Transistor`s gate protecting method for e.g. dynamic RAM, involves etching dielectric layer using masks while leaving it remaining on gate so that gate is electrically insulated with respect to other elements such as connection terminals
Номер патента: FR2890234A1
Опубликовано: 02-03-2007
Автор(ы): Paul Ferreira
Принадлежит: STMicroelectronics Crolles 2 SAS
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-03-2007
Автор(ы): Paul Ferreira
Принадлежит: STMicroelectronics Crolles 2 SAS
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Wiring line formation, for e.g. dynamic RAM, involves forming amorphous carbon layer by depositing organosilicate glass on top of wiring lines so that edges of wiring lines are adjoined by air-filled spaces
Номер патента: DE102006044665A1. Автор: Mirko Vogt,Hans-Peter Sperlich,Dirk Offenberg,Jean Charles Cigal. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-05-16.