Semiconductor light emitting element having a single defect concentrated region and a light emitting which is not formed on the single defect concentrated region
Номер патента: US8178889B2
Опубликовано: 15-05-2012
Автор(ы): Hidenori Kamei, Yoshitaka Kinoshita
Принадлежит: Panasonic Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-05-2012
Автор(ы): Hidenori Kamei, Yoshitaka Kinoshita
Принадлежит: Panasonic Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Flip-Chip Light Emitting Diode and Fabrication Method
Номер патента: US20150115295A1. Автор: Xiaoqiang Zeng,Shaohua Huang,Qunfeng PAN,Shunping Chen. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.