWEEN TWO IMAGES

Номер патента: US20120002845A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ASSESSING PEOPLE'S SELF-PRESENTATION AND ACTIONS TO EVALUATE PERSONALITY TYPE, BEHAVIORAL TENDENCIES, CREDIBILITY, MOTIVATIONS AND OTHER INSIGHTS THROUGH FACIAL MUSCLE ACTIVITY AND EXPRESSIONS

Номер патента: US20120002848A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF PROCESSING IMAGE, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20120002879A1. Автор: . Владелец: OLYMPUS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE DATA TEST UNIT, IMAGE APPARATUS HAVING THE SAME, AND METHOD OF TESTING IMAGE DATA USING THE SAME

Номер патента: US20120002886A1. Автор: JUN Hyun-Su. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing cleaning web, image-forming device and fixing device

Номер патента: US20120003020A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Nanostructured Mn-Al Permanent Magnets And Methods of Producing Same

Номер патента: US20120003114A1. Автор: Zeng Qi,Baker Ian. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF USE OF TARGETING PEPTIDES FOR DIAGNOSIS AND THERAPY OF HUMAN CANCER

Номер патента: US20120003152A1. Автор: Pasqualini Renata,Arap Wadih,KOLONIN Mikhail G.,Mintz Paul J.,Zurita Amado J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Preparing Non-Alcohol Bioactive Esential Oil Mouth Rinses

Номер патента: US20120003162A1. Автор: Mordas Carolyn J.,Queiroz Daniel R.,Tsai Patrick B.. Владелец: McNeil-PPC, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Ester Gels, Methods of Manufacture, and Uses Thereof

Номер патента: US20120003165A1. Автор: . Владелец: Jeen International Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

BACILLUS ISOLATES AND METHODS OF THEIR USE TO PROTECT AGAINST PLANT PATHOGENS AND VIRUS TRANSMISSION

Номер патента: US20120003197A1. Автор: JACOBSEN Barry J.,Bradley Clifford,Zidack Nina K.,Larson Rebecca. Владелец: MONTANA STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods Of Enhancing Antibody-Dependent Cellular Cytotoxicity

Номер патента: US20120003213A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANTI-COBRA TOXIN ANTIBODY FRAGMENTS AND METHOD OF PRODUCING A VHH LIBRARY

Номер патента: US20120003245A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMMUNO-MOLECULES CONTAINING VIRAL PROTEINS, COMPOSITIONS THEREOF AND METHODS OF USING

Номер патента: US20120003249A1. Автор: Reiter Yoram,Lev Avital. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIRUS LIKE PARTICLE COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003266A1. Автор: . Владелец: The United States of America,as represented by The Secretary, National Institues of Health. Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS FOR SITE-SPECIFIC DELIVERY OF IMATINIB AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003319A9. Автор: Liversidge Gary,Jenkins Scott. Владелец: ELAN PHARMA INTERNATIONAL LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Removing Ticks from the Skin and Reducing the Risk of Bites

Номер патента: US20120003333A1. Автор: Schaffner Carl P.,Griesinger William K.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

REDUCED SUCROSE SUGAR COATINGS FOR CEREALS AND METHODS OF PREPARATION

Номер патента: US20120003360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Molded Expanded Pellet Product and Method of Making

Номер патента: US20120003365A1. Автор: Ramirez Fernando,GUZMAN Roberto,GARCIA Anamaria,PACHECO Antonio. Владелец: SABRITAS, S. DE R.L. DE C.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANURACTURING METHOD OF EGG WITH EDIBLE COMPOSITION

Номер патента: US20120003368A1. Автор: LEE Hye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Stabilizing a Scorpion for Storage and Distribution in a Novelty Drink Form

Номер патента: US20120003370A1. Автор: Turner Kenneth. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ADJUSTING SPEED AND/OR ROUTING OF A TABLE MOVEMENT PLAN AND A LITHOGRAPHIC APPARATUS

Номер патента: US20120003381A1. Автор: Li Hua,Van Den Nieuwelaar Norbertus Josephus Martinus,GROUWSTRA Cedric Desire,JOCHEMSEN Marinus,KEMPER Nicolaas Rudolf,DE VRIES Dirk. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF TREATING A MATERIAL TO ACHIEVE SUFFICIENT HYROPHILICITY FOR MAKING HYROPHILIC ARTICLES

Номер патента: US20120003382A1. Автор: Cipollini Ned E.,Vance,Allen Glenn M.,Resnick Gennady,JR. Zebulon D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003385A1. Автор: Naito Ryusuke. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Recording Media Having a Nanocomposite Protection Layer and Method of Making Same

Номер патента: US20120003399A1. Автор: Li Lei,Kiely James Dillon,Jones Paul Max,Hsia Yiao-Tee,Johns Earl Chrzaszcz. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGNIN/POLYACRYLONITRILE-CONTAINING DOPES, FIBERS, AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120003471A1. Автор: . Владелец: WEYERHAEUSER NR COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE ASSEMBLY, METHOD OF FABRICATING ELECTRODE ASSEMBLY, AND SECONDARY BATTERY INCLUDING ELECTRODE ASSEMBLY

Номер патента: US20120003506A1. Автор: SHIN Hosik. Владелец: Samsung SDI Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM ION BATTERY, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM ION BATTERY, ELECTRODE FOR LITHIUM ION BATTERY, AND LITHIUM ION BATTERY

Номер патента: US20120003540A1. Автор: Nakano Masatsugu,YAMAZAKI Akinori. Владелец: Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

POROUS CLUSTERS OF SILVER POWDER COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE FOR USE IN GAS DIFFUSION ELECTRODES, AND METHODS OF PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120003549A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FUEL CELL SYSTEM AND DRIVING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120003553A1. Автор: Kim Dong-hyun,KIM Hyun,Hong Ming-Zi,Kim Dong-Rak,Cho Woong-Ho. Владелец: Samsung SDI Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING A TERNARY ALLOY CATALYST FOR FUEL CELL

Номер патента: US20120003569A1. Автор: Protsailo Lesia V.,Kawamura Tetsuo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHOTOGRAPHY PHOTORECEPTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROPHOTOGRAPHY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120003574A1. Автор: Tanaka Yasushi,Nakamura Yoichi,Kitagawa Seizo,EMORI Hiroshi,Ichiyanagi Hiroyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of rapidly quantifying hydroxymethylated DNA

Номер патента: US20120003663A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DETECTING TARGET SUBSTANCE

Номер патента: US20120003666A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ISOLATION AND PURIFICATION OF TRYPSIN FROM PRONASE PROTEASE AND USE THEREOF

Номер патента: US20120003691A1. Автор: Tauer Christa,Mitterer Artur,Reiter Manfred,Mundt Wolfgang. Владелец: Baxter Healthcare S.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF PRODUCING C4 DICARBOXYLIC ACIDS

Номер патента: US20120003708A1. Автор: . Владелец: ARCHER DANIELS MIDLAND COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

POPULATIONS OF EXPANDED AND RE-DIFFERENTIATED ADULT ISLET BETA CELLS CAPABLE OF PRODUCING INSULIN AND METHODS OF GENERATING SAME

Номер патента: US20120003739A1. Автор: . Владелец: Ramot at Tel-Aviv University Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

QUANTUM DOT SENSITIZED WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC DEVICES & METHODS OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120003773A1. Автор: Harkness,IV Samuel D.,Richter Hans J.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Polishing Chalcogenide Alloy

Номер патента: US20120003834A1. Автор: Reddy Kancharla-Arun Kumar,Liu Zhendong,Koo Ja-Ho,Sawant Kaveri. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ETCHING SACRIFICIAL LAYER

Номер патента: US20120003835A1. Автор: Yeh Chiu-Hsien,Yang Chan-Lon,Wang Yeng-Peng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Regenerating a Polishing Pad Using a Polishing Pad Sub Plate

Номер патента: US20120003903A1. Автор: SUZUKI Eisuke,SUZUKI Tatsutoshi. Владелец: Toho Engineering. Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120003966A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GAMING SYSTEM AND A METHOD OF GAMING

Номер патента: US20120004021A1. Автор: Shai-Hee Michael A.. Владелец: Aristocrat Technologies Australia Pty Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

HYBRID POWER DRIVE SYSTEM AND A DRIVE METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120004073A1. Автор: Zhang Xinxin,TANG Xiaohua,LUO Fei,Xiao Zhigao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STILTS WITH NON-CIRCULAR SUPPORT POLE AND METHOD OF IMPROVING SAFETY

Номер патента: US20120004078A1. Автор: . Владелец: CINTA TOOLS, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEOTIDE SEQUENCES ENCODING GSH1 POLYPEPTIDES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004114A1. Автор: . Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY AND PIONEER HI-BRED INTERNATIONAL. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Treating an Overweight or Obese Subject

Номер патента: US20120004162A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SCREENING METHOD OF ANTI-LUNG OR ESOPHAGEAL CANCER COMPOUNDS

Номер патента: US20120004172A1. Автор: Nakamura Yusuke,Tsunoda Takuya,Daigo Yataro. Владелец: Oncotherapy Science, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BIGLYCAN MUTANTS AND RELATED THERAPEUTICS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004178A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

PYRIMIDINE CLASSICAL CANNABINOID COMPOUNDS AND RELATED METHODS OF USE

Номер патента: US20120004250A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INHIBITION OF FATTY ACID SYNTHESIS BY IODO-NITROBENZAMIDE COMPOUNDS AND METHODS OF TREATMENT THEREOF

Номер патента: US20120004260A1. Автор: Sherman Barry,Ossovskaya Valeria. Владелец: BIPAR SCIENCES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Ophthalmic Compositions and Methods of Using the Same

Номер патента: US20120004265A1. Автор: Green Kenneth E.,CABALLA Susan,MINNO George E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PDK INHIBITOR COMPOUNDS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004284A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LONG-ACTING VETERINARY POLYPEPTIDES AND METHODS OF PRODUCING AND ADMINISTERING SAME

Номер патента: US20120004286A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPANION ANIMAL COMPOSITIONS INCLUDING PYRUVIC ACID AND SALTS THEREOF AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004291A1. Автор: Yamka Ryan Michael,Frantz Nolan Zebulon,Zicker Steven C.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DISPENSING A TEETHING GEL WITH A METERED DOSE APPLICATOR

Номер патента: US20120004303A1. Автор: XU Yun,Benson Jennifer,Lavis Jeffry G.. Владелец: CHURCH & DWIGHT CO., INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PICEATANNOL-CONTAINING COMPOSITION AND METHOD OF PRODUCING PICEATANNOL-CONTAINING COMPOSITION

Номер патента: US20120004322A1. Автор: . Владелец: MORINAGA & CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

PREPARATION METHOD OF PIMARIC ACID TYPE RESIN ACID

Номер патента: US20120004390A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIOLET LASER EXCITABLE DYES AND THEIR METHOD OF USE

Номер патента: US20120004397A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

IMPLANTABLE HEART ASSIST SYSTEM AND METHOD OF APPLYING SAME

Номер патента: US20120004495A1. Автор: . Владелец: Thoratec Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRASOUND IMAGING SYSTEM AND METHODS OF IMAGING USING THE SAME

Номер патента: US20120004539A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS OF DETERMINING PATIENT PHYSIOLOGICAL PARAMETERS FROM AN IMAGING PROCEDURE

Номер патента: US20120004561A1. Автор: John Kalafut F.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SATIATION POUCHES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004590A1. Автор: Stack Richard S.,Williams Michael S.,Glenn Richard A.,Athas William L.,LUNSFORD John,Balbierz Dan. Владелец: Barosense, Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF TREATING DEGENERATIVE BONE CONDITIONS

Номер патента: US20120004594A1. Автор: Howe James,Schulz Olaf,Swaim Rick,Huber Bryan,Batts Joel,Harness David,Belaney Ryan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Catheter for Use in Revascularization Procedures and Method of Using Same

Номер патента: US20120004596A1. Автор: Thomas Jeffrey E.. Владелец: Neurodynamics, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method of Making Tapered Looped Suture

Номер патента: US20120004686A1. Автор: Maiorino Nicholas,Bowns William R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Implanting An Interspinous Vertebral Implant

Номер патента: US20120004727A1. Автор: Fuentes Jean-Marc,Ben-Mokhtar Mourad. Владелец: Eden Spine, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Estimation of Traffic Information, Device of Estimation of Traffic Information and Car Navigation Device

Номер патента: US20120004836A1. Автор: . Владелец: Xanavi Informatics Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

FIELD-PORTABLE IMPEDANCE READER AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120004851A1. Автор: Potyrailo Radislav Alexandrovich,Morris William Guy,Ashe Jeffrey Michael,Surman Cheryl Margaret. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

METABOLIC BIOMARKERS FOR OVARIAN CANCER AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004854A1. Автор: Gray Alexander,Guan Wei,Fernandez Facundo M.,McDonald John,Zhou Manshui. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ION MOBILITY SPECTROMETRY SYSTEMS AND ASSOCIATED METHODS OF OPERATION

Номер патента: US20120004862A1. Автор: Davis Eric J.,Hill,JR. Herbert H.. Владелец: WASHINGTON STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MONITORING SOOT MASS IN A PARTICULATE FILTER AND MONITORING SYSTEM FOR SAME WITH CORRECTION FOR ACTIVE REGENERATION INEFFICIENCY

Номер патента: US20120004863A1. Автор: Darr Rebecca J.,Ardanese Michelangelo,Ardanese Raffaello,Jasinkiewicz Paul. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DETECTING BATTERY INTERNAL RESISTANCE

Номер патента: US20120004875A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fabrication of apparatus for air cooling of gas, method of fabrication of apparatus heat exchanger section (versions), method of fabrication of apparatus chamber for gas inlet or outlet, method of hydraulic pressure testing of apparatus heat exchanger section and method of hydraulic pressure testing of apparatus manifold for gas supply and removal

Номер патента: RU2364811C2. Автор: Николай Павлович Селиванов. Владелец: Николай Павлович Селиванов. Дата публикации: 2009-08-20.

SUPPORT PLATFORM AND METHOD OF CONSTRUCTION THEREOF

Номер патента: US20120000020A1. Автор: Newton John Reginald. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FIXTURE FOR EVALUATING A METAL-TO-METAL SEAL BETWEEN TUBULAR COMPONENTS AND METHOD OF USE OF SAME

Номер патента: US20120000273A1. Автор: Slack Maurice. Владелец: NOETIC ENGINEERING 2008 INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE FOR USE WITH MEASURING SOIL GAS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120000298A1. Автор: Cox Craig A.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF OPERATING STEAM BOILER

Номер патента: US20120000434A1. Автор: Kato Junichi,NINOMIYA Takashi,NAKAJIMA Junichi,MITSUMOTO Hiroyuki,KAMINOKADO Yoshiro. Владелец: MIURA CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SPUTTERING TARGET ASSEMBLY AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20120000594A1. Автор: Ivanov Eugene Y.,Theado Erich. Владелец: TOSOH SMD, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONFINEMENT GROUP FOR A PLATE HEAT EXCHANGER, A METHOD OF OBTAINING SUCH AN EXCHANGER, AND A METHOD OF ABSORBING STRESS IN A CONFINEMENT GROUP FOR PACK-TYPE PLATE HEAT EXCHANGERS

Номер патента: US20120000638A1. Автор: CIPRIANI Luca. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BLOWOUT PREVENTER MONITORING SYSTEM AND METHOD OF USING SAME

Номер патента: US20120000646A1. Автор: . Владелец: NATIONAL OILWELL VARCO, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Withdrawal and Insertion of a Drill Pipe String in a Borehole and Also a Device for Use When Practising the Method

Номер патента: US20120000671A1. Автор: . Владелец: West Drilling Products AS. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE ACOUSTIC METAMATERIAL AND METHOD OF USING SAME TO FOCUS SOUND

Номер патента: US20120000726A1. Автор: Deymier Pierre A.,Bucay Jaim,Merheb Bassam. Владелец: The Arizona Board of Regents on Behalf of the University of Arizona. Дата публикации: 2012-01-05.

SOL-GEL MONOLITHIC COLUMN WITH OPTICAL WINDOW AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000850A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-01-05.

ADJUSTMENT DEVICE AND METHOD OF USING

Номер патента: US20120001053A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POSITRON EMISSION IMAGING DEVICE AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120001064A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF CONTROLLING AN LED, AND AN LED CONTROLLER

Номер патента: US20120001570A1. Автор: . Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY CHARGER, VOLTAGE MONITORING DEVICE AND SELF-DIAGNOSIS METHOD OF REFERENCE VOLTAGE CIRCUIT

Номер патента: US20120001588A1. Автор: . Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INKJET RECORDING APPARATUS AND CONTROL METHOD OF THE INKJET RECORDING APPARATUS

Номер патента: US20120001971A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF NON-AQUEOUS INKJET COMPOSITE PRINTING AND INK SET

Номер патента: US20120001979A1. Автор: WATANABE Yoshifumi,YAMAMOTO Akiko. Владелец: RISO KAGAKU CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001994A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND CONTROL METHOD OF IMAGE FORMING APPARATUS

Номер патента: US20120001998A1. Автор: Sasaki Hidehito. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MONITORING CAMERA AND METHOD OF TRACING SOUND SOURCE

Номер патента: US20120002047A1. Автор: Kim Sung Jin,AN Kwang Ho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DYNAMICALLY CHANGING A PARAMETER OF A FRAME

Номер патента: US20120002073A1. Автор: Chen Chi-De. Владелец: ABILITY ENTERPRISE CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Structure of LCD Panel and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002156A1. Автор: Yi Hung Meng,Hung Tsai Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS TO ADD SPECIFIC DATA TO IMAGE, AND IMAGE FORMING METHOD OF ADDING THE SPECIFIC DATA TO THE IMAGE

Номер патента: US20120002224A1. Автор: KIMOTO Taizo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOLDED ELASTOMERIC FLEXURAL ELEMENTS FOR USE IN A LASER SCANNING ASSEMBLIES AND SCANNERS, AND METHODS OF MANUFACTURING, TUNING AND ADJUSTING THE SAME

Номер патента: US20120002259A1. Автор: Plesko George. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-LAYER PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A PANEL

Номер патента: US20120002288A1. Автор: Maass Uwe. Владелец: MUSION SYSTEMS LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

LED module, LED package, and wiring substrate and method of making same

Номер патента: US20120002420A1. Автор: IMAI Noboru,ISAKA Fumiya,Noguchi Masahiro,Shibata Akiji,Ashidate Yuzuru,Suzuki Aki. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL DEVICE FOR VEHICLE LAMP, VEHICLE LAMP, AND METHOD OF CONTROLLING VEHICLE LAMP

Номер патента: US20120002430A1. Автор: Yamazaki Masashi,GOTO Kazuo,TOMONO Toshikazu. Владелец: KOITO MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING SAME

Номер патента: US20120002562A1. Автор: Kawade Takahisa. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

PROTOCOL ACCELERATOR MODULE WITH PACKET FORWARDING FUNCTION AND A METHOD OF TRANSCEIVER OPERATION FOR RAPID FORWARDING OF DATA PACKETS

Номер патента: US20120002669A1. Автор: Langendorfer Peter,Dietterle Daniel. Владелец: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics/Leibniz-Institut fur innovative. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-LEVEL PULSE MODULATED POLAR TRANSMITTER AND METHOD OF GENERATING MULTI-LEVEL MODULATED ENVELOPE SIGNALS CARRYING MODULATED RF SIGNAL

Номер патента: US20120002755A1. Автор: . Владелец: NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Estimating Depths from a Single Image Displayed on Display

Номер патента: US20120002871A1. Автор: Wang Jin,Lin Jian-Hua,Hu Miao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Optical Module, and Optical Printed Circuit Board and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002916A1. Автор: . Владелец: LG Innoteck Co., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLARED TIP FAN BLADE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003098A1. Автор: . Владелец: SPX Cooling Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

EDIBLE BREAD CUP AND METHOD OF PRODUCTION

Номер патента: US20120003363A1. Автор: Beloff Arthur L.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003393A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE LAYER PHOTORECEPTOR AND METHODS OF USING THE SAME

Номер патента: US20120003578A1. Автор: HEUFT Matthew A.,Klenkler Richard A.,McGuire Gregory. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE COMMUNICATIONS DEVICE, AND METHOD OF UPDATING TELEPHONE DIRECTORY OF MOBILE COMMUNICATIONS DEVICE

Номер патента: US20120003963A1. Автор: ORMSON Richard. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO GAMING DEVICE AND METHOD OF WAGERING ON A VIRTUAL FOOTBALL GAME

Номер патента: US20120004018A1. Автор: Reeves,III Allen N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RINSE ADDED AMINOSILICONE CONTAINING COMPOSITIONS AND METHODS OF USING SAME

Номер патента: US20120004156A1. Автор: Vetter Kerry Andrew,Panandiker Rajan Keshav,"ONeil Julie Ann",VETTER Nicholas David. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BIOCIDAL COMPOSITION OF 2,6-DIMETHYL-M-DIOXANE-4-OL ACETATE AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Vascular Introducer And Method Of Using Same

Номер патента: US20120004610A1. Автор: Parker Fred T.. Владелец: Cook Medical Technologies LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

EXPANDABLE SUPPORT DEVICE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004726A1. Автор: GREENHALGH E. Skott,ROMANO John-Paul. Владелец: STOUT MEDICAL GROUP, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.