Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Growth inhibitor for forming thin film, method for forming thin film and semiconductor substrate prepared therefrom

Growth inhibitor for forming thin film, method for forming thin film and semiconductor substrate prepared therefrom

Номер патента: US20220049351A1
Опубликовано: 17-02-2022
Автор(ы): Changbong YEON, Hyeran Byun, Jaesun Jung, Seokjong Lee, Sojung Kim, Taeho Song
Принадлежит: Soulbrain Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Growth inhibitor for forming thin film, method for forming thin film and semiconductor substrate prepared therefrom

Номер патента: US20220049352A1. Автор: Sojung Kim,Hyeran Byun,Taeho Song,Changbong YEON,Jaesun Jung,Seokjong Lee. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Silicon-based thin films from n-alkyl substituted perhydridocyclotrisilazanes

Номер патента: US20240279806A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Silicon-based thin films from N-alkyl substituted perhydridocyclotrisilazanes

Номер патента: US12065737B2. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Organic metal compound, composition for depositing semiconductor thin film, manufacturing method for thin film using thereof, and semiconductor device includinf thin film

Номер патента: KR102232509B1. Автор: 임상균,김용태,임설희,박인걸,허광수. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2021-03-25.

Thin film deposition method and semiconductor device

Номер патента: EP4135011A1. Автор: Xiaoling Wang,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Crystalline oxide thin film, method for producing same, thin film transistor, and method for producing same

Номер патента: EP4418309A1. Автор: Koji Yamaguchi,Kazuyoshi Inoue,Yuki Tsuruma,Emi Kawashima. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Thin-film deposition method and semiconductor device

Номер патента: US20230005741A1. Автор: Xiaoling Wang,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for forming region-selective thin film using selectivating agent

Номер патента: US20230366080A1. Автор: Ha Na Kim,Jae Min Kim,Woong Jin CHOI. Владелец: Egtm Co ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for filling a gap in a three-dimensional structure on a semiconductor substrate

Номер патента: US11814728B2. Автор: Youngmin Kim,SungKyu Kang,Seunghwan Lee,HakYong Kwon,KiKang Kim,Sungbae Kim,Jonghyun Ahn,SeongRyeong Kim,Kyumin KIM,HieChul Kim. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for filling a gap in a three-dimensional structure on a semiconductor substrate

Номер патента: US20240043997A1. Автор: Youngmin Kim,SungKyu Kang,Seunghwan Lee,KiKang Kim,Sungbae Kim,Jonghyun Ahn,SeongRyeong Kim,Kyumin KIM,HieChul Kim,Hak-Yong Kwon. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-08.

Silicon target for sputtering film formation and method for forming silicon-containing thin film

Номер патента: US20140318948A1. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

Silicon target for sputtering film formation and method for forming silicon-containing thin film

Номер патента: US20120138453A1. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yokio INAZUKI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Method for improving flatness of semiconductor thin film

Номер патента: US20210043442A1. Автор: Gongbai Cao,Chihhsin Lin,Chenhua Dong. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Thin Film of Aluminum Nitride and Process for Producing the Thin Film of Aluminum Nitride

Номер патента: US20100209622A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Michimasa Miyanaga,Naho Mizuhara,Keisuke Tanizaki,Issei Satoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-08-19.

Method and Apparatus for Forming Boron-Doped Silicon Germanium Film, and Storage Medium

Номер патента: US20170287914A1. Автор: Mitsuhiro Okada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Method for growing beta-Ga2O3-based single crystal film, and crystalline layered structure

Номер патента: US11982016B2. Автор: Ken Goto,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Kohei Sasaki,Hisashi Murakami. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for preparing copper calcium titanate thin film, and copper calcium titanate thin film

Номер патента: EP3656889A1. Автор: Bin Lu,Jian Shen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-27.

Method for forming silicon-containing film, and silicon-containing film formed thereby

Номер патента: US20240318305A1. Автор: Jin Sik Kim,Byung Kwan KIM,Da Som YU. Владелец: UP Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of forming SiOC thin film having low dielectric constant

Номер патента: US20010049203A1. Автор: Yoon Kim,Young Lee,Hyeong Kim. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Method for producing thin film transistor

Номер патента: US20210151585A1. Автор: Yasunori Ando,Daisuke Matsuo,Yoshitaka Setoguchi,Shigeaki Kishida. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Method for forming a strained thin film and method for forming a silicon nitride film

Номер патента: TW200834677A. Автор: Vikram Singh,Anthony Renau,Harold M Persing,Edmund J Winder,George Demetrios Papasouliotis. Владелец: Varian Semiconductor Equipment. Дата публикации: 2008-08-16.

Method for preparing copper calcium titanate thin film, and copper calcium titanate thin film

Номер патента: EP3656889A4. Автор: Bin Lu,Jian Shen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Precursor composition for forming zirconium-containing thin film and method for preparing zirconium-containing thin film using the same

Номер патента: KR101684660B1. Автор: 조보연,조성일,성기환. Владелец: (주)이지켐. Дата публикации: 2016-12-09.

Method for removing impurities in thin film and substrate processing apparatus

Номер патента: US11972946B2. Автор: Kyu Jin Choi,Gyu Ho Choi,Sang Hyuk HWANG. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Thin film deposition method and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: JP7210647B2. Автор: 秀仁 金,暎▲吉▼ 崔,昌學 辛,愍隅 朴,智賢 金,京美 金. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-23.

Thin film deposition apparatus and thin film deposition method

Номер патента: US20210102287A1. Автор: Kyu Jin Choi,Kwang Woon Lee,Sung Ha CHOI,Kang Il Lee,Min Hyuk IM. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240297224A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of forming a ceramic silicon oxide type coating, method of producing an inorganic base material, agent for forming a ceramic silicon oxide type coating, and semiconductor device

Номер патента: EP2195398A2. Автор: Nobuo Kushibiki,Michitaka Suto,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis,Tetsuyuki Michino. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4289994A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Method for forming crystalline deposited film

Номер патента: AU651568B2. Автор: Yutaka Hirai,Akira Sakai,Masao Ueki,Jinsho Matsuyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1994-07-28.

Method for manufacturing sic substrate

Номер патента: US20240332012A1. Автор: Chul Joo Hwang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for doping carbon in thin film on wafer

Номер патента: EP4455376A1. Автор: Sung Kil Cho. Владелец: HPSP Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Method For Forming Insulating Layer And Method For Forming The Polysilicon Thin Film Transistor

Номер патента: KR100459219B1. Автор: 박찬일,황의훈. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2004-12-03.

Method for forming a deposited film

Номер патента: CA1315615C. Автор: Jun-Ichi Hanna,Isamu Shimizu,Shunichi Ishihara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1993-04-06.

Method of crystallising thin films

Номер патента: WO2013033768A1. Автор: Roger Dunstan Jeffery. Владелец: Panorama Synergy Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Method of forming a ceramic silicon oxide type coating, method of producing an inorganic base material, agent for forming a ceramic silicon oxide type coating, and semiconductor device

Номер патента: WO2009044938A2. Автор: Nobuo Kushibiki,Michitaka Suto,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis,Tetsuyuki Michino. Владелец: DOW CORNING TORAY CO., LTD.. Дата публикации: 2009-04-09.

Thin film-forming material for use in atomic layer deposition, thin film, method for producing thin film, and ruthenium compound

Номер патента: EP4434994A1. Автор: Masaki Enzu,Masako HATASE,Ryota FUKUSHIMA,Nana OKADA,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Zeolite sol and method for preparing the same, composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20070108593A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Thin film transistor and method for making the same

Номер патента: US20180158904A1. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Ying-Cheng WANG,Xiao-Yang Xiao,Tian-Fu Zhang,Yu-Dan Zhao,Yu-Jia Huo. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Method for forming a Si film, Si film and solar battery

Номер патента: US20050034756A1. Автор: Kazuo Nakajima,Kozo Fujiwara,Toru Ujihara,Noritaka Usami. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2005-02-17.

Thin film growth method and apparatus for forming magnesium oxide thin film at increased thin film growth rate

Номер патента: KR19980070491A. Автор: 마사루 다나카,도시유끼 사케미. Владелец: 스미또모쥬우끼가이고우교가부시끼가이샤. Дата публикации: 1998-10-26.

Precursor for formation of europium-containing thin film, and method for forming europium-containing thin film

Номер патента: US8747965B2. Автор: Takayuki Mogi,Yoshinori Kuboshima,Shintaro Higashi,Kaoru KIKUKAWA. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2014-06-10.

Metal alkoxide compound, thin film forming raw material, and thin film production method

Номер патента: US20240352044A1. Автор: Atsushi Sakurai,Akihiro Nishida,Masako HATASE,Nana OKADA. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Coating material for forming semiconductors, semiconductor thin film, thin film solar cell and method for manufacturing thin film solar cell

Номер патента: EP3067950A1. Автор: Shunji Ohara,Akinobu Hayakawa,Mayumi Horiki,Kazushi Ito. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-14.

Method for Forming Mask Pattern, Thin Film Transistor and Method for Forming the Same, and Display Device

Номер патента: US20170365684A1. Автор: Zhang Bin,Shu Shi,CAO Zhanfeng,YAO Qi,Liu Zhen,Guan Feng,ZHOU Tingting. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-12-21.

Method for fabricating thin film transistor and method for fabricating display device having thin film transistor

Номер патента: KR101535821B1. Автор: 심종식,황순재. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2015-07-13.

Metal thin-film precursor composition, method of forming thin film using metal thin-film precursor composition, and semiconductor substrate fabricated using method

Номер патента: US20240145301A1. Автор: Ji Hyun Nam,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of an apparatus for forming thin film for semiconductor device

Номер патента: US5240505A. Автор: Masanobu Iwasaki,Hiromi Itoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Method for preparing titanium-aluminum alloy thin film

Номер патента: US20170104081A1. Автор: Chao Zhao,Yuqiang DING,Jinjuan Xiang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-04-13.

Method for preparing titanium-aluminum alloy thin film

Номер патента: US09954071B2. Автор: Chao Zhao,Yuqiang DING,Jinjuan Xiang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-04-24.

Thin film material and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1777324A1. Автор: S. Osaka Wrks SUMITOMO ELEC. IND. LTD. HAHAKURA,K. Osaka Wrks SUMITOMO ELEC. IND. LTD. OHMATSU. Владелец: International Superconductivity Technology Center. Дата публикации: 2007-04-25.

Method for fabricating three dimensional anisotropic thin films

Номер патента: US6541392B2. Автор: Peter Mardilovich,Alexander N. Govyadinov,Yuval C Avniel. Владелец: Technology Ventures LLC. Дата публикации: 2003-04-01.

Reactor for thin film deposition and method for depositing thin film on wafer using the reactor

Номер патента: US20050158469A1. Автор: Young Park,Sang Lee,Hong Lim,Keun Yoo,Ik Lee,Hyun Kyung,Jang Bae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-21.

Ruthenium compound, raw material for forming thin film, and method for producing thin film

Номер патента: US11760771B2. Автор: Masaki Enzu,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Nana OKADA. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Thin-film forming material for use in atomic layer deposition, thin-film, method of producing thin-film, and ruthenium compound

Номер патента: IL312571A. Автор: . Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-07-01.

Method for forming chalcogenide thin film

Номер патента: US20220213619A1. Автор: Unyong JEONG,Geonwoo KIM,Giri ANUPAM,Ghorai ARUP. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2022-07-07.

Composition for forming electrically insulating thin film and method for forming electrically insulating thin film

Номер патента: JP3415741B2. Автор: 勝利 峰,昭彦 小林,基 佐々木,隆司 中村,清隆 澤. Владелец: 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社. Дата публикации: 2003-06-09.

Zeolite sol and method for preparing the same, composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20040091419A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-13.

Precursor composition for forming metal film, method for forming metal film using the precursor composition, and semiconductor element containing the metal film

Номер патента: CN113423862A. Автор: 洪畅成,朴容主,吴太勳,黄仁天,李相京,金桐显. Владелец: Cisco Erican Co ltd. Дата публикации: 2021-09-21.

Zeolite sol and method for preparing the same, composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: TW200415217A. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-16.

Composition for electric insulation thin film formation and method for forming electric insulation thin film

Номер патента: JPH10283843A. Автор: Takashi Nakamura,Katsutoshi Mine,勝利 峰,Akihiko Kobayashi,昭彦 小林,基 佐々木,Motoi Sasaki,Kiyotaka Sawa,隆司 中村,清隆 澤. Владелец: Dow Corning Toray Silicone Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-23.

Electrically insulating crosslinked thin-film-forming organic resin composition and method for forming thin film therefrom

Номер патента: US20010026847A1. Автор: Takashi Nakamura,Katsutoshi Mine,Akihiko Kobayashi,Kiyotaka Sawa. Владелец: Dow Corning Toray Silicone Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-04.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4289995A1. Автор: Masaru Shinomiya,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240079412A1. Автор: Masaru Shinomiya,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Ferroelectric thin film and method for forming the same

Номер патента: EP1434259A1. Автор: Yong-kyun Lee,Young-soo Park,June-key Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-06-30.

Semiconductor substrate, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: EP4383315A1. Автор: Kohei Sasaki,Chia-hung Lin. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Organic silica film and method for forming same, composition for forming insulating film of semiconductor device and method for producing same, wiring structure and semiconductor device

Номер патента: US20100007025A1. Автор: Tatsuya Yamanaka,Masahiro Akiyama,Hisashi Nakagawa,Terukazu Kokubo,Youhei Nobe. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Method for making a dismountable substrate

Номер патента: US20090149005A1. Автор: Aurelie Tauzin,Chrystelle Lagahe-Blanchard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2009-06-11.

Liquid Chemical for Forming Protecting Film

Номер патента: US20140373870A1. Автор: Yoshinori Akamatsu,Masanori Saito,Soichi Kumon,Takashi Saio,Shinobu Arata,Hidehisa Nanai. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Method for forming crystalline semiconductor film method for manufacturing thin film transistor and method for manufacturing display device

Номер патента: KR101543429B1. Автор: 사토시 토리우미. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2015-08-10.

Method for forming crystalline semiconductor film, method for manufacturing thin film transistor, and method for manufacturing display device

Номер патента: KR20090057908A. Автор: 사토시 토리우미. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2009-06-08.

Organic silica film and method for forming same, composition for forming insulating film of semiconductor device and method for producing same, wiring structure and semiconductor device

Номер патента: EP1981074A1. Автор: Tatsuya Yamanaka,Masahiro Akiyama,Hisashi Nakagawa,Terukazu Kokubo,Youhei Nobe. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2008-10-15.

Organic silica film and method for forming the same, composition for forming insulating film of semiconductor device and method for manufacturing the same, and wiring structure and semiconductor device

Номер патента: JPWO2007088908A1. Автор: 達也 山中,恭志 中川,将宏 秋山,輝一 小久保,洋平 野辺,小久保　輝一,秋山　将宏. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of manufacturing epitaxy oxide thin film, and epitaxy oxide thin film of enhanced crystalline quality manufactured thereby

Номер патента: US20230145077A1. Автор: Byung Chul Lee,Ji-Won Choi,Jin Sang Kim,Jung Ho Yoon,Seong Keun Kim,Ji-Soo Jang,Hyung-Jin Choi,Hyun Cheol Song,Chong Yun Kang,Sung Hoon HUR,Seung Hyub BAEK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for forming patterned diamond thin films

Номер патента: US5082522A. Автор: Francis G. Celii,Andrew J. Purdes. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-01-21.

Metallic very thin film, metallic very thin film multilayer body, and method for manufacturing the metallic very thin film or the metallic very thin film laminate

Номер патента: CA2441204A1. Автор: Yoshitada Murata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Stainless steel for compound thin film solar cell substrates, method for producing same, and compound thin film solar cell

Номер патента: US20180265953A1. Автор: Toshihiko Uchida,Akihito Yamagishi,Masaharu Hatano,Akihiko Asano,Masahiro Saitou. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2018-09-20.

Method for manufacturing a polycrystalline silicon thin film by joule-heating induced crystallization

Номер патента: US8840720B2. Автор: Cheol-Su Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-23.

N-type sns thin film, photoelectric conversion element, solar cell, method for manufacturing n-type sns thin film, and manufacturing apparatus of n-type sns thin film

Номер патента: US20230261130A1. Автор: Issei Suzuki,Hiroshi Yanagi,Sakiko Kawanishi. Владелец: University of Yamanashi NUC. Дата публикации: 2023-08-17.

Plasma vapor deposition system and method for making multi-junction silicon thin film solar cell modules and panels

Номер патента: WO2010008439A1. Автор: Mohd Aslami. Владелец: Mohd Aslami. Дата публикации: 2010-01-21.

Plasma vapor deposition system and method for making multi-junction silicon thin film solar cell modules and panels

Номер патента: EP2318561A1. Автор: Mohd Aslami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-11.

Synthesis and use of precursors for ALD of tellurium and selenium thin films

Номер патента: US11814400B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore,Timo Hatanpää. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2023-11-14.

Organic metal compound, manufacturing method for thin film using thereof, and semiconductor device includinf thin film

Номер патента: KR102252998B1. Автор: 박인걸. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2021-05-14.

Tantalum compound, method for producing same, tantalum-containing thin film and method for forming same

Номер патента: EP1852438A4. Автор: Kenichi Sekimoto,Noriaki Oshima,Taishi Furukawa,Ken-Ichi Tada,Tetsu Yamakawa,Mayumi Takamori. Владелец: Sagami Chemical Research Institute. Дата публикации: 2008-02-06.

Organic thin-film transistor and method for manufacturing the same, material for organic thin-film transistor, composition for organic thin-film transistor, compound, and organic semiconductor film

Номер патента: US20180159048A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Takashi Goto,Yoshihisa Usami,Toshihiro Okamoto,Eiji Fukuzaki,Hiroaki Tsuyama,Masashi Koyanagi,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-06-07.

Crystalline oxide semiconductor thin film, method for producing crystalline oxide semiconductor thin film, and thin film transistor

Номер патента: US20180219098A1. Автор: Shigekazu Tomai,Kazuyoshi Inoue,Futoshi Utsuno,Yuki Tsuruma,Kazuaki Ebata. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

Laminated substrate with piezoelectric thin film, piezoelectric thin film element and method for manufacturing this element

Номер патента: US20180301618A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Organic thin-film transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US10008671B2. Автор: Hiroo Takizawa,Yasunori Yonekuta,Teruki Niori,Hayato Yoshida. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Precursor for formation of europium-containing thin film, and method for forming europium-containing thin film

Номер патента: KR101574869B1. Автор: 신타로 히가시,다카유키 모기,요시노리 구보시마,가오루 기쿠카와. Владелец: 가부시키가이샤 코준도카가쿠 켄큐쇼. Дата публикации: 2015-12-04.

Precursor for formation of europium-containing thin film, and method for forming europium-containing thin film

Номер патента: WO2012132669A1. Автор: 慎太郎 東,隆行 茂木,久保島　義則,薫 菊川. Владелец: 株式会社高純度化学研究所. Дата публикации: 2012-10-04.

Organo tin compound for thin film deposition and method for forming tin-containing thin film using same

Номер патента: TW202300496A. Автор: 李太榮,池成俊,白善英,沈樟根,金信範,林泰煥,李東均,李尙炫,千壽弼. Владелец: 南韓商Ｅｇｔｍ有限公司. Дата публикации: 2023-01-01.

Organo tin compound for thin film deposition and method for forming tin-containing thin film using same

Номер патента: US11958874B2. Автор: Tae Young Lee,Sang Hyun Lee,Dong Kyun Lee,Sung Jun JI,Shin Beom Kim,Sun Young BAIK,Jang Keun SIM,Tae Hwan LIM,Su Pill Chun. Владелец: Egtm Co ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method for forming thin film

Номер патента: US11746411B2. Автор: Sojung Kim,Hyeran Byun,Taeho Song,Changbong YEON,Jaesun Jung,Seokjong Lee. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for forming thin film

Номер патента: US20220293423A1. Автор: Sojung Kim,Hyeran Byun,Taeho Song,Changbong YEON,Jaesun Jung,Seokjong Lee. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Auxiliary precursor, thin-film precursor composition, method of forming thin film, and semiconductor substrate fabricated using method

Номер патента: US20240136175A1. Автор: Seung Hyun Lee,Sung Woo Cho,Ji Hyun Nam,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Apparatus for forming thin film

Номер патента: US5372647A. Автор: Tadahiro Ohmi. Владелец: Ohmi; Tadahiro. Дата публикации: 1994-12-13.

Apparatus for mass-producing sulicon-based thin film and method for mass-producing silicon-based thin film

Номер патента: EP2107592A3. Автор: Takao Saito,Minoru Imaeda,Yuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Electrolyte and method for the electroplating of copper on a barrier layer, and semiconductor substrate obtained with said method

Номер патента: WO2011018478A1. Автор: Jose Gonzalez,Frédéric Raynal,Vincent Mevellec. Владелец: ALCHIMER. Дата публикации: 2011-02-17.

Thin film forming equipment and method

Номер патента: US20020076509A1. Автор: Yukio Morishige,Makoto Omiya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for forming an aluminum metallic thin film by vapor phase growth on a semiconductor substrate

Номер патента: US4430364A. Автор: Takashi Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-02-07.

Metal thin film substrate, transparent display comprising same, method for patterning metal thin film substrate, and method for manufacturing transparent display

Номер патента: US20240286382A1. Автор: Cheol-Hun Lee,Jun-Gu Lee,Sung-Jin Noh,Ki-Joon Park. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Apparatus for mass-producing silicon-based thin film and method for mass-producing silicon-based thin film

Номер патента: US20090246943A1. Автор: Takao Saito,Minoru Imaeda,Yuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Apparatus for mass-producing silicon-based thin film and method for mass-producing silicon-based thin film

Номер патента: US7927982B2. Автор: Takao Saito,Minoru Imaeda,Yuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2011-04-19.

Method and system for forming copper thin film

Номер патента: US20020052109A1. Автор: Atsushi Sekiguchi,Akiko Kobayashi,Toshiaki Sasaki,Susumu Akiyama,Minjuan Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for synthesis of tetragonal zirconia thin films suitable for catalytic devices

Номер патента: WO2015142295A1. Автор: Miran Mozetic,Nikolas Panagiotopoulos,Giorgos A. Evangelakis. Владелец: Institut "Jožef Stefan". Дата публикации: 2015-09-24.

Method for forming ruthenium thin film

Номер патента: US12091748B2. Автор: Soo-Hyun Kim,Yohei KOTSUGI. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for reducing interdiffusion rates between thin film components

Номер патента: US3751293A. Автор: P Turner,H Theuerer. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1973-08-07.

Composition for forming adhesive layer of dicing film, and dicing film

Номер патента: US20160040043A1. Автор: Young Kook Kim,Kwang Joo Lee,Seung Hee Nam,Jung Ho Jo,Se Ra Kim,Hee Jung Kim,Jung Hak Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Method and system for forming copper thin film

Номер патента: US6726954B2. Автор: Atsushi Sekiguchi,Akiko Kobayashi,Toshiaki Sasaki,Susumu Akiyama,Minjuan Zhang. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 2004-04-27.

Method for forming ruthenium thin film

Номер патента: US20230212741A1. Автор: Soo-Hyun Kim,Yohei KOTSUGI. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for manufacturing molybdenum oxide-containing thin film, starting material for forming molybdenum oxide-containing thin film, and molybdenum amide compound

Номер патента: KR101912127B1. Автор: 히로키 사토,준지 우에야마. Владелец: 가부시키가이샤 아데카. Дата публикации: 2018-10-26.

Method for forming conductive film, thin-film transistor, panel with thin-film transistor, and method for manufacturing thin-film transistor

Номер патента: US20090173945A1. Автор: Masaki Takei,Tadashi Masuda,Noriaki Tani,Satoru Ishibashi,Hirohisa Takahashi,Sadayuki Ukishima,Satoru Takasawa,Hiroaki Katagiri. Владелец: Ulvac Materials Inc. Дата публикации: 2009-07-09.

Method for depositing a tungsten silicide thin film on a semiconductor substrate using dichlorosilane and tungsten hexafluoride

Номер патента: KR950012636A. Автор: 창 메이,텔포드 수잔,추 쳉 멩. Владелец: 제임스 조셉 드롱. Дата публикации: 1995-05-16.

Thin film forming method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JPWO2007020874A1. Автор: 優幸 浅井,佐々木　伸也,伸也 佐々木,浅井　優幸,経田　昌幸,昌幸 経田. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-02-26.

Thin film forming method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: WO2007020874A1. Автор: Shinya Sasaki,Masayuki Asai,Masayuki Tsuneda. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.. Дата публикации: 2007-02-22.

Method for modifying high-k dielectric thin film and semiconductor device

Номер патента: US20090302433A1. Автор: Koji Akiyama,Shintaro Aoyama,Kazuyoshi Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for forming thermal inkjet printhead, thermal inkjet printhead, and semiconductor wafer

Номер патента: CA3034571C. Автор: Silvia Baldi,Paolo Schina,Irma Disegna,Miriam PERINI. Владелец: SICPA HOLDING SA. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for forming film layer with uniform thickness distribution and semiconductor structure

Номер патента: US20220310618A1. Автор: Tao Chen,Wenhao Hsieh,Cheng Yeh HSU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150263142A1. Автор: Arichika Ishida,Masato Hiramatsu,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US9337322B2. Автор: Arichika Ishida,Masato Hiramatsu,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Thin-film transitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140346497A1. Автор: Arichika Ishida,Masato Hiramatsu,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220037531A1. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Lin Tsai,Yu-Ching Tsao,Po-Hsun Chen,Hong-Chih Chen,Mao-Chou Tai,Shin-Ping Huang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-02-03.

Thin film transistor substrate, display device, and method of manufacturing thin film transistor substrate

Номер патента: US20190293980A1. Автор: Takeshi Kubota,Kazunori Inoue,Koji Oda,Takafumi Hashiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Thin film batteries and methods for manufacturing same

Номер патента: EP2291876A2. Автор: Michael Stowell,Nety Krishna,Byung Sung Kwak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-03-09.

Ferroelectric thin film device and method for making the same

Номер патента: US5817532A. Автор: Seungki Joo,Jaehyun Joo. Владелец: Seungki Joo. Дата публикации: 1998-10-06.

Thin film device and method for manufacturing thin film device

Номер патента: US20140078640A1. Автор: Keiichi Umeda. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US9647134B2. Автор: Arichika Ishida,Masato Hiramatsu,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160172503A1. Автор: Arichika Ishida,Masato Hiramatsu,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Thin film transistor, thin film transistor substrate, display apparatus and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20150255278A1. Автор: Yeon-Gon Mo,Byung-Du Ahn,Tae-Young Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Thin film transistor and method for making the same

Номер патента: US10475936B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Ying-Cheng WANG,Xiao-Yang Xiao,Tian-Fu Zhang,Yu-Dan Zhao,Yu-Jia Huo. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Method for Rapid Thermal Treatment Using High Energy Electromagnetic Radiation of a Semiconductor Substrate for Formation of Dielectric Films

Номер патента: US20100009528A1. Автор: Fumitake Mieno,David Gao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Thin film transistor and method for producing thin film transistor

Номер патента: EP4310921A1. Автор: Manabu Ito,Chihiro Imamura. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2024-01-24.

Method for forming thin film

Номер патента: US20220275511A1. Автор: Sojung Kim,Hyeran Byun,Taeho Song,Changbong YEON,Jaesun Jung,Seokjong Lee. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for forming thin film

Номер патента: US20230260794A1. Автор: Young Woon Kim,Il Hyong CHO. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for forming thin film

Номер патента: US20210087683A1. Автор: Sojung Kim,Hyeran Byun,Taeho Song,Changbong YEON,Jaesun Jung,Seokjong Lee. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of dry etching copper thin film and semiconductor device

Номер патента: US11791165B2. Автор: Cheewon CHUNG,Jaesang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Plated article having metal thin film formed by electroless plating

Номер патента: US8394508B2. Автор: Junichi Ito,Toru Imori,Atsushi Yabe,Junnosuke Sekiguchi,Yoshiyuki Hisumi. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-12.

COATING SOLUTION FOR FORMING TRANSPARENT DIELECTRIC THIN FILM FOR LOW-TEMPERATURE SOLUTION PROCESS AND TRANSPARENT INORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR HAVING THIN FILM FORMED BY THE COATING SOLUTION

Номер патента: US20140124775A1. Автор: YANG Woo Seok,SONG Keun Kyu,MOON Joo Ho,JUNG Yang Ho. Владелец: Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University. Дата публикации: 2014-05-08.

COATING MATERIAL FOR FORMING SEMICONDUCTORS, SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM SOLAR CELL

Номер патента: US20160240804A1. Автор: Hayakawa Akinobu,ITO Kazushi,OHARA Shunji,HORIKI Mayumi. Владелец: Sekisui Chemical Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-08-18.

Substrate for thin-film solar cell, method for producing the same, and thin-film solar cell employing it

Номер патента: US7781668B2. Автор: Kenji Yamamoto,Toshiaki Sasaki,Yuko Tawada,Yohei Koi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Semiconductor thin film crystallization device and semiconductor thin film crystallization method

Номер патента: US20080084901A1. Автор: Tetsuya Inui,Junichiro Nakayama,Yoshihiro Taniguchi,Masanori Seki,Hiroshi Tsunasawa,Ikumi Kashiwagi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-04-10.

Process for forming a vertical thin-film transistor that serves as a connector to a bit-line of a 3-dimensional memory array

Номер патента: US11910612B2. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Metal oxide semiconductor thin film, thin-film-transistor, and their fabricating methods, and display apparatus

Номер патента: EP3317899A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-05-09.

Polycrystalline silicon thin film and method thereof, optical film, and thin film transistor

Номер патента: US20170186611A1. Автор: Dong Li,Zheng Liu,Chunping Long,Xiaoyong Lu,Shuai ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor thin film crystallization device and semiconductor thin film crystallization method

Номер патента: US7381632B2. Автор: Tetsuya Inui,Junichiro Nakayama,Yoshihiro Taniguchi,Masanori Seki,Hiroshi Tsunasawa,Ikumi Kashiwagi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-06-03.

Method for fabricating a three-dimensional thin-film semiconductor substrate from a template

Номер патента: MY159267A. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M Moslehi. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2016-12-30.

Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20080118737A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-22.

Thin film, method and apparatus for forming the same, and electronic component incorporating the same

Номер патента: MY119154A. Автор: Kiyoshi Takahashi,Kazuyoshi Honda,Masaru Odagiri,Noriyasu Echigo,Nobuki Sunagare. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-30.

Thin film, method and apparatus for forming the same, and electronic component incorporating the same

Номер патента: MY143286A. Автор: Kiyoshi Takahashi,Kazuyoshi Honda,Masaru Odagiri,Noriyasu Echigo,Nobuki Sunagare. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-04-15.

Composition for forming silicon-containing resist underlayer film and patterning process

Номер патента: US20200341377A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Tsukasa Watanabe,Yusuke Biyajima,Masahiro Kanayama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Composition for forming silicon-containing resist underlayer film and patterning process

Номер патента: US11934100B2. Автор: Kazunori Maeda,Daisuke Kori,Yusuke Kai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Desiccant, organic thin film including same, organic layered film in which organic thin film is layered, and electronic device provided therewith

Номер патента: US20200335727A1. Автор: Hiroshi Kita,Yoshiyuki Suzuri,Hideo Taka,Yukihiro MAKISHIMA. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2020-10-22.

Composition for forming silicon-containing resist underlayer film and patterning process

Номер патента: US20230244149A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Yusuke Biyajima,Masahiro Kanayama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Composition for forming silicon-containing resist underlayer film and patterning process

Номер патента: US20210026246A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Yusuke Biyajima,Masahiro Kanayama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Composition for forming silicon-containing resist underlayer film and patterning process

Номер патента: US12085857B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Yusuke Biyajima,Masahiro Kanayama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US8168518B2. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Thin film transistor and method for manufacturing same, array substrate, display panel and display device

Номер патента: US20210167220A1. Автор: Lin Sun,Chao Wang,Binbin CAO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Composition for forming silicon-containing resist underlayer film and patterning process

Номер патента: EP3796086A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Takeru Watanabe,Yusuke Biyajima,Yusuke Kai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-24.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate, and electronic apparatus

Номер патента: US09991294B2. Автор: Tuo Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Thin film device and method for making

Номер патента: EP1450412A2. Автор: Tatsuya c/o SEIKO EPSON CORPORATION Shimoda,Ichio c/o Seiko Epson Corporation Yudasaka,Sadao c/o Seiko Epson Corporation Kanbe,Wakao c/o Seiko Epson Corporation Miyazawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-08-25.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20120196395A1. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US8518756B2. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-08-27.

Thin film transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US20150084042A1. Автор: Hajime Yamaguchi,Tomomasa Ueda,Kentaro Miura,Shintaro Nakano,Tatsunori Sakano,Nobuyoshi Saito,Yuya MAEDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Method for transferring at least one thin film

Номер патента: US10242915B2. Автор: Taro Yoshikawa,Volker Cimalla,Thomas Gerrer,Marina Preschle. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2019-03-26.

Method for transferring at least one thin film

Номер патента: US20180240709A1. Автор: Taro Yoshikawa,Volker Cimalla,Thomas Gerrer,Marina Preschle. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2018-08-23.

Aluminum nitride piezoelectric thin film, piezoelectric material, piezoelectric component, and method for manufacturing aluminum nitride piezoelectric thin film

Номер патента: US20160372653A1. Автор: Atsushi Honda,Morito Akiyama,Keiko Nishikubo,Keiichi Umeda,Toshimi Nagase. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-12-22.

Thin film transistor and method of manufacturing the same and thin film transistor panel and electronic device

Номер патента: EP3588596A1. Автор: Jiyoung JUNG,Jeong Il Park,Joo Young Kim,Byong Gwon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-01.

Device and method for improving interface adhesion in thin film structures

Номер патента: US20070212795A1. Автор: Michael Gaidis,Keith Milkove. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Low temperature polysilicon layer, thin film transistor, and method for manufacturing same

Номер патента: US11101387B2. Автор: YUAN Yan,Peng He,Lisheng Li. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

Coating liquid for forming n-type oxide semiconductor film, method for producing n-type oxide semiconductor film, and method for producing field-effect transistor

Номер патента: US11908945B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Composition for forming metal oxide film, patterning process, and method for forming metal oxide film

Номер патента: EP4303657A3. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Nobuhiro Nagamachi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Composition for forming metal oxide film, patterning process, and method for forming metal oxide film

Номер патента: EP4303657A2. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Nobuhiro Nagamachi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Organic thin film transistor and method for preparing the same, array substrate and display device

Номер патента: US20160380200A1. Автор: Wei Huang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Composition For Forming Metal Oxide Film, Patterning Process, And Method For Forming Metal Oxide Film

Номер патента: US20240019782A1. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Nobuhiro Nagamachi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Composition for forming metal oxide film, patterning process, and method for forming metal oxide film

Номер патента: EP4276535A1. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiharu Yano,Daisuke Kori,Hironori Satoh. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Composition For Forming Metal Oxide Film, Patterning Process, And Method For Forming Metal Oxide Film

Номер патента: US20240153771A1. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiharu Yano,Daisuke Kori,Hironori Satoh. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047584A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Sung Kyu Park,Seong Pil JEON,Bo Yeon PARK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-02-08.

Composition for forming resist underlayer film, patterning process, and method for forming resist underlayer film

Номер патента: EP4400914A2. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Kenta Ishiwata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Composition for forming resist underlayer film, patterning process, and method for forming resist underlayer film

Номер патента: EP4400914A3. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Kenta Ishiwata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Composition For Forming Resist Underlayer Film, Patterning Process, And Method For Forming Resist Underlayer Film

Номер патента: US20240255851A1. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Kenta Ishiwata. Владелец: Shine Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Coating-type composition for forming organic film, patterning process, polymer, and method for manufacturing polymer

Номер патента: US12105420B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Yasuyuki Yamamoto,Takayoshi Nakahara,Daisuke Kori,Keisuke NIIDA. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for forming a resist under layer film and patterning process

Номер патента: US20140335692A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Toshihiko Fujii,Seiichiro Tachibana,Daisuke Kori,Shiori Nonaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Method for Manufacturing Oxide Thin Film Transistor and Method for Manufacturing Display Device

Номер патента: US20110159618A1. Автор: Fang-An Shu,Ted-Hong Shinn,Henry Wang,Yao-Chou Ysai. Владелец: Prime View International Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Composition for forming silicon-containing resist underlayer film and patterning process

Номер патента: US11385544B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaki Ohashi,Tsukasa Watanabe,Yusuke Biyajima,Masahiro Kanayama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and method for manufacturing the same, display panel and display device

Номер патента: US20180138037A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-05-17.

Method for making Cu2-xSe nanoparticles and method for making deposited Cu2-xSe thin film by electrophoresis

Номер патента: US20140017884A1. Автор: Chu-Chi Ting,Wen-Yuan Lee. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-01-16.

Composition for forming silicon-containing resist underlayer film and patterning process

Номер патента: US20200233303A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaki Ohashi,Tsukasa Watanabe,Yusuke Biyajima,Masahiro Kanayama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Composition for forming silicon-containing resist underlayer film and patterning process

Номер патента: EP3686256A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaki Ohashi,Tsukasa Watanabe,Yusuke Biyajima,Masahiro Kanayama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-29.

Thin film transistor and method for fabricating same

Номер патента: US20200220025A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Taikyu KIM,Baekeun YOO. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-07-09.

Low temperature polysilicon layer, thin film transistor, and method for manufacturing same

Номер патента: US20210184050A1. Автор: YUAN Yan,Peng He,Lisheng Li. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

A solution for forming a doped copper oxide layer, a method for producing a doped copper oxide layer, a copper substrate with a doped copper oxide layer, use thereof and a heterojunction photovoltaic cell

Номер патента: WO2023046977A1. Автор: Robert Socha,Grzegorz Putynkowski,Piotr Panek,Katarzyna Gawlińska-Nęcek,Mateusz Wlazło. Владелец: Centrum Badań I Rozwoju Technologii Dla Przemysłu Spółka Akcyjna. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for forming fine pattern having variable width and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20110159686A1. Автор: Yong-Ju Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-30.

Method for forming fine pattern having variable width and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US8389405B2. Автор: Yong-Ju Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-05.

Method for forming fine pattern having variable width and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US8598036B2. Автор: Yong-Ju Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-03.

Composition for forming silicon-containing resist underlayer film and patterning process

Номер патента: US12001138B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Takeru Watanabe,Yusuke Biyajima,Yusuke Kai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Thin-film transistors and method for manufacturing the same

Номер патента: US11869975B2. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for controlling flatness, method for forming coating film, apparatus for controlling flatness, and apparatus for forming coating film

Номер патента: US11615978B2. Автор: Tsutomu Ogihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-28.

Method for controlling flatness, method for forming coating film, apparatus for controlling flatness, and apparatus for forming coating film

Номер патента: EP3904959A1. Автор: Tsutomu Ogihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Method for manufacturing semiconductor structure with thin film transistor

Номер патента: US20240038893A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for controlling flatness, method for forming coating film, apparatus for controlling flatness, and apparatus for forming coating film

Номер патента: US20210335649A1. Автор: Tsutomu Ogihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor structure with thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220393033A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Stacked film, method for the formation of stacked film, insulating film, and substrate for semiconductor

Номер патента: US20030059628A1. Автор: Kinji Yamada,Atsushi Shiota,Michinori Nishikawa,Manabu Sekiguchi. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Method for manufacturing a thin-film photovoltaic conversion device

Номер патента: US5378639A. Автор: Toshiaki Sasaki,Hitoshi Shimizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1995-01-03.

Device for application of functional layers of thin-film solar cells on substrate by deposition in plasma of low-frequency induction discharge of low-pressure transformer

Номер патента: RU2582077C2. Автор: Игорь Максимович Уланов,Артем Юрьевич Литвинцев,Михаил Витальевич Исупов,Павел Александрович Мищенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН). Дата публикации: 2016-04-20.

Compositions and methods for forming a semiconducting and/or silicon-containing film, and structures formed therefrom

Номер патента: US20060154036A1. Автор: Klaus Kunze,Scott Haubrich,Joerg Rockenberger,Brent Ridley,Fabio Zurcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-13.

Piezoelectric thin film element

Номер патента: US20200274052A1. Автор: Junichi Kimura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Method for manufacturing absorber layers for solar cell

Номер патента: EP1649520A1. Автор: In-Hwan Choi. Владелец: In-Solar-Tech Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-26.

Method for manufacturing polycrystalline silicon thin film, polycrystalline silicon thin film, and acoustic sensor

Номер патента: US20200389747A1. Автор: Xiaohui Zhong,Wooicheang Goh,Kahkeen Lai,Kianheng Goh. Владелец: AAC Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Methods for cds-based film and zno film deposition

Номер патента: CA1272107A. Автор: Cindy Xing Qiu,Ishiang Shih,Shu Nong Qui. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-07-31.

Electrode film, sputtering target, thin-film transistor and method for manufacturing thin-film transistor

Номер патента: TW201234496A. Автор: Junichi Sakamoto,Masaki Takei,Junya Kiyota,Kenji Masuzawa,Junichi Nitta,Motoshi Kobayashi,Tomiyuki Yukawa. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

SPUTTERING TARGET, METHOD FOR FORMING AMORPHOUS OXIDE THIN FILM USING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20130313549A1. Автор: YANO Koki,INOUE Kazuyoshi,KAWASHIMA Hirokazu. Владелец: IDEMITSU KOSAN CO., LTD.. Дата публикации: 2013-11-28.

METHOD FOR FORMING OLED ORGANIC THIN FILM LAYERS FOR USING RF SPUTTERING APPARATUS, RF SPUTTERING APPARATUS, AND APPARATUS FOR FORMING TARGET TO BE USED IN RF SPUTTERING APPARATUS

Номер патента: US20200259084A1. Автор: SO Moon Sook. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

Thin film solar cell, method for its production, method for producing a semiconductor ingot and method for producing a semiconductor substrate.

Номер патента: FR2695511B1. Автор: Hajime Sasaki,Hideo Naomoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-12-09.

Thin film deposition apparatus for forming patterned organic thin film

Номер патента: KR20220117390A. Автор: 이용의,이명기,김언정,구본용. Владелец: 주식회사 유니텍스. Дата публикации: 2022-08-24.

Metal-doped gallium oxide transparent conductive thin film for ultraviolet waveband and preparation method therefor

Номер патента: US20210305460A1. Автор: Hong Wang,Xiaolong Hu,Quanbin ZHOU,Rulian WEN. Владелец: Zhongshan Institute of Modern Industrial Technology of South China University of Technology. Дата публикации: 2021-09-30.

Organic thin film transistor, method of manufacturing organic thin film transistor, organic thin film transistor material, organic thin film transistor composition, organic semiconductor film, and compound

Номер патента: US20180155338A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Yoshihisa Usami,Toshihiro Okamoto,Eiji Fukuzaki,Masatoshi Yumoto,Hiroaki Tsuyama,Masashi Koyanagi,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-06-07.

Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon-containing thin using the same

Номер патента: US11749522B2. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang,Joong Jin Park,Jeong Joo Park,Sam Dong LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor thin film, semiconductor thin film manufacturing method and semiconductor element

Номер патента: CN103274608A. Автор: 井上一吉,宇都野太,本田克典. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-04.

Organic thin-film transistor and method for producing same, organic thin-film transistor material, organic thin-film transistor composition, compound, and organic semiconductor film

Номер патента: EP3333919B1. Автор: Tetsuya Watanabe,Takashi Goto,Yoshihisa Usami,Toshihiro Okamoto,Eiji Fukuzaki,Hiroaki Tsuyama,Masashi Koyanagi,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2020-03-11.

Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon containing thin film using the same

Номер патента: US20220139704A1. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang,Joong Jin Park,Jeong Joo Park,Sam Dong LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon-containing thin film using the same

Номер патента: US20200111664A1. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang,Joong Jin Park,Jeong Joo Park,Sam Dong LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

ORGANIC THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC THIN FILM, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, DISPLAY DEVICE, LIGHTING DEVICE, ORGANIC THIN FILM SOLAR CELL, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, THIN FILM TRANSISTOR, COATING COMPOSITION AND MATERIAL FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENTS

Номер патента: US20220310937A1. Автор: Shimizu Takahisa,FUKAGAWA Hirohiko,MORII Katsuyuki,HASEGAWA Munehiro,Fukudome Hiroki,SASAKI Tsubasa,OONO Taku. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

CRYSTALLINE OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, METHOD FOR PRODUCING CRYSTALLINE OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20180219098A1. Автор: INOUE Kazuyoshi,Ebata Kazuaki,Tomai Shigekazu,UTSUNO Futoshi,TSURUMA Yuki. Владелец: IDEMITSU KOSAN CO., LTD.. Дата публикации: 2018-08-02.

Continuous thin film of a metal chalcogenide

Номер патента: US11804253B2. Автор: Kian Ping Loh,Sock Mui POH. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2023-10-31.

Selective thin film resistor and methods for making same

Номер патента: WO2024138012A1. Автор: Mark CHASSE,Andreas SCHILLOFF,Alex STEPINSKI,Micheal GLEASON. Владелец: Greensource Fabrication. Дата публикации: 2024-06-27.

Oxide superconducting thin film material, oxide superconducting thin film wire, and method for manufacturing oxide superconducting thin film

Номер патента: US11763965B2. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Genki Honda,Takanori Motoki,Jun-Ichi Shimoyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Selective thin film resistor and methods for making same

Номер патента: US20240212893A1. Автор: Michael Gleason,Mark CHASSE,Andreas SCHILLOFF,Alex STEPINSKI. Владелец: Greensource Fabrication. Дата публикации: 2024-06-27.

Methods for forming carbon nanotube/metal composite films and field emission cathodes therefrom

Номер патента: CA3194243A1. Автор: Cheng Qian. Владелец: NCX Corp. Дата публикации: 2022-04-07.

Methods for forming carbon nanotube/metal composite films and field emission cathodes therefrom

Номер патента: EP4222772A1. Автор: Cheng Qian. Владелец: NCX Corp. Дата публикации: 2023-08-09.

Methods for forming carbon nanotube/metal composite films and field emission cathodes therefrom

Номер патента: WO2022070095A1. Автор: Cheng Qian. Владелец: Ncx Corporation. Дата публикации: 2022-04-07.

Method for the wet deposition of thin films

Номер патента: US20180001290A1. Автор: Benoit Heinrichs,Cedric Calberg,Dimitri LIQUET,Carlos PAEZ,Christelle ALIÉ. Владелец: UNIVERSITE DE LIEGE. Дата публикации: 2018-01-04.

A method for making thick and/or thin film

Номер патента: EP1429869A2. Автор: Ai Quoc Pham,Robert S. Glass. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2004-06-23.

Method for generating hydrogen by water splitting, and photoelectrochemical cell and semiconductor electrode used therefor

Номер патента: US9926633B2. Автор: Satoru Tamura,Takaiki Nomura,Kazuhito Hato,Takahiro Kurabuchi,Ryosuke Kikuchi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for generating hydrogen by water splitting, and photoelectrochemical cell and semiconductor electrode used therefor

Номер патента: US20150322577A1. Автор: Satoru Tamura,Takaiki Nomura,Kazuhito Hato,Takahiro Kurabuchi,Ryosuke Kikuchi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Method for forming groove on metal strip surface and method for manufacturing grain-oriented electrical steel sheet

Номер патента: US20230366101A1. Автор: Takeshi Omura,Shigehiro Takajo,Nobuko Nakagawa. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for forming groove on metal strip surface, and method for producing grain-oriented electromagnetic steel sheet

Номер патента: EP4219775A1. Автор: Takeshi Omura,Shigehiro Takajo,Nobuko Nakagawa. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-08-02.

Method for forming groove in metal strip surface, and method for manufacturing oriented electromagnetic steel sheet

Номер патента: EP4219776A1. Автор: Takeshi Omura,Shigehiro Takajo. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-08-02.

Apparatus for forming magnetic pigment pattern on article and method for forming magnetic pigment pattern using the same

Номер патента: EP4299197A1. Автор: Chi-kyun Park,Jae-Jeong Lee,Ji-Sang JANG,Kyoung Kyu Kim,Kyung-seok CHOI. Владелец: ASSEMS Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Apparatus for forming magnetic pigment pattern on article and method for forming magnetic pigment pattern using the same

Номер патента: US11951510B2. Автор: Chi-kyun Park,Jae-Jeong Lee,Ji-Sang JANG,Kyung-seok CHOI,Kyoung-Kyu KIM. Владелец: ASSEMS Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Apparatus for forming magnetic pigment pattern on article and method for forming magnetic pigment pattern using the same

Номер патента: US20230415194A1. Автор: Chi-kyun Park,Jae-Jeong Lee,Ji-Sang JANG,Kyung-seok CHOI,Kyoung-Kyu KIM. Владелец: ASSEMS Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for forming grooves on metal strip surface and method for manufacturing grain-oriented electrical steel sheet

Номер патента: US20230357875A1. Автор: Takeshi Omura,Shigehiro Takajo. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Methods for forming carbon nanotube/metal composite films and field emission cathodes therefrom

Номер патента: US20230411103A1. Автор: Cheng Qian. Владелец: NCX Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Thin film forming method and thin film stack

Номер патента: US20110052924A1. Автор: Kiyoshi Oishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2011-03-03.

Thin film forming apparatus and process for forming thin film using same

Номер патента: KR100278190B1. Автор: 소네 가쯔호. Владелец: 미다라이 후지오. Дата публикации: 2001-01-15.

Flip-chip semiconductor back-side film, dicing tape integrated semiconductor back-side film, method for fabricating flip-chip semiconductor back-side film, and semiconductor apparatus

Номер патента: TW201232707A. Автор: Koichi Inoue,Takeshi Matsumura,Daisuke Uenda,Miki Morita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-08-01.

Ferrite thin film-forming composition material, method of forming ferrite thin film, and ferrite thin film formed using the same

Номер патента: US20130256582A1. Автор: Toshihiro Doi,Nobuyuki Soyama,Hideaki Sakurai,Kenzo Nakamura,Kazunori Igarashi. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Method for processing the beam of neutral particles based on the technology for processing the beam of gas cluster ions and obtained by such as a product

Номер патента: RU2648961C2. Автор: Майкл Дж. УОЛШ,Шон Р. КИРКПАТРИК,Аллен Р. КИРКПАТРИК. Владелец: Эксодженезис Корпорейшн. Дата публикации: 2018-03-28.

Process for forming electronic circuit

Номер патента: US5759638A. Автор: Keiji Kabeta,Shigeru Wakamatsu,Takafumi Imai,Kiyoaki Syuto. Владелец: Toshiba Silicone Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-02.

Solid-state thin-film hybrid electrochemical current source

Номер патента: RU2709487C1. Автор: Владимир Александрович Чугунов,Владимир Игоревич МЕЩЕРЯКОВ,Антон Михайлович МАНАХОВ,Николай Анатольевич Погорелов,Арну РУССАУ,Елена Викторовна КОЛЕСНИКОВА. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Финика". Дата публикации: 2019-12-18.

PROCESS FOR FORMING A THERMISTOR THIN FILM.

Номер патента: FR2684794A1. Автор: Yamanaka Seiji,Yonezawa Tadashi,Soe Takeshi. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 1993-06-11.

Solvent-less method to manufacture thin film devices

Номер патента: CA3036194C. Автор: Alberto Argoitia,Kangning Liang,Jaroslaw Zieba,Johannes P. Seydel. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2023-09-26.

Free-standing lithium phosphorus oxynitride think films and methods of their manufacture

Номер патента: US20230313362A1. Автор: Thomas A. Wynn,Ying Shirley Meng,Diyi Cheng. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-10-05.

SILICON TARGET FOR SPUTTERING FILM FORMATION AND METHOD FOR FORMING SILICON-CONTAINING THIN FILM

Номер патента: US20140318948A1. Автор: YOSHIKAWA Hiroki,Kaneko Hideo,INAZUKI Yukio. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

RARE EARTH THIN FILM MAGNET, PROCESS FOR PRODUCING SAME, AND TARGET FOR FORMING RARE EARTH THIN FILM MAGNET

Номер патента: US20160343482A1. Автор: Nakano Masaki,Fukunaga Hirotoshi,Yanai Takeshi,Sawatari Hironobu,Itakura Masaru. Владелец: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION. Дата публикации: 2016-11-24.

Rare earth thin film magnet, method for producing the same, and target for forming rare earth thin film magnet

Номер патента: TWI628294B. Автор: 中野正基,柳井武志,福永博俊,板倉賢,澤渡廣信. Владелец: 日商Ｊｘ日鑛日石金屬股份有限公司. Дата публикации: 2018-07-01.

Rare-earth thin-film magnet, process for producing same, and target for forming rare-earth thin-film magnet

Номер патента: KR101862959B1. Автор: 마사키 나카노,히로토시 후쿠나가,다케시 야나이,히로노부 사와타리,마사루 이타쿠라. Владелец: 제이엑스금속주식회사. Дата публикации: 2018-05-30.

Electrolyte and method for the electroplating of copper on a barrier layer, and semiconductor substrate obtained with said method

Номер патента: TW201122163A. Автор: Frédéric Raynal,Vincent Mevellec,Jose Gonzales. Владелец: ALCHIMER. Дата публикации: 2011-07-01.

Method for formation of an ultra-thin film and semiconductor device containing such a film

Номер патента: US20050170531A1. Автор: Bum-Ki Moon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-08-04.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: US20020001934A1. Автор: Hai Won Kim,Kwang Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for forming silicon dioxide film and method for forming metal gate

Номер патента: US11990331B2. Автор: Wei Feng,Jingwen Lu,Bingyu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for fabricating crystalline-dielectric thin films and devices formed using same

Номер патента: US20040067659A1. Автор: Charles Black,Christopher Murray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Thin film transistor and method for manufacturing same, display device, method for modifying oxidized film, method for forming oxidized film, semiconductor device and method for manufacturing same, and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW200539341A. Автор: Hikaru Kobayashi,Shigeki Imai,Kazuhiko Inoguchi. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2005-12-01.

Method for forming trench liner passivation

Номер патента: US20180174888A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-Hsien Chou,Tsun-Kai Tsao,Hung-Ling Shih,Kuo-Hwa Tzeng,Ming-Huei Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Transistor, forming method thereof, and semiconductor device

Номер патента: WO2019170144A1. Автор: Ning Li. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-09-12.

Methods, apparatus and system for forming a dielectric field for dual orientation self aligned vias

Номер патента: US9530691B1. Автор: Xunyuan Zhang,Errol Todd Ryan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for producing ferroelectric thin film

Номер патента: US20140141531A1. Автор: Hideaki Sakurai,Shintaro Iida. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Metallic oxide thin film transistor, array substrate and their manufacturing methods, display device

Номер патента: US20160365366A1. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20040201007A1. Автор: Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Yoshitaka Hamada,Hideo Nakagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-14.

Thin film electrode separation method using thermal expansion coefficient

Номер патента: EP3683824A1. Автор: Ha Na Park,Seung-A LEE,Ha-Chul Jung,Jin-woo Ahn,Young-Jin Kim. Владелец: OSONG MEDICAL INNOVATION FOUNDATION. Дата публикации: 2020-07-22.

ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELDING THIN FILM, ELECTRONIC DEVICE PROVIDED WITH ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELDING THIN FILM AND SHIELDING STRUCTURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELDING THIN FILM

Номер патента: US20170034965A1. Автор: Park Jin-Man,LEE Ju-Ho,Park Eun-Soo,PARK Keum-hwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-02-02.

Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material

Номер патента: US11952658B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Katja Väyrynen,Timo Hatanpää. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-09.

Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material

Номер патента: US11814715B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Katja Väyrynen,Timo Hatanpää,Anton Vihervaara. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, apparatus for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, method for selectively growing semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, and semiconductor element using substrate irradiated with focused light

Номер патента: US20120001302A1. Автор: Hisashi Matsumura,Kazuyoshi Itoh,Shunro Fuke,Yasuo Kanematsu. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for forming resist underlayer film, method for producing semiconductor substrate, composition, and resist underlayer film

Номер патента: US20240231231A1. Автор: Takashi Katagiri,Hiroyuki Miyauchi,Yuya Hayashi,Tomoharu KAWAZU,Ryotaro Tanaka,Daiki TATSUBO. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

METHOD FOR FORMING LaNiO3 THIN FILM

Номер патента: US20170095835A1. Автор: Nobuyuki Soyama,Jun Fujii,Hideaki Sakurai. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Thin films, methods and devices for forming thin films, and electronic components incorporating thin films

Номер патента: KR970077147A. Автор: 기요시 다카하시,가즈요시 혼다,마사루 오다기리,노리야스 에치고,노부키 스나가레. Владелец: 마쓰시타 덴키산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 1997-12-12.

Methods for Forming a Semiconductor Device and Semiconductor Devices

Номер патента: US20170365516A1. Автор: Sebastian Schmidt,Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler,Oliver Hellmund,Martina SEIDER-SCHMIDT. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-21.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US9583331B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Shinsuke Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Thin-film capacitor and electronic circuit board

Номер патента: US20100265632A1. Автор: Akira Shibue,Naoto Tsukamoto,Kenji Horino,Hitoshi Saita. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Manufacturing method of polycrystalline silicon thin film and manufacturing method of thin film transistor array substrate

Номер патента: US20190027513A1. Автор: Leilei Dong. Владелец: Actinium Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Polycrystal thin film forming method and forming system

Номер патента: US20010041391A1. Автор: Kuninori Kitahara,Akito Hara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Polycrystalline silicon thin film and method thereof, optical film, and thin film transistor

Номер патента: WO2017028543A1. Автор: Dong Li,Zheng Liu,Chunping Long,Xiaoyong Lu,Shuai ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-02-23.

Carbon-titania nanocomposite thin films and applications of the same

Номер патента: US11942281B2. Автор: Yu Teng Liang,Baiju K. Vijayan,Kimberly A. Gray,Mark C. Hersam. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2024-03-26.

Carbon-titania nanocomposite thin films and applications of the same

Номер патента: US20230335343A1. Автор: Yu Teng Liang,Baiju K. Vijayan,Kimberly A. Gray,Mark C. Hersam. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2023-10-19.

METHOD FOR FORMING AMORPHOUS SILICON THIN FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SAME, AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20210398802A1. Автор: CHOI Young Chul,KIM Dong Hak,Moon Jae Jung. Владелец: WONIK IPS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-12-23.

Multilayered ceramic substrate and method for manufacturing same

Номер патента: EP3647299A1. Автор: Tae Hyung NOH. Владелец: DIT Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-06.

Multilayered ceramic substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US20200084894A1. Автор: Tae Hyung NOH. Владелец: DIT Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Coating apparatus, thin film forming method, thin film forming apparatus, and semiconductor device manufacturing method, electro-optic device and electronic instrument

Номер патента: TWI239271B. Автор: Ichio Yudasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-09-11.

Method for forming semiconductor thin film and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20100081231A1. Автор: Shintaro Hirata,Daisuke Hobara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

METHOD OF FORMING THIN FILM POLY SILICON LAYER AND METHOD OF FORMING THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20130330886A1. Автор: Liu Chin-Chang,Wang Wen-Chun,Huang Hieng-Hsiung,Chang Heng-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

A material for forming oxide thin film, a forming method for oxide thin film and a making method for a thim film transistor

Номер патента: KR101361054B1. Автор: 김현재,김동림,임유승,정주혜. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-02-12.

Method of fabricating oxide thin film device using laser lift-off and oxide thin film device fabricated by the same

Номер патента: US8828845B2. Автор: Jin Sang Kim,Ji Won Choi,Hyun Cheol Song,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Seok Jin Yoon,Young Ho Do. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-09-09.

Method for forming fine patterns of semiconductor devices, and method for forming semiconductor devices using the same, and semiconductor devices formed by using the same

Номер патента: KR102257038B1. Автор: 이철,신석호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-05-28.

Thin film and p-type zinc oxide thin film manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: JP3834658B2. Автор: 雅司 川崎,明 大友,知昭 福村,敦 塚▲崎▼,亮 大谷. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2006-10-18.

Transistor Including Hydrogen Diffusion Barrier Film and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240136440A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Hung-Wei Li,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method For Making a Thin-Film Structure and Resulting Thin-Film Structure

Номер патента: US20080290471A1. Автор: Joel Eymery,Pascal Pochet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-11-27.

Method for making a thin-film structure and resulting thin-film structure

Номер патента: US8461031B2. Автор: Joel Eymery,Pascal Pochet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2013-06-11.

Thin film transistor, thin film transistor manufacturing method and liquid crystal display panel

Номер патента: US20190043995A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Method for crystallizing amorphous silicon thin-film for use in thin-film transistors and thermal annealing apparatus therefor

Номер патента: US20010001715A1. Автор: TAEKYUNG KIM,Seungki Joo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Method of degassing thin layer and method of manufacturing silicon thin film

Номер патента: US20070264800A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Kyung-bae Park,Ji-sim Jung,Jong-Man Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-15.

METAL OXIDE THIN FILM, METHOD OF PRODUCING SAME, AND COATING SOLUTION FOR FORMING METAL OXIDE THIN FILM USED IN SAID METHOD

Номер патента: US20160118253A1. Автор: TAKATA Masahiro,TANAKA Atsushi,SUZUKI Masayuki,Kikuchi Makoto. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor thin film, semiconductor element and semiconductor device, and fabrication methods thereof

Номер патента: KR100700677B1. Автор: 도미야시게타카,후나토겐지. Владелец: 소니 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 2007-03-27.

Thin film transistors and related fabrication techniques

Номер патента: US20240237364A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Nanocrystal thin film device fabrication methods and apparatus

Номер патента: WO2014113655A3. Автор: Cherie R. Kagan,Yuming LAI,David K. KIM,Ji-Hyuk Choi. Владелец: THE TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF PENNSYLVANIA. Дата публикации: 2014-10-16.

Method for fabricating a semiconductor structure using a protective layer, and semiconductor structure

Номер патента: US20030073297A1. Автор: Juergen Holz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-17.

Thin film transistor, method for producing the same, array substrate and display apparatus

Номер патента: US20170263726A1. Автор: Yongchao HUANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

THIN-FILM STRUCTURAL BODY, METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM STRUCTURAL BODY, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170338358A1. Автор: Tanaka Hidekazu,Nakagawara Osamu. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Methods of fabricating a semiconductor integrated circuit with thin film transistors using a selective epitaxial growth technique and a partial planarization technique and semiconductor integrated circuits fabricated thereby

Номер патента: KR100663349B1. Автор: 김성진,장재훈,조원석,곽근호,김종혁,임훈,정순문,황병준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-02.

Method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing display, method for manufacturing thin film transistor, and method for forming semiconductor thin film

Номер патента: WO2000004572A1. Автор: Hisao Hayashi,Yasushi Shimogaichi,Masahiro Minegishi,Makoto Takatoku. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2000-01-27.

Wafer marking method, nitride semiconductor device manufacturing method, and nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4354492A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Shouzaburo GOTO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

METHOD FOR GROWING NITRIDE III SEMICONDUCTOR CRYSTAL OF GROUP III, METHOD FOR PRODUCING NITRIDE III SEMICONDUCTOR CRYSTAL OF GROUP III AND SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE OF GROUP NITRIDE III

Номер патента: RU2008145803A. Автор: Томоки УЕМУРА,Такудзи ОКАХИСА,Томохиро КАВАСЕ,Мунейюки НИСИОКА,Сатоси АРАКАВА,Такудзи ОКАХИСА (JP),Томохиро КАВАСЕ (JP),Томоки УЕМУРА (JP),Мунейюки НИСИОКА (JP),Сатоси АРАКАВА (JP). Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp). Дата публикации: 2010-05-27.

Film adhesive and method for making same; dicing/die bonding integrated film and method for making same; and semiconductor device and method for making same

Номер патента: US20230395420A1. Автор: Kohei Taniguchi,Yuya HIRAMOTO,Yuya AKIYAMA,Kei ITAGAKI,Megumi KAMONO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for crystallizing amorphous silicon thin film and method for fabricating poly crystalline thin film transistor using the same

Номер патента: US20130273724A1. Автор: Tao Li,Yong Woo Lee,Se Wan Son,Hyun Mo KANG,Woo Chang Lim,Sang Joo Lee,Seung Ki Joo,Seol Ah Park,Chang Woo BYUN,Seung Jae YUN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-17.

Thin film transistor, method for preparing the same, display substrate and display device

Номер патента: US20200343356A1. Автор: Lin Chen,Ji Zhang,Jincheng GAO,Huiming WANG. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display substrate and display device

Номер патента: EP3748687A1. Автор: Lin Chen,Ji Zhang,Jincheng GAO,Huiming WANG. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-09.

Thin film transistor, method for fabricating the same, and display device

Номер патента: US20180226256A1. Автор: Dong Li,Xiaolong Li,Huijuan Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

COATING LIQUID FOR FORMING METAL OXIDE THIN FILM, METAL OXIDE THIN FILM, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20140299877A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Takada Mikiko,Saotome Ryoichi. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2014-10-09.

Coating liquid for forming metal oxide thin film, metal oxide thin film, field-effect transistor, and method for manufacturing field-effect transistor

Номер патента: KR101697412B1. Автор: 유키코 아베,나오유키 우에다,유키 나카무라,신지 마츠모토,유지 소네,료이치 사오토메,미키코 다카다. Владелец: 가부시키가이샤 리코. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for fabricating a three-dimensional thin-film semiconductor substrate from a template

Номер патента: EP2412029A1. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2012-02-01.

A composition for oxide thin film, preparation method of the composition, methods for forming the oxide thin film using the composition, and an electrical device using the composition

Номер патента: KR101301215B1. Автор: 김현재,정웅희,임유승. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2013-08-29.

Sputtering target, method for forming amorphous oxide thin film using the same, and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: KR101344594B1. Автор: 가즈요시 이노우에,고끼 야노,히로까즈 가와시마. Владелец: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-12-26.

Thin film, method and apparatus for forming the same, and electronic component incorporating the same

Номер патента: US20030148038A1. Автор: Kiyoshi Takahashi,Kazuyoshi Honda,Masaru Odagiri,Noriyasu Echigo,Nobuki Sunagare. Владелец: Nobuki Sunagare. Дата публикации: 2003-08-07.

Composition for ferroelectric thin film formation and method for forming ferroelectric thin film

Номер патента: EP2436661B1. Автор: Takashi Noguchi,Nobuyuki Soyama,Jun Fujii,Hideaki Sakurai. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-03-30.

Sputtering target, method for forming amorphous oxide thin film using the same, and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: JP5288141B2. Автор: 一吉 井上,公規 矢野,浩和 川嶋. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-11.

Method for forming mask pattern, thin film transistor and forming method therefor, and display device

Номер патента: WO2017118061A1. Автор: 张斌,姚琪,曹占锋,舒适,刘震,周婷婷,关峰. Владелец: 京东方科技集团股份有限公司. Дата публикации: 2017-07-13.

Method and apparatus for forming a multilayer thin film system on a substrate and measuring the distance between two surfaces of the thin film

Номер патента: KR970003422A. Автор: 덴들리커 레니,슈넬 어번,그레이 사이몬. Владелец: 홀트로닉 테크놀로지스, 리미티드. Дата публикации: 1997-01-28.

Coating liquid for forming metal oxide thin film, metal oxide thin film, field-effect transistor, and method for manufacturing field-effect transistor

Номер патента: TW201327831A. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Mikiko Takada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-01.

Method for forming oxide layer in semiconductor manufacturing process and semiconductor device manufactured by using the same

Номер патента: KR100362834B1. Автор: 이정호,이동준,김홍기,전상문,최정식,강대원. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-11-29.

Coating liquid for forming metal oxide thin film, metal oxide thin film, field effect transistor, and method for producing the field effect transistor

Номер патента: SG190430A1. Автор: Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-31.

Sputtering target, method for forming amorphous oxide thin film using the same, and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: WO2009142289A1. Автор: 矢野　公規,井上　一吉,浩和 川嶋. Владелец: 出光興産株式会社. Дата публикации: 2009-11-26.

Method for forming semiconductor thin film, semiconductor device, method for producing semiconductor device, substrate, and thin film substrate

Номер патента: WO2012127769A1. Автор: 西谷　輝,孝啓 川島,盛 大高. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2012-09-27.

Method for etching dual damascene structures in organosilicate glass

Номер патента: US6410437B1. Автор: Janet M. Flanner,Ian Morey. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20120196395A1. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

The method for preparation of nickel oxide thin films and the method for crystallization of amorphous silicon thin film using the same and the method for manufacture of thin film transistor using the same

Номер патента: KR20070081218A. Автор: 이영국,김윤수,정택모,김창균,이선숙,안기석,황진하. Владелец: 황진하. Дата публикации: 2007-08-16.

Method for manufacturing microcrystalline semiconductor film, thin film transistor having microcrystalline semiconductor film, and photoelectric conversion device having microcrystalline semiconductor film

Номер патента: KR101534099B1. Автор: 히데카주 미야이리,야스히로 진보,코지 다이리키. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2015-07-06.

Systems and methods using sequential lateral solidification for producing single or polycrystalline silicon thin films at low temperatures

Номер патента: CA2382662C. Автор: James S. Im,Robert S. Sposili,Mark A. Crowder. Владелец: Columbia University of New York. Дата публикации: 2010-10-26.

Ink for forming compound semiconductor thin film and method for producing same

Номер патента: EP2762444A4. Автор: Akira Yamada,Yiwen Zhang. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2015-06-10.

Coating liquid for forming metal oxide thin film and method for manufacturing field-effect transistor

Номер патента: EP2786405B1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Mikiko Takada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-29.

Electrical charge regulation for a semiconductor substrate during charged particle beam processing

Номер патента: WO2015110527A1. Автор: Pieter Lucas Brandt. Владелец: MAPPER LITHOGRAPHY IP B.V.. Дата публикации: 2015-07-30.

Transistor including hydrogen diffusion barrier film and methods of forming same

Номер патента: US20230387313A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Mauricio Manfrini,Hung Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Transistor including hydrogen diffusion barrier film and methods of forming same

Номер патента: US11923459B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Mauricio Manfrini,Hung Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Thin film transistors and related fabrication techniques

Номер патента: US11903223B2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Etching composition for thin film containing silver, method for forming pattern and method for manufacturing a display device using the same

Номер патента: US12031076B2. Автор: Jonghee PARK,Hyoung Sik Kim,Youngmin Kim,DongHun Lee,Kyu-Hun Lim,Dongmin Jang,Suck Jun Lee,Gi-Yong Nam,Jinhyung Kim,O byoung KWON,Kyungchan Min. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Composition for forming organic film, patterning process, and compound and polymer for forming organic film

Номер патента: US20230244147A1. Автор: Naoki Kobayashi,Yasuyuki Yamamoto,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Conductive substrate with thin film resistive layer, method for producing conductive substrate with thin film resistive layer, and circuit board with thin film resistive layer

Номер патента: JP5052806B2. Автор: 裕二 鈴木,貞雄 松本,悟 座間,吉章 荻原,勇貴 菊池. Владелец: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-10-17.

Method for forming sintered silver coating film, baking apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20140239484A1. Автор: Kenji Matsuda,Muneo Harada,Itaru Iida,Yoshinobu Mitano,Michikazu NAKAMURA,Shinjiro Watanabe,Dai Shinozaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Method for forming a polysilicon thin film layer

Номер патента: US20090127557A1. Автор: Shan-Hung Tsai,Tsung-Yen LIN,Ho-Hsuan Lin,Wen-Tseng Cheng. Владелец: TPO Displays Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Method for forming aluminum lines over aluminum-filled vias in a semiconductor substrate

Номер патента: WO2002013240A3. Автор: Liang-Yuh Chen,Ted Guo,Roderick C Mosely,Jing-Pei Chou. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Method for forming aluminum lines over aluminum-filled vias in a semiconductor substrate

Номер патента: WO2002013240A2. Автор: Liang-Yuh Chen,Ted Guo,Roderick C. Mosely,Jing-Pei Chou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2002-02-14.

Method for forming a planarized thin film

Номер патента: CA1247464A. Автор: Hiroaki Nakamura,Kazuyoshi Kamoshida,Takao Amazawa. Владелец: Takao Amazawa. Дата публикации: 1988-12-28.

Methods for protecting gate stacks during fabrication of semiconductor devices and semiconductor devices fabricated from such methods

Номер патента: US20110121397A1. Автор: Rohit Pal,Frank Bin YANG,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-05-26.

Method for forming mark, packaging method of semiconductor device, and semiconductor device having the mark

Номер патента: US20240178152A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Po-Yuan TENG,Shih-Wei Chen,Chiahung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for forming impurity region of vertical transistor and method for fabricating vertical transistor using the same

Номер патента: US20110306192A1. Автор: Eun Shil Park,Tae Kyun Kim,Yong Seok Eun,Kyong Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Method for producing a semiconductor component having an insulating substrate, and semiconductor component having an insulating substrate

Номер патента: US12100791B2. Автор: Benjamin Michaelis. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-09-24.

Thin film element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180226346A1. Автор: Toshiyuki Nakaiso. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate, display panel, and display device

Номер патента: US20210265478A1. Автор: Gong Chen,Zheng BAO,Yanxia Xin,Hongwei Hu,Yihao WU,Yiyang Zhang,Guangzhou Zhao. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin-film device

Номер патента: US10181407B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kenji Kuroiwa,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-15.

Thin-Film Transistor and Method for Forming the Same

Номер патента: US20170194500A1. Автор: Jinming LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Thin film device, flexible circuit board including thin film device, and method for manufacturing thin film device

Номер патента: US20100301338A1. Автор: Daisuke Abe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Display apparatus comprising different types of thin film transistors and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200212077A1. Автор: Daehwan Kim,Pilsang YUN,Sehee Park,Jaeman JANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Display apparatus comprising different types of thin film transistors and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210193699A1. Автор: Daehwan Kim,Pilsang YUN,Sehee Park,Jaeman JANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Composition for forming metal oxide film, patterning process, and method for forming metal oxide film

Номер патента: US20230280648A1. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiharu Yano,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for manufacturing semiconductor structure with core and peripheral regions and semiconductor structure thereof

Номер патента: US11864373B2. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Thin Film Transistor, Manufacturing Method for Array Substrate, Array Substrate and Display Device

Номер патента: US20180166562A1. Автор: WEI YANG,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Thin-film transistor and method for manufacturing same, array substrate, and display device

Номер патента: US11227881B2. Автор: Fan Zhang,Koji Suzuki,Jianhua Li,Yixian Zhang,Zhuo Chen,Junhai Su,Siyu REN. Владелец: Truly Huizhou Smart Display Ltd. Дата публикации: 2022-01-18.

Thin-film transistor and method for manufacturing same, array substrate, and display device

Номер патента: US20200235132A1. Автор: Fan Zhang,Koji Suzuki,Jianhua Li,Yixian Zhang,Zhuo Chen,Junhai Su,Siyu REN. Владелец: Truly Huizhou Smart Display Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Vertical channel thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US12021151B2. Автор: Ji Hun Choi,Seunghee Lee,Chi-Sun Hwang,Jae-Eun PI,Jong-Heon Yang,Sanghee Park,KwangHeum LEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for forming selective emitter of solar cell and diffusion apparatus for forming the same

Номер патента: US8053343B2. Автор: Yusung Huh,Seungil PARK,Mangeun LEE. Владелец: SNT Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-08.

Composition for forming metal oxide film, patterning process, and method for forming metal oxide film

Номер патента: EP4239409A1. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiharu Yano,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Lead forming device for forming an electronic component lead and a method for forming an electronic component lead

Номер патента: NL2033194B1. Автор: Christina Johannes Maria Schoenaker Robertus. Владелец: Besi Netherlands Bv. Дата публикации: 2024-04-08.

Lead forming device for forming an electronic component lead and a method for forming an electronic component lead

Номер патента: WO2024072215A1. Автор: Robertus Christina Johannes Maria SCHOENAKER. Владелец: BESI NETHERLANDS B.V.. Дата публикации: 2024-04-04.

Vertical channel thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220199836A1. Автор: Ji Hun Choi,Seunghee Lee,Chi-Sun Hwang,Jae-Eun PI,Jong-Heon Yang,Sanghee Park,KwangHeum LEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for enhancing etch selectivity of metal silicide film to polysilicon film, and method for etching stacked film of metal silicide film and polysilicon film

Номер патента: US6432834B1. Автор: Jung-hyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-13.

Monodisperse granular film, method for forming the monodisperse granular film, solar cell, method for preparing the solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: WO2024124771A1. Автор: Jie Yang,Xinyu Zhang,Menglei Xu,Yuanfang Zhang. Владелец: Jinko Solar Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Monodisperse granular film, method for forming the monodisperse granular film, solar cell, method for preparing the solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: EP4409643A1. Автор: Jie Yang,Xinyu Zhang,Menglei Xu,Yuanfang Zhang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for forming impurity layer, exposure mask therefore and method for producing solid-state imaging device

Номер патента: US20120077304A1. Автор: Yoshihiro Obara,Ken Tomita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Monodisperse granular film, method for forming the monodisperse granular film, solar cell, method for preparing the solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: US20240192603A1. Автор: Jie Yang,Xinyu Zhang,Menglei Xu,Yuanfang Zhang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Process for forming differential spaces in electronics device integrated on a semiconductor substrate

Номер патента: US20100047980A1. Автор: Giulio Albini,Giorgio Servalli,Carlo Cremonesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-02-25.

Organic thin film and method for manufacturing organic thin film, organic electroluminescence element, display device, illumination device, organic thin film solar cell, thin film transistor, and coating composition

Номер патента: US20190081239A1. Автор: Takahisa Shimizu,Munehiro Hasegawa,Katsuyuki Morii,Syun GOHDA,Hirohiko Fukagawa. Владелец: Nippon Hoso Kyokai NHK. Дата публикации: 2019-03-14.

Back side metallization thin film structure and method for forming the same

Номер патента: US20240170434A1. Автор: Chien-Hsun Chuang. Владелец: AG Materials Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device, photoelectronic device, and method for manufacturing transition-metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US10593819B2. Автор: Jin Woo Park,Ki Hyun Kim,Ki Seok Kim,Ji Young Byun,Geun Young Yeom,Doo San KIM,You Jin JI. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2020-03-17.

Semiconductor device, photoelectronic device, and method for manufacturing transistion-metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US20200176620A1. Автор: Jin Woo Park,Ki Hyun Kim,Ki Seok Kim,Ji Young Byun,Geun Young Yeom,Doo San KIM,You Jin JI. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2020-06-04.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US9385297B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US20150064804A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Thin-film capacitor structure and semiconductor device including the thin-film capacitor structure

Номер патента: US20200126934A1. Автор: Seisei Oyamada. Владелец: Noda Screen Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Silver nano-twinned thin film structure and method for forming the same

Номер патента: US20210225793A1. Автор: Hsing-Hua TSAI,An-Chi CHUANG,Po-Ching Wu,Chung-Hsin CHOU. Владелец: AG Materials Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Silver nano-twinned thin film structure and method for forming the same

Номер патента: US11488920B2. Автор: Hsing-Hua TSAI,An-Chi CHUANG,Po-Ching Wu,Chung-Hsin CHOU. Владелец: AG Materials Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-01.

Thin film article and method for forming a reduced conductive area in transparent conductive films for photovoltaic modules

Номер патента: US8525019B2. Автор: Jonathan Mack Frey,Scott Daniel Feldman-Peabody. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2013-09-03.

Thin-film transistor and method for making the smae

Номер патента: US20010028057A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Hisao Hayashi,Masahiro Fujino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Thin film photovoltaic cell, cell pack and method of fabricating thin film photovoltaic cell

Номер патента: US12125925B2. Автор: YUAN Li,Liang Yang,Xiongcai XIE,Guang Huang. Владелец: Truly Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Thin film transistor and method for producing the same

Номер патента: US20130193420A1. Автор: Nobuhide Yoneya,Mao Katsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Method for patching up thin-film transistor circuits on a display panel by local thin-film deposition

Номер патента: US20050142669A1. Автор: Yi-Shen Chen,Liang-Hsing Fan. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2005-06-30.

Vertical thin film transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US10361314B2. Автор: Chin-Rung Yan. Владелец: INT Tech Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-23.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, thin film transistor assembly, array substrate and display apparatus

Номер патента: US10186616B2. Автор: Peng Li,Zhi Hou,ZHONG FENG,Zuhong Liu,Daeoh Oh,Qinggao ZHOU,Panpan MENG. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Thin film transistor and method for manufacturing the same array substrate and display device

Номер патента: US20180294361A1. Автор: Xianxue Duan,Hui An,Dezhi Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Method for patching up thin-film transistor circuits on a display panel by local thin-film deposition

Номер патента: US20050003588A1. Автор: Yi-Shen Chen,Liang-Hsing Fan. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2005-01-06.

Method for patching up thin-film transistor circuits on a display panel by local thin-film deposition

Номер патента: US20070117283A1. Автор: Yi-Shen Chen,Liang-Hsing Fan. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-05-24.

Thin film transitor and method for manufacturing the same, thin film transistor assembly, array substrate and display apparatus

Номер патента: US20170194482A1. Автор: Peng Li,Zhi Hou,ZHONG FENG,Zuhong Liu,Daeoh Oh,Qinggao ZHOU,Panpan MENG. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Thin film transistor and method for fabricating thin film transistor

Номер патента: US20110198592A1. Автор: Sun Jae Kim,Min Koo Han. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2011-08-18.

Thin film transistor and method for manufacturing same, display panel, and display device

Номер патента: US20240194686A1. Автор: Jie Huang,Zhengliang Li,Lizhong Wang,Shuilang Dong,ce Ning,Hehe HU,Lubin SHI,Liping LEI,Jiayu HE,Dapeng XUE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Thin film transistor, display device having thin film transistor, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100279475A1. Автор: Satoshi Kobayashi,Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki,Yasuhiro Jinbo,Daisuke Kawae. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Organic thin film transistor and method for producing same

Номер патента: US20150188063A1. Автор: Junichi Takeya,Takafumi Uemura. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2015-07-02.

Large scale chemical bath system and method for cadmium sulfide processing of thin film photovoltaic materials

Номер патента: WO2010039882A1. Автор: Robert D. Wieting. Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2010-04-08.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020076862A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-06-20.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US11309392B2. Автор: HUI Li,Chunping Long. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Flat Panel Display Device with Oxide Thin Film Transistors and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20150079732A1. Автор: Ji Eun Chae,Tae Keun Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Thin film transistor, thin film transistor array panel, and method of manufacturing a thin film transistor array panel

Номер патента: US20130277666A1. Автор: Hyun Kim,Bong-Kyun Kim,Seung-Ha Choi,Sang Gab Kim,Shin Il Choi,Su Bin Bae,Hong Sick Park,Sho Yeon KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US20150279869A1. Автор: Lei Du. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20210005726A1. Автор: HUI Li,Chunping Long. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Thin film transistor and method for producing same

Номер патента: US20150221779A1. Автор: Hitoshi Matsumoto,Kazuhiko Matsumoto,Toshio Kawahara,Risa Utsunomiya,Teruaki Matsuba,Kazumasa Okamoto. Владелец: Hokkaido University NUC. Дата публикации: 2015-08-06.

Evaluation method for oxide semiconductor thin film, quality control method for oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in the evaluation method

Номер патента: US20150371906A1. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Tomoya Kishi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Laminate, organic thin-film solar cell, method for producing laminate, and method for producing organic thin-film solar cell

Номер патента: US20220029115A1. Автор: Hiroyuki Masuoka,Akira Matsuzaki,Mikito Suto. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Metal-oxide thin-film transistor and method for fabricating same, display panel, and display device

Номер патента: US20240194747A1. Автор: Bin Lin,Zheng Liu,Rui Zhang,Bo Hu,Liangliang LI,Xinlin Peng. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, display device

Номер патента: US20220320449A1. Автор: Lizhong Wang,Yupeng Gao,Tianmin Zhou,Ning DANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, display device

Номер патента: US12041795B2. Автор: Lizhong Wang,Yupeng Gao,Tianmin Zhou,Ning DANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Vertical channel thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240213372A1. Автор: Seong-Mok CHO,Ji Hun Choi,Yong Hae Kim,Chi-Sun Hwang,Jae-Eun PI,Jong-Heon Yang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-06-27.

Metal oxide thin film transistor and method for manufacturing same, and display panel

Номер патента: US20240363760A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Patterning method for reducing hillock density in thin metal films and a structure produced thereby

Номер патента: US4525733A. Автор: David L. Losee. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1985-06-25.

Semiconductor device, photoelectronic device, and method for manufacturing transition-metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US10916670B2. Автор: Jin Woo Park,Ki Hyun Kim,Ki Seok Kim,Ji Young Byun,Geun Young Yeom,Doo San KIM,You Jin JI,Jieun Kang. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-02-09.

Conductive composition and method for making conductive features on thin film pv cells

Номер патента: US20130196465A1. Автор: Chun Christine Dong. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

A conductive composition and method for making conductive features on thin film pv cells

Номер патента: WO2012054245A4. Автор: Chun Christine Dong. Владелец: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

Thin film transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20110020990A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Display apparatus comprising different types of thin film transistors and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210193045A1. Автор: Yongseok Park,Jeongsuk YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Thin-film transistor and method for manufacturing thin-film transistor

Номер патента: EP4290586A1. Автор: Manabu Ito,Yukikazu Tanaka,Chihiro Imamura. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

Method for activating absorption layer of thin-film solar cell

Номер патента: EP4369423A1. Автор: SHOU PENG,Xinjian Yin,Ganhua FU,Christian Drost,Liyun MA. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Thin film transistor substrate, method for manufacturing thereof, and display apparatus comprising the thin film transistor substrate

Номер патента: US20230389357A1. Автор: Jaehyun Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Thin film photovoltaic cell, cell pack and method of fabricating thin film photovoltaic cell

Номер патента: US20240170587A1. Автор: YUAN Li,Liang Yang,Xiongcai XIE,Guang Huang. Владелец: Truly Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Thin film transistor substrate, method for manufacturing the same, and liquid crystal display

Номер патента: US20160133649A1. Автор: Takaharu KONOMI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060177972A1. Автор: Takayuki Takeuchi,Norishige Nanai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-10.

Method for Improved Patterning Accuracy for Thin Film Photovoltaic Panels

Номер патента: US20110256661A1. Автор: Frank Patterson. Владелец: CM Manufacturing Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Oxide thin film transistor and method for driving the same, display device

Номер патента: US12107089B2. Автор: Huibin Guo,Xibin Shao,Yanping Liao. Владелец: Wuhan BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for producing textured substrates for thin-film photovoltaic cells

Номер патента: US5306646A. Автор: Robert J. Lauf. Владелец: Martin Marietta Energy Systems Inc. Дата публикации: 1994-04-26.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US10204933B2. Автор: Youngsuk Song,Hongda Sun,Jingang Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-12.

Thin film transistor and method for fabricating the same with step formed at certain layer

Номер патента: US7238965B2. Автор: Hoon Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-03.

Thin Film Transistor And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20180219103A1. Автор: Yang Liu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

Thin-film transistor and method for manufacturing thin-film transistor

Номер патента: US20140159044A1. Автор: Yuji Kishida,Kazuhiro Yokota,Arinobu Kanegae. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Vertical thin film transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20180047851A1. Автор: Chin-Rung Yan. Владелец: INT Tech Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Method for the activation of cdte thin films for the application in cdte/cds type thin film solar cells

Номер патента: EP2489077A1. Автор: Alessio Bosio,Alessandro Romeo,Nicola Romeo. Владелец: ARENDI SpA. Дата публикации: 2012-08-22.

METHOD FOR THE ACTIVATION OF CdTe THIN FILMS FOR THE APPLICATION IN CdTe/CdS TYPE THIN FILM SOLAR CELLS

Номер патента: US20120190151A1. Автор: Alessio Bosio,Alessandro Romeo,Nicola Romeo. Владелец: ARENDI SpA. Дата публикации: 2012-07-26.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same, array substrates, display devices

Номер патента: US11588055B2. Автор: WEI Liu,Xiaoguang Chen,Jianjun Chen,Xinbo Zhou,Zhimin Wang,Jianbin GAO,Yongbo JU,Xikang JIN. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Thin-film transistor and method for producing a thin-film transistor

Номер патента: US20220165970A1. Автор: Michael Hoffmann,Somchith Nique,Falk Schütze,Herbert A. WOLTER,Stephanie Schreiber. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2022-05-26.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and display apparatus

Номер патента: US20190181271A1. Автор: Tao Jiang,Guanbao HUI,Ji Zhang,Jincheng GAO,Guanglong Guo. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate, and display device

Номер патента: US20140103345A1. Автор: Haipeng Yang,Yong Jun Yoon,Zhizhong TU,Jai Kwang Kim. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same, array substrates, display devices

Номер патента: US20210328073A1. Автор: WEI Liu,Xiaoguang Chen,Jianjun Chen,Xinbo Zhou,Zhimin Wang,Jianbin GAO,Yongbo JU,Xikang JIN. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Thin film capacitive element, method for producing same and electronic device

Номер патента: US20040178436A1. Автор: Kazuaki Kurihara,John Baniecki,Takeshi Shioga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-09-16.

Thin film transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20150028420A1. Автор: Yen-Yu Huang,Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Laminate, organic thin-film solar cell, method for producing laminate, and method for producing organic thin-film solar cell

Номер патента: US11621402B2. Автор: Hiroyuki Masuoka,Akira Matsuzaki,Mikito Suto. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-04-04.

Organic thin film transistors and methods for their manufacturing and use

Номер патента: US20160043315A1. Автор: Monica Katiyar,Saumen MANDAL. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY KANPUR. Дата публикации: 2016-02-11.

Display device comprising a plurality of thin film transistors and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200135772A1. Автор: Seungmin Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Laminate, organic thin film solar cell, method for manufacturing laminate, and method for manufacturing organic thin film solar cell

Номер патента: US20220336763A1. Автор: Hikaru Kobayashi,Hiroyuki Masuoka,Akira Matsuzaki,Hiroki Habazaki,Mikito Suto. Владелец: Hokkaido University NUC. Дата публикации: 2022-10-20.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US20190296152A1. Автор: NI YANG,HUI Li,Xin Liu,Keke Gu. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Thin film transistor and method for manufacturing a display panel

Номер патента: US7923732B2. Автор: Sung-Hoon Yang,Kap-Soo Yoon,Sang-Gab Kim,Ki-Hun Jeong,Hong-Kee Chin,Seung-Ha Choi,Young-Wook Lee,Min-Seok Oh,Jang-Soo Kim,Woo-Geun Lee,Yu-gwang Jeong,Shin-Il Choi,Seung-Hwan Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-12.

Thin film transistor and method for manufacturing a display panel

Номер патента: US20090152635A1. Автор: Sung-Hoon Yang,Kap-Soo Yoon,Sang-Gab Kim,Ki-Hun Jeong,Hong-Kee Chin,Seung-Ha Choi,Young-Wook Lee,Min-Seok Oh,Jang-Soo Kim,Woo-Geun Lee,Yu-gwang Jeong,Shin-Il Choi,Seung-Hwan Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate, and display device

Номер патента: US11817460B2. Автор: ZHI Wang,Chao Li,Yang Lv,Chao Luo,Jianhua Du,Feng Guan,Zhaohui QIANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US20170200830A1. Автор: Jingang Fang,Lungpao HSIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, display panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US11081587B2. Автор: Kai Wang,Zhaojun Wang,Xiaonan DONG,Kunkun GAO,Hongru ZHOU. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-03.

Display panel, array substrate, thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200168744A1. Автор: Wei Li,Jun Liu,Jun Wang,Liangchen YAN,Guangyao LI,Yingbin HU,Ce ZHAO,Yuankui Ding,Yongchao HUANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Thin film transistor and method for fabricating same

Номер патента: US20030052337A1. Автор: Hiroshi Tanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Thin Film Transistor and Method for Manufacturing a Display Panel

Номер патента: US20140147947A1. Автор: Sung-Hoon Yang,Kap-Soo Yoon,Sang-Gab Kim,Ki-Hun Jeong,Hong-Kee Chin,Seung-Ha Choi,Young-Wook Lee,Min-Seok Oh,Jang-Soo Kim,Woo-Geun Lee,Yu-gwang Jeong,Shin-Il Choi,Seung-Hwan Shim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Thin film transistor substrate, method for manufacturing the same, and liquid crystal display

Номер патента: US20170092775A1. Автор: Takaharu KONOMI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Metal-oxide thin-film transistor and method for manufacturing same, x-ray detector, and display panel

Номер патента: US20240186379A1. Автор: Kun Zhao,Guangcai Yuan,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Thin film transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US6100119A. Автор: Jin Jang,Kyung-Ha Lee,You-Chan Chung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2000-08-08.

Thin-film transistor and method for producing same

Номер патента: US20210296505A1. Автор: Hiroyuki Ohta,Tomohiro Inoue. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Thin film transistor and method for fabricating same

Номер патента: US20040084728A1. Автор: Hiroshi Tanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Substrate for forming high-strength thin semiconductor element and method for manufacturing high-strength thin semiconductor element

Номер патента: CA2259777A1. Автор: Osamu Anzawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-07-20.

Display Apparatus Comprising Thin Film Transistor and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20210181590A1. Автор: Junghyun Lee,Hyun Soo Shin,Yewon Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for evaluating anion permeability of graphene-containing film, and photoelectric conversion element

Номер патента: EP3851844A1. Автор: Naomi Shida,Katsuyuki Naito,Yutaka Saita. Владелец: Toshiba Energy Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2021-07-21.

Method for producing substrate having patterned conductive polymer film and substrate having patterned conductive polymer film

Номер патента: EP2348514A1. Автор: Takashi Ihara. Владелец: Tsurumi Soda Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

CONDUCTIVE COMPOSITION FOR THIN FILM PRINTING AND METHOD FOR FORMING THIN FILM CONDUCTIVE PATTERN

Номер патента: US20160251531A1. Автор: Ono Takahiko,Uchida Hiroshi,KURITANI Masumi,DOU Jun,WAKABAYASHI Shoichiro. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2016-09-01.

Electrically conductive composition for thin film printing, and method for forming thin film conductive pattern

Номер патента: KR101935272B1. Автор: 히로시 우치다,쥔 더우,쇼이치로 와카바야시,타카히코 오노,마스미 쿠리타니. Владелец: 쇼와 덴코 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-01-04.

Stretchable film, method for forming the same, stretchable wiring film, and method for manufacturing the same

Номер патента: US10584221B2. Автор: Jun Hatakeyama,Motoaki Iwabuchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-10.

Infrared absorbing thin film containing rutile-type titanium oxide crystal and method for producing the same

Номер патента: US20130040129A1. Автор: Ren-Hua Jin,Pei-Xin Zhu. Владелец: Kawamura Institute of Chemical Research. Дата публикации: 2013-02-14.

Infrared absorbing thin film containing rutile-type titanium oxide crystal and method for producing the same

Номер патента: US8618232B2. Автор: Ren-Hua Jin,Pei-Xin Zhu. Владелец: Kawamura Institute of Chemical Research. Дата публикации: 2013-12-31.

Method for producing an InSb thin film

Номер патента: US4080478A. Автор: Naoki Yamamoto,Kikuji Sato,Tetsu Oi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-03-21.

Method for forming boron-containing thin film and multilayer structure

Номер патента: CN102203327B. Автор: 里见刚,伊藤靖彦,锦织德二郎,鹤见直明,德重学,辻村浩行. Владелец: MSEP CO Ltd. Дата публикации: 2014-03-19.

Method of producing a freestanding thin film of nano-crystalline graphite

Номер патента: US20150151972A1. Автор: Bart Buijsse,Kasim Sader,Radostin Stoyanov Danev. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2015-06-04.

Method for preparing single crystal oxide thin film

Номер патента: EP1314800A4. Автор: Masashi Kawasaki,Hideomi Koinuma,Yuji Matsumoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-02-14.

Thin film systems and methods for using and making same

Номер патента: US20160129367A1. Автор: HAO WANG. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-05-12.

METHOD FOR TREATING SURFACE OF DIAMOND THIN FILM, METHOD FOR FORMING TRANSISTOR, AND SENSOR DEVICE

Номер патента: US20150054000A1. Автор: Kawarada Hiroshi,Saruya Toshiyuki,Shintani Yukihiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

Niobium precursor compound for thin film deposition and method for forming niobium-containing thin film using same

Номер патента: US11926897B2. Автор: Tae Young Lee,Sung Jun JI,Shin Beom Kim,Sun Young BAIK. Владелец: Egtm Co ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Organometallic Compound For Thin Film Deposition And Method For Forming Group 4 Metal-Containing Thin Film Using Same

Номер патента: US20230339985A1. Автор: Tae Young Lee,Ju Hwan Jeong,Kyuho Cho,Woong Jin CHOI,Sung Jun JI,Shin Beom Kim,Sun Young BAIK. Владелец: Egtm Co ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Metal compound, material for chemical vapor phase growth, and process for forming metal-containing thin film

Номер патента: US20100247765A1. Автор: Naoki Yamada,Senji Wada,Atsuya Yoshinaka. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Materials and methods for growing complex perovskite oxide thin films

Номер патента: EP1081154A3. Автор: Hideaki Intern. Superconductivity Techn C. Zama,Keiichi Intern Superconductivity Techn C. Tanabe,Tadataka Intern Superc. Techn. Center Morishita. Владелец: International Superconductivity Technology Center. Дата публикации: 2003-03-19.

Silicon precursor compound in asymmetric structure, method for preparing the same, and method for preparing a silicon-containing thin film

Номер патента: WO2024071976A1. Автор: Young-Hun Byun,Joo-Yong Kim,Byeong-Il Yang,Hee-yeon JEONG,Yeong-Ju Seong,Jang-Woo Seo,Seong-Hak Cheon. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for producing organometallic compound and thin film fabricated using organometallic compound obtained thereby

Номер патента: US11999756B2. Автор: Hyung-Jun Kim,Jang-Hyeon Seok,Mi-Ra PARK,Yu-jin Lee,Jung-Woo Park,Tae-wook Nam,Jin-Hyung Seo. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Hafnium precursor compound, composition for forming hafnium-containing film, comprising same, and method for forming hafnium-containing film

Номер патента: US20230383405A1. Автор: Wonyong Koh,Jin Sik Kim,Byung Kwan KIM,Jun Hwan CHOI,Da Som YU. Владелец: UP Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Thin film resistor and method for its production

Номер патента: EP2715745A1. Автор: Van Mieczkowski,Jason Gurganus. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-04-09.

Processes for forming metal oxide thin films on electrode interphase control

Номер патента: WO2023102107A8. Автор: Christian Dussarrat,Sanghoon Kim,Sunao KAMIMURA. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-05-30.

NTC thin film thermistor and method for producing an NTC thin film thermistor

Номер патента: US12033774B2. Автор: Jan Ihle,Thomas Bernert,Christl Lisa Mead,Thomas STENDEL,Marko Vrabelj,Sebastian Redolfi. Владелец: TDK Electronics AG. Дата публикации: 2024-07-09.

Thin film etching method and semiconductor device fabrication using same

Номер патента: SG153733A1. Автор: Cong Hai,HU Xiang,Zhou Mei Sheng,Pradeep Yelehanka. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-07-29.

Oxide thin film for bolometer and infrared detector using the oxide thin film

Номер патента: US20050167592A1. Автор: Sung Moon,Hyun-Joon Shin,Yong-Hee Han. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2005-08-04.

Processes for forming metal oxide thin films on electrode interphase control

Номер патента: CA3239281A1. Автор: Christian Dussarrat,Sanghoon Kim,Sunao KAMIMURA. Владелец: L'air Liquide Pour L'etude Et L'exploitation Des Pro SA. Дата публикации: 2023-06-08.

Apparatus and method for charging battery using a thin film printed solar cell

Номер патента: US8354819B2. Автор: Byeng-Sang Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-15.

Method for high volume manufacturing of thin film batteries

Номер патента: WO2009055529A1. Автор: Byung-Sung Kwak,Nety Krishna,Kurt Eisenbeiser,William J. Dauksher,Jon Candelaria. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2009-04-30.

Piezoelectric thin film device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7770274B2. Автор: Hiroshi Toyoda,Masahiko Hasunuma,Kazuhiko Itaya,Kazuhide Abe,Takashi Kawakubo,Kenya Sano,Naoko Yanase,Hironobu Shibata,Ryoichi Ohara,Toshihiko Nagano,Michihiko Nishigaki,Takaaki Yasumoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-08-10.

Perpendicularly magnetized thin film structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130130063A1. Автор: Byoung Chul Min,Kyung Ho Shin,Gyung Min CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2013-05-23.

Broad band, thin film attenuator and method for construction thereof

Номер патента: CA1240372A. Автор: Leonard A. Roland,H. Erwin Grellmann,Larry R. Lockwood. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1988-08-09.

Multilayer encapsulation thin-film

Номер патента: US12134821B2. Автор: Ho Kyoon Chung,Heeyeop Chae,Sang Joon Seo,Seung Woo Seo,Choelmin Jang,Sungmin Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Apparatus and method for deposition of thin films

Номер патента: WO2001059174A1. Автор: Todd Kaplan,Vladimir Matijasevic. Владелец: Conductus, Inc.. Дата публикации: 2001-08-16.

Apparatus and method for deposition of thin films

Номер патента: EP1255875A1. Автор: Todd Kaplan,Vladimir Matijasevic. Владелец: Conductus Inc. Дата публикации: 2002-11-13.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US3645807A. Автор: Minoru Ono,Toshimitu Momoi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1972-02-29.

Method for selective deposition and devices

Номер патента: US20110120757A1. Автор: David H. Levy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-26.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20200365446A1. Автор: Yi Zhang,Hongbo Zhu. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Organic thin film and method for producing organic thin film, organic electroluminescent element, display device, lighting device, organic thin film solar cell, photoelectric conversion element, thin film transistor, coating composition and material for organic electroluminescent elements

Номер патента: EP4026881A4. Автор: Takahisa Shimizu,Munehiro Hasegawa,Katsuyuki Morii,Hiroki Fukudome,Taku Oono,Hirohiko Fukagawa,Tsubasa Sasaki. Владелец: Nippon Hoso Kyokai NHK. Дата публикации: 2023-07-26.

Organic thin film, method for producing organic thin film, organic electroluminescent element, display device, lighting device, organic thin film solar cell, thin film transistor, photoelectric conversion element, coating composition and material for organic electroluminescent elements

Номер патента: EP4026836A4. Автор: Takahisa Shimizu,Munehiro Hasegawa,Katsuyuki Morii,Hiroki Fukudome,Hirohiko Fukagawa,Tsubasa Sasaki. Владелец: Nippon Hoso Kyokai NHK. Дата публикации: 2023-08-30.

Organic thin film, method for producing organic thin film, organic electroluminescent element, display device, lighting device, organic thin film solar cell, thin film transistor, photoelectric conversion element, coating composition, and material for organic electroluminescent element

Номер патента: CN114341144A. Автор: 深川弘彦,清水贵央,森井克行,福留裕树,佐佐木翼,长谷川宗弘. Владелец: Nippon Hoso Kyokai NHK. Дата публикации: 2022-04-12.

Organic thin film, method for producing organic thin film, organic electroluminescent element, display device, lighting device, organic thin film solar cell, thin film transistor, photoelectric conversion element, coating composition and material for organic electroluminescent elements

Номер патента: TW202116732A. Автор: 深川弘彦,森井克行,福留裕樹,清水貴央,佐木翼,長谷川宗弘. Владелец: 日本放送協會. Дата публикации: 2021-05-01.

Organic thin film and method for producing organic thin film, organic electroluminescent element, display device, lighting device, organic thin film solar cell, photoelectric conversion element, thin film transistor, coating composition and material for organic electroluminescent elements

Номер патента: TW202116776A. Автор: 深川弘彦,森井克行,福留裕樹,清水貴央,佐木翼,長谷川宗弘,大野拓. Владелец: 日本放送協會. Дата публикации: 2021-05-01.

N-type organic semiconductor material, organic semiconductor film-forming composition, organic semiconductor film and method for producing same, organic thin-film transistor and method for producing same, and compound production method

Номер патента: WO2019176634A1. Автор: 家　裕隆,安蘇　芳雄,太一 森山,俊 工藤. Владелец: 石原産業株式会社. Дата публикации: 2019-09-19.

Sputter target for forming zinc oxide thin film, display element and solar cell having zinc oxide thin film obtained using the same

Номер патента: JP4982423B2. Автор: 智之 濱田,賢一 鬼沢,泰雄 今西,三夫 田口. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-07-25.

Growth inhibitor for forming pellicle-protective thin film, method of forming pellicle-protective thin film using growth inhibitor, and mask fabricated by method

Номер патента: US20230251565A1. Автор: Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Seung Chul DO,Ho Lim WANG. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for areal selective forming of thin film

Номер патента: US20240368762A1. Автор: Ha Na Kim,Ju Hwan Jeong,Han Bin Lee,Kyu Ho Cho,Woong Jin CHOI,Hyeon Sik Cho,Myeong Il Kim,Sun Young BAIK. Владелец: Egtm Co ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods for forming and utilizing antimony containing films, and related structures

Номер патента: US20240218510A1. Автор: David Kurt De Roest,Charles DEZELAH,Arpita Saha,Paul Chatelain,Daniele Piumi,Yoann Tomczak. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-04.

Thin film devices and methods for preparing thin film devices

Номер патента: US09988713B2. Автор: Terry Alford,Sayantan Das. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for production of diamond-like thin films

Номер патента: RU2668246C2. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Владимир Иванович Ярцев,Борис Федорович Демьянов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2018-09-27.

Transparent substrate with a multilayer thin film coating, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230366099A1. Автор: Jin Woo Han,Jaeman Hwang. Владелец: Hankuk Glass Industries Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Coating method for continuous preparation of diamond thin film with HFCVD device

Номер патента: US11939669B2. Автор: Xin Jiang,Nan Huang,Lusheng Liu. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2024-03-26.

Thin Film Devices and Methods for Preparing Thin Film Devices

Номер патента: US20140272396A1. Автор: Terry Alford,Sayantan Das. Владелец: Sayantan Das. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for producing a high adhesion thin film of diamond on a Fe-based substrate

Номер патента: US5759623A. Автор: Michel Moisan,Francois Roy,Carlos Fernando De Mello Borges. Владелец: UNIVERSITE DE MONTREAL. Дата публикации: 1998-06-02.

Method for synthesis of large area thin films

Номер патента: US20140113074A1. Автор: Jia-Hung Wu,Xuesong Li. Владелец: Bluestone Global Technology Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Erosion resistant machine component, method for forming surface layer of machine component, and method for manufacturing steam turbine

Номер патента: US20150211137A1. Автор: Akihiro Goto,Hiroyuki Teramoto,Yoshikazu Nakano,Nobuyuki Sumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Method for the production of water-reactive al film and constituent member for film-forming chamber

Номер патента: MY152991A. Автор: KADOWAKI Yutaka,Saitou Tomoko,Mushiake Katsuhiko,Lim Keng Weng. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2014-12-31.

Mold, Method for the Production and Use Thereof, Plastic Film and Plastic Component

Номер патента: US20210213651A1. Автор: Andreas Heilmann,Annika Thormann. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7855125B2. Автор: Takaoki Sasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-12-21.

Semiconductor substrate and manufacturing method thereof and semiconductor package structure

Номер патента: US20220328391A1. Автор: Dyi-chung Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-10-13.

An improved method of planarizing thin film layers deposited over a common circuit base

Номер патента: WO2000007233A1. Автор: David J. Chazan,Jan I. Strandberg,Michael P. Skinner,Todd S. Kaplan,James L. Lykins,Ted Te-Chung Chen. Владелец: Kulicke & Soffa Holdings, Inc.. Дата публикации: 2000-02-10.

Thin film capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US20020001165A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for forming a dielectric zone in a semiconductor substrate

Номер патента: US20020052092A1. Автор: Rudolf Lachner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

"A method for forming and trimming a film component on an IC wafer"

Номер патента: IE61940B1. Автор: Andrew David Bain,William Allan Lane,Dwyer Thomas Gerard O,Eamonn Gerard Ryan,Thomas Gerard Collery. Владелец: Analog Res & Dev Ltd. Дата публикации: 1994-11-30.

Method for making sub-quarter-micron MOSFET

Номер патента: US5937297A. Автор: Igor V. Peidous. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Contacts to semiconductor substrate and methods of forming same

Номер патента: US10707167B2. Автор: Christian Lavoie,Emre Alptekin,Kathryn T. Schonenberg,Ahmet S. Ozcan,Nicolas L. Breil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-07.

Contacts to semiconductor substrate and methods of forming same

Номер патента: US20160358860A1. Автор: Christian Lavoie,Emre Alptekin,Kathryn T. Schonenberg,Ahmet S. Ozcan,Nicolas L. Breil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Contacts to semiconductor substrate and methods of forming same

Номер патента: US20180090447A1. Автор: Christian Lavoie,Emre Alptekin,Kathryn T. Schonenberg,Ahmet S. Ozcan,Nicolas L. Breil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230014263A1. Автор: Meng HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for producing semiconductor chips using thin film technology, and semiconductor chip using thin film technology

Номер патента: US7649266B2. Автор: Berthold Hahn,Volker HÄRLE,Stephan Kaiser,Andreas Ploessl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2010-01-19.

Method for connecting electronic components, method for forming bump and conductive connection film and fabrication apparatus for electronic component mounted body, bump and conductive connection film

Номер патента: US20110049218A1. Автор: Seiichi Nakatani,Tsukasa Shiraishi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Method for manufacturing soi substrate

Номер патента: US20120184085A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Method for manufacturing nonvolatile memory thin film device by using neutral particle beam generation apparatus

Номер патента: US20170301547A1. Автор: Jin Nyeong JANG,Mun Pyo Hong. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-10-19.

Array substrate and method for manufacturing same, display panel and display device

Номер патента: US20240306438A1. Автор: WEI Liu,Jie Huang,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

METAL LINE OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A DIFFUSION BARRIER INCLUDING CRxBy AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20100059890A1. Автор: Young Jin Lee,Dong Ha JUNG,Seung Jin Yeom,Jeong Tae Kim,Baek Mann Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Method for forming an interconnection structure for ic metallization

Номер патента: US7291557B2. Автор: Chin-Chiu Hsia,Wen-Kai Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-11-06.

Method for interconnecting semiconductor devices

Номер патента: US5053349A. Автор: Fumitomo Matsuoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-10-01.

Thin-film pattern array and production method therefor

Номер патента: US20160141185A1. Автор: Hojin Lee,Youngseok Kim. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2016-05-19.

Method for forming an asymmetric semiconductor device

Номер патента: US20120302022A1. Автор: Venkat R. Kolagunta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor Devices and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20160240642A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor structure having epitaxial structure and method for forming the same

Номер патента: US20200381289A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Methods for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20020197817A1. Автор: Ki Shin,Cheol Bok. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for dual energy implantation for ultra-shallow junction formation of mos devices

Номер патента: US20110143512A1. Автор: John Chen,Hanming Wu,Chia Hao Lee. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Method for dual energy implantation for ultra-shallow junction formation of MOS devices

Номер патента: US8466050B2. Автор: John Chen,Hanming Wu,Chia Hao Lee. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-06-18.

Method of forming a thin film transistor on a transparent plate

Номер патента: US6861301B2. Автор: Yuan-Tung Dai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-03-01.

Method for forming a polysilicon thin film layer

Номер патента: TW200924033A. Автор: Shan-Hung Tsai,Tsung-Yen LIN,Ho-Hsuan Lin,Wen-Tseng Cheng. Владелец: TPO Displays Corp. Дата публикации: 2009-06-01.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Pattern forming method for thin film, making method for thin film transistor, making method for substrate of thin film transistor, and the substrate of thin film transistor

Номер патента: TW200729504A. Автор: Eiji Shibata,Terushige Hino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-08-01.

Thin film patterning method and method of manufacturing semiconductor device using the thin film patterning method

Номер патента: US20130183609A1. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Jong-baek Seon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190151999A1. Автор: Masato Negishi,Masato Suzuki,Kenji Hirano,Katsumi Ono,Tatsuro Yoshino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Monitoring and measurement of thin film layers

Номер патента: US8796048B1. Автор: Lance Scudder,Pushkar Ranade,Charles Stager,Scott E. Thompson. Владелец: Suvolta Inc. Дата публикации: 2014-08-05.

Pipeline, method for forming pipeline, method of cathodic pipeline protection, method for forming and laying underwater pipeline

Номер патента: RU2635943C2. Автор: Свен Мортен ХЕСЬЕВИК,Эрик Левольд,Пер Эгиль КВОЛЕ. Владелец: Текнип Норге Ас. Дата публикации: 2017-11-17.

Metal structural body-containing polymer film, method for manufacturing metal structural body-containing polymer film, and method for manufacturing patterned structural body

Номер патента: US20140217063A1. Автор: Kenji Yamada,Toshiki Ito,Kazuhiro Yamauchi,Wataru Kubo,Norishige Kakegawa,Kyoko Kumagai,Mamiko Kumagai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Metal structural body-containing polymer film, method for manufacturing metal structural body-containing polymer film, and method for manufacturing patterned structural body

Номер патента: US9096936B2. Автор: Kenji Yamada,Toshiki Ito,Kazuhiro Yamauchi,Wataru Kubo,Norishige Kakegawa,Kyoko Kumagai,Mamiko Kumagai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-08-04.

Methods of forming thin film resistors with high power handling capability

Номер патента: US9842674B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods of forming thin film resistors with high power handling capability

Номер патента: US20160307671A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: US20170194218A1. Автор: Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi,Kazushi HAYASI. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Imaging panel and method for producing same

Номер патента: US20200127055A1. Автор: Katsunori Misaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Thin film semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060267895A1. Автор: Jirou Yanase. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Method for forming a back-side illuminated image sensor

Номер патента: US8735208B2. Автор: Francois Roy,Michel Marty. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2014-05-27.

Method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20030211668A1. Автор: Makoto Takatoku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-13.

Thin film capacitor, and display device and memory cell employing the same, and manufacturing methods of them

Номер патента: US20100149853A1. Автор: Hiroyuki Moriwaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-17.

Thin film capacitor, and display device and memory cell employing the same, and manufacturing methods of them

Номер патента: US8426867B2. Автор: Hiroyuki Moriwaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-04-23.

METHOD FOR FORMING THIN METAL COMPOUND FILM AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH THIN METAL COMPOUND FILM

Номер патента: US20140027823A1. Автор: Lo Chih-Hung,Lee Yao-Jen,Sung Po-Jung,Heh Da-Wei,Hou Fu-Ju,Hsueh Fu-Kuo,Chen Hsiu-Chih. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2014-01-30.

Method for forming forming thin-film structure of light-emitting device by nanoimprint

Номер патента: TW201121098A. Автор: Sun-Zen Chen,Shih-Liang Ku,Cheng-Chung Chi,Tai-Bor Wu. Владелец: Chung Shan Inst Of Science. Дата публикации: 2011-06-16.

Defect Prevention Methods for Pixel-Array Substrates

Номер патента: US20230122521A1. Автор: Gang Chen,Qin Wang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Manufacturing method of silicon carbide thin film for transparent solar cell

Номер патента: US20240120433A1. Автор: Jae Kwang YOON,Chan Uk JON,Jun Yong Bak. Владелец: ARCHE Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Inkjet printer for forming crisscrossed conductive lines of thin-film solar module and automated metallization system

Номер патента: WO2023141884A1. Автор: Xiaojun Lei,Yilei SHEN,Bala-Krishna GADDIGOPULA,Chenbo Xie. Владелец: CNBM Research Institute for Advanced Glass Materials Group Co., Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Thin film resistor (tfr) formed in an integrated circuit device using wet etching of a dielectric cap

Номер патента: WO2021173197A1. Автор: Paul Fest. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2021-09-02.

Thin film resistor (TFR) formed in an integrated circuit device using wet etching of a dielectric cap

Номер патента: US11990257B2. Автор: Paul Fest. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for forming crisscrossed conductive lines of thin-film solar module

Номер патента: EP4295417A1. Автор: Yilei SHEN,Bala-Krishna GADDIGOPULA. Владелец: Triumph Science & Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Method for fabricating ferroelectric field effect transistor

Номер патента: US20010041372A1. Автор: Koji Arita,Tatsuo Otsuki,Shinichiro Hayashi,Carlos Paz de ARAUJO. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure, stacked structure, and wafer stacking method

Номер патента: US12100677B2. Автор: HUA Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

METHOD OF FORMING THIN FILM POLY SILICON LAYER AND METHOD OF FORMING THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20140087527A1. Автор: Liu Chin-Chang,Wang Wen-Chun,Huang Hieng-Hsiung,Chang Heng-Yi. Владелец: WINTEK CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-27.

Methods for forming semiconductor structures with buried isolation collars and semiconductor structures formed by these methods

Номер патента: US20080217671A1. Автор: Kangguo Cheng,Jack Allan Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Method for producing structure, and structure

Номер патента: EP3633713A1. Автор: Hiroshi Kikuchi,Yuji Eguchi,Tomonori Nakamura,Kohei Seyama,Takehito Shimatsu,Miyuki UOMOTO. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2020-04-08.

Method for evaluating oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in above evaluation method

Номер патента: US20160282284A1. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Methods and systems for forming oleds and thin film devices

Номер патента: US20180277793A1. Автор: W. Dennis Slafer. Владелец: MicroContinuum Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Thin film capacitor element with protection elements

Номер патента: EP1090423B1. Автор: John M. Shannon,Stephen J. Battersby,Darren T. Murley. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-10-26.

Light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120007043A1. Автор: Shin Yokoyama,Yoshiteru Amemiya. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2012-01-12.

Thin film capacitor element with protection elements

Номер патента: EP1090423A1. Автор: John M. Shannon,Stephen J. Battersby,Darren T. Murley. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-04-11.

Method for producing semiconductor chips using thin film technology, and semiconductor chip using thin film technology

Номер патента: CN100524856C. Автор: 贝特霍尔德·哈恩,福尔克尔·黑勒,斯特凡·凯泽,安德烈亚什·普洛索. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2009-08-05.

Method of fabrication of display pixels driven by silicon thin film transistors

Номер патента: US5994174A. Автор: Patrick M. Smith,Paul G. Carey. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1999-11-30.

Method for transferring thin film, method for manufacturing thin film transistor, and method for forming pixel electrode of liquid crystal display device

Номер патента: WO2014126041A1. Автор: 誠 中積,康孝 西. Владелец: 株式会社ニコン. Дата публикации: 2014-08-21.

Globally planarized backend compatible thin film resistor contact/interconnect process

Номер патента: US20030030107A1. Автор: Khanh Tran,Viktor Zekeriya. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Thin film transistor structure and manufacturing method thereof, circuit structure, display substrate and display device

Номер патента: US20210257393A1. Автор: MENG Li,Pan Xu,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan,Xuehuan Feng,Zhenfei Cai. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Thin film transistor based light sensor

Номер патента: US20230063673A1. Автор: Katherine H. Chiang,Shih-Llen Linus LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Thin-film transistor and solid-state imaging apparatus

Номер патента: US20140070222A1. Автор: Tatsuya Ohguro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-13.

Thin film encapsulation structure and display panel

Номер патента: EP4024493A1. Автор: Ping Wen,Zhiliang Jiang,Shilong WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Thin film encapsulation structure and display panel

Номер патента: AU2020338944A1. Автор: Ping Wen,Zhiliang Jiang,Shilong WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Thin film encapsulation structure and display panel

Номер патента: AU2020338944B2. Автор: Ping Wen,Zhiliang Jiang,Shilong WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Training method for semiconductor process prediction model, semiconductor process prediction device, and semiconductor process prediction method

Номер патента: US20230236553A1. Автор: Ming-Wei Chen,Chia-Wei Chen,Ching-Pei Lin,Chung-Yi Chiu,Hsiao-Ying Yang,Te-Hsuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Thin film transistor substrate and display device comprising the same

Номер патента: EP4184581A2. Автор: Gisang Hong,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-24.

Thin film transistor substrate and display device comprising the same

Номер патента: EP4184581A3. Автор: Gisang Hong,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130099290A1. Автор: Hiroshi Nakatsuji,Masahiro Fujiwara,Tsuyoshi Itoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Thin film transistor substrate and display apparatus using the same and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120187406A1. Автор: Chi-Che Tsai,Po-Ching Lin,Wei-Yen WU. Владелец: Chimei Innolux Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Array substrate and method for manufacturing same, and display device

Номер патента: US20240255817A1. Автор: Feng Xiao,Toshifumi Yagi,Yanmei Luo,Guidong Yang. Владелец: Chengdu Boe Display Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Display devices and methods for forming display devices

Номер патента: US20200020831A1. Автор: Shun-Yuan Hu,Tsau-Hua Hsieh,Shu-Ming Kuo,Ming-I Chao,Hui-Chieh Wang,Tung-Kai Liu. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Thin Film Solar Cell and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20140011314A1. Автор: Jung Dae Kwon,Sung Hun Lee,Dong Ho Kim,Sang Il Park,Yong Soo Jeong,Jae Wook Kang,Gun Hwan Lee,Chang Su Kim,Kee Seok Nam,Sung Gyu Park,Jung Heum Yun,Koeng Su Lim,Seoung Yoon Ryu,Hyung Hwan Jung. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2014-01-09.

Methods for producing chalcopyrite compound thin films for solar cells using multi-stage paste coating

Номер патента: US20140070347A1. Автор: Byoung Koun Min,Yun Jeong HWANG,Hee Sang An. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-03-13.

ENERGY HARVESTING DEVICE with PREFABRICATED THIN FILM ENERGY ABSORPTION SHEETS AND ROLL-TO-SHEET AND ROLL-TO-ROLL FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20160359066A1. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Hartmut Kuehl,Ruediger Kellman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Ferroelectric thin film, piezoelectric thin film-coated substrate, piezoelectric actuator, inkjet head, and inkjet printer

Номер патента: US20170050439A1. Автор: Kenji Mawatari. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2017-02-23.

Display device including a plurality of thin film transistors with different characteristics

Номер патента: US12074260B2. Автор: KyungMo SON,Shunyoung YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Thin film transistor gas sensor

Номер патента: US20200088674A1. Автор: Christopher Newsome,Nicholas Dartnell,Daniel Tobjork. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Thin-film transistor circuit, driving method thereof, and light-emitting display apparatus

Номер патента: WO2009066627A1. Автор: Katsumi Abe,Ryo Hayashi,Hisae Shimizu. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2009-05-28.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367A1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2003-09-24.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367B1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-03-09.

Thin Film Transistor Sensor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20180114931A1. Автор: Xueyan TIAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-26.

Thin-film semiconductor device and liquid crystal display

Номер патента: US20040063253A1. Автор: Kenji Sera,Mitsuasa Takahashi,Naoki Matsunaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-04-01.

Thin-film transistor circuit, driving method thereof, and light-emitting display apparatus

Номер патента: EP2195806A1. Автор: Katsumi Abe,Ryo Hayashi,Hisae Shimizu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-06-16.

Three dimensional complementary metal oxide semiconductor carbon nanotube thin film transistor circuit

Номер патента: US09966416B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Xiao-Yang Xiao,Yu-Dan Zhao,Guan-Hong Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

PRECURSOR FOR FORMATION OF EUROPIUM-CONTAINING THIN FILM, AND METHOD FOR FORMING EUROPIUM-CONTAINING THIN FILM

Номер патента: US20140024814A1. Автор: Mogi Takayuki,Kuboshima Yoshinori,Higashi Shintaro,Kikukawa Kaoru. Владелец: KABUSHIKIKAISHA KOJUNDOKAGAKU KENKYUSHO. Дата публикации: 2014-01-23.

THIN-FILM CAPACITOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE THIN-FILM CAPACITOR STRUCTURE

Номер патента: US20200126934A1. Автор: Oyamada Seisei. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

Methods for forming FinFETS having a capping layer for reducing punch through leakage

Номер патента: US9312183B1. Автор: Hoon Kim,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

A method for forming a platinum thin film having an antioxidant function on a substrate and an electronic device having a platinum thin film formed by the method

Номер патента: KR19980070383A. Автор: 이동수,윤의준,전동일,박동연,우현정. Владелец: 동양시멘트 주식회사. Дата публикации: 1998-10-26.

Method for manufacturing a thin film transistor array substrate for a liquid crystal display device

Номер патента: US7400365B2. Автор: Eiji Shibata,Toshio Araki,Kazunori Inoue,Nobuaki Ishiga,Fumihiro Gotoh,Hiroyasu Itoh,Masanao Nabeshima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Optoelectronic structural element with a semiconductor body, including a substrate, a layer system deposited on the substrate and a metallized carrier useful in thin film, Flip-Chip and semiconductor technology

Номер патента: DE10347737A1. Автор: Georg Bogner,Stefan Gruber,Matthias Winter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2005-05-04.

Method for manufacturing a multiple walled capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US5399518A. Автор: Won-Woo Lee,Jeong-gil Lee,Joo-young Yun,Sang-pil Sim,Chul-Ho Shin,Chang-Kyu Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-03-21.

Methods for forming semiconductor structures with buried isolation collars and semiconductor structures formed by these methods

Номер патента: US20070099391A1. Автор: Kangguo Cheng,Jack Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Method for preparing tunnel oxide layer and amorphous silicon thin film, and topcon cell

Номер патента: EP4254519A1. Автор: Hao Chen,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Method for preparing tunnel oxide layer and amorphous silicon thin film, and topcon cell

Номер патента: AU2022397987A1. Автор: Hao Chen,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Thin Film Transistor, Method for Manufacturing the Same and Display Apparatus Comprising the Same

Номер патента: US20210202760A1. Автор: Pilsang YUN,Intak Cho,Jungseok Seo,Jaeman JANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Thin Film Inductor, Power Conversion Circuit, and Chip

Номер патента: US20200005985A1. Автор: Wei Chen,Yongfa Zhu,Shijun Yang,Heqian YANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device including thin film transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240096706A1. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Thin-film device

Номер патента: US20210202540A1. Автор: Kazushige Takechi,Yuya Kuwahara. Владелец: Tianma Japan Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure, stacked structure, and wafer stacking method

Номер патента: US20230145031A1. Автор: HUA Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160155877A1. Автор: Kwangsun Ji,Yujin Lee,Jin-Won Chung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-06-02.

Apparatus and method for performance recovery of laminated photovoltaic module

Номер патента: US20150270431A1. Автор: Joseph Anderson,Robert D. Wieting,Chester A. Farris, III,Laila Dounas,Todd G. Brehmer,James Henry Whittemore, IV. Владелец: CM Manufacturing Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Metal oxide thin film transistor, semiconductor device and display device

Номер патента: US20240332425A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO,Fangqing Wen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, array substrate and display panel

Номер патента: US20240297255A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Apparatus for bonding wafers and an optically-transparent thin film made from the same

Номер патента: US10948653B2. Автор: Jamie Nam,Payam Rabiei,Amir Torkaman,Seyfollah Toroghi. Владелец: Partow Technologies LLC. Дата публикации: 2021-03-16.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR THIN FILM TRANSISTORS, CURED FILM, THIN FILM TRANSISTOR, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE OR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE, METHOD FOR PRODUCING CURED FILM, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE OR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20180017867A1. Автор: Miyoshi Kazuto,KOMORI Yusuke,KAMEMOTO Satoshi. Владелец: Toray Industries, Inc.. Дата публикации: 2018-01-18.

Method and apparatus for processing a conductive thin film

Номер патента: US7648906B2. Автор: Yasunari Suzuki,Koji Takei,Ryo Fukasawa,Sumihiro Ichikawa,Daisuke Matono. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-19.

Thin-film transistor and method for forming the same

Номер патента: US5557126A. Автор: James A. Cunningham. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1996-09-17.

Photosensitive resin composition for thin film transistor, cured film, thin film transistor, liquid crystal display device or organic electroluminescence display device, method for producing cured film, method for producing thin film transistor, and method for producing liquid crystal display device or organic electroluminescence display device

Номер патента: JPWO2016158406A1. Автор: 一登 三好,悠佑 小森,聡 亀本,三好　一登. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2018-01-18.

Thin film transistor compristing light shielding layer and light blocking portion and method for manufacturing the same, display panel and display device

Номер патента: US20200381561A9. Автор: Wei Li,Jiangbo Chen,Liangchen YAN,Young Suk Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US20180204898A1. Автор: Yanzhao Li,HU Meng,Defeng MAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Thin film transistor and preparation method therefor, display panel, and display device

Номер патента: EP3627560A1. Автор: Wei Li,Jiangbo Chen,Liangchen YAN,Young-suk Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-25.

Thin film transistor, method for manufacturing thereof and display device

Номер патента: US20210210529A1. Автор: WEI YANG,Lizhong Wang,Tianmin Zhou,Xiaming ZHU,Jipeng Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Thin film transistor

Номер патента: US20150364596A1. Автор: Yen-Yu Huang,Chin-Hai Huang,Szu-Chi Huang,Chieh-Wei Feng,Kune-Yu Lai. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Thin film transistor, method for fabricating the same, array substrate, and display device

Номер патента: US20200243576A1. Автор: Kui Gong,Xianxue Duan,Jilong Li. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

COATING LIQUID FOR FORMING METAL OXIDE THIN FILM, METAL OXIDE THIN FILM, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD FOR PRODUCING THE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20130240881A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2013-09-19.

METHOD FOR FABRICATING A THREE-DIMENSIONAL THIN-FILM SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FROM A TEMPLATE

Номер патента: US20130288418A1. Автор: Moslehi Mehrdad M.,Wang David Xuan-Qi. Владелец: SOLEXEL, INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

Thin Film Article and Method for Forming a Reduced Conductive Area in Transparent Conductive Films for Photovoltaic Modules

Номер патента: US20140000703A1. Автор: Jonathan Mack Frey,Scott Daniel Feldman-Peabody. Владелец: First Solar Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2014-01-02.

ORGANIC THIN FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC THIN FILM, ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT, DISPLAY DEVICE, ILLUMINATION DEVICE, ORGANIC THIN FILM SOLAR CELL, THIN FILM TRANSISTOR, AND COATING COMPOSITION

Номер патента: US20190081239A1. Автор: Shimizu Takahisa,FUKAGAWA Hirohiko,MORII Katsuyuki,HASEGAWA Munehiro,GOHDA Syun. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

Manufacture of solar cell, manufacture of thin-film semiconductor, method for separating thin-film semiconductor, and method for forming semiconductor

Номер патента: JP2000036609A. Автор: Takao Yonehara,Akiyuki Nishida,彰志 西田,Kiyobumi Sakaguchi,清文 坂口,隆夫 米原,Masaaki Iwane,正晃 岩根. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-02-02.

Method for fabricating a three-dimensional thin-film semiconductor substrate from a template

Номер патента: US8288195B2. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2012-10-16.

Method for fabricating a three-dimensional thin-film semiconductor substrate from a template

Номер патента: US20100267186A1. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2010-10-21.

Thin film article and method for forming a reduced conductive area in transparent conductive films for photovoltaic modules

Номер патента: EP2403015B1. Автор: Jonathan Mack Frey,Scott Daniel Feldman-Peabody. Владелец: First Solar Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2014-04-23.

Method for forming sensitizer for semiconductor type gas sensor and semiconductor type gas sensor array

Номер патента: KR100780076B1. Автор: 심창현,이덕동,허증수. Владелец: 허증수. Дата публикации: 2007-11-29.

Thin film transistor over an insulated semiconductor substrate and method of manufacture

Номер патента: DE69615458T2. Автор: Yasuo Inoue,Yasuo Yamaguchi,Hans-Oliver Joachim. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-29.

Thin-film semiconductor device having a thin-film transistor for circuits that differs from a thin-film transistor for pixels

Номер патента: US6563136B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-05-13.

Thin film photovoltaic cell and method of fabricating same, and cell pack

Номер патента: EP4376100A1. Автор: YUAN Li,Liang Yang,Xiongcai XIE,Guang Huang. Владелец: Truly Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Methods and systems for forming oleds and thin film devices

Номер патента: US20170110688A1. Автор: W. Dennis Slafer. Владелец: MicroContinuum Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Method for preparing memory array with contact enhancement cap

Номер патента: US20230156999A1. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

INK FOR FORMING COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM AND PRODUCTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20140209174A1. Автор: Yamada Akira,Zhang Yiwen. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-31.

THIN FILM OF METAL OXIDE, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE INCLUDING THE THIN FILM, PHOTOVOLTAIC CELL INCLUDING THE THIN FILM AND ORGANIC PHOTOVOLTAIC CELL INCLUDING THE THIN FILM

Номер патента: US20160285027A1. Автор: HOSONO Hideo,Ito Kazuhiro,Mitsui Akira,Toda Yoshitake,Watanabe Satoru,Miyakawa Naomichi,Watanabe Toshinari,OHKOSHI KAZUTO. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Thin film transistor circuit and semiconductor display device using the same

Номер патента: US6268842B1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-31.

Substrate for flexible device, thin film transistor substrate for flexible device, flexible device, substrate for thin film element, thin film element, thin film transistor, method for manufacturing substrate for thin film element, method for manufacturing thin film element, and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US9024312B2. Автор: Koji Ichimura,Katsuya Sakayori,Shunji Fukuda,Keita Arihara,Kei Amagai. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2015-05-05.

Thin film transistor

Номер патента: US20110156021A1. Автор: Jae-Seok Heo,Ji-Yeon Seo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors formed using sequential lateral solidification and devices formed thereon

Номер патента: US20090189164A1. Автор: James S. Im,Robert S. Sposili,Mark A. Crowder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-30.

Thin film transistor substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US7816192B2. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-19.

Method for manufacturing piezoelectric element and method for manufacturing ink jet head

Номер патента: US20190210368A1. Автор: Hideyuki Eguchi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2019-07-11.

Method for manufacturing array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US20200350340A1. Автор: Wenjun Liao,Taoran ZHANG,Zailong Mo,Linxuan LI,Jiawei QU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Thin film structure for micro-bolometer and method for fabricating the same

Номер патента: US20190316968A1. Автор: Won Jun Choi,Sanghyeon Kim,Jeong Min BAIK,Ki-suk Lee,Seung Hyub BAEK,Tae Hyeon KIL. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Sealed Thin-Film Device as well as Method of Repairing, System for Repairing and Computer Program Product

Номер патента: US20140346555A1. Автор: Coen Verschuren,Antonius Maria Bernardus Van Mol,Peter Van Der Weijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2014-11-27.

Transparent laminated film and method for producing the same

Номер патента: US20140193592A1. Автор: Tetsuya Takeuchi,Tetsuji Narasaki,Hiroki Inagaki,Yoshihiro Tokunaga,Masataka Inuzuka. Владелец: Sumitomo Riko Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-10.

Production method for composite oxide thin film and device therefor and composite oxide film produced thereby

Номер патента: US20040127064A1. Автор: Hideo Ihara,Sundaresan Athinarayanan,Yoshiko Ihara,Hideyo Ihara,Hidetaka Ihara,Gen-Ei Ihara,Chiaki Ihara,JiaCai Nie. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for producing thermally conductive thin film using synthetic graphite powder

Номер патента: US11737243B2. Автор: Dong Ha Kim. Владелец: Indong Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Piezoelectric thin-film element, microelectromechanical system, and ultrasound transducer

Номер патента: US20240224808A1. Автор: Yusuke Sato. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Organic el material-containing solution, method for forming organic el thin film, organic el device comprising organic el thin film, and method for manufacturing organic el display panel

Номер патента: WO2008105472A1. Автор: Tetsuya Inoue,Makoto Ando,Motohiro Takeshima. Владелец: IDEMITSU KOSAN CO., LTD.. Дата публикации: 2008-09-04.

Synthesis and use of precursors for vapor deposition of tungsten containing thin films

Номер патента: US20190300468A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Miika Mattinen,Timo Hatanpää. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-10-03.

Thin film-forming feedstock for use in atomic layer deposition, thin film, method for producing thin film, and ruthenium compound

Номер патента: WO2022220153A1. Автор: 雅子 畑▲瀬▼,正揮 遠津,若菜 布施,亮太 福島. Владелец: 株式会社Adeka. Дата публикации: 2022-10-20.

Organic-electroluminescence-material-containing solution, method for forming organic electroluminescence thin film and organic electroluminescence device

Номер патента: US20080206447A1. Автор: Chishio Hosokawa,Tetsuya Inoue,Masahiko Fukuda,Motohiro Takeshima. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Clad textured metal substrate for forming epitaxial thin film thereon and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120312429A1. Автор: Shigeo Nagaya,Hirofumi Hoshino,Kunihiro Shima,Naoji Kashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-13.

Clad textured metal substrate for forming epitaxial thin film thereon and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080257255A1. Автор: Shigeo Nagaya,Hirofumi Hoshino,Kunihiro Shima,Naoji Kashima. Владелец: Chubu Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Clad textured metal substrate for forming epitaxial thin film thereon and method for manufacturing the same

Номер патента: US8287643B2. Автор: Shigeo Nagaya,Hirofumi Hoshino,Kunihiro Shima,Naoji Kashima. Владелец: Chubu Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2012-10-16.

Thin film transistor and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20100264410A1. Автор: Akira Yumoto,Kazumasa Nomoto,Mao Katsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Composition for forming zinc oxide thin film, and method for producing zinc oxide thin film

Номер патента: EP3761083A1. Автор: Masahiro Aoki,Yujin Takemoto,Tsukasa Futagoishi. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

Method for producing a substrate having crystalline silicon nuclei for forming a polysilicon thin film

Номер патента: US5739043A. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-14.

Method for forming organic semiconductor thin film and method of manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100029040A1. Автор: Akihiro Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

RAW MATERIAL FOR FORMING THIN FILM BY ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD, METHOD OF PRODUCING THIN FILM, AND ALKOXIDE COMPOUND

Номер патента: US20220024953A1. Автор: Sakurai Atsushi,Yamashita Atsushi,NISHIDA Akihiro,HATASE Masako,YOSHINO Tomoharu. Владелец: ADEKA CORPORATION. Дата публикации: 2022-01-27.

Manufacturing method of thin film containing molybdenum, raw material for forming thin film, and molybdenum imide compound

Номер патента: JPWO2014077073A1. Автор: 佐藤　宏樹,宏樹 佐藤,潤二 上山. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Manufacturing method of thin film containing molybdenum, raw material for forming thin film, and molybdenum imide compound

Номер патента: JP6198280B2. Автор: 佐藤　宏樹,宏樹 佐藤,潤二 上山. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2017-09-20.

Method for forming magnesium oxide thin film and processed plate

Номер патента: US20140230724A1. Автор: Hideo Hosono,Yoshitake Toda,Tomofumi SUSAKI,Tadahiro Fujihashi. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2014-08-21.

Method for forming magnesium oxide thin film and processed plate

Номер патента: US9605357B2. Автор: Hideo Hosono,Yoshitake Toda,Tomofumi SUSAKI,Tadahiro Fujihashi. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-03-28.

Electrode material for forming stamper and thin film for forming stamper

Номер патента: US6344275B2. Автор: Takashi Ueno,Tetsuya Iida,Masahiro Katsumura. Владелец: Furuya Metal Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-05.

Ruthenium compound, raw material for thin film formation, and method for forming thin film

Номер патента: WO2020255822A1. Автор: 雅子 畑▲瀬▼,正揮 遠津,圭介 武田. Владелец: 株式会社Adeka. Дата публикации: 2020-12-24.

Piezoelectric thin-film resonator and method for producing the same

Номер патента: US20060097823A1. Автор: Ryuichi Kubo,Hidetoshi Fujii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-11.

Piezoelectric thin-film resonator and method for producing the same

Номер патента: US20090000091A1. Автор: Ryuichi Kubo,Hidetoshi Fujii. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Method for measuring optical constants of thin film of fluorine-containing organosilicon compound

Номер патента: US12105018B2. Автор: Takashi Uchida. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Thin film transistor and method for producing the same

Номер патента: US20120199836A1. Автор: Nobuhide Yoneya,Mao Katsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Thin film transistor and method for producing the same

Номер патента: US8742409B2. Автор: Nobuhide Yoneya,Mao Katsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Thin film transistor and method for producing the same

Номер патента: US8253133B2. Автор: Nobuhide Yoneya,Mao Katsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-28.

Organic Thin Film Transistor and Method for Surface Modification of Gate Insulating Layer of Organic Thin Film Transistor

Номер патента: US20080315190A1. Автор: Kunji Shigeto,Iwao Yagi,Kazuhito Tsukagoshi,Yoshinobu Aoyagi. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2008-12-25.

Organic thin-film transistor and method for producing organic thin-film transistor

Номер патента: EP3920238A1. Автор: Eijiro Iwase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-12-08.

Nitride Semiconductor Photocatalytic Thin Film and Method for Manufacturing Nitride Semiconductor Photocatalytic Thin Film

Номер патента: US20230201810A1. Автор: Takeshi Komatsu,Yoko Ono,Yuya Uzumaki,Sayumi Sato. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Composition for depositing antimony-containing thin film and method for manufacturing antimony-containing thin film using the same

Номер патента: US20230203655A1. Автор: Sang Ick Lee,Sang Yong Jeon,Yong Hee Kwone,Young Jae Im,Tae Seok Byun,Sang Chan Lee. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Apparatus and method for storing thin film device and method for measuring biological molecule

Номер патента: GB2577016A. Автор: Goto Yusuke,Fujioka Michiru,MATSUI Kazuma. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2020-03-11.

Apparatus and method for storing thin film device and method for measuring biological molecule

Номер патента: US20200116697A1. Автор: Kazuma Matsui,Yusuke Goto,Michiru Fujioka. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Composition for formation of zinc oxide thin film, and method for producing a zinc oxide thin film

Номер патента: US20210086227A1. Автор: Masahiro Aoki,Yujin Takemoto,Tsukasa Futagoishi. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Laminate, organic thin-film solar cell, method for producing laminate, and method for producing organic thin-film solar cell

Номер патента: EP3896753A1. Автор: Hiroyuki Masuoka,Akira Matsuzaki,Mikito Suto. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2021-10-20.

Organic thin film transistor and method for manufacturing organic thin film transistor

Номер патента: EP2113944A1. Автор: Takeshi Hakii. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2009-11-04.

Thin-film material and method for producing same

Номер патента: US20050129935A1. Автор: Toyoki Kunitake,Mineo Hashizume. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2005-06-16.

Material for forming underlayer film, resist underlayer film, method of producing resist underlayer film, and laminate

Номер патента: US11886119B2. Автор: Takashi Oda,Koji Inoue,Keisuke Kawashima. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Cellulose-fiber dispersion polyethylene resin composite material, formed body and pellet using same, production method therefor, and recycling method for cellulose-fiber adhesion polyethylene thin film piece

Номер патента: US20210139664A1. Автор: Toshihiro Suzuki,Hidekazu Hara,Jirou HIROISHI,Yuka SAWADA,Masami TAZUKE,Shingo Mitsugi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Thin film evaporator, and method for producing a transfer mixture

Номер патента: CA3204710A1. Автор: Daniel Witte,Manuel Steiner,Roland Kunkel,Judith Andrea Michelle Günther. Владелец: LIST TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2022-07-21.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8309952B2. Автор: Mamoru Ishizaki,Ryohei Matsubara. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-13.

Thin film, biosensor, and method for producing them

Номер патента: US20240094161A1. Автор: Toshiya Sakata,Reiko SHIRATORI,Shoichi NISHITANI. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for manufacturing antifogging porous silica thin film

Номер патента: US20160185658A1. Автор: Jong Min Kim,Yeon Sik Jung,Jae Suk Choi,Sung June Park,Jin Yong Shim,Dong Min SIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-06-30.

Photosensitive resin composition, method for producing patterned cured film, patterned cured film and semiconductor element

Номер патента: EP4099090A1. Автор: Teruaki Suzuki,Masahiro Hashimoto,Yu Aoki,Yoshimi HAMANO. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-07.

Photosensitive resin composition, method for producing patterned cured film, patterned cured film and semiconductor element

Номер патента: US20230236508A1. Автор: Teruaki Suzuki,Masahiro Hashimoto,Yu Aoki,Yoshimi HAMANO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Organic thin film transistor and method for manufacturing organic thin film transistor

Номер патента: EP3843128A1. Автор: Eijiro Iwase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-06-30.

Thin film, biosensor, and method for manufacturing same

Номер патента: EP4280287A1. Автор: Toshiya Sakata,Reiko SHIRATORI,Shoichi NISHITANI. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2023-11-22.

Method for protective oleophobic processing of thin film electroducing optical coatings on glass

Номер патента: RU2622281C1. Автор: Александр Александрович Писарев,Дмитрий Дмитриевич Бернт,Валерий Олегович Пономаренко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Пилкингтон Гласс". Дата публикации: 2017-06-13.

Method for forming tetraoxy-silane derived antiwear films and lubricating oil compositions therefrom

Номер патента: EP1894986A2. Автор: Elaine S. Yamaguchi,Kam-Sik Ng. Владелец: Chevron Oronite Co LLC. Дата публикации: 2008-03-05.

Organic thin film transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20120104377A1. Автор: Jeong Il Park,Bang Lin Lee,Sang Yoon Lee,Eun Jeong Jeong,Do Hwan Kim,Byung Wook Yoo,Hyun Sik Moon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-03.

Laminate, organic thin film solar cell, method for manufacturing laminate, and method for manufacturing organic thin film solar cell

Номер патента: EP4358674A1. Автор: Hikaru Kobayashi,Akira Matsuzaki,Mikito Suto,Yusuke Fushiwaki. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-04-24.

Organic thin film transistors and methods for their manufacturing and use

Номер патента: WO2014162287A3. Автор: Monica Katiyar,Saumen MANDAL. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY KANPUR. Дата публикации: 2014-12-24.

Method for producing carbonaceous film, method for producing graphite film, roll of polymer film, and roll of carbonaceous film

Номер патента: US20140110869A1. Автор: Takashi Inada,Makoto Mishiro,Yasushi Nishikawa,Yusuke Ohta. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2014-04-24.

Method for producing carbonaceous film, method for producing graphite film, roll of polymer film, and roll of carbonaceous film

Номер патента: US20160046435A1. Автор: Takashi Inada,Makoto Mishiro,Yasushi Nishikawa,Yusuke Ohta. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Thermally conductive thin-film cured product, method for producing same, and thermally conductive member

Номер патента: US20200354526A1. Автор: Akihiro Endo,Yuki Tanaka,Takanori Ito. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Thermally conductive thin-film cured product, method for producing same, and thermally conductive member

Номер патента: PH12020500615A1. Автор: Akihiro Endo,Yuki Tanaka,Takanori Ito. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2021-05-31.

Laminate, organic thin film solar cell, method for manufacturing laminate, and method for manufacturing organic thin film solar cell

Номер патента: EP4024487A1. Автор: Hikaru Kobayashi,Hiroyuki Masuoka,Akira Matsuzaki,Hiroki Habazaki,Mikito Suto. Владелец: Hokkaido University NUC. Дата публикации: 2022-07-06.

Electrolyte solution and method for electrolytic co-deposition of thin film calcium phosphate and drug composites

Номер патента: US20100018865A1. Автор: Mao-Jung Maurice Lien,Doug Smith,Arc Rajtar,Dean-Mo Liu,Manus Tsui. Владелец: MIV Therapeutics Inc. Дата публикации: 2010-01-28.

Thin film evaporator, and method for producing a transfer mixture

Номер патента: US20240075403A1. Автор: Daniel Witte,Manuel Steiner,Roland Kunkel,Judith Andrea Michelle Günther. Владелец: LIST TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2024-03-07.

Cell for forming an electrolyser, electrolyser comprising such cell, method for manufacturing and operating an electrolyser

Номер патента: NL2033470B1. Автор: Bos Albert,Folkert Van Dongen Ron,Rahbari Ahmadreza. Владелец: Xintc B V. Дата публикации: 2024-05-24.

Method for making optically transparent superhydrophobic thin film

Номер патента: US12037508B2. Автор: John T. Simpson. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Process for forming a hydrophilic coating and hydrophilic coating, and process for forming an ink jet recording head and ink jet recording head

Номер патента: US20120115985A1. Автор: Shoji Shiba,Kazunari Ishizuka,Ken Ikegame. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Group 4 metal element-containing compound, precursor composition including same, and method for manufacturing thin film using same

Номер патента: US20230312614A1. Автор: Jang-Hyeon Seok,Jung-Woo Park,Hyun-Kee Kim,Ki-Yeung Mun,Cheol-Wan Park,Ee-Seul SHIN,Eun-Jeong CHO. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for forming wick part for vapor chamber, and method for manufacturing vapor chamber

Номер патента: EP4353396A1. Автор: Jong Min Lee,Jae Ho JANG,Kang Hyun Lee,Hang Hyeon CHO. Владелец: KMW Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Method for forming wick part for vapor-chamber and method for manufacturig vapor chamber

Номер патента: US20240181570A1. Автор: Jong Min Lee,Jae Ho JANG,Kang Hyun Lee,Hang Hyeon CHO. Владелец: KMW Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for producing white powder comprising titanium oxide film and metallic silver film

Номер патента: US8034404B2. Автор: Takafumi Atarashi,Kiyoshi Hoshino,Akira Kishimoto,Shinichi Ogura,Katsuto Nakatsuka,Tetsurou Hoshiba. Владелец: Nittetsu Mining Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-11.

Cell for forming an electrolyser, electrolyser comprising such cell, method for manufacturing and operating an electrolyser

Номер патента: WO2024094888A2. Автор: Albert Bos,Ahmadreza RAHBARI,Ron Folkert VAN DONGEN. Владелец: Xintc B.V.. Дата публикации: 2024-05-10.

Antifouling coating film with cover film, method for producing same, antifouling tape, and method for producing structure which has antifouling coating film and is in contact with water

Номер патента: EP3885134A1. Автор: Soichiro TANINO,Keisuke Nakatani. Владелец: Chugoku Marine Paints Ltd. Дата публикации: 2021-09-29.

Cell for forming an electrolyser, electrolyser comprising such cell, method for manufacturing and operating an electrolyser

Номер патента: WO2024094888A3. Автор: Albert Bos,Ahmadreza RAHBARI,Ron Folkert VAN DONGEN. Владелец: Xintc B.V.. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing molybdenum-containing thin film and molybdenum-containing thin film manufactured thereby

Номер патента: US20220018017A1. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Haeng Don Lim,Jang Woo SEO. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for manufacturing molybdenum-containing thin film and molybdenum-containing thin film manufactured thereby

Номер патента: US11459653B2. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Haeng Don Lim,Jang Woo SEO. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-04.

Polymer resin composition, method for manufacturing polymer resin film, polymer resin film and substrate for display device using same, and optical device

Номер патента: EP4321574A1. Автор: Chan Hyo Park,Seung Jin Han. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Method for manufacturing polymer resin film, polymer resin film and substrate for display device using same, and optical device

Номер патента: EP4335894A1. Автор: Chan Hyo Park,Jinyoung Park,Seung Jin Han. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Synthetic method of suppressing metal nano-particle from having oxidized film and method of manufacturing conductive metal thin film via solution-processed

Номер патента: US09986638B2. Автор: Su Hyun Lee,Young Min Choi,Sun Ho JEONG,Beyong Hwang Ryu,Yeong Hui Seo. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2018-05-29.

Thin-film-based assembly

Номер патента: US20240272042A1. Автор: Pauline Martha Gerardina VAN DEURSEN. Владелец: Vitrotem BV. Дата публикации: 2024-08-15.

Over-molded thin film antenna device

Номер патента: US20210167490A1. Автор: Francisco X. Gomez,Calin Pod. Владелец: Pctel Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Over-molded thin film antenna device

Номер патента: US20210066793A1. Автор: Francisco X. Gomez,Calin Pod. Владелец: Pctel Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Over-molded thin film antenna device

Номер патента: US11165147B2. Автор: Francisco X. Gomez,Calin Pod. Владелец: Pctel Inc. Дата публикации: 2021-11-02.

Over-molded thin film antenna device

Номер патента: CA3089229A1. Автор: Francisco X. Gomez,Calin Pod. Владелец: Pctel Inc. Дата публикации: 2021-02-28.

Over-molded thin film antenna device

Номер патента: EP3787106A1. Автор: Francisco X. Gomez,Calin Pod. Владелец: Pctel Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of thin film laminated article

Номер патента: US6514372B1. Автор: Akio Yamazaki. Владелец: New Create Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Wavy metal nanowire network thin film, stretchable transparent electrode including the metal nanowire network thin film and method for forming the metal nanowire network thin film

Номер патента: US20190006061A1. Автор: Jong Hyuk Park,Sang-soo Lee,Wan Ki BAE,Jeong Gon SON,Heesuk KIM,Hyo Won Kwon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-01-03.

Manufacturing method of large area thin film anode supported planar sofc

Номер патента: US20220209251A1. Автор: Tae Hun Kim,Seung Bok Lee,Amjad Hussain,Rak Hyun SONG,Tak Hyoung Lim,Jong Eun HONG,Dong Woo JOH,Beom Su KWON. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2022-06-30.

Connection structure of thin film electrode and housing

Номер патента: US20230298780A1. Автор: Qian Yang,Liang Li,Meng Gao,Le Ye. Владелец: Advanced Institute of Information Technology AIIT of Peking University. Дата публикации: 2023-09-21.

Fluorescent display device and method for driving same

Номер патента: US20010013755A1. Автор: Katsutoshi Kougo,Yukio Ogawa,Hiroaki Kawasaki,Kazuyoshi Ishikawa. Владелец: Futaba Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Thin film coil and method for forming the same, thin film magnetic head and method for manufacturing the same

Номер патента: JP3914173B2. Автор: 大助 飯塚,富士巳 木村. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2007-05-16.

Target for forming lithium-cotaning thin film for thin film bettery and preparing method of the same

Номер патента: KR101389774B1. Автор: 이원준. Владелец: 세종대학교산학협력단. Дата публикации: 2014-04-28.

THIN FILM MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM MATERIAL

Номер патента: RU2006147123A. Автор: Владимир Владимирович Кислов,Игорь Владимирович Таранов,Юрий Алексеевич Кокшаров,Геннадий Борисович Хомутов,Владимир Владимирович Кислов (RU),Игорь Владимирович Таранов (RU),Юрий Алексеевич Кокшаров (RU),Геннадий Борисович Хомутов (RU). Владелец: Геннадий Борисович Хомутов (RU). Дата публикации: 2008-07-20.

Anti-reflective coating for a crt having first and second optical thin films in combination with an adhesion layer

Номер патента: CA2278825C. Автор: Kazuo Watanabe,Hiroichi Ishikawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-10-09.

Thin-film-based assembly

Номер патента: WO2023282753A1. Автор: Pauline Martha Gerardina VAN DEURSEN. Владелец: Vitrotem B.V.. Дата публикации: 2023-01-12.

Metal thin-film precursor composition, method for forming thin film using the same, and semiconductor substrate prepared therefrom

Номер патента: KR20220125188A. Автор: 정재선,연창봉,남지현. Владелец: 솔브레인 주식회사. Дата публикации: 2022-09-14.

Growth inhibitor for forming pellicle protection thin film, method for forming pellicle protection thin film and pellicle-containing mask prepared therefrom

Номер патента: TWI781680B. Автор: 王虎林,延昌峰,鄭在善,都昇哲. Владелец: 南韓商秀博瑞殷股份有限公司. Дата публикации: 2022-10-21.

Growth inhibitor for forming pellicle protection thin film, method for forming pellicle protection thin film and pellicle-containing mask prepared therefrom

Номер патента: TW202217053A. Автор: 王虎林,延昌峰,鄭在善,都昇哲. Владелец: 南韓商秀博瑞殷股份有限公司. Дата публикации: 2022-05-01.

Metal thin film precursor composition, method for forming thin film by using same, and semiconductor substrate manufactured therefrom

Номер патента: WO2022186644A1. Автор: 정재선,연창봉,남지현. Владелец: 솔브레인 주식회사. Дата публикации: 2022-09-09.

Growth inhibitor for forming pellicle protective thin film, method for forming pellicle protective thin film by using same, and mask manufactured therefrom

Номер патента: WO2022010214A1. Автор: 정재선,연창봉,도승철,왕호림. Владелец: 솔브레인 주식회사. Дата публикации: 2022-01-13.

Laminated film for forming inorganic thin film layer

Номер патента: US20240336048A1. Автор: Atsushi Yamazaki,Mahiro Nakano,Mitsuhiro KASHIWA. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Solution composition for forming thin film of transition metal dichalcogenide and method for producing transition metal dichalcogenide thin film using the same

Номер патента: KR102334669B1. Автор: 최운섭,곽영진. Владелец: 호서대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-12-03.

Mask blank, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240053672A1. Автор: Hiroaki Shishido,Osamu Nozawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Ultra-flat and low-friction metallic glass film and a method for preparing the same

Номер патента: US20230304142A1. Автор: Jian Lu,Yan BAO,Jialun GU. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2023-09-28.

Vapor deposition method and vapor deposition apparatus for forming organic thin films

Номер патента: US20030131796A1. Автор: Toshitaka Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Zirconium oxide sinter for forming thin film thereof and method for production of the same

Номер патента: GB2216546A. Автор: Fukuo Oizumi,Katuo Minoya,Tutomu Uema,Kinitiro Uemura,Akemi Katoh. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 1989-10-11.

Method for forming thermal spraying coating film of intermetallic compound, thermal spraying coating film, method for producing metal product having spray coating film and glass-conveying roll

Номер патента: EP3561143B1. Автор: Kazuo Hamashima,Yasunari Ishikawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Tin dioxide oxide thin film, preparation method thereof and application thereof in hydrogen detection

Номер патента: NL2030680A. Автор: Dan Xu,Di Zhu,Baofeng Zhao,Shuyuan Wang,Haibin Guan,Angang Song. Владелец: Energy Res Inst Shandong Academy Sciences. Дата публикации: 2022-10-24.

Tin dioxide oxide thin film, preparation method thereof and application thereof in hydrogen detection

Номер патента: NL2030680B1. Автор: Dan Xu,Di Zhu,Baofeng Zhao,Shuyuan Wang,Haibin Guan,Angang Song. Владелец: Energy Res Inst Shandong Academy Sciences. Дата публикации: 2022-10-28.

Method for purge clean of low pressure furnace

Номер патента: US20230265557A1. Автор: Yuhong LANG,Xinxing TU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Sputtering method for the formation of carbon films

Номер патента: EP1046726A3. Автор: Tu Chen,Wen Hong Liu,Tsutomu Yamashita,Gang Peng. Владелец: Komag Inc. Дата публикации: 2003-07-23.

Thin film deposition preparation device and method

Номер патента: US20190186015A1. Автор: Fei Zhang,Jie Xiong,Xiaohui Zhao,Yanrong LI,Bowan TAO,Chaoren LI. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-06-20.

METHOD FOR MANUFACTURING MOLYBDENUM OXIDE-CONTAINING THIN FILM, STARTING MATERIAL FOR FORMING MOLYBDENUM OXIDE-CONTAINING THIN FILM, AND MOLYBDENUM AMIDE COMPOUND

Номер патента: US20140141165A1. Автор: SATO Hiroki,UEYAMA Junji. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-22.

METHOD FOR FORMING METAL OXIDE THIN FILM AND DEVICE FOR PRINTING METAL OXIDE THIN FILM

Номер патента: US20150225845A1. Автор: CHU Hye Yong,Hwang Chi-Sun,CHOI JungMin,YANG Jong-Heon,PARK Jonghyurk,YOO Seunghyup. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2015-08-13.

Gradient thin films

Номер патента: RU2666198C1. Автор: Альпана РАНАДЕ,Марви А. МАТОС. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2018-09-06.

Magnetic field pulsed laser deposition of thin films

Номер патента: US5858478A. Автор: Gouri Radhakrishnan. Владелец: Aerospace Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Mask blank, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230259015A1. Автор: Hiroaki Shishido,Osamu Nozawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for manufacturing thin film of composite metal-oxide dielectric

Номер патента: US5593495A. Автор: Masayoshi Koba,Hisako Arai,Ryusuke Kita,Yoshiyuki Masuda,Noboru Ohtani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-01-14.

Method for producing synthetic diamond thin film, the thin film and device using it

Номер патента: US5531184A. Автор: Hisao Yamashita,Hiroshi Miyadera,Yasushi Muranaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-07-02.

Apparatus for producing thin film, process for producing thin film and guide roller

Номер патента: US6319325B1. Автор: Atsuhiro Abe,Ryoichi Hiratsuka,Yukihiro Koshika,Kikuji Kawakami,Yoshihito Ebine. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-20.

Ultra-flat and low-friction metallic glass film and a method for preparing the same

Номер патента: US11873551B2. Автор: Jian Lu,Yan BAO,Jialun GU. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-01-16.

Saw blade having thin film ceramic coating

Номер патента: US20230311222A1. Автор: Chris Gilbert,Carl Dietz,Milorad MARICH. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Carbon thin-film device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160289825A1. Автор: Hyungjun Kim,Taejin CHOI,Jeong-Gyu SONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-10-06.

Apparatus for pre-oxided porous metal thin film, method for manufacturing porous metal oxide thin film and porous metal oxide thin film manufactured thereby

Номер патента: KR20220128184A. Автор: 박세용,이희철,노순호. Владелец: 한국공학대학교산학협력단. Дата публикации: 2022-09-20.

Particles and method for coating particles

Номер патента: RU2250764C2. Автор: Джеймс Д. ТЭЛТОН,Джеймс Д. ТЭЛТОН (US). Владелец: Наносфер, Инк.. Дата публикации: 2005-04-27.

Thin-film micromesh covers for medical devices and related methods

Номер патента: US11020254B2. Автор: Vikas Gupta,Ian A. Cook,Colin Kealey. Владелец: Monarch Biosciences Inc. Дата публикации: 2021-06-01.

Amorphous boron nitride thin film and method for producing same, multilayer film, transparent plastic film, and organic el device

Номер патента: WO2005035824A1. Автор: Yasushi Okubo. Владелец: KONICA MINOLTA HOLDINGS, INC.. Дата публикации: 2005-04-21.

Thin film deposition preparation device and method

Номер патента: US20170191163A1. Автор: Fei Zhang,Jie Xiong,Xiaohui Zhao,Yanrong LI,Bowan TAO,Chaoren LI. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-07-06.

Method of forming pattern and composition for forming of organic thin-film for use therein

Номер патента: US8173348B2. Автор: Nobuji Matsumura,Daisuke Shimizu,Toshiyuki Kai,Tsutomu Shimokawa,Hikaru Sugita. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2012-05-08.

Method of forming pattern and composition for forming of organic thin-film for use therein

Номер патента: US20100233635A1. Автор: Nobuji Matsumura,Daisuke Shimizu,Toshiyuki Kai,Tsutomu Shimokawa,Hikaru Sugita. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method for measuring adhesive strength of thin film using dispersion characteristics of surface waves, and computer-readable recording medium having program for performing same recorded thereon

Номер патента: US20200217820A1. Автор: Yu Min Choi,Tae Sung Park,Ik Keun PARK,Dong Ryul KWAK. Владелец: Seoul National University of Technology Center for Industry Cllaboration. Дата публикации: 2020-07-09.

Method for determining mechanical properties of thin film membranes formed over round holes

Номер патента: RU2758417C1. Автор: Владимир Александрович Беспалов,Алексей Леонидович Переверзев,Валерий Юрьевич Киреев,Анна Александровна Дедкова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2021-10-28.

Apparatus and method for manufacturing optically anisotropic polymer thin films

Номер патента: WO2022076267A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Arman Boromand. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2022-04-14.

Apparatus and method for manufacturing optically anisotropic polymer thin films

Номер патента: EP4225556A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Arman Boromand. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-16.

Nondestructive apparatus and method for detecting molecular orientation in thin films

Номер патента: US20010007500A1. Автор: Michele Muccini,Carlo Taliani. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2001-07-12.

Nondestructive apparatus and method for detecting molecular orientation in thin films

Номер патента: US6552791B2. Автор: Michele Muccini,Carlo Taliani. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2003-04-22.

Nondestructive apparatus and method for detecting molecular orientation in thin films

Номер патента: EP1244924A2. Автор: Michele Muccini,Carlo Taliani. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2002-10-02.

Composition For Forming Silicon-Containing Resist Underlayer Film And Patterning Process

Номер патента: US20240319598A1. Автор: Takehiro Sato,Seiichiro Tachibana,Shun Kikuchi,Ryo Mitsui. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Composition for forming silicon-containing resist underlayer film and patterning process

Номер патента: EP4435515A1. Автор: Takehiro Sato,Seiichiro Tachibana,Shun Kikuchi,Ryo Mitsui. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

METHOD FOR PRODUCING NANO-PROFILED ULTRA-THIN FILM Al2O3 ON SURFACE OF POROUS SILICON

Номер патента: RU2634326C2. Автор: Илья Сергеевич Тарасов,Александр Дмитриевич Бондарев,Иван Никитич Арсентьев,Александр Сергеевич Леньшин,Павел Владимирович Середин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБУ ВО ВГУ). Дата публикации: 2017-10-25.

Method for manufacturing resin film for thin film-capacitor and the film therefor

Номер патента: US20110217509A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Junya Ishida,Takashi Nogami,Kenro Takizawa. Владелец: Shin Etsu Polymer Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-08.

Method for manufacturing resin film for thin film-capacitor and the film therefor

Номер патента: US20140124975A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Junya Ishida,Takashi Nogami,Kenro Takizawa. Владелец: Shin Etsu Polymer Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Method for manufacturing resin film for thin film-capacitor and the film therefor

Номер патента: US8715554B2. Автор: Kazuhiro Suzuki,Junya Ishida,Takashi Nogami,Kenro Takizawa. Владелец: Shin Etsu Polymer Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-06.

Thin film sensor and method for preparing the same

Номер патента: US20240264685A1. Автор: Jing Wang,XUE Zhao,Xiaodong Xie,Tengfei ZHONG,Wenjie Xu,Feifei Yu,Xinxiu ZHANG,Bin PANG,Huayu SANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Thin film sensor and method for preparing the same

Номер патента: US12086336B2. Автор: Jing Wang,XUE Zhao,Xiaodong Xie,Tengfei ZHONG,Wenjie Xu,Feifei Yu,Xinxiu ZHANG,Bin PANG,Huayu SANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing conductive mesh, thin film sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240241610A1. Автор: Jian Zhou,Feng Qu,Biqi LI,Mengwen JIA. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for measuring mechanical properties of thin films using a resonator in an anti-resonance regime

Номер патента: US5764068A. Автор: Alexander Katz,Michael D. Ward. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 1998-06-09.

Nondestructive apparatus and method for detecting molecular orientation in thin films

Номер патента: WO2001048515A3. Автор: Michele Muccini,Carlo Taliani. Владелец: Carlo Taliani. Дата публикации: 2002-06-06.

Thin-film magnetic head and method of manufacturing same and thin-film magnetic head sub-structure and method of manufacturing same

Номер патента: US20010042302A1. Автор: Yoshitaka Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Method for measuring thickness of a thin film layer on glass

Номер патента: US20240027185A1. Автор: Yu-Lin Liu,Hsiang-Chen Wang,Ching-Yi Huang,Yu-Ming Tsao,Yu-Yang Chen. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-25.

System and method for measuring properties of a thin film coated glass

Номер патента: US20130215415A1. Автор: Keith J. Burrows,Jordan B. Lagerman,Kyle R. Thering. Владелец: Cardinal CG Co. Дата публикации: 2013-08-22.

Structure and Method for Producing a Precious Metal Thin-Film Laminate

Номер патента: US20140377517A1. Автор: Paul Diffendaffer,Laurie Johansen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-25.

Method for modifying surfaces with ultra thin films

Номер патента: US5897918A. Автор: Brij P. Singh,Pramod K. Arora. Владелец: NanoFilm Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Laminated magnetic record/playback head with thin films of high permeability material spaced apart by very thin films of insulating magnetic material for high bit densities and data transfer rates

Номер патента: US5239435A. Автор: Frederick J. Jeffers,Neil Smith. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1993-08-24.

Apparatus and method for performing high spatial resolution thin film layer thickness metrology

Номер патента: US5543919A. Автор: Peter B. Mumola. Владелец: Integrated Process Equipment Corp. Дата публикации: 1996-08-06.

Thin film head and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040048105A1. Автор: Toshio Fukazawa,Masaya Sakaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Methods for supplying power supply voltages in semiconductor memory devices and semiconductor memory devices using the same

Номер патента: US7936615B2. Автор: Jung Sunwoo,Yun-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-03.

Pacifier with thin-film reservoir and method for use thereof

Номер патента: CA2579532A1. Автор: Richard C. Fuisz,Joseph M. Fuisz,Pradeep Sanghvi,Tushar Misra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-23.

Pacifier with thin-film reservoir and method for use thereof

Номер патента: WO2006031887A2. Автор: Richard C. Fuisz,Joseph M. Fuisz,Pradeep Sanghvi,Tushar Misra. Владелец: Monosolrx, Llc. Дата публикации: 2006-03-23.

Method for production of rolls of pre-stretched film and machine for its implementation

Номер патента: RU2713357C1. Автор: Александр Сергеевич Иванов. Владелец: Александр Сергеевич Иванов. Дата публикации: 2020-02-04.

Laser apparatus and method for measuring stress in a thin film using multiple wavelengths

Номер патента: US5248889A. Автор: Ilan A. Blech,Dov E. Hirsch. Владелец: Tencor Instruments Inc. Дата публикации: 1993-09-28.

Web-shaped product for forming wearer-facing parts of sanitary articles, method for forming such product, and sanitary article

Номер патента: WO2011002366A1. Автор: Ulrika Husmark,Dennis Dahl,Anna Klinte Olsson,Jenny Hildeberg. Владелец: SCA HYGIENE PRODUCTS AB. Дата публикации: 2011-01-06.

System and method for measuring properties of a thin film coated glass

Номер патента: US20130215413A1. Автор: Keith J. Burrows,Jordan B. Lagerman,Kyle R. Thering. Владелец: Cardinal IG Co. Дата публикации: 2013-08-22.

Pacifier with thin-film reservoir and method for use thereof

Номер патента: EP1799175A2. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: MONOSOL RX LLC. Дата публикации: 2007-06-27.

Process for forming a hydrophilic coating and hydrophilic coating, and process for forming an ink jet recording head and ink jet recording head

Номер патента: US20120115089A1. Автор: Kazunari Ishizuka,Ken Ikegame. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Influenza virus infection inhibitor for fiber processing, fiber product using the same, and method for producing the same

Номер патента: US20150164070A1. Автор: Akihiko Fujiwara,Taro Suzuki,Takayuki Akamine. Владелец: Sekisui Polymatech Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for producing cellulose acylate film, cellulose acylate film and optical film

Номер патента: US20090264638A1. Автор: Masaaki Otoshi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Teat pack material for lactating livestock, kit for forming teat pack for lactating livestock, and method for preventing mastitis in lactating livestock

Номер патента: US20190231684A1. Автор: Hitoshi Kondo,Hideki Kazama,Yoji Inui. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Method for refreshing row hammer, circuit for refreshing row hammer and semiconductor memory

Номер патента: US11894042B2. Автор: Jixing Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for refreshing row hammer, circuit for refreshing row hammer and semiconductor memory

Номер патента: US20230162777A1. Автор: Jixing Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Use of flexible paper sheet material for forming a packaging for optical elements and method for packing optical elements

Номер патента: EP3997001A1. Автор: Thomas Hofer. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2022-05-18.

Method for fabricating composite structures using combined resin film and dry fabric

Номер патента: US11926078B2. Автор: Bryan Thai,Delphine Turpin. Владелец: Rohr Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for protecting web or sheet material, protective film and sheet or web product provided with protective film

Номер патента: EP1166998A3. Автор: Kari Karjalainen,Tero Taulavuori,Kari Rantamaa,Mikko Ylitalo,Markku Alalääkkölä,Kari Kavonius. Владелец: OUTOKUMPU OYJ. Дата публикации: 2003-07-09.

Semiconductor structure forming method and semiconductor structure

Номер патента: EP4195253A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-14.

Liquid crystal display devices with organic thin film formed by compressing molecules on liquid surface and transferring to substrate by horizontal lifting

Номер патента: US5357357A. Автор: Katsumi Kondo,Naoki Tanaka,Yoshio Taniguchi,Hideaki Kawakami,Shuji Imazeki,Yasushi Tomioka,Masami Yamasaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-10-18.

Mesoporous carbon films and methods of preparation thereof

Номер патента: WO2005113431A3. Автор: Yunfeng Lu,Jiebin Pang. Владелец: Jiebin Pang. Дата публикации: 2006-09-14.

Method of forming thin film on glass substrate and glass substrate coated with thin film

Номер патента: AU2003280633A8. Автор: Hirokazu Tanaka,Keisuke Tanaka,Akira Tsujimoto,Hiroshi Tamaru,Kouichi Takahama,Shigeki Obana. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-25.

Method of forming thin film on glass substrate and glass substrate coated with thin film

Номер патента: AU2003280633A1. Автор: Hirokazu Tanaka,Keisuke Tanaka,Akira Tsujimoto,Hiroshi Tamaru,Kouichi Takahama,Shigeki Obana. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-25.

Method for treating tantalum metal thin film, quantum device, and quantum chip

Номер патента: US20240164221A1. Автор: Hao Deng,Xiaohang Zhang. Владелец: Alibaba Damo Hangzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Laminated film for forming inorganic thin film layer

Номер патента: EP4371770A1. Автор: Atsushi Yamazaki,Mahiro Nakano,Mitsuhiro KASHIWA. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Method for forming semiconductor thin film and method for manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100233846A1. Автор: Takahiro Ohe,Miki Kimijima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method for forming a continuous oxide superconductor layer having different thickness portions for superconductor device

Номер патента: CA2027067C. Автор: Saburo Tanaka,Hideo Itozaki,Shuji Yazu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-07-23.

Method of forming thin film on glass substrate and glass substrate coated with thin film

Номер патента: WO2004039739A1. Автор: Hirokazu Tanaka,Keisuke Tanaka,Akira Tsujimoto,Hiroshi Tamaru,Kouichi Takahama,Shigeki Obana. Владелец: Matsushita Electric Works, Ltd.. Дата публикации: 2004-05-13.

Optically variable thin film flake and collection of the same

Номер патента: US5135812A. Автор: Thomas Mayer,Roger W. Phillips,Gary S. Ash. Владелец: Flex Products Inc. Дата публикации: 1992-08-04.

Sealed thin-film device, method of and system for repairing a sealing layer applied to a thin-film device

Номер патента: EP2436059A1. Автор: Herbert Lifka,Coen A. Verschuren,Rifat A. M. Hikmet. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-04-04.

Process for forming gold crystal film

Номер патента: US5320703A. Автор: Tsutomu Ikeda,Toshihiko Takeda,Hideo Kato,Kiyoshi Takimoto,Haruki Kawada,Taichi Sugimoto,Masahiko Miyamoto,Ken Eguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1994-06-14.

Thin film electrode ceramic substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130032383A1. Автор: Yun Hwi Park,Won Hee Yoo,Byeung Gyu Chang,Taek Jung Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

Thin film board, circuit element, manufacturing method of circuit element, and electric signal transmission method

Номер патента: US20210368624A1. Автор: Kota Kuramitsu. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Piezoelectric element, liquid jetting head, and method for manufacturing thereof

Номер патента: EP1333507A3. Автор: Murai Masami. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-12-07.

Thermochromic substrate and pair-glass with thermochromic thin film

Номер патента: EP2514724A3. Автор: Yongwon Choi,Yung-Jin Jung,Hyunbin Kim,Youngsoo Jung,A-Ra Kim,Donggun Moon,Du Hwan Kim,Myungi Shim. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-20.

Magneto-optical thin film, optical isolator, and method for manufacturing magneto-optical thin film

Номер патента: EP4386473A1. Автор: Bin Zhang,Huajun Zhou,Rong Chen,Kun CAO,Haohua Li,Yingfei XIONG,Zerui Jin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Production method for organic semiconductor thin film

Номер патента: EP3923359A1. Автор: Eijiro Iwase,Akihiko Suyama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-12-15.

Mixture of visible light-responsive photocatalytic titanium oxide fine particles, dispersion liquid thereof, method for producing dispersion liquid, photocatalyst thin film, and member having photocatalyst thin film on surface

Номер патента: EP3511075B1. Автор: Tomohiro Inoue,Manabu Furudate. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Photosensitive resin composition for forming resist, resin film, cured film, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: JPWO2018088469A1. Автор: 裕馬 田中. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Method for forming organic semiconductor thin film and method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP4552160B2. Автор: 章裕 野元. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-09-29.

Ingredient for metal oxide thin film and method for forming metal oxide thin film by using the same

Номер патента: EP1044933A2. Автор: Tsuyoshi c/o Nippon Sheet Glass Co. Otani,Toru c/o Nippon Sheet Glass Co. Yamamoto. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-18.

Organic semiconductor material, organic semiconductor film, organic semiconductor device, organic thin film transistor, and method for forming organic thin film transistor

Номер патента: JPWO2006098121A1. Автор: 片倉　利恵,桂 平井,北　弘志,弘志 北,達夫 田中,利恵 片倉,田中　達夫,平井　桂. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2008-08-21.

Conductive Thin Film, Touch Panel and Method for Manufacturing the Same, and Display Device

Номер патента: US20160364062A1. Автор: Yong Qiao,Hongfei Cheng,Yongchun Lu,Jianbo Xian. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Composition for forming zinc oxide thin film, and method for producing zinc oxide thin film

Номер патента: EP3761083A4. Автор: Masahiro Aoki,Yujin Takemoto,Tsukasa Futagoishi. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2021-11-24.

Composition for forming zinc oxide thin film, and method for producing zinc oxide thin film

Номер патента: EP3761083B1. Автор: Masahiro Aoki,Yujin Takemoto,Tsukasa Futagoishi. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Methods for producing metal oxide thin film, capacitor, hydrogen separation membrane-electrolyte membrane assembly, and fuel cell

Номер патента: WO2008114126A2. Автор: Naoki Ito,Yasuyuki Matsumura,Kazuya Matsui. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2008-09-25.

Method of manufacturing a clad textured metal substrate for forming an epitaxial thin film thereon

Номер патента: EP1982831B1. Автор: Shigeo Nagaya,Hirofumi Hoshino,Kunihiro Shima,Naoji Kashima. Владелец: Chubu Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2013-04-10.

Organic thin film EL panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US6429585B1. Автор: Kazuhiro Mizutani,Eiichi Kitazume. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-06.

WATER-RESISTANT ORGANIC THIN-FILM, METHOD FOR PRODUCING WATER-RESISTANT ORGANIC THIN-FILM, AND IMAGE DISPLAY DEVICE INCLUDING WATER-RESISTANT ORGANIC THIN-FILM

Номер патента: US20150141629A1. Автор: Umemoto Toru,Matsuda Shoichi,Kameyama Tadayuki,Tomohisa Hiroshi. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2015-05-21.

Array of thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof

Номер патента: US5606452A. Автор: Yong-Ki Min. Владелец: Daewoo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1997-02-25.

Method for preparing resin composition for expandable polypropylene carbonate and expandable polypropylene carbonate prepared therefrom

Номер патента: WO2013100508A1. Автор: Myung Ahn Ok,Min Ho Jeon,Seung Gweon Hong,Kwang Jin Chung,Young Hyo Park. Владелец: Sk Global Chemical Co.,Ltd.. Дата публикации: 2013-07-04.

Sealed thin-film device as well as method of repairing, system for repairing and computer program product

Номер патента: EP2786436A1. Автор: Coen Verschuren,Antonius Maria Bernardus Van Mol,Peter Van De Weijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2014-10-08.

Method for incorporating an additive into a thin film formed on a substrate

Номер патента: US6723377B2. Автор: Jean-Paul Cano,Yves Leclaire. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2004-04-20.

Electrode material for forming stamper and thin film for forming stamper

Номер патента: TW564407B. Автор: Takashi Ueno,Tetsuya Iida,Lmasahiro Katsumura. Владелец: Furuya Kinzoku Kk. Дата публикации: 2003-12-01.

Large-area single-crystal silver thin-film structure using single-crystal copper thin-film buffer layer and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4242706A1. Автор: Se Young Jeong,You Sil LEE,Su Jae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2023-09-13.

Method for forming magnesium oxide thin film and processed plate

Номер патента: US20140230724A1. Автор: Hideo Hosono,Yoshitake Toda,Tomofumi SUSAKI,Tadahiro Fujihashi. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2014-08-21.

Improved process for cleaning a surface of thin film of oxide superconductor and utilization thereof

Номер патента: CA2064362C. Автор: Hiroshi Inada,Takao Nakamura,Michitomo Iiyama,So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-10-06.

A piezoelectric thin film element

Номер патента: GB2539296A. Автор: Mardilovich Peter,Trolier-Mckinstry Susan,Sivaramakrishnan Subramanian. Владелец: Xaar Technology Ltd. Дата публикации: 2016-12-14.

Method of manufacturing a thin film piezoelectric element

Номер патента: US6912760B2. Автор: Hideki Kuwajima,Hirokazu Uchiyama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-05.

Electropolymerization method for preparing nano-tube type conducting polymer using porous template and method for preparing electrochromic device

Номер патента: EP1495360B1. Автор: Sang-Ho 309-1301 Expo apt. KIM,Won-Jong 106-705 Sejong apt. KWON,Sun-Ah 1470-2 Seocho 3-dong PARK,Shin-Jung 101-702 Ijin apt. CHOI,Yun-Il 201-1303 Kkumnamu apt. HWANG,Sang-Bok 503 Sejong Bldg. LEE. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2008-10-01.

Process for cleaning a surface of thin film of oxide superconductor

Номер патента: US5607900A. Автор: Hiroshi Inada,Takao Nakamura,Michitomo Iiyama,So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1997-03-04.

Thin film transistor array panel using organic semiconductor and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20110084260A1. Автор: Mun-Pyo Hong,Bo Sung Kim,Yong-Uk Lee,Min-Seong Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-14.

Method for forming magnesium oxide thin film and processed plate

Номер патента: EP2754737A4. Автор: Hideo Hosono,Yoshitake Toda,Tomofumi SUSAKI,Tadahiro Fujihashi. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2015-07-29.

Protective film module and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240109272A1. Автор: Jiyoung WANG,Kitaek Kim,Junghoon Oh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Large lateral scale two-dimensional materials and other thin films, and associated systems and methods

Номер патента: US12030081B2. Автор: Yu Zhong,Jiwoong Park,Baorui Cheng. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2024-07-09.

Thin film getter structure having miniature heater and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4074650A3. Автор: Tao Lu,Shinan Wang. Владелец: Shanghai Industrial Technology Research Institute. Дата публикации: 2022-10-26.

Semiconductor sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110067484A1. Автор: Takayuki Kondo,Teruo Takizawa,Masayoshi Todorokihara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-03-24.

Semiconductor sensor and method for manufactruing the same

Номер патента: US20090184381A1. Автор: Takayuki Kondo,Teruo Takizawa,Masayoshi Todorokihara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US7986017B2. Автор: Takayuki Kondo,Teruo Takizawa,Masayoshi Todorokihara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-07-26.

Semiconductor sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US7863696B2. Автор: Takayuki Kondo,Teruo Takizawa,Masayoshi Todorokihara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-01-04.

Method for producing waterproof organic thin film

Номер патента: US20130209691A1. Автор: Shoichi Matsuda,Hiroshi TOMOHISA,Tadayuki Kameyama,Toru Umemoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Waveguides with light absorbing films and processes for forming the same

Номер патента: AU2022241567A1. Автор: Mauro MELLI. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Sight display device and method for manufacturing sight display device

Номер патента: EP3673222A1. Автор: Pauli AALTONEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-07-01.

Sight display device and method for manufacturing sight display device

Номер патента: US20210123704A1. Автор: Pauli AALTONEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2021-04-29.

Sight display device and method for manufacturing sight display device

Номер патента: US11578944B2. Автор: Pauli AALTONEN. Владелец: Lumineq Oy. Дата публикации: 2023-02-14.

Apparatus for forming zinc oxide thin film, method for forming zinc oxide thin film, and method for manufacturing semiconductor element substrate and photovoltaic element using the same

Номер патента: JP3524366B2. Автор: 益光 岩田. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-05-10.

Method for manufacturing metallic dental crown and mold material for forming dental crown occlusal portion used for the method

Номер патента: US20020031750A1. Автор: Hiroshi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Pressure sensor of strain gauge type with a thin film nano- and microelectromechanical system

Номер патента: RU2657362C1. Автор: Евгений Михайлович Белозубов,Наталья Анатольевна Козлова. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2018-06-13.

Thin film manufacturing method and method of manufacturing substrate

Номер патента: US20220032623A1. Автор: Keiji Watanabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Thin-film actuated mirror matrix and process of its manufacture

Номер патента: RU2140722C1. Автор: Джи Джеонг-Беом,Ким Донг-Кук,Ли Сеок-Вон. Владелец: Дэу Электроникс Ко., Лтд.. Дата публикации: 1999-10-27.

Method for creating thick-film layer in microinjection device

Номер патента: RU2144472C1. Автор: А.А. Жуков,Бьюнг-сун Ахн,Б.Н. Дунаев. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2000-01-20.

Manufacturing method of thin-film magnetic head, wafer for thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US8098462B2. Автор: Yoshiaki Tanaka,Yuji Otsubo,Tetsuya Hiraki,Sohei Horiuchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2012-01-17.

Manufacturing method of thin-film magnetic head, wafer for thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US20100321822A1. Автор: Yoshiaki Tanaka,Yuji Otsubo,Tetsuya Hiraki,Sohei Horiuchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

Optical method measuring thin film growth

Номер патента: US20040239953A1. Автор: Colin Flynn. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Optical method for measuring thin film growth

Номер патента: US20070141734A1. Автор: Colin Flynn. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Optical method measuring thin film growth

Номер патента: EP1425551A2. Автор: Colin James Flynn. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2004-06-09.

Matrix of thin-film controlled mirrors for usage in optical projection system

Номер патента: RU2166784C2. Автор: МИН Йонг-Ки. Владелец: Дэу Электроникс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2001-05-10.

Protective film module and method for manufacturing display device using the same

Номер патента: US20240103202A1. Автор: Kitaek Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Thin film magnetic head and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040100730A1. Автор: Kimitoshi Etoh,Tetsuya Okai,Yoji Maruyama,Makoto Morijiri. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-05-27.

Process for producing a thin-film magnetic tape head

Номер патента: AU7673591A. Автор: Dietmar Uhde. Владелец: Deutsche Thomson Brandt GmbH. Дата публикации: 1991-11-11.

Thin-Film Neural Interfaces With Stent-Assisted Deployment

Номер патента: US20230172732A1. Автор: Peng Cong,Bo Lu,Annapurna Karicherla,Ken RYS. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Preparation method and application of nano-modified graphene-based thin-film sensor

Номер патента: LU503607B1. Автор: Haidan Lin. Владелец: Electric Power Res Institute Of Jilin Electric Power Co Ltd Jilin China. Дата публикации: 2023-09-12.

Thin film peeling apparatus

Номер патента: CA1311642C. Автор: Shigeo Sumi,Mitsuhiro Seki. Владелец: Somar Corp. Дата публикации: 1992-12-22.

Method and apparatus for measurement of thin films and residues on semiconductor substrates

Номер патента: TWI263254B. Автор: Yehiel Gotkis. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2006-10-01.

Thin film getter structure having miniature heater and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4074650A2. Автор: Tao Lu,Shinan Wang. Владелец: Shanghai Industrial Technology Research Institute. Дата публикации: 2022-10-19.

Composition and method of making high-reflection silver mirrors or thin-film optical filters

Номер патента: US20040114247A1. Автор: James Lane,Philip Buchsbaum. Владелец: Ocean Optics Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

An arrangement for a thin film electroluminescent display and a method for driving a thin film electroluminescent display

Номер патента: US20230377513A1. Автор: Jonne Lindeberg,Mika Sirkiae. Владелец: Lumineq Oy. Дата публикации: 2023-11-23.

METHOD OF MEASURING A SILICON THIN FILM, METHOD OF DETECTING DEFECTS IN A SILICON THIN FILM, AND SILICON THIN FILM DEFECT DETECTION DEVICE

Номер патента: US20130265078A1. Автор: Voronov Alexander,Lee Seok-Ho,Jung Ji-Hunny,Heo Kyung-Hoe,Han Gyoo-Wan. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-10-10.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR LAYOUT PATTERNS, SEMICONDUCTOR LAYOUT PATTERNS, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20140337809A1. Автор: Zhao Jie,Wu Huabiao. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-13.

Method for fabrication of semiconductor photoelectric generator

Номер патента: RU2265915C1. Автор: Д.С. Стребков,В.В. Заддэ,О.В. Шеповалова. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2005-12-10.

Method of measuring a silicon thin film, method of detecting defects in a silicon thin film, and apparatus for detecting defects in a silicon thin film

Номер патента: KR101913311B1. Автор: 이석호,정지헌,허경회,한규완,알렉산더 보로노브. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2019-01-15.

Method and apparatus for measurement of thin films and residues on semiconductor substrates

Номер патента: EP1733208A1. Автор: Yehiel Gotkis. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2006-12-20.

Optical thin film and mirror using the same

Номер патента: WO2005024848A3. Автор: Kyoko Imai,Kenji Ando,Hidehiro Kanazawa. Владелец: Hidehiro Kanazawa. Дата публикации: 2005-06-23.

Oral thin films

Номер патента: CA3208329A1. Автор: Markus Müller,Michael Linn,Mario FICKER. Владелец: LTS Lohmann Therapie Systeme AG. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for producing carrier for electrophotographic developer, carrier for electrophotographic developer, electrophotographic developer, and image forming method

Номер патента: CA2710091A1. Автор: Yoshihiro Norikane,Ryota Inoue,Shinji Ohtani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Multi-layer oral thin film

Номер патента: US20240156726A1. Автор: Michael Linn,Claudia Norelli,Mario FICKER. Владелец: LTS Lohmann Therapie Systeme AG. Дата публикации: 2024-05-16.

Pharmaceutical substance for forming drug preparations based on gramicidin c and a method for production thereof (versions), pharmaceutical substance for forming drug preparations of prolonged action based on gramicidin c and a method for production thereof (versions)

Номер патента: RU2733715C2. Автор: Владлен Борисович Калустов,Александр Алексеевич Дранников. Владелец: Акционерное Общество "Производственная Фармацевтическая Компания Обновление". Дата публикации: 2020-10-06.

Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US7295255B2. Автор: Yun Bok Lee,Jae Hong Jun. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-13.

Thin film superconductor magnetic bearings

Номер патента: US5479059A. Автор: Bernard R. Weinberger. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1995-12-26.

Method for forming optically encoded thin films and particles with grey scale spectra

Номер патента: US8308066B2. Автор: Michael J. Sailor,Shawn O. Meade. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2012-11-13.

Methods and apparatus to position thin-film specimens

Номер патента: US20240001370A1. Автор: Nicholas Salerno,Ray Hewenson Tong,Ian McBride Kirk,Charles Pryor. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2024-01-04.

COMPOSITION FOR AN OXIDE THIN FILM, A PREPARATION METHOD OF THE COMPOSITION, A METHOD FOR FORMING AN OXIDE THIN FILM USING THE COMPOSITION, AN ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE OXIDE THIN FILM, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE OXIDE THIN FILM

Номер патента: US20130161620A1. Автор: Kim Hyun Jae,RIM You Seung,JEONG Woong Hee. Владелец: Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University. Дата публикации: 2013-06-27.

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY AND IMAGE DISPLAY DEVICE IN WHICH THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY IS USED

Номер патента: US20120001189A1. Автор: Matsubara Ryohei,ISHIZAKI Mamoru. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for forming semiconductor layout patterns, semiconductor layout patterns, and semiconductor structure

Номер патента: SG195405A1. Автор: Jie Zhao,Huabiao Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-30.

Method for producing ohmic contacts in thin-film devices built around amorphous hydrogenated semiconductors

Номер патента: RU2229755C2. Автор: А.А. Маслов,А.А. Попов,С.П. Вихров,ков Н.В. Вишн,Н.В. Вишняков,В.Г. Мишустин. Владелец: Рязанская государственная радиотехническая академия. Дата публикации: 2004-05-27.

Method for vacuum sputtering of topological thin-film pattern of hybrid microcircuit on substrate

Номер патента: RU2586937C1. Автор: Валерий Григорьевич Эдвабник,Амир Энверович Алямов,Любовь Васильевна Григорьева,Владимир Борисович Цай,Рэм Васильевич Кудрявцев,Денис Юрьевич Сидоров,Светлана Викторовна Юркова. Владелец: ОАО "Научно-исследовательский институт электронных приборов". Дата публикации: 2016-06-10.

Method for atomic layer growing of thin films of chemical compounds on substrates

Номер патента: RU2472870C1. Автор: Владимир Владимирович Чесноков,Дмитрий Владимирович Чесноков,Дарья Сергеевна Михайлова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ГОУВПО "СГГА"). Дата публикации: 2013-01-20.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Forming Electronic Material Layer

Номер патента: US20120000775A1. Автор: Hong Mun Pyo,Lee Yoo Jong,Jang Yun-Sung. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING A PHOTOVOLTAIC CELL AND A PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: US20120000529A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Manufacturing Thin Film Photovoltaic Devices

Номер патента: US20120003789A1. Автор: . Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001167A1. Автор: Morosawa Narihiro. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

INK FOR FORMING THIN FILM OF SOLAR CELLS AND METHOD FOR PREPARING THE SAME, CIGS THIN FILM SOLAR CELL USING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120100661A1. Автор: LEE Young-hee,Choi Yong-Woo,KIM Hyung-Seok,Choe Young-Ho,Kim Ho-Gyoung. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

Method for forming gallium nitride based semiconductor film and semiconductor substrate product

Номер патента: JP3894191B2. Автор: 昌紀 上野,陽一 永井. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-03-14.

MANUFACTURING METHOD FOR THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD FOR THIN FILM SEMICONDUCTOR ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF FORMING CRYSTALLINE SILICON THIN FILM, AND APPARATUS FOR FORMING CRYSTALLINE SILICON THIN FILM

Номер патента: US20120309140A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-12-06.

Apparatus and method for forming thin film, apparatus and method for manufacturing device, and device

Номер патента: JP2003260389A. Автор: Minoru Koyama,保範 山崎,実 小山,Yasunori Yamazaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Composition for forming light-shielding thin film and light-shielding film formed using the same

Номер патента: JP3509269B2. Автор: 光一 藤城,和弘 渡部,健一 北村. Владелец: Nippon Steel Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-22.

Method for forming oxide optical thin film and apparatus for forming oxide optical thin film

Номер патента: JP3128554B2. Автор: 晴夫 宇山,尚一 野副,泰美 山田. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2001-01-29.

Method for manufacturing thin-film resistor

Номер патента: RU2208256C2. Автор: А.Н. Лугин,Г.С. Власов. Владелец: Пензенский технологический институт. Дата публикации: 2003-07-10.

Composition for forming Ba1-xSrxTiyO3 thin film and method for forming Ba1-xSrxTiyO3 thin film

Номер патента: JP3178303B2. Автор: 恵子 遠藤,政 米澤,勝実 小木. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2001-06-18.

Method for forming crystalline ITO thin film, crystalline ITO thin film and film, and resistive touch panel

Номер патента: JP5298408B2. Автор: 雅人 吉川,芳典 岩淵,雅之 亀井,修 椎野. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2013-09-25.

METHOD FOR PRODUCTION OF NANOSIZE MgO (111) FILM ON METAL PLATE

Номер патента: RU2442842C2. Автор: Тамерлан Таймуразович Магкоев,Инга Васильевна Тваури,Наталья Ильинична Цидаева,Анатолий Майранович Туриев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Осетинский государственный университет имени Коста Левановича Хетагурова". Дата публикации: 2012-02-20.

Composition for forming PLZT ferroelectric thin film and method for forming PLZT ferroelectric thin film

Номер патента: JP4006896B2. Автор: 信幸 曽山,一誠 牧. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2007-11-14.

Method for producing flaky oxide semiconductor, method for producing oxide semiconductor film, method for producing thin film transistor, and method for forming pixel electrode of liquid crystal display device

Номер патента: JP6065620B2. Автор: 優介 瀧,瀧　優介,誠 中積,康孝 西. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-01-25.

Novel compound for forming photoreactive organic thin film and organic thin film forming body

Номер патента: JP4904026B2. Автор: 敏明 高橋,春男 佐宗. Владелец: Nippon Soda Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-28.

Silicon-containing compound for forming silicon-containing thin film, and method for forming silicon-containing thin film

Номер патента: JP7156999B2. Автор: 克昌 鈴木,逸人 村田,理規 水野. Владелец: Taiyo Nippon Sanso Corp. Дата публикации: 2022-10-19.

METHOD FOR FORMING TUNGSTEN CARBIDE THIN FILMS

Номер патента: RU2009135890A. Автор: Василий Иванович Шевяков,Владимир Михайлович Рощин,Максим Викторович Силибин,Ирина Владимировна Сагунова,Владимир Михайлович Рощин (RU),Максим Викторович Силибин (RU),Ирина Владимировна Сагунова (RU),Василий Иванович Шевяков (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Технология" (RU). Дата публикации: 2011-04-10.

Resistance thin film and sputtering target for forming the resistance thin film

Номер патента: JP4895481B2. Автор: 敏行 大迫,巌 佐藤,敏夫 森本. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2012-03-14.

METHOD FOR FORMING AN ULTRA THIN FILM

Номер патента: RU2011146799A. Автор: Николай Иннокентьевич Плюснин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2013-05-27.

METHOD FOR FORMING AN ULTRA THIN FILM

Номер патента: RU2011146802A. Автор: Николай Иннокентьевич Плюснин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2013-05-27.

METHOD FOR FORMING AN ULTRA THIN FILM

Номер патента: RU2011147301A. Автор: Николай Иннокентьевич Плюснин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2013-05-27.

Semiconductor thin film manufacturing method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4315742B2. Автор: 博之 藤原,光彦 荻原,一松 安孫子,昌明 佐久田. Владелец: 株式会社沖デジタルイメージング. Дата публикации: 2009-08-19.

Composition for forming metal oxide thin film pattern, method for manufacturing the same, method for forming metal oxide thin film pattern, and method for manufacturing electronic components and optical components

Номер патента: JP3120700B2. Автор: 政 米澤,勝実 小木,信幸 曽山,謙介 影山. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2000-12-25.

Method for producing Al alloy thin film and sputtering target for forming Al alloy thin film

Номер патента: JP3684354B2. Автор: 栄治 岩村,隆 大西,一男 吉川,正剛 山本,勝寿 高木. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2005-08-17.

Method for forming polycrystalline silicon thin film and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: JP3345363B2. Автор: 伸夫 佐々木,明人 原. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-11-18.

Thin film membrane structure and semiconductor thin film gas sensor

Номер патента: JP5152271B2. Автор: 秀哉 山寺,憲昭 杉本,恭行 景山. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2013-02-27.

Single crystal substrate, method for producing the same, semiconductor thin film formed on the single crystal substrate, and semiconductor structure

Номер патента: JP2011102213A. Автор: Shintaro Miyazawa,Hideo Nakae,Satoshi Ichikawa,信太郎 宮澤,智 市川,秀雄 中江,Toshiki Kanamori,俊樹 金森. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-05-26.

Solvent-less method to manufacture thin film devices

Номер патента: CA3208589A1. Автор: Alberto Argoitia,Kangning Liang,Jaroslaw Zieba,Johannes P. Seydel. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2019-09-14.

Superconducting device having layered structure composed of oxide superconductor thin film and insulator thin film and method for manufacturing the same

Номер патента: CA2047413A1. Автор: Michitomo Iiyama,Sou Tanaka,Mitsuchika Saitoh. Владелец: Mitsuchika Saitoh. Дата публикации: 1992-01-20.

Method for forming polycrystalline silicon thin film

Номер патента: TWI271783B. Автор: Te-Chi Wong,Chi-Ming Chang,Hung-Tse Chen,Jung-Fang Chang. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-01-21.

Method for forming polycrystalline silicon thin film

Номер патента: TW200705536A. Автор: Te-Chi Wong,Chi-Ming Chang,Hung-Tse Chen,Jung-Fang Chang. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-02-01.

Method for forming gate oxide layers with different thicknesses on a semiconductor substrate

Номер патента: TW432528B. Автор: Ji-Jin Luo,Jing-Kai Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-05-01.

THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001178A1. Автор: Sasagawa Shinya,KURATA Motomu,MIYAIRI Hiekazu,Tadokoro Asami. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR LAYOUT PATTERNS, SEMICONDUCTOR LAYOUT PATTERNS, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20130307069A1. Автор: Zhao Jie,Wu Huabiao. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

Method for vacuum thin film fractionation or reclamation of petroleum oils and fast

Номер патента: RU2058367C1. Автор: А.К. Ребров,И.И. Гогонин,В.И. Сосунов. Владелец: Институт теплофизики СО РАН. Дата публикации: 1996-04-20.

SILICON TARGET FOR SPUTTERING FILM FORMATION AND METHOD FOR FORMING SILICON-CONTAINING THIN FILM

Номер патента: US20120138453A1. Автор: YOSHIKAWA Hiroki,Inazuki Yokio,Kaneko Hideo. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-07.

COMPOSITION FOR OXIDE THIN FILM, PREPARATION METHOD OF THE COMPOSITION, METHODS FOR FORMING THE OXIDE THIN FILM USING THE COMPOSITION, AND ELECTRONIC DEVICE USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120168747A1. Автор: . Владелец: Industry-Academic Corporation Foundation, Yonsei University. Дата публикации: 2012-07-05.

SPACER FORMATION FILM, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER BONDING PRODUCT, SEMICONDUCTOR WAFER BONDING PRODUCT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120168970A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

SUBSTRATE FOR FLEXIBLE DEVICE, THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE FOR FLEXIBLE DEVICE, FLEXIBLE DEVICE, SUBSTRATE FOR THIN FILM ELEMENT, THIN FILM ELEMENT, THIN FILM TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE FOR THIN FILM ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120187399A1. Автор: FUKUDA Shunji,SAKAYORI Katsuya,ARIHARA Keita,ICHIMURA Koji,Amagai Kei. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-07-26.

Thin film forming method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4966899B2. Автор: 秀昭 座間,道夫 石川. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2012-07-04.

Thin-film flexible electric heater

Номер патента: RU2554097C2. Автор: Виталий Алексеевич Барвинок,Валерий Иосифович Богданович,Антон Николаевич Асмолов,Вадим Геннадьевич Небога,Валерий Сергеевич Молчанов,Александр Ирикович Китаев,Иван Петрович Лукащук,Андрей Михайлович Журавлев,Александр Николаевич Кирилин,Владислав Игоревич Буяльский. Владелец: Акционерное общество Ракетно-космический центр "Прогресс" (АО "РКЦ "Прогресс"). Дата публикации: 2015-06-27.

Method for forming nano-(micro-)systems from carbon nanotubes

Номер патента: RU2306257C1. Автор: Эдуард Анатольевич Ильичев,Геннадий Сергеевич Рычков,Константин Анатольевич Царик,Эдуард Алексеевич Полторацкий,Виталий Николаевич Инкин,Василий Газизович Гарипов. Владелец: ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина". Дата публикации: 2007-09-20.

Method for forming low dielectric constant insulator film and semiconductor device using the same

Номер патента: JPH10209148A. Автор: Toshiaki Hasegawa,利昭 長谷川. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-08-07.

Thin film forming method and semiconductor device

Номер патента: JP4600427B2. Автор: 直紀 保田,輝彦 熊田,英治 信時. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-12-15.

A kind of polypropylene resin composite preparing packaging film and thin film thereof and method for manufacturing thin film

Номер патента: CN103087401B. Автор: 侯莉萍,盛建昉,乔金樑,黄红红,施红伟,唐毓婧,魏东,张龙贵,侯家祥. Владелец: Sinopec Beijing Research Institute of Chemical Industry. Дата публикации: 2016-06-29.

Film-forming device, film-forming method of thin-film film, and manufacturing method of organic EL display device

Номер патента: JP6754474B2. Автор: 克彦 岸本,崎尾　進,進 崎尾,秀謙 尾方. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2020-09-09.

Thin-film silicon diode and semiconductor device

Номер патента: JPH10163506A. Автор: Hiroshi Takahashi,博 高橋,Shigetoshi Muramatsu,重利 村松. Владелец: Texas Instruments Japan Ltd. Дата публикации: 1998-06-19.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.