Resistive random access memory device for 3D stack and memory array using the same and fabrication method thereof
Номер патента: US10741760B2
Опубликовано: 11-08-2020
Автор(ы): Byung-gook Park, Min-Hwi Kim, Sang-Ho Lee, Sungjun Kim, Tae-Hyeon Kim
Принадлежит: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 11-08-2020
Автор(ы): Byung-gook Park, Min-Hwi Kim, Sang-Ho Lee, Sungjun Kim, Tae-Hyeon Kim
Принадлежит: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Resistive memory device with meshed electrodes
Номер патента: US11063089B2. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-13.