• Главная
  • Resistive random access memory device for 3D stack and memory array using the same and fabrication method thereof

Resistive random access memory device for 3D stack and memory array using the same and fabrication method thereof

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Resistive memory device with meshed electrodes

Номер патента: US11063089B2. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-13.

Resistive memory device with meshed electrodes

Номер патента: US20200111838A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Resistive memory device with meshed electrodes

Номер патента: US20200111837A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Resistive random access memory devices

Номер патента: US20210359203A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Multi-bit resistive random access memory cell and forming method thereof

Номер патента: US20210111340A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210193918A1. Автор: Yu-Ting Chen,Chung-Hsuan Wang,Tz-Hau Guo,Chiung-Lin Hsu,Chang-Hsuan Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11316106B2. Автор: Yu-Ting Chen,Chung-Hsuan Wang,Tz-Hau Guo,Chiung-Lin Hsu,Chang-Hsuan Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Method for manufacturing a resistive random access memory structure

Номер патента: US20210336133A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Resistive random access memory structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210013403A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor material for resistive random access memory

Номер патента: US20210384419A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Van H. Le,Shriram SHIVARAMAN,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Diffusion barrier layer for resistive random access memory cells

Номер патента: US9246097B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Resistive random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09728720B2. Автор: Chia Hua Ho,Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Resistive random access memory and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4418844A1. Автор: XUE Zhou,Xiaojie Wang,Qing QIN,Huifang JIAO,Xixia LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Resistive random access memory and manufacturing method

Номер патента: US20230050843A1. Автор: Han Xiao,Ru Huang,Zongwei Wang. Владелец: Advanded Institute Of Information Technology Aiit Peking University. Дата публикации: 2023-02-16.

Resistive random access memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230413698A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Resistive random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20220216401A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Shih-Ning TSAI,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Doped Oxide Dielectrics for Resistive Random Access Memory Cells

Номер патента: US20150093876A1. Автор: Yun Wang,Randall J. Higuchi,Brian Butcher. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Top contact on resistive random access memory

Номер патента: WO2024131449A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Takashi Ando,Chanro Park. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

Top contact on resistive random access memory

Номер патента: US20240206352A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Takashi Ando,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Cmos-compatible resistive random-access memory devices with a via device structure

Номер патента: US20240114813A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Resistive random access memory device with improved bottom electrode

Номер патента: US20240164225A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Jheng-Hong Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of forming resistive random access memory cell

Номер патента: US20210074917A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ya-Jyuan Hung,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8999745B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150179929A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140166964A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Resistive random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11744164B2. Автор: Takahiro Nonaka,Takayuki Ishikawa,Yusuke ARAYASHIKI,Tomohito KAWASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Resistive random access memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240260490A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Yu-Huan Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Resistive random-access memory device with step height difference

Номер патента: US20230301217A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Asit Ray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Seamed resistive random access memory cell

Номер патента: US20240224819A1. Автор: Takashi Ando,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Youngseok Kim,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Resistive random access memory and method of forming the same

Номер патента: US20230345848A1. Автор: Dejin Kong,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Xiang Bo Kong. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Resistive random access memory and method of forming the same

Номер патента: US11737381B2. Автор: Dejin Kong,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Xiang Bo Kong. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Resistive random-access memory (rram) device and forming method thereof

Номер патента: US20220271223A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Shu-Hung Yu,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Resistive random-access memory (rram) device and forming method thereof

Номер патента: US20220271222A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Shu-Hung Yu,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Resistance random access memory device

Номер патента: US20140353572A1. Автор: Shosuke Fujii,Hidenori Miyagawa,Riichiro TAKAISHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Resistive random-access memory (rram) device and forming method thereof

Номер патента: US20230019178A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Shu-Hung Yu,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Resistive random-access memory (RRAM) device and forming method thereof

Номер патента: US11489114B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Shu-Hung Yu,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11793091B2. Автор: Chih-Wei Chang,Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Resistive random access memory

Номер патента: US20210175418A1. Автор: Yu-Ting Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Resistance random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20210175420A1. Автор: QI Liu,Ming Liu,Hangbing Lv,Shibing Long. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-10.

Vertical resistive random access memory

Номер патента: US20210098533A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Al-w-o stack structure applicable to resistive random access memory

Номер патента: US20160072062A1. Автор: HE Qian,YUE BAI,Huaqiang Wu,Minghao WU. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-03-10.

Resistive Random Access Memory

Номер патента: US20170222143A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-08-03.

Resistive random access memory

Номер патента: US09972779B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Frederick Chen,Meng-Hung Lin,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Resistive random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US09691979B2. Автор: Shuo-Che Chang,Chia-Hua Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of fabricating resistive random access memory cell

Номер патента: US12114579B2. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Resistive random access memory cell and method of fabricating the same

Номер патента: US11800815B2. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of fabricating resistive random access memory cell

Номер патента: US20230422638A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Resistive random-access memory structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09960349B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Ming-Hung Hsieh,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Resistive random access memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12127488B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Resistive random-access memory (RRAM) device and forming method thereof

Номер патента: US12010931B2. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Resistive random access memory (RRAM) structure and forming method thereof

Номер патента: US12041863B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240049612A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Resistive random-access memory device

Номер патента: US20240292765A1. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Resistive random access memory structure

Номер патента: US20240334850A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11882773B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Chun-hung Cheng,Kai Jiun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Method of forming resistive random access memory cell

Номер патента: EP3790065A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ya-Jyuan Hung,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-10.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210028358A1. Автор: Wei Wu,HE Qian,Bin Gao,Huaqiang Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-01-28.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US10804465B2. Автор: Wei Wu,HE Qian,Bin Gao,Huaqiang Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-13.

Resistive random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US11793095B2. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Shih-Ning TSAI,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Resistive random access memory

Номер патента: US20240107901A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Chun-hung Cheng,Kai Jiun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Resistive random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US11770985B2. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Shih-Ning TSAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for forming resistive random-access memory device

Номер патента: US20240057488A1. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for forming resistive random access memory structure

Номер патента: US20240074338A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Resistive random access memory (rram-) zellen und konstruktionsverfahren

Номер патента: DE112021007784T5. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Cmos-compatible resistive random-access memory devices with a via device structure

Номер патента: WO2024073681A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2024-04-04.

Resistive random access memory (RRAM) cells and methods of construction

Номер патента: US12010932B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of forming an integrated circuit structure including a resistive random access memory (rram) cell

Номер патента: US20240215464A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Resistive random access memory

Номер патента: US20150228895A1. Автор: Ching-Hua Chen,Chan-Ching Lin. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Resistive random-access memory (RRAM) device and forming method thereof

Номер патента: US11997935B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Shu-Hung Yu,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Resistive random-access memory (RRAM) device and forming method thereof

Номер патента: US11950521B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Shu-Hung Yu,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: US20240188308A1. Автор: Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Resistive random-access memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11864473B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Resistive random-access memory devices with compound non-reactive electrodes

Номер патента: US20230413697A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Resistive random-access memory devices with compound non-reactive electrodes

Номер патента: WO2023245204A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2023-12-21.

Resistive random access memory devices, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140145138A1. Автор: Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

RRAM device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09716223B1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

High density multi-time programmable resistive memory devices and method of forming thereof

Номер патента: US09768231B2. Автор: Eng Huat Toh,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220140239A1. Автор: Chih-Wei Chang,Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Resistive random-access memory devices with multi-component electrodes and discontinuous interface layers

Номер патента: WO2022241125A9. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2023-08-24.

Resistive random-access memory devices with multi-component electrodes and discontinuous interface layers

Номер патента: WO2022241125A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2022-11-17.

Resistive random-access memory devices with multi-component electrodes and discontinuous interface layers

Номер патента: EP4338206A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-03-20.

Resistive random access memory with preformed filaments

Номер патента: US20220069218A1. Автор: YANG Pan,Hyungsuk Yoon,Thorsten Lill. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12101943B2. Автор: WEI CHANG,Qingsong DU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11737380B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Resistive random access memory with preformed filaments

Номер патента: US12127486B2. Автор: YANG Pan,Hyungsuk Yoon,Thorsten Lill. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing resistive random access memory structure

Номер патента: US12063875B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for manufacturing a resistive random access memory device

Номер патента: US20170047514A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Method for manufacturing a resistive random access memory device

Номер патента: US09871198B2. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for manufacturing resistive random access memory structure

Номер патента: US20230301206A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Resistive random-access memory devices with engineered electronic defects and methods for making the same

Номер патента: EP4338207A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-03-20.

Resistive random access memory and method of forming the same

Номер патента: US09806255B1. Автор: LIANG Yi,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Resistive random access memory

Номер патента: US09773975B1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Doped narrow band gap nitrides for embedded resistors of resistive random access memory cells

Номер патента: WO2016094233A1. Автор: Milind Weling,Mihir Tendulkar. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2016-06-16.

Resistive random access memory and method of preparing the same

Номер патента: US20240023469A1. Автор: Xiaoyan Li,Jie Yu,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv,Danian Dong. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-18.

Resistive random access memory

Номер патента: US20170279041A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Resistive random access memory array and method of manufacturing the same

Номер патента: CN112786780A. Автор: 傅志正,林铭哲. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Memory arrays and methods of forming same

Номер патента: US20130193398A1. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Methods for forming resistance random access memory structure

Номер патента: US20140073108A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Three dimensional memory array with select device

Номер патента: US09728584B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills,D. V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Vertical resistive memory device with embedded selectors

Номер патента: US20210167128A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Resistive random access memory devices

Номер патента: US11793004B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Forming self-aligned conductive lines for resistive random access memories

Номер патента: US09705080B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Pietro Petruzza. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Resistive memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US09923028B1. Автор: Ko-Chi Chen,Tzu-Yun Chang,Wen-Hsin HSU. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Lateral transistors for selecting blocks in a three-dimensional memory array and methods for forming the same

Номер патента: US11882702B2. Автор: Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Resistance Random Access Memory Structure for Enhanced Retention

Номер патента: US20120037876A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Multilayer-stacked resistive random access memory device

Номер патента: US20160240779A1. Автор: Tri-Rung Yew,Pin Chang,Ying-Chan HUNG,Tsang-Hsuan Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-08-18.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120326112A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Three dimensional memory array architecture

Номер патента: EP2891182A1. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-08.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200328343A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory array and method of operating the same

Номер патента: US20130021850A1. Автор: Qing Peng Yuan. Владелец: Giantec Semiconductor Ltd Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Resistive random access memory device

Номер патента: US20080157055A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Resistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220005868A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Shih-Ning TSAI,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Magneto-resistive random access memory with tapered sidewalls

Номер патента: US20230403944A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Oscar van der Strate. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Three dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190067315A1. Автор: Yu-Wei Jiang,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Techniques for concurrently-formed cavities in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230395511A1. Автор: David H. Wells,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Resistive random access memory

Номер патента: US9935265B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2018-04-03.

Resistive Random Access Memory

Номер патента: US20170346004A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180151801A1. Автор: JIQUAN Liu,Changzhou Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US10700281B2. Автор: JIQUAN Liu,Changzhou Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-06-30.

Resistive memory device, and memory apparatus and data processing system having the same

Номер патента: CN103514949A. Автор: 李�根,洪权,姜世勋,具滋春. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-01-15.

Resistive random access memory structure and fabricating method of the same

Номер патента: EP4447051A2. Автор: Po-Kai Hsu,Chung-Yi Chiu,Yi-Yu Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200321521A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US12112784B2. Автор: Sungchul Lee,Kyungjin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Resistive random access memory structure and fabricating method of the same

Номер патента: US11665913B2. Автор: Po-Kai Hsu,Chung-Yi Chiu,Yi-Yu Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-30.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11818966B2. Автор: Chun-Hao Wang,Yu-Ru Yang,Chung Yi Chiu,Yi Yu Lin,Po Kai Hsu,Ju Chun Fan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Resistive random access memory structure and fabricating method of the same

Номер патента: US20230136441A1. Автор: Po-Kai Hsu,Chung-Yi Chiu,Yi-Yu Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Static random access memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US09754947B2. Автор: Gong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Magnetic random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089504B2. Автор: Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Dynamic random access memory circuitry

Номер патента: US20030015745A1. Автор: Belford Coursey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Memory devices having reduced word line current and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20090147588A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US20240292593A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Magnetic memory array and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2007027757A. Автор: Guo Yimin,Po Kang Wang,王 伯剛,一民 郭. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Three-dimensional hexagonal matrix memory array and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2238622A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-10-13.

Small-area side-capacitor read-only memory device, memory array and method for operating the same

Номер патента: US11742039B2. Автор: Yu Ting Huang,Chi Pei Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Small-area side-capacitor read-only memory device, memory array and method for operating the same

Номер патента: US20230230646A1. Автор: Yu Ting Huang,Chi Pei Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: US20210351234A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: EP4147237A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Vertical 1t-1r memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: WO2015069524A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-05-14.

Semiconductor device, memory array and method of forming the same

Номер патента: US11856779B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Non-volatile memory array and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190244967A1. Автор: Jun Ho Lee. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor device, memory array and method of forming the same

Номер патента: US20210375885A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Multi-layer memory array and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160086971A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Yen-Hao Shih,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Multi-layer memory array and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150357341A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Yen-Hao Shih,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Organic Resistive Random Access Memory and a Preparation Method Thereof

Номер патента: US20160049604A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yichen FANG,Zongwei Wang,Wenliang Bai,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-02-18.

Highly Reliable Nonvolatile Memory and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20150349253A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yinglong Huang,Muxi Yu,Wenliang Bai. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-03.

Magneto-resistive random storage unit, memory, and access method

Номер патента: EP3872879A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Huan Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-01.

Resistive random access memory device

Номер патента: US20150280120A1. Автор: Philippe Blaise,Faiz Dahmani,Gabriel Molas,Elisa Vianello,Rémy GASSILOUD. Владелец: Altis Semiconductor SNC. Дата публикации: 2015-10-01.

Resistive random access memory and method for operating same

Номер патента: US12133477B2. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu,Zezhi CHEN. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Access line grain modulation in a memory device

Номер патента: US12087358B2. Автор: David Ross Economy,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US12131794B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Richard E. Fackenthal,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Electrically formed memory array

Номер патента: WO2022132905A1. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Organic light emitting diode and device comprising the same

Номер патента: EP4165692A1. Автор: Ansgar Werner,Domagoj Pavicic,Regina LUSCHTINETZ,Jerome Ganier,Steffen Runge. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2023-04-19.

Structure including stacked memory array and method of forming the same

Номер патента: CN111653586B. Автор: 安德烈亚·雷达埃利. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-21.

Organic light emitting diode and device comprising the same

Номер патента: EP4273947A1. Автор: SCHOLZ c/o Novaled GmbH Johannes,GANIER c/o Novaled GmbH Jerome. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2023-11-08.

Organic light emitting diode and device comprising the same

Номер патента: EP4273948A1. Автор: SCHOLZ c/o Novaled GmbH Johannes,GANIER c/o Novaled GmbH Jerome. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2023-11-08.

Organic light emitting diode and device comprising the same

Номер патента: WO2023213705A1. Автор: Jerome Ganier,Johannes Scholz. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2023-11-09.

Organic light emitting diode and device comprising the same

Номер патента: WO2023213712A1. Автор: Jerome Ganier,Johannes Scholz. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2023-11-09.

Device for measuring gap and step for vehicle, and system for measuring gap and step including the same

Номер патента: US10228235B2. Автор: Sangkyu Park. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2019-03-12.

Device for measuring gap and step for vehicle, and system for measuring gap and step including the same

Номер патента: US20180164091A1. Автор: Sangkyu Park. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

A device for storage of photovoltaic energy and a method for storage of photovoltaic energy using the said device

Номер патента: EP4253893A1. Автор: Uros Ravljen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-04.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224493A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US12052871B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Array transistor amplification method and apparatus for dynamic random access memory

Номер патента: US6975550B2. Автор: Peter Poechmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-13.

Current and voltage limit circuitry for resistive random access memory programming

Номер патента: US20240331772A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Current and voltage limit circuitry for resistive random access memory programming

Номер патента: US12040017B2. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Stacked random-access memory devices with refrigeration

Номер патента: US20230275067A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Improved vertical 3d memory device and accessing method

Номер патента: US20240237358A1. Автор: Corrado Villa,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory array test structure and method of forming the same

Номер патента: US20240194234A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory array staircase structure

Номер патента: US11776602B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory array staircase structure

Номер патента: EP3945582A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Memory array staircase structure

Номер патента: US12148505B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Architecture of three-dimensional memory device and methods regarding the same

Номер патента: US12068192B2. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Vertical 3D memory device and accessing method

Номер патента: US11877457B2. Автор: Corrado Villa,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Improved vertical 3d memory device and accessing method

Номер патента: US20230097079A1. Автор: Corrado Villa,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Tamper-resistant non-volatile memory device and integrated circuit card

Номер патента: US09948471B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory array test structure and method of forming the same

Номер патента: US11935624B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

REDUNDANCY SCHEME FOR ACTIVATING CIRCUITRY ON A BASE DIE OF A 3D stacked device

Номер патента: US20240330222A1. Автор: Brian C. Gaide. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Rare-Earth Metal Oxide Resistive Random Access Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20170346005A1. Автор: Goux Ludovic,Chen Chao-Yang,Fantini Andrea. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240071423A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Richard E. Facekenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

TFT-LCD, driving device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09941019B2. Автор: Ming Hu,Kun CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Neuromorphic apparatus having 3d stacked synaptic structure and memory device having the same

Номер патента: US20230186066A1. Автор: Jaechul Park,Sangwook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Neuromorphic apparatus having 3D stacked synaptic structure and memory device having the same

Номер патента: US11989646B2. Автор: Jaechul Park,Sangwook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Tft-lcd, driving device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160019977A1. Автор: Ming Hu,Kun CAO. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

NEUROMORPHIC APPARATUS HAVING 3D STACKED SYNAPTIC STRUCTURE AND MEMORY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20190354843A1. Автор: PARK Jaechul,Kim Sangwook. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-11-21.

Pillar and word line plate architecture for a memory array

Номер патента: US20240057348A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

MEMORY DEVICE, MEMORY ARRAY AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20220052112A1. Автор: CHANG WEI,Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,TAN Juan Boon. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Access line grain modulation in a memory device

Номер патента: US20200051624A1. Автор: David Ross Economy,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

MULTI-LAYER MEMORY ARRAY AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20160086971A1. Автор: Shih Yen-Hao,Hu Chih-Wei,Yeh Teng-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

TRANSISTOR DEVICE, MEMORY ARRAYS, AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200083237A1. Автор: Tan Shyue Seng,SHUM Danny Pak-Chum,CAI Xinshu. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

CONTENT ADDRESSABLE MEMORY CELLS, MEMORY ARRAYS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20160104532A1. Автор: Petti Christopher J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

VERTICAL 1T-1R MEMORY CELLS, MEMORY ARRAYS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20150131360A1. Автор: Petti Christopher J.. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-05-14.

STRING SELECT LINE (SSL) OF THREE-DIMENSIONAL MEMORY ARRAY AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150137250A1. Автор: Lai Erh-Kun. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2015-05-21.

Memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: US20200135275A1. Автор: Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY ARRAYS, AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20220302212A1. Автор: Pellizzer Fabio,Sarpatwari Karthik,Yang Lingming,Wei Lei,Gajera Nevil N.. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

MEMORY ARRAYS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140252300A1. Автор: Pellizzer Fabio,Cupeta Carmela,Somaschini Roberto,Nastasi Nicola. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-09-11.

MEMORY ARRAY AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20170169864A1. Автор: YANG Hao-I,Lin Geng-Cing,Chen Yi-Tzu,CHANG Cheng-Jen,HU Yu-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

MEMORY ARRAY AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20180240505A1. Автор: YANG Hao-I,Lin Geng-Cing,Chen Yi-Tzu,CHANG Cheng-Jen,HU Yu-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

VERTICAL 1T FERROELECTRIC MEMORY CELLS, MEMORY ARRAYS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20190237470A1. Автор: Petti Christopher J.,Mine Teruyuki. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

Non-volatile memory array and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190244967A1. Автор: Jun Ho Lee. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

CONTENT ADDRESSABLE MEMORY CELLS, MEMORY ARRAYS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20160351261A1. Автор: Petti Christopher J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

MULTI-LAYER MEMORY ARRAY AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20150357341A1. Автор: Shih Yen-Hao,Hu Chih-Wei,Yeh Teng-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Low-dielectric silicon nitride film and method of making the same, seimiconductor device and fabrication process thereof

Номер патента: CN1446374A. Автор: 郑基市. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-10-01.

String select line (SSL) of three-dimensional memory array and method of fabricating the same

Номер патента: US9093502B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical 1t ferroelectric memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: WO2019152087A1. Автор: Christopher J. Petti,Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-08-08.

Memory array and method of forming the same

Номер патента: US9959911B2. Автор: Yi-Tzu Chen,Hao-I Yang,Yu-Hao Hu,Cheng-Jen Chang,Geng-Cing Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Content addressable memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: US20160104532A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-04-14.

Content addressable memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: US20160351261A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-01.

Tft-lcd, driving device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120104398A1. Автор: Ming Hu,Kun CAO. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: EP4147237A4. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

RESISTIVE MEMORY DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND MEMORY APPARATUS AND DATA PROCESSING SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20140054536A1. Автор: LEE Sung Min. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-02-27.

RESISTIVE MEMORY DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND MEMORY APPARATUS AND DATA PROCESSING SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20150092474A1. Автор: LEE Sung Min. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

RESISTIVE MEMORY DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND MEMORY APPARATUS AND DATA PROCESSING SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20150140775A1. Автор: LEE Sung Min. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Resistive memory device, method of fabricating the same, and memory apparatus and data processing system having the same

Номер патента: US9142772B2. Автор: Sung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

Resistive memory device, method of fabricating the same, and memory apparatus and data processing system having the same

Номер патента: US8941090B2. Автор: Sung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-27.

Ferroelectric memory device having fatigue averaging

Номер патента: US5978252A. Автор: Tohru Miwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Transport control apparatus and logistics transport system including the same

Номер патента: US20230386872A1. Автор: Da Hye JUNG. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

DEVICE FOR FORMING THIN LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY USING THE SAME

Номер патента: US20140038330A1. Автор: Lee Sang-Jo,CHO Sung-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-06.

RESISTIVE MEMORY DEVICE AND MEMORY APPARATUS AND DATA PROCESSING SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20130336042A1. Автор: Hong Kwon,Lee Keun,KU Ja Chun,KANG Se Hun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-12-19.

RESISTIVE MEMORY DEVICE AND MEMORY APPARATUS AND DATA PROCESSING SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20140097397A1. Автор: PARK Woo Young,KIM Beom Yong,LEE Kee Jeung. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

A device for mixing an electrode slurry and a method for preparing a slurry by using the same

Номер патента: KR102145526B1. Автор: 김대수. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2020-08-18.

AUXILIARY DEVICE FOR PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD) REACTION CHAMBER AND FILM DEPOSITION METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20180073145A1. Автор: CHANG Yu-Shun. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

METHOD FOR TESTING FEEDING FUEL CELL STACK AND APPARATUS FOR PRODUCING FUEL CELL STACK USING THE SAME

Номер патента: US20160087298A1. Автор: Cho Sang Hyun,LEE Nam Gu,Park Joook. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Device for start-up high voltage driving parts of fuel cell vehicle and method for controlling the same

Номер патента: KR101090714B1. Автор: 이창하. Владелец: 현대자동차주식회사. Дата публикации: 2011-12-08.

Stack and folding-type electrode assembly and method for fabricating the same

Номер патента: KR101654677B1. Автор: 김지현,최정석,이재헌. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2016-09-06.

Stack and folding-type electrode assembly and method for fabricating the same

Номер патента: KR101710060B1. Автор: 김지현,최정석,이재헌. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2017-02-24.

Stack and folding-type electrode assembly and method for fabricating the same

Номер патента: KR101675011B1. Автор: 김종훈,김지영,한현규. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2016-11-10.

Stack and folding-type electrode assembly and method for fabricating the same

Номер патента: KR101994948B1. Автор: 김진영,최승돈,정원석,조승수,정기수. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2019-09-30.

Stack and folding-typed electrode assembly and electrochemical cell comprising the Same

Номер патента: KR101274893B1. Автор: 이은주,신영준,이한호,박효석. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2013-06-14.

Pressing device for pressing a fuel cell stack and fuel cell device with pressing device

Номер патента: US20180145366A1. Автор: Peter Bach,Sebastian Voigt. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2018-05-24.

PRESSING DEVICE FOR PRESSING A FUEL CELL STACK AND FUEL CELL DEVICE WITH PRESSING DEVICE

Номер патента: US20180145366A1. Автор: BACH Peter,VOIGT Sebastian. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor chip and vehicle comprising the same

Номер патента: US11837320B2. Автор: Dong Hee Kim,Sung Oh Huh,Young San KANG,Jong Kyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor chip and vehicle comprising the same

Номер патента: US20220406346A1. Автор: Dong Hee Kim,Sung Oh Huh,Young San KANG,Jong Kyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-22.

Organic Light Emitting Diode and Device Comprising the Same

Номер патента: US20230292595A1. Автор: Ansgar Werner,Domagoj Pavicic,Jerome Ganier,Ulrich Denker,Elena Galàn GARCÍA. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2023-09-14.

Beamforming for random access channel (RACH)

Номер патента: US11909487B2. Автор: Arne Simonsson,David Astely,Henrik Asplund. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-02-20.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240071465A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Richard E. Fackenthal,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Device for Digital Read of Lateral Flow Assay

Номер патента: US20220381778A1. Автор: Thomas Ulrich,Axel Schubert,Sören GEIST. Владелец: Abbott Rapid Diagnostics International ULC. Дата публикации: 2022-12-01.

Device for digital read of lateral flow assay

Номер патента: EP4058788A1. Автор: Axel Schubert,Thomas Ullrich,Sören GEIST. Владелец: Abbott Rapid Diagnostics International ULC. Дата публикации: 2022-09-21.

Device for supplying power to jet fan disposed in tunnel and jet fan system using the same

Номер патента: EP4234939A3. Автор: Nam Goo Kim,Jong Wook Jo,Shin Guk LEE. Владелец: Korea Expressway Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Device for supplying power to jet fan disposed in tunnel and jet fan system using the same

Номер патента: EP4234939A2. Автор: Nam Goo Kim,Jong Wook Jo,Shin Guk LEE. Владелец: Korea Expressway Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Organic light emitting diode and device comprising the same

Номер патента: EP4165693A1. Автор: Ansgar Werner,Domagoj Pavicic,Jerome Ganier,Ulrich Denker,Elena Galàn GARCÍA. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2023-04-19.

Device for use in generating electric power and braking, kit and brake unit of same

Номер патента: US20200403470A1. Автор: Yuan-Kwei Tzeng. Владелец: Yuan-Kwei Tzeng. Дата публикации: 2020-12-24.

Memory device with error check function of memory cell array and memory module including the same

Номер патента: US20180083651A1. Автор: Won-Hyung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-22.

Resistive random-access memory devices with a via device structure

Номер патента: US20230292635A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Resistance random access memory device and method for operating same

Номер патента: US20170256310A1. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Resistance random access memory device and method for operating same

Номер патента: US09779808B2. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Resistive random access memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210151504A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Forming control method applied to resistive random-access memory cell array

Номер патента: US12063774B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wei-Chen Chang,I-Lang Lin,Meng-Chiuan WU. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

1t1r resistive random access memory and manufacturing method therefor, transistor and device

Номер патента: EP3736865A1. Автор: Jian Shen,Guofeng YAO. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Planar memory cell architectures in resistive memory devices

Номер патента: US09953705B2. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US20150003144A1. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Resistive memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11329102B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-05-10.

Parallel bit line three-dimensional resistive random access memory

Номер патента: US09698202B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Resistive random access memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210159275A1. Автор: Yi-Hsiu Chen,Chia-Wen Cheng,Ping-Kun Wang,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20190157280A1. Автор: Zhe Wang,Peng Cheng Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

In-memory resistive random access memory xor logic using complimentary switching

Номер патента: US20220190239A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20200126999A1. Автор: Zhe Wang,Peng Cheng Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Redundant column or row in resistive random access memory

Номер патента: US09953728B2. Автор: Brent Buchanan,Le Zheng,Emmanuelle J MERCED GRAFALS. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-24.

Resistive random access memory cells having variable switching characteristics

Номер патента: US9047940B2. Автор: Yun Wang,Federico Nardi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-02.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US20220375950A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US12069847B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Spin hall write select for magneto-resistive random access memory

Номер патента: US09947383B1. Автор: Daniel C. Worledge,Luqiao Liu,Jonathan Z. Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Resistive random-access memory device

Номер патента: US20210210555A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A3. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-04-19.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: US20130009208A1. Автор: Chandra Mouli,Suraj J Mathew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A2. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-26.

Static random access memory device and forming method thereof

Номер патента: US09871049B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor structure and the method of making the same

Номер патента: US20190123104A1. Автор: Chih-Chien Liu,Yu-Ru Yang,Chao-Ching Hsieh,Hsiao-Pang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454434A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Planar memory cell architectures in resistive memory devices

Номер патента: US20170309332A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Circuit and layout for resistive random-access memory arrays

Номер патента: US20200006430A1. Автор: John L Mccollum. Владелец: Microsemi SoC Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US20160196874A1. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Resistive random-access memory devices with multi-component electrodes and discontinuous interface layers

Номер патента: US20220077389A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Resistive random-access memory devices with metal-nitride compound electrodes

Номер патента: US20220367804A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Resistive random-access memory devices with multi-component electrodes

Номер патента: US20220367803A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Resistive random-access memory random number generator

Номер патента: US20230284462A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12027463B2. Автор: LIANG XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230326518A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240194260A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09799750B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Han-Ting Tsai,Hui-Min Lin,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Cache program operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: EP3909048A1. Автор: Chun Yuan Hou,Yueping Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-17.

Resistive random access memory device

Номер патента: US20230113903A1. Автор: Wen-Ting Chu,Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Resistive random access memory device

Номер патента: US20190164606A1. Автор: Wen-Ting Chu,Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Resistive random access memory device

Номер патента: US20210280245A1. Автор: Wen-Ting Chu,Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Resistive random access memory device

Номер патента: US20200395070A1. Автор: Wen-Ting Chu,Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Cache program operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: US12019919B2. Автор: Yue Ping Li,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Resistive random access memory cell structure with reduced programming voltage

Номер патента: US9214230B2. Автор: Albert Wu,Pantas Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2015-12-15.

Resistive random access memory and method for operating same

Номер патента: US20230028701A1. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu,Zezhi CHEN. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Ink composition for 3d printing based on urea reaction and the 3d printing method using the same

Номер патента: US20240166905A1. Автор: Jung Hyun Oh,Jin A Kim,Eun Jeong Hahm. Владелец: 3DMaterials Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Device for collecting and managing documents and for controlling viewing thereof and method for using the device

Номер патента: WO2011003632A1. Автор: Andrea Guglielmi. Владелец: Onering S.R.L.. Дата публикации: 2011-01-13.

High speed mos random access read/write memory device

Номер патента: US3848237A. Автор: M Geilhufe,R Mehta. Владелец: Advanced Memory Systems Inc. Дата публикации: 1974-11-12.

Device for sensing golf swing and method for sensing impact position on club head using the same

Номер патента: US20230347209A1. Автор: Jae Sun Lee,Kun Su OH. Владелец: Golfzon Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Device for gathering flat articles into stacks and for further processing the stacks

Номер патента: CA2382982C. Автор: Werner Honegger. Владелец: Ferag AG. Дата публикации: 2009-06-02.

Device for collecting and managing documents and for controlling viewing thereof and method for using the device

Номер патента: EP2452306A1. Автор: Andrea Guglielmi. Владелец: ONERING Srl. Дата публикации: 2012-05-16.

Novel resistive random access memory device

Номер патента: US20240237357A1. Автор: Chia-Wei Liu,Jheng-Hong Jiang,Cheung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

In-memory resistive random access memory xor logic using complimentary switching

Номер патента: WO2022127383A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory circuit using dynamic random access memory arrays

Номер патента: US09804974B2. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Method and device for route processing and terminal device

Номер патента: RU2702352C1. Автор: Хуэй НИ,Юнчуй ЛИ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-10-08.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US20240276736A1. Автор: Daniele Vimercati,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile static random access memory incorporating resistive random-access memory

Номер патента: US11984158B2. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Method and device for setting the luminosity

Номер патента: RU2669208C2. Автор: Эньсин ХОУ,Вэйгуан ЦЗЯ,Тянь ЖЭНЬ. Владелец: Сяоми Инк.. Дата публикации: 2018-10-09.

Resistive random-access memory random number generator

Номер патента: US11856798B2. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Resistive random-access memory devices with metal-nitride compound electrodes

Номер патента: WO2023245205A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2023-12-21.

Resistive random-access memory random number generator

Номер патента: WO2023165935A1. Автор: Takashi Ando,Guy Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-09-07.

Method and device for controlling an alarm clock

Номер патента: RU2705424C1. Автор: Янь СЕ. Владелец: Бейдзин Сяоми Мобайл Софтвэр Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-11-07.

Method and device for transmitting an uplink message

Номер патента: RU2769838C1. Автор: Цюнь ЧЖАО. Владелец: Бейдзин Сяоми Мобайл Софтвэр Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-04-07.

Resistive random access memory device

Номер патента: US11915754B2. Автор: Wen-Ting Chu,Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Resistive random access memory device

Номер патента: US20240153559A1. Автор: Wen-Ting Chu,Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Hybrid memory device for lookup operations

Номер патента: US20190220203A1. Автор: Hillel Gazit,Sohail Syed,Gevorg Torjyan. Владелец: Corigine Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Memory device and power management method using the same

Номер патента: US20210241803A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Non-volatile memory adapted to configure low power dynamic random access memory

Номер патента: US20180329640A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Enhanced valley tracking with trim setting updates in a memory device

Номер патента: US20240096408A1. Автор: Yingda Dong,Ching-Huang Lu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Programmable conductor random access memory and method for sensing same

Номер патента: WO2003077256A3. Автор: John T Moore,Glen Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-02-24.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: US11625170B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-11.

Method and system for testing a random access memory (RAM) device having an internal cache

Номер патента: US20070204189A1. Автор: Joseph Soetemans. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2007-08-30.

Memory device and error detection method thereof

Номер патента: US20200250021A1. Автор: San-Ha Park. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Device for controlling steering wheel and method for controlling steering wheel using same

Номер патента: US20160194028A1. Автор: Sun Ho Choi. Владелец: Doosan Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Device for controlling steering wheel and method for controlling steering wheel using same

Номер патента: US09802647B2. Автор: Sun Ho Choi. Владелец: Doosan Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

MAGNETOELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY AND METHODS OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20190027201A1. Автор: Petti Christopher,Bandyopadhyay Abhijit,ROBERTSON Neil. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Bit string accumulation in memory array periphery

Номер патента: US20200387474A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor memory device and its testing method

Номер патента: US20030058730A1. Автор: Katsushige Hayashi,Takanobu Suzuki,Tamaki Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: WO2023278073A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2023-01-05.

Methods and apparatus for reading memory device register data

Номер патента: US20030063507A1. Автор: Troy Manning. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240095178A1. Автор: Min-Nan CHENG. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: WO2020050983A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-12.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: US20210311642A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: US20200081631A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: EP3847647A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-14.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: US20240241648A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: EP4404064A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Device for supply of folded paper in tissue or similar to packaging system

Номер патента: RU2663996C2. Автор: Ренцо ТОММАЗИ. Владелец: Рент С.Р.Л.. Дата публикации: 2018-08-14.

Membrane enhanced sensors and fabrication methods

Номер патента: EP4296371A3. Автор: Michael Charles BROTHERS,Jason Charles Heikenfeld,Yuchan YUAN,Madeleine DEBROSSE. Владелец: University of Cincinnati. Дата публикации: 2024-03-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200192816A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Open bit-line type semiconductor memory device

Номер патента: US20240021238A1. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated flag byte read during failed byte count read compensation in a memory device

Номер патента: US20240071534A1. Автор: Nagendra Prasad Ganesh Rao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Membrane enhanced sensors and fabrication methods

Номер патента: EP4296371A2. Автор: Michael Charles BROTHERS,Jason Charles Heikenfeld,Yuchan YUAN,Madeleine DEBROSSE. Владелец: University of Cincinnati. Дата публикации: 2023-12-27.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: EP4364142A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Operating method for memory device and memory array and operating method for the same

Номер патента: US20140036570A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Design method for 3D safety leg guard based on Skin deformation and leg guard using the same

Номер патента: KR101755578B1. Автор: 이예진,이효정,엄란이. Владелец: 충남대학교산학협력단. Дата публикации: 2017-07-10.

Toggling known patterns for reading memory cells in a memory device

Номер патента: US20240012576A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Device for the synchronized actuation of sliding doors

Номер патента: EP1544399A3. Автор: Miguel Angel Tarrega Lloret. Владелец: Klein Iberica SA. Дата публикации: 2010-09-08.

Memory device to alleviate the effects of row hammer condition and memory system including the same

Номер патента: US09685240B1. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

MEMORY ARRAY AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20150325287A1. Автор: HSU Kuoyuan (Peter),WANG Bing,KIM Young Suk,CHANG Jacklyn,TAO Derek C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

DEVICE FOR CONTROLLING MIGRATION IN A DISTRIBUTED CLOUD ENVIRONMENT AND METHOD FOR CONTROLLING MIGRATION USING THE SAME

Номер патента: US20160170791A1. Автор: Huh Eui-Nam,Son A-Young. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

RESISTIVE MEMORY DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND MEMORY APPARATUS AND DATA PROCESSING SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20150348622A1. Автор: LEE Sung Min. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Recycling device for control valve of injector and method for recycling control valve of injector using the same

Номер патента: KR102092871B1. Автор: 박수철. Владелец: 박수철. Дата публикации: 2020-03-24.

FIXING DEVICE FOR MOUNTING ON THE EDGE OF A PANEL, AND ASSEMBLY OF PANELS OBTAINED USING THE SAME

Номер патента: FR2518195B1. Автор: . Владелец: Rapid SA. Дата публикации: 1985-09-06.

CHOPPER DEVICE FOR THE PREPARATION OF PUREES AS WELL AS A METHOD OF IMPLEMENTING IT USING THE SAME AND PUREE THUS OBTAINED.

Номер патента: FR2681799B1. Автор: Ryckeboer Emile. Владелец: SCALIME SA. Дата публикации: 1995-09-15.

DEVICE FOR AIDING THE OPENING OF A ROTATING POOL ROOFING ELEMENT AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: FR2786798B1. Автор: Charles Chapus,Olivier Vidal. Владелец: ABRISUD SCCOTM CHAPUS. Дата публикации: 2001-05-11.

Device for closing flow channel of gas pipe and method for closing flow channel using the same

Номер патента: KR101187762B1. Автор: 영 식 김. Владелец: 대연정공 주식회사. Дата публикации: 2012-10-05.

DEVICE FOR ALLOWING THE SUPPORT OF A FLOOR ON A WALL, AND CONSTRUCTION METHOD USING THE SAME

Номер патента: FR2509773A1. Автор: Roger Miniou. Владелец: ING COORDINATION CONST. Дата публикации: 1983-01-21.

Semiconductor memory device having split word line driver structure capable of operating per memory array

Номер патента: KR20020096411A. Автор: 이종훈. Владелец: (주)이엠엘에스아이. Дата публикации: 2002-12-31.

Nanoporous thin film and method for fabricating the same

Номер патента: US9925530B2. Автор: Chung-Yi Su,Hsueh-Shih Chen,Tsong-Pyng Perng,Po-Hsun Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-03-27.

PUNCHING DEVICE FOR PUNCHING NETWORK NODES ON MOLD INSERT AND METHOD OF PUNCHING NETWORK NODES USING THE SAME

Номер патента: US20150251329A1. Автор: CAO Chunlei. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

DEVICES FOR SIMULTANEOUS GENERATION AND STORAGE OF ISOLATED DROPLETS, AND METHODS OF MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20200238278A1. Автор: Fraden Seth. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

Device for repairing and reinforcing pipe without digging using pe sheet and construction method using the same

Номер патента: KR101021661B1. Автор: 최연철. Владелец: 주식회사 호서. Дата публикации: 2011-03-17.

DEVICE FOR REMOVABLE FIXING OF A TRIM ON A VEHICLE WHEEL AND ASSEMBLY OBTAINED USING THE SAME

Номер патента: FR2558418B1. Автор: Dominique Michel Louis Dubost. Владелец: Rapid SA. Дата публикации: 1986-05-30.

DEVICE FOR ATTACHING A RAIL TO A FLOOR OF A MOTOR VEHICLE, AND METHOD USING THE SAME

Номер патента: FR2829197B1. Автор: Laurent Mazieres. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2005-08-19.

Die Casting Mold and Die Casting Method using the the Same

Номер патента: KR101921508B1. Автор: 박영훈. Владелец: 박영훈. Дата публикации: 2018-11-23.

DEVICE FOR FEEDING A PORTABLE FIREARM BY STRIPS OF CARTRIDGES AND BY RIFLE MAGAZINE USING THE SAME AMMUNITION

Номер патента: FR2356112A1. Автор: . Владелец: Herstal Sa. Дата публикации: 1978-01-20.

Method and device for automatically repairing word line fault of NOR type memory array

Номер патента: CN109390029B. Автор: 刘晓庆,张赛. Владелец: Hefei Geyi Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-27.

Sheet feeding device and image forming apparatus having the same

Номер патента: US5863036A. Автор: Yoshiaki Tanaka,Iwao Matsumae,Eiji Takenaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-26.

Working device for inner wall surface of tower tank, and inner wall surface working method using the same

Номер патента: CA2473926A1. Автор: Masaaki Ito,Reiki Fujiwara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-20.

DEVICE FOR REMOVABLE FIXING OF A TRIM ON A VEHICLE WHEEL AND ASSEMBLY OBTAINED USING THE SAME

Номер патента: FR2606710B2. Автор: Dominique Michel Louis Dubost. Владелец: Rapid SA. Дата публикации: 1989-06-02.

METHOD AND DEVICE FOR ANALYSING PHASE DISTRIBUTION OF FRINGE IMAGE USING HIGH-DIMENSIONAL INTENSITY INFORMATION, AND PROGRAM FOR THE SAME

Номер патента: US20150049331A1. Автор: RI Shien. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

DEVICE FOR MEASURING GAP AND STEP FOR VEHICLE, AND SYSTEM FOR MEASURING GAP AND STEP INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180164091A1. Автор: PARK Sangkyu. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

Device for controlling rear wheel driving power of four wheel drive vehicle and method for controlling the same

Номер патента: KR101441818B1. Автор: 심수민. Владелец: 현대위아 주식회사. Дата публикации: 2014-09-18.

DEVICE FOR REMOTELY DEPOSITING A SAFETY TANK OF A SWIMMING POOL AND THE METHOD FOR IMPLEMENTING THE SAME

Номер патента: FR2891291B1. Автор: Bruno Barbet. Владелец: S ETUDEMA SOC PAR ACTIONS SIMP. Дата публикации: 2009-01-23.

DEVICE FOR THREE-DIMENSIONAL POSITIONING OF TWO PARTS, IN PARTICULAR TWO BONE PARTS, AND FOR MODIFYING THE SAME

Номер патента: FR2576774B1. Автор: Philippe Moniot. Владелец: ISSOIRE AVIAT SA. Дата публикации: 1990-03-30.

DEVICE FOR LOCKING THE CULASSE OF A FIREARM, SUCH AS A RIFLE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR2500147A1. Автор: Jali Timari. Владелец: IKAPLAST. Дата публикации: 1982-08-20.

Device for improving bloodstream volume in hearing-area of brain, and virtual sound source used for the same

Номер патента: CN101945626A. Автор: 小山悟,坂田英明. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-12.

Solar water heating device for simultaneously collecting drinking water/hot water

Номер патента: MY162084A. Автор: Seishi Higashi. Владелец: Azuma Solar Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

Method and device for raising loads using expandable cellular body

Номер патента: GB2377214A. Автор: Philip Walter Strong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-08.

Device for treatment of disorders in the oral cavity with nitric oxide, and manufacturing process for the same

Номер патента: CA2594415A1. Автор: Tor Peters. Владелец: Tor Peters. Дата публикации: 2006-08-17.

Device for reparing vent-stem of cedm and method for reparing vent-stem of cedm having the same

Номер патента: KR101966004B1. Автор: 정용찬,정세환. Владелец: 한전케이피에스 주식회사. Дата публикации: 2019-08-13.

Device for dispersing light pulses of which the spectral amplitude is programmable

Номер патента: US7414773B2. Автор: Pierre Tournois,Daniel Kaplan. Владелец: Fastlite SARL. Дата публикации: 2008-08-19.

DEVICE FOR DETECTING RADIATION FROM A FORM FOR DETERMINING DEVIATIONS OR ERRORS ON A SURFACE OF THE SAME

Номер патента: SE404964B. Автор: Sok. Владелец: Sarlos Seppo Edvard. Дата публикации: 1978-11-06.

Memory Storage Data Recycle System and Memory Storage Data Recycle Method Using The Same

Номер патента: KR101821120B1. Автор: 조찬제. Владелец: 주식회사 한글과컴퓨터. Дата публикации: 2018-01-23.

Device for closing and dampening movement of a sliding door and relevant method of installation of the same

Номер патента: EP2189603B1. Автор: Andrea Montanari. Владелец: Scrigno SpA. Дата публикации: 2012-02-22.

A device for detecting the presence of human finger on a surface and the method for applying the same

Номер патента: HK1181109A1. Автор: Pauli Laitinen,Sakari Tanhua,Kasper Rnning. Владелец: Aito B V. Дата публикации: 2013-11-01.

Medical device for delivering at least one fluid from a medical device

Номер патента: EP2785396A1. Автор: David Moore. Владелец: Sanofi Aventis Deutschland GmbH. Дата публикации: 2014-10-08.

Device for analyzing the movement of a fluid, in particular atmospheric air, at several levels, on the same vertical

Номер патента: FR1394280A. Автор: . Владелец: SCIENT ET TECH BUREAU ET. Дата публикации: 1965-04-02.

Device for correcting a tremble of a focused image and a camera which is provided with the same

Номер патента: US6456789B1. Автор: Yukio Uenaka. Владелец: Asahi Optical Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-24.

Device for conveying and handling metal objects with groups of members moving against each other at the same time

Номер патента: DE587188C. Автор: . Владелец: Gustaf L Fisk. Дата публикации: 1933-10-31.

METHOD AND DEVICE FOR DRYING WET MATERIALS SUCH AS PAPER, CELLULOSE, OTHER FIBER MATERIALS, AND OTHER PRODUCTS OF THE SAME KIND

Номер патента: BE754598A. Автор: . Владелец: Inventing AB. Дата публикации: 1971-01-18.

DEVICE FOR AIM OF A MOBILE OBJECTIVE AND ORIENTATION OF AN AIRFIRE SPEED OR SIMILAR TO THE SAME

Номер патента: SE9101148L. Автор: H-A Nilsson. Владелец: Saab Instr Ab. Дата публикации: 1992-10-18.

DEVICE FOR PRESERVING FRESH AND CONSERVING PERISHABLE PRODUCTS, ESPECIALLY FOOD AS WELL AS ECLUSA EMPLOYED WITH THE SAME

Номер патента: BR8005994A. Автор: H Feiler,R Koch. Владелец: H Feiler. Дата публикации: 1981-03-31.

Device for combing and/or brushing eyelashes and/or eyebrows and/or applying a product to the same

Номер патента: EP1342428B1. Автор: Jean-Louis Gueret. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2016-04-27.

Device for Positioning a Kitchen Appliance, Base Unit Including the Device, and Method of Using the Base Unit

Номер патента: US20220408979A1. Автор: LANG Torsten,Haunschild Felix,Rusch Lennart. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Non-rotation device for circular spray and painting and repair for inner side of pipe line using the device

Номер патента: KR101399900B1. Автор: 박일식. Владелец: 합자회사 세일. Дата публикации: 2014-05-29.

Device for working the surface of concrete and stone as well as method of using the device

Номер патента: CH684177A5. Автор: Willi Ruckstuhl. Владелец: Willi Ruckstuhl. Дата публикации: 1994-07-29.

Device for temporarily fixing long object and method of temporarily fixing long object by using the device

Номер патента: WO2010010868A1. Автор: 一広 鈴木. Владелец: Suzuki Kazuhiro. Дата публикации: 2010-01-28.

DEVICE FOR TAKING TOLES FROM A STACK AND TRANSPORTING THEM

Номер патента: FR2320150A1. Автор: Franz Schneider,Karl Maier,Gerhard Tappen. Владелец: Schuler AG. Дата публикации: 1977-03-04.

Device for separating sheets from a stack and transporting them to the next machine

Номер патента: FR1245951A. Автор: . Владелец: P CAPDEVIELLE ETS. Дата публикации: 1960-11-10.

Device for aligning sheets of material in stacks

Номер патента: US3711088A. Автор: G Salvade. Владелец: J Bobst et Fils SA. Дата публикации: 1973-01-16.

METHOD, SYSTEM, AND DEVICE FOR PROVIDING ASSISTANCE TO PATIENTS WITH COMMUNICATION AND MEMORY IMPAIRMENT

Номер патента: US20220044771A1. Автор: Longobardi Giuseppe,Viola Raffaella. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

Fastener Tape, Slide Fastener Provided with Same, and Fastener Tape Fabrication Method

Номер патента: US20150143672A1. Автор: Konaka Toshimasa,Hamada Jun,Yokoyama Shinyo. Владелец: YKK Corporation. Дата публикации: 2015-05-28.

Device for managing access conflict between a CPU and memories.

Номер патента: FR2717921A1. Автор: Boutaud Frederic Les J Sinodon,Sighesi Abiko. Владелец: Texas Instruments France SAS. Дата публикации: 1995-09-29.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A2. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-03-12.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A3. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-04-07.

Resistive random-access memory (reram) configured for overcoming the affects of read disturb

Номер патента: WO2024150022A1. Автор: Gabriel Molas,Giuseppe PICCOLBONI. Владелец: Weebit Nano Ltd.. Дата публикации: 2024-07-18.

Forming operation method of resistive random access memory

Номер патента: US20240282371A1. Автор: Ko-Chi Chen,Tzu-Yun Chang,Yi Ting Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US09830106B2. Автор: Siamack Nemazie,Berhanu Iman,Ngon Van Le,Ravishankar Tadepalli. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Resistive random access memory (RRAM) system

Номер патента: US09837154B2. Автор: Brent Buchanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-05.

Write driver circuits for resistive random access memory arrays

Номер патента: WO2016144609A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-15.

Write driver circuits for resistive random access memory arrays

Номер патента: EP3268967A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-17.

Memory device with post package repair function and method for operating the same

Номер патента: US20210366568A1. Автор: Nung Yen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Write driver circuits for resistive random access memory (ram) arrays

Номер патента: US20160267959A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

On-die static random-access memory (SRAM) for caching logical to physical (L2P) tables

Номер патента: US12066932B2. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

1T-1R architecture for resistive random access memory

Номер патента: US09824752B2. Автор: Deepak Chandra Sekar,Wayne Frederick Ellis. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-11-21.

Write driver circuits for resistive random access memory (RAM) arrays

Номер патента: US09583171B2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Operation Method of Resistive Random Access Memory and Resistive Random Access Memory Device

Номер патента: US20180330788A1. Автор: HE Qian,Chen Wang,Bin Gao,Huaqiang Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-15.

Resistive random-access memory for exclusive nor (xnor) neural networks

Номер патента: US20210082502A1. Автор: Shimeng Yu,Jae-sun Seo. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory devices and methods for high random transaction rate

Номер патента: US20140293717A1. Автор: Bruce Barbara,Dinesh Maheshwari,John Marino. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Disturb condition detection for a resistive random access memory

Номер патента: US09734903B2. Автор: Tz-yi Liu,Idan Alrod,Ariel Navon,Eran Sharon,Ran ZAMIR,Tianhong Yan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Resistive random-access memory (reram) cell optimized for reset and set currents

Номер патента: US20230096127A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Sense amplifiers as static random access memory

Номер патента: US20240256156A1. Автор: Glen E. Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US9311232B2. Автор: Siamack Nemazie,Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

Management of memory array with magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20160232092A1. Автор: Siamack Nemazie,Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor memory device witih a built-in self test circuit for adjusting a memory device property

Номер патента: US10629284B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-21.

Sense amplifiers as static random access memory cache

Номер патента: US20240256448A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Peter L. Brown,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Circuitry for parallel set and reset of resistive random-access memory (ReRAM) cells

Номер патента: US12068028B2. Автор: Ilan Sever,Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Magnetic random access memory with dynamic random access memory (DRAM)-like interface

Номер патента: US09898204B2. Автор: Siamack Nemazie. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of programming a resistive random access memory

Номер патента: US20160155501A1. Автор: Elisa Vianello,Daniele Garbin. Владелец: Universite Joseph Fourier Grenoble 1. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor device and adjustment method thereof

Номер патента: US20180166147A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Memory array, memory cell, and data read and write method thereof

Номер патента: US20230197133A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: WO2022165828A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-08-11.

Capacitance sensing technique for ferroelectric random access memory arrays

Номер патента: US20030206431A1. Автор: David Fisch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Memory device and method having a data bypass path to allow rapid testing and calibration

Номер патента: WO2006121874A3. Автор: Troy A Manning,James B Johnson. Владелец: James B Johnson. Дата публикации: 2007-08-02.

Devices and methods for selecting a forming voltage for a resistive random-access memory

Номер патента: US09865348B2. Автор: Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Resistance random access memory, operating method thereof and operating system thereof

Номер патента: US20160372195A1. Автор: Chao-I Wu,Tien-Yen Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Resistive random access memory and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Address correcting method and device for a simultaneous dynamic random access memory module

Номер патента: US20030105915A1. Автор: Shin-Husiung Lien. Владелец: Optimum Care International Tech Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Dynamic random access memory with fully independent partial array refresh function

Номер патента: US09767881B2. Автор: Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Apparatus, method and system for performing successive writes to a bank of a dynamic random access memory

Номер патента: US09704563B2. Автор: Kuljit S. Bains,John B. Halbert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Programming and reading circuit for resistive random access memory device

Номер патента: US20160217851A1. Автор: Chih-Kai Huang,Chih-Hao Lai,Jou-Hung Wang. Владелец: Brocere Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

HOST-MANAGED Logical MASS STORAGE DEVICE USING MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM)

Номер патента: US20150026392A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Virtualized scan chain testing in a random access memory (RAM) array

Номер патента: US12087383B2. Автор: Rahul Nadkarni,Yeshwant Kolla,David Hoff,Babji Vallabhaneni. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods for executing data access commands and flash memory devices using the same

Номер патента: US09959232B2. Автор: Yu-Chuan Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Fracturable x-y storage array using a ram cell with bidirectional shift

Номер патента: US4813015A. Автор: Michael E. Spak,Craig S. Tyl,Philip C. Wottrich. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1989-03-14.

Display driver integrated circuit having embedded resistive random access memory and display device having same

Номер патента: EP4014226A1. Автор: Ximeng Guan. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2022-06-22.

Host-managed logical mass storage device using magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US8670276B1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-11.

Method and apparatus for synchronous data transfers in a memory device with selectable data or address paths

Номер патента: US20020023200A1. Автор: Kevin Ryan,Terry Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Method and apparatus for synchronous data transfers in a memory device with selectable data or address paths

Номер патента: US20020016895A1. Автор: Kevin Ryan,Terry Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Write verify method for resistive random access memory

Номер патента: US20110026302A1. Автор: Song S. Xue,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-02-03.

Synchronous multi-port random access memory

Номер патента: WO1997011419A3. Автор: Tom North,Francis Siu. Владелец: Shablamm Computer Inc. Дата публикации: 1997-04-24.

Bi-directional differential low power sense amp and memory system

Номер патента: US20010009526A1. Автор: Michael Ouellette,John Andersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Method and device for audio coding

Номер патента: RU2667380C2. Автор: Чжэ ВАН. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-09-19.

MOSFET Random access memory chip

Номер патента: US4477739A. Автор: Robert J. Proebsting,Paul R. Schroeder. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1984-10-16.

Method and device for adjusting environmental conditions for growing plants

Номер патента: RU2638843C2. Автор: Синьюй ЛЮ,Ке ВУ. Владелец: Сяоми Инк.. Дата публикации: 2017-12-18.

High operating speed resistive random access memory

Номер патента: US8619459B1. Автор: Sang Nguyen,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2013-12-31.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US20220319561A1. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US11823767B2. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US20240144985A1. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Methods for checking dependencies of data units and apparatuses using the same

Номер патента: US9892484B2. Автор: YING Liang,Heng QUE,Heng Xiao. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Methods for checking dependencies of data units and apparatuses using the same

Номер патента: US20170140499A1. Автор: YING Liang,Heng QUE,Heng Xiao. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Memory Device for Emulating Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Номер патента: US20170220301A1. Автор: Dean K. Nobunaga. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: EP2195399A2. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Method of and device for separating upper sheet from stack and further transportation of sheet

Номер патента: RU2140387C1. Автор: П.А. Фомичев. Владелец: ООО "Сервис". Дата публикации: 1999-10-27.

Demonstration device for practical teaching based on computer application

Номер патента: LU506551B1. Автор: Fu Xie. Владелец: Shandong Normal Univ. Дата публикации: 2024-09-11.

Method and device for examining an object in a contactless manner, especially for examining the surface form of the same

Номер патента: AU2002341490A1. Автор: Wolfgang Weinhold. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-18.

3-D STRUCTURED NONVOLATILE MEMORY ARRAY AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120061637A1. Автор: Huang Ru,Cai Yimao,Qin Shiqiang,Tang Poren,Tang Yu,Zhang LIjie. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY AND METHOD FOR PROGRAMMING THE SAME

Номер патента: US20120243313A1. Автор: Huang Ru,Cai Yimao,Qin Shiqiang,Tang Poren. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-27.

MEMORY ARRAY AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20130021850A1. Автор: Yuan Qing Peng. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-24.

MEMORY ARRAYS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20130200322A1. Автор: Pellizzer Fabio,Cupeta Carmela,Somaschini Roberto,Nastasi Nicola. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-08-08.

Non-volatile memory array and method of manufacturing the same

Номер патента: CN107634066B. Автор: 陈柏安. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-17.

Non-volatile memory array and method of fabricating the same

Номер патента: TWI606578B. Автор: 陳柏安. Владелец: 新唐科技股份有限公司. Дата публикации: 2017-11-21.

Multi-layer memory array and manufacturing method of the same

Номер патента: TWI583035B. Автор: 葉騰豪,胡志瑋,施彥豪. Владелец: 旺宏電子股份有限公司. Дата публикации: 2017-05-11.

Multi-layer memory array and manufacturing method of the same

Номер патента: TW201547073A. Автор: Teng-Hao Yeh,Yen-Hao Shih,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-16.

Improvements in Devices for Clamping Together the Ends of Ropes and Cables, or the Forming of Loops in the same.

Номер патента: GB189412865A. Автор: William Phillips Thompson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1894-08-04.

MOS Device for Making the Source/Drain Region Closer to the Channel Region and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20130256664A1. Автор: Yin Huaxiang,Qin Changliang. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

Device for determining an angle of a triangle BEzw. the opposite side from another corner of the same.

Номер патента: AT27192B. Автор: Franz Baumann. Владелец: Franz Baumann. Дата публикации: 1907-01-25.

Device for writing on a base sheet and a pre-inserted writing sheet in typewriters at the same time

Номер патента: AT170734B. Автор: Josef Pfeffer. Владелец: Josef Pfeffer. Дата публикации: 1952-03-25.

MEMORY DEVICE CONFIGURED TO EXECUTE PLURAL ACCESS COMMANDS IN PARALLEL AND MEMORY ACCESS METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120137051A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-05-31.

A device for grabbing logs in a stack and moving them out of the stack

Номер патента: SU116568A1. Автор: А.Н. Едовин. Владелец: А.Н. Едовин. Дата публикации: 1958-11-30.

Method and device for data transmission between protocol stack and application program

Номер патента: CN103905420A. Автор: 冯璐. Владелец: T1 NETWORKS Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-02.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Recessed Access Device for a Memory

Номер патента: US20120001245A1. Автор: Beigel Kurt D.,Trivedi Jigish D.,Duesman Kevin G.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION APPARATUS HAVING HUMAN BODY CONTACT SENSING FUNCTION AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003929A1. Автор: . Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND SYSTEMS FOR 3D ANIMATION

Номер патента: US20120001906A1. Автор: Wilkinson James. Владелец: BLUE SKY STUDIOS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND SYSTEMS FOR 3D ANIMATION

Номер патента: US20120001907A1. Автор: Wilkinson James. Владелец: BLUE SKY STUDIOS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method, Apparatus, and Network Device for Power Control

Номер патента: US20120004007A1. Автор: ZHOU Mingyu,Wan Lei,Ren Xiaotao,Zhao Yajun. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND INFORMATION DISPLAY METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003990A1. Автор: LEE Min Ku. Владелец: Pantech Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER MONITORING DEVICE FOR IDENTIFYING STATE OF ELECTRIC APPLIANCE AND POWER MONITORING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004871A1. Автор: . Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120003966A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CORRELATED DOUBLE SAMPLING CIRCUIT AND IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002093A1. Автор: Lee Dong Hun,HAM Seog Heon,Yoo Kwi Sung,Kwon Min Ho,Jung Wun-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND TERMINAL SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20120004000A1. Автор: CHOI Byungsung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL APPARATUS, IMAGE SENSING DEVICE, AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20120002060A1. Автор: KUSANAGI SUGURU. Владелец: CANON KABISHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SUPERHYDROPHILIC AND OLEOPHOBIC POROUS MATERIALS AND METHODS FOR MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20120000853A1. Автор: Mabry Joseph M.,TUTEJA Anish,Kota Arun Kumar,Kwon Gibum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SCANNING APPARATUS TO ALTERNATE SCANNING AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002249A1. Автор: KIM Cheoul-young. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RANDOM ACCESS RESPONSE PROCESSING

Номер патента: US20120002606A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RANDOM ACCESS CHANNEL RESOURCE ALLOCATION

Номер патента: US20120002617A1. Автор: Vujcic Dragan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Optical module and fabrication method

Номер патента: US20120002915A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ROLLING STOCK SYSTEM AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000739A1. Автор: YUUKI Kazuaki,Koizumi Satoshi,Nakazawa Yosuke,Nogi Masayuki,INAGAKI Katsuhisa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

CODEBOOK FOR MULTIPLE USER MULTIPLE INPUT MULTIPLE OUTPUT SYSTEM AND COMMUNICATION DEVICE USING THE CODEBOOK

Номер патента: US20120001780A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTING APPARATUS AND PRINTING POSITION ADJUSTING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001972A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS, IMAGE READING APPARATUS, AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002235A1. Автор: Hinaga Keiichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE CAPTURE APPARATUS, CONTROL METHOD THEREOF, AND RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20120002098A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO PROCESSING APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002013A1. Автор: Asanuma Tomoya. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE DATA TEST UNIT, IMAGE APPARATUS HAVING THE SAME, AND METHOD OF TESTING IMAGE DATA USING THE SAME

Номер патента: US20120002886A1. Автор: JUN Hyun-Su. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Laser Beam Irradiation Apparatus and Substrate Sealing Apparatus Including the Same

Номер патента: US20120000611A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

CHIP-SIZED PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001328A1. Автор: Huang Chien-Ping,Ke Chun-Chi,Chang Chiang-Cheng. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPUTER SYSTEM AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001913A1. Автор: Lee Kyung-Hee. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.