Etching method and contact hole forming method using the same
Номер патента: JP4314190B2
Опубликовано: 12-08-2009
Автор(ы): 秀作 城戸
Принадлежит: NEC LCD Technologies Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-08-2009
Автор(ы): 秀作 城戸
Принадлежит: NEC LCD Technologies Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Plasma etching method and semiconductor device manufacturing method
Номер патента: US20150187588A1. Автор: Takayuki Katsunuma,Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.