Method of fabricating density intensive non-self-aligned stacked CMOS
Номер патента: US4555843A
Опубликовано: 03-12-1985
Автор(ы): Satwinder D. S. Malhi
Принадлежит: Texas Instruments Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-12-1985
Автор(ы): Satwinder D. S. Malhi
Принадлежит: Texas Instruments Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of fabricating an integrated circuit device
Номер патента: US09564509B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chi-Ming Yang,Chin-Hsiang Lin,Hsien-Hsin Lin,Yi-Fang Pai,Ying-Hsueh Chang Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.