Power device and method for manufacturing the same
Номер патента: KR100958421B1
Опубликовано: 18-05-2010
Автор(ы): 권태훈, 김철중, 이석균
Принадлежит: 페어차일드코리아반도체 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-05-2010
Автор(ы): 권태훈, 김철중, 이석균
Принадлежит: 페어차일드코리아반도체 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Power device termination structures and methods
Номер патента: US09362394B2. Автор: Moaniss Zitouni,Pon Sung Ku,Edouard D. De Frèsart,Ganming Qin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-07.