一种高阻抗表面结构与一种单边核磁共振传感器
Номер патента: CN106785395A
Опубликовано: 31-05-2017
Автор(ы): 伏进, 余登洁, 侯兴哲, 向彬, 吴嘉敏, 宫林, 李想, 王谦, 籍勇亮, 胡晓锐, 黎露
Принадлежит: Chongqing University, Electric Power Research Institute of State Grid Chongqing Electric Power Co Ltd, State Grid Corp of China SGCC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 31-05-2017
Автор(ы): 伏进, 余登洁, 侯兴哲, 向彬, 吴嘉敏, 宫林, 李想, 王谦, 籍勇亮, 胡晓锐, 黎露
Принадлежит: Chongqing University, Electric Power Research Institute of State Grid Chongqing Electric Power Co Ltd, State Grid Corp of China SGCC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Surface structure modifying
Номер патента: RU2539343C2. Автор: Лоренс Джеймс УОЛШ,Рой ДЖОРДЖ. Владелец: Дзе Юниверсити Оф Квинсленд. Дата публикации: 2015-01-20.