Method for microfabricating structures using silicon-on-insulator material
Номер патента: EP1576650A4
Опубликовано: 15-06-2011
Автор(ы): Jeffrey T Borenstein, William D Sawyer
Принадлежит: Charles Stark Draper Laboratory Inc
Опубликовано: 15-06-2011
Автор(ы): Jeffrey T Borenstein, William D Sawyer
Принадлежит: Charles Stark Draper Laboratory Inc
Method for microfabricating structures using silicon-on-insulator material
Номер патента: US20040102021A1. Автор: Jeffrey Borenstein,William Sawyer. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2004-05-27.