Techniques and Structure for Forming Thin Silicon-on-Insulator Materials
Номер патента: US20190027396A1
Опубликовано: 24-01-2019
Автор(ы): Evans Morgan D., Hautala John, Waite Andrew M.
Принадлежит: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-01-2019
Автор(ы): Evans Morgan D., Hautala John, Waite Andrew M.
Принадлежит: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Techniques and Structure for Forming Thin Silicon-on-Insulator Materials
Номер патента: US20190027396A1. Автор: Andrew M. Waite,John Hautala,Morgan D. Evans. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2019-01-24.