Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

球狀氮化鋁粉末

Номер патента: TWI507350B
Опубликовано: 11-11-2015
Автор(ы): Kazutaka Watanabe, Takatoshi Muneoka
Принадлежит: Tokuyama Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Spherical aluminum nitride powder

Номер патента: CN103079995A. Автор: 渡边一孝,宗冈孝俊. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2013-05-01.

Polycrystalline Silicon Ingot Casting Mold and Method for Producing Same, and Silicon Nitride Powder for Mold Release Material for Polycrystalline Silicon Ingot Casting Mold and Slurry Containing Same

Номер патента: US20140158858A1. Автор: Takeshi Yamao,Takayuki Fujii,Shinsuke Jida. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Highly delaminated hexagonal boron nitride powders, process for making, and uses thereof

Номер патента: EP1278701A2. Автор: Thomas M. Clere. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2003-01-29.

Highly delaminated hexagonal boron nitride powders, process for making, and uses thereof

Номер патента: EP1278701B1. Автор: Thomas M. Clere,Severine M. Laboure. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2008-07-23.

Bonding material composition, aluminum nitride bonded body, and method for producing the same

Номер патента: US09481813B2. Автор: Masashi Goto,Noboru Nishimura,Yuji Katsuda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of forming silicon carbide film on aluminum nitride, film structure and silicon carbide film

Номер патента: US6617059B1. Автор: Hiromichi Kobayashi,Hirotake Yamada,Hiroshi Furukubo. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2003-09-09.

Method of producing a spherical aluminum nitride powder

Номер патента: US9090469B2. Автор: Kazutaka Watanabe,Takatoshi Muneoka. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2015-07-28.

Method of making moisture resistant aluminum nitride powder and powder produced thereby

Номер патента: US5234712A. Автор: Kevin E. Howard. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1993-08-10.

Method of making moisture resistant aluminum nitride powder and powder produced thereby

Номер патента: CA2137251C. Автор: Kevin E. Howard,Daniel F. Carroll,Scott J. Biskupski. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2004-04-20.

Polycrystalline silicon ingot casting mold, silicon nitride powder for mold release material, silicon nitride powder-containing slurry for mold release layer, and mold release material for casting

Номер патента: JP5700052B2. Автор: 猛 山尾,慎輔 治田,道夫 本田. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2015-04-15.

Polycrystalline silicon ingot casting mold, and silicon nitride powder for mold release material, slurry containing silicon nitride powder for mold release layer and casting release material therefor

Номер патента: EP2660202B1. Автор: Takeshi Yamao,Michio Honda,Shinsuke Jida. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2016-12-28.

Polycrystalline silicon ingot casting mold, and silicon nitride powder for mold release material, slurry containing silicon nitride powder for mold release layer and casting release material therefor

Номер патента: CN103282307B. Автор: 治田慎辅,山尾猛,本田道夫. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2015-07-15.

Aluminum nitride ceramic, and preparation method thereof

Номер патента: US20240316538A1. Автор: Li Ni,Zhongwen Zhu,Chenxu GUO,Hanning XIAO. Владелец: Hydrogen Source Technology Jiangsu Co ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Aluminum nitride film and a substance coated with same

Номер патента: US20110256412A1. Автор: Shoji Kano,Koji Katoh. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-20.

Method of preparing coated nitride powder and the coated powder produced thereby

Номер патента: US5923945A. Автор: Selim Yalvac,Kevin E. Howard,Robert A. Kirchhoff,Glenn A. Eisman,Brian M. Banker,Matthew R. Kesterson. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1999-07-13.

Synthesis method of silicon nitride powder and sintered body

Номер патента: US20230339755A1. Автор: In Chul CHO. Владелец: ZONE INFINITY CO Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Aluminum nitride conjugate body and method of producing the same

Номер патента: US7488543B2. Автор: Tatsuo Esaki. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2009-02-10.

Method for preparing silicon nitride powder for manufacturing substrate and silicon nitride powder prepared thereby

Номер патента: EP4310051A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Method for preparing silicon nitride powder for manufacturing substrate and silicon nitride powder prepared thereby

Номер патента: US20240140798A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Silicon nitride powder production method, silicon nitride powder, silicon nitride sintered body and circuit substrate using same

Номер патента: US20150056121A1. Автор: Takeshi Yamao,Koji Shibata,Takayuki Fujii,Masataka Fujinaga,Michio Honda,Takuji OHMARU. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Aluminum nitride synthesis from nut shells

Номер патента: US10292411B2. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-05-21.

Aluminum Nitride Synthesis from Nut Shells

Номер патента: US20180134560A1. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-05-17.

Aluminum nitride body having graded metallurgy

Номер патента: US5682589A. Автор: Jon Alfred Casey,Benjamin Vito Fasano,Robert Hannon,Carla Natalia Cordero,David Brian Goland,Jonathan H. Harris,Lester Wynn Herron,Gregory Marvin Johnson,Niranjan Mohanlal Patel,Andrew Michael Reitter,Subhash Laxman Shinde,Rao Venkateswara Vallabhaneni,Robert A. Youngman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-10-28.

Electronic package comprising aluminum nitride and aluminum nitride-borosilicate glass composite

Номер патента: CA1332176C. Автор: Roy Warren Rice,Jack Harrison Enloe,John Wing-Keung Lau. Владелец: WR Grace and Co Conn. Дата публикации: 1994-09-27.

Transient liquid phase, pressureless joining of aluminum nitride components

Номер патента: EP2834839A1. Автор: Frank J. Polese,Jonathan H. Harris,Stephen P. NOOTENS,Robert J. Tesch,Sorin DENESCU,William L. Bradbury,Casey C. Clausen. Владелец: Jonathan H. Harris. Дата публикации: 2015-02-11.

Aluminum nitride ceramic matrix composite and method of producing aluminum nitride matrix composite

Номер патента: EP1285897A3. Автор: Makoto Kobashi,Naoyuki Kanetake,Takahiro Intellectual Property Dept. Ishikawa,Masahiro Intellectual Property Dept. Kida. Владелец: Kanetake Yaoyuki. Дата публикации: 2003-04-23.

Method for fabrication of a carrier body of aluminum nitride

Номер патента: US5275770A. Автор: Altan Akyurek. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-01-04.

Molten iron-assisted method for producing aluminum nitride and device thereof

Номер патента: US10106414B2. Автор: Swe-Kai Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-10-23.

Method of preparing aluminum nitride using wet-mixed boehmite slurry

Номер патента: WO2015008924A1. Автор: DAE WOONG Kim,Sang Chun Park,Gwang Hee Shin,Pyoung Seop Seo,Chang Yel Yang,Jong Oh Baek. Владелец: Kc Corporation. Дата публикации: 2015-01-22.

Aluminum nitride ceramic, semiconductor manufacturing member, and manufacturing method for aluminum nitride ceramic

Номер патента: US20060019817A1. Автор: Toru Hayase,Naohito Yamada,Yoshimasa Kobayashi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Aluminum nitride ceramic, semiconductor manufacturing member, and manufacturing method for aluminum nitride ceramic

Номер патента: US20070135293A1. Автор: Toru Hayase,Naohito Yamada,Yoshimasa Kobayashi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Joined body of aluminum nitride series ceramics, method of joining aluminum nitride series ceramics and joining agent

Номер патента: US6261708B1. Автор: Tsutomu Imai,Tsuneaki Ohashi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2001-07-17.

Aluminum Nitride Sintered Body

Номер патента: US20090041961A1. Автор: Masanobu Azuma,Yukihiro Kanechika. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Method for making aluminum nitride wafer and aluminum nitride wafer made by the same

Номер патента: US20210287996A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Method for making aluminum nitride wafer and aluminum nitride wafer made by the same

Номер патента: US11355448B2. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Aluminum nitride sintered compact, metallized substrate, heater,jig and method for producing aluminum nitride sintered compact

Номер патента: EP1553067A4. Автор: Y Itoh,Y Tsuzuki,S Ishidu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-11-26.

Hydrophilic and highly oil absorbent boron nitride powder, method for manufacturing the same, and cosmetic

Номер патента: US09433565B2. Автор: Masato Kumagai,Takahisa Koshida,Shoichi Hiwasa. Владелец: Mizushima Ferroalloy Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Aluminum Nitride Synthesis from Nut Shells

Номер патента: US20210045417A1. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2021-02-18.

Nano-structured Aluminum Nitride (AlN) in a pure form and in the wurtzite phase of AlN from nut shells

Номер патента: US20230217971A1. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2023-07-13.

Aluminum nitride sintered compact

Номер патента: US7622203B2. Автор: Sadamu Ishidu,Yasushi Tsuzuki,Yasushi Itoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-11-24.

Aluminum Nitride Synthesis from Nut Shells

Номер патента: US20190261664A1. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-08-29.

Aluminum nitride sintered body and method of evaluation for the same

Номер патента: US20050013761A1. Автор: Toru Hayase,Naohito Yamada,Yoshimasa Kobayashi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Method for producing iron-nitride powders

Номер патента: US5330554A. Автор: Uichiro Mizutani,Tamotsu Koyano. Владелец: Aisin Seiki Co Ltd. Дата публикации: 1994-07-19.

Process for the production of aluminum nitride needles

Номер патента: US4322395A. Автор: Kelly D. McHenry,Jane M. Smeby,Robert H. Michelson. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1982-03-30.

Adherent metal coating for aluminum nitride surfaces

Номер патента: US5382471A. Автор: Thomas J. Swirbel,James L. Davis,John K. Arledge. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-01-17.

Process for producing aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity

Номер патента: US4997798A. Автор: Akiyasu Okuno,Kazuhiko Ikoma,Masakazu Watanabe. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1991-03-05.

Plasma treatment method, method of producing plasma-treated hexagonal boron nitride powder, and plasma treatment device

Номер патента: US20240182301A1. Автор: Hiroyuki Masuoka,Akira Matsuzaki,Daisuke Tahara. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Plasma treatment method, method of producing plasma-treated hexagonal boron nitride powder, and plasma treatment device

Номер патента: CA3205071A1. Автор: Hiroyuki Masuoka,Akira Matsuzaki,Daisuke Tahara. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Plasma treatment method, method for producing plasma-treated hexagonal boron nitride powder, and plasma treatment device

Номер патента: EP4273094A1. Автор: Hiroyuki Masuoka,Akira Matsuzaki,Daisuke Tahara. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-11-08.

Process for producing a metal-coated, metallized component of aluminum nitride ceramic and metal-coated component obtained thereby

Номер патента: US6077564A. Автор: Alfred Thimm. Владелец: CERAMTEC GMBH. Дата публикации: 2000-06-20.

Powder metal composition with aluminum nitride mmc

Номер патента: CA3224244A1. Автор: Ian W. Donaldson,Donald Paul Bishop,Richard L. Hexemer Jr.. Владелец: GKN Sinter Metals LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for the controlling of certain second phases in aluminum nitride

Номер патента: US6004624A. Автор: Benjamin V. Fasano,Gregory M. Johnson,Lester W. Herron,Subhash L. Shinde,Robert Hannon,Richard A. Bates,David B. Goland,Carla N. Cordero,Andrew Reitter,Lisa Studzinski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-12-21.

Process for producing metallic nitride powder

Номер патента: US4196178A. Автор: Takashi Kawahito,Tetsuo Yamada,Tadashi Iwai. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 1980-04-01.

Hexagonal boron nitride powder having specific bulk density and residual Fe particles, and method for producing same

Номер патента: US8679429B2. Автор: Takahisa Koshida,Shoichi Hiwasa,Taisei GOHARA. Владелец: Mizushima Ferroalloy Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-25.

Aluminum nitride joined article and method for manufacture thereof

Номер патента: TW200517357A. Автор: Hideki Sato,Masanobu Azuma,Tatsuo Esaki. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2005-06-01.

Spherical aluminum nitride powder and method for producing spherical aluminum nitride powder

Номер патента: US20210246024A1. Автор: Daisuke Kato,Mitsutaka Takahashi,Fuyuki Ito. Владелец: Maruwa Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Method for preparing aluminum nitride powder by suspension reduction

Номер патента: NL2033581B1. Автор: GUO Yong,ZENG Hong,Liao Bin,Chen Feixiong,Ma Shuaibing,Liu Fupeng. Владелец: Univ Jiangxi Sci & Technology. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for preparing aluminum nitride powder by suspension reduction

Номер патента: NL2033581A. Автор: GUO Yong,ZENG Hong,Liao Bin,Chen Feixiong,Ma Shuaibing,Liu Fupeng. Владелец: Univ Jiangxi Sci & Technology. Дата публикации: 2023-06-15.

Rare earth-activated aluminum nitride powders and method of making

Номер патента: EP1989158A2. Автор: Bing Han,Keith A. Klinedinst,Madis Raukas,Kailash C. Mishra,Jonathan Tap,Jan B. Talbot. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2008-11-12.

Aluminum nitride powder capable of forming colored sintered body and process for preparing same

Номер патента: US5459113A. Автор: Toshio Nozaki,Hiroshi Iwase,Masanori Oguni,Seigo Ohiwa. Владелец: Sumitomo Metal Ceramics Inc. Дата публикации: 1995-10-17.

Heat-conductive aluminum nitride sintered body and method of manufacturing the same

Номер патента: CA1337358C. Автор: Masaya Miyake,Akira Yamakawa,Hisao Takeuchi,Koichi Sogabe,Akira Sasame,Hitoyuki Sakanoue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method for protecting aluminum nitride from moisture

Номер патента: US8646706B2. Автор: Yang-Kuao Kuo,Chia-Yi Hsiang,Fu-Hsing Huang. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2014-02-11.

Aluminum nitride granules and process for the preparation thereof

Номер патента: US5182239A. Автор: Hitofumi Taniguchi,Kiyofumi Hirokawa. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 1993-01-26.

Aluminum nitride substrate for circuit board and production method thereof

Номер патента: US9190189B2. Автор: Takeshi Gotoh,Katsunori Terano,Yusaku Harada. Владелец: Denki Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 2015-11-17.

Aluminum nitride structure and method for producing same

Номер патента: US20230127313A1. Автор: Natsuki Sato,Tohru Sekino,Naoki Kurizoe,Tatsuro Yoshioka,Ryosuke Sawa,Tomoyo Goto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Method for Protecting Aluminum Nitride from Moisture

Номер патента: US20130032649A1. Автор: Yang-Kuao Kuo,Chia-Yi Hsiang,Fu-Hsing Huang. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2013-02-07.

Method of producing powder containing silicon carbide and aluminum nitride from natural coal ash

Номер патента: RU2731094C1. Автор: Геннадий Яковлевич Мамонтов,Владимир Евгеньевич Губин,Александр Яковлевич Пак,Юлия Захаровна Васильева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2020-08-28.

Manufacturing method of modified aluminum nitride raw material, modified aluminum nitride raw material, manufacturing method of aluminum nitride crystals, and downfall defect prevention method

Номер патента: EP4137620A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Yoshitaka Nishio,Daichi DOJIMA,Moeko Matsubara. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2023-02-22.

Silicon-containing oxide-coated aluminum nitride particles

Номер патента: EP4253483A2. Автор: Naoki Minorikawa,Hidetoshi Okamoto,Yuki Otsuka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Silicon-containing oxide-coated aluminum nitride particles

Номер патента: EP4253483A3. Автор: Naoki Minorikawa,Hidetoshi Okamoto,Yuki Otsuka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-27.

Aluminum nitride sheet

Номер патента: EP3778533A1. Автор: Hiroyuki Shibata,Yoshimasa Kobayashi,Hiroharu KOBAYASHI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2021-02-17.

Aluminum nitride plate

Номер патента: US20210009418A1. Автор: Yoshimasa Kobayashi,Hiroharu KOBAYASHI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Hexagonal boron nitride powder and method for producing same, cosmetic preparation and method for producing same, and quality evaluation method

Номер патента: US20240270651A1. Автор: Ryuki MATSUI. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Zirconium nitride powder and production method therefor

Номер патента: US20200156943A1. Автор: Takashi Konishi,Kensuke Kageyama. Владелец: Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Silicon nitride powder

Номер патента: EP4455078A1. Автор: Hideaki Kawai,Ryuji Ishimoto. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-10-30.

Polymer precursors for aluminum nitride aluminum nitride-containing ceramics from polymeric precursors

Номер патента: US5414050A. Автор: James A. Jensen. Владелец: Lanxide Technology Co LP. Дата публикации: 1995-05-09.

High-packing silicon nitride powder and method for making

Номер патента: US5348919A. Автор: Akio Otsuka,Meguru Kashida,Haruyoshi Kuwabara,Yasuyuki Maki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1994-09-20.

Hexagonal boron nitride powder

Номер патента: US20220402759A1. Автор: Takaaki Tanaka,Go Takeda,Masao TSUICHIHARA. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Thermoset polymeric precursors for aluminum nitride

Номер патента: US5340896A. Автор: James A. Jensen. Владелец: Jensen James A. Дата публикации: 1994-08-23.

Boron nitride powder and resin composition

Номер патента: US20240174908A1. Автор: Kenji Miyata,Yusuke Sasaki,Kei KUBOBUCHI,Tomonari MIYAZAKI. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Boron nitride powder and method for producing boron nitride powder

Номер патента: US20230399264A1. Автор: Takaaki Tanaka,Go Takeda,Hiroyuki Shiotsuki. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Boron nitride powder, and method for producing boron nitride powder

Номер патента: US20230357008A1. Автор: Takaaki Tanaka,Go Takeda,Hiroyuki Shiotsuki. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Hexagonal boron nitride powder and method for producing sintered body

Номер патента: US20230406777A1. Автор: Ryuki MATSUI. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Cubic boron nitride powder and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4215479A1. Автор: Dongmok Whang,Inhwan LEE,Wonseok Jang,Byungsung Kim,Hyeonsik JANG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-07-26.

Cubic boron nitride powder and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240026161A1. Автор: Dongmok Whang,Inhwan LEE,Wonseok Jang,Byungsung Kim,Hyeonsik JANG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for manufacturing spherical aluminum nitride powder

Номер патента: EP2623458B1. Автор: Kazutaka Watanabe,Takatoshi Muneoka. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2018-09-12.

Method for manufacturing spherical aluminum nitride powder

Номер патента: EP2623458A1. Автор: Kazutaka Watanabe,Takatoshi Muneoka. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2013-08-07.

Manufacturing method of aluminum nitride powder and apparatus for chemical vapor synthesis of aluminum nitride powder

Номер патента: KR100972992B1. Автор: 김수룡,김유진,피재환. Владелец: 한국세라믹기술원. Дата публикации: 2010-07-30.

Method of making moisture resistant aluminum nitride powder and powder produced thereby

Номер патента: KR100249750B1. Автор: 케빈이.하워드,다니엘에프.캐롤,스코트제이.비스쿠프스키. Владелец: 더 다우 케미칼 캄파니. Дата публикации: 2000-03-15.

Aluminum nitride powder and method of producing the same

Номер патента: TWI507351B. Автор: Kazutaka Watanabe,Takatoshi Muneoka. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2015-11-11.

Aluminum nitride powder, method for producing the same and use thereof

Номер патента: TW200607754A. Автор: Masao Tanaka,Isao Harada,Yuji Hotta,Masato Yamazaki,Koji Watari,Kimiyasu Sato,Kohichi Haruta,Kenshi Mitsuishi,Jinyu Qiu. Владелец: Nat Inst Of Advanced Ind Scien. Дата публикации: 2006-03-01.

Aluminum nitride, aluminum nitride-containing solid solution and aluminum nitride composite prepared by combustion synthesis

Номер патента: JP3847331B2. Автор: ダンミード，スチーブン・デイ,ウイリアム・ジー ムーア，,ケビン・イー ハワード，,ケビン・シー モース，. Владелец: ザ・ダウ・ケミカル・カンパニー. Дата публикации: 2006-11-22.

Aluminum nitride, aluminum nitride containing solid solutions and aluminum nitride composites prepared by combustion synthesis

Номер патента: CA2159638A1. Автор: Kevin E. Howard,William G. Moore,Kevin C. Morse,Stephen D. Dunmead. Владелец: Stephen D. Dunmead. Дата публикации: 1994-10-13.

Aluminum nitride, aluminum nitride-containing solids and aluminum nitride composites produced by the combustion synthesis method

Номер патента: KR100307646B1. Автор: 케빈이.하워드,스티븐디.던미드,윌리암지.무어,케빈씨.모스. Владелец: 그래햄 이. 테일러. Дата публикации: 2002-05-30.

METHOD FOR SYNTHESIZING ALUMINUM NITRIDE AND ALUMINUM NITRIDE-BASED COMPOSITE MATERIAL

Номер патента: US20190010053A1. Автор: Kim Ju Hyun,HAN Kwan Hee. Владелец: Research Cooperation Foundation of Yeungnam University. Дата публикации: 2019-01-10.

A novel method for the production of aluminum nitride and aluminum nitride-based composite substances

Номер патента: KR101659700B1. Автор: 김주현,한관희. Владелец: 영남대학교 산학협력단. Дата публикации: 2016-09-23.

Composite ultrafine particles of aluminum nitride and rare earth nitride, method for production and sintered article thereof

Номер патента: EP0615952A2. Автор: Tsuyoshi Masumoto,Tadashi Yamaguchi,Akihisa Inoue,Katsutoshi Nosaki. Владелец: Yoshida Kogyo KK. Дата публикации: 1994-09-21.

Method for the manufacture of a metal oxide or nitride powder or a semiconductor oxide or nitride powder, an oxide or nitride powder made thereby, and solids and uses thereof

Номер патента: CN1330560C. Автор: 伯纳德·塞罗尔,米歇尔·赛罗尔. Владелец: WC Heraus GmbH and Co KG. Дата публикации: 2007-08-08.

An aluminum nitride film and a substance coated with same

Номер патента: TW201211300A. Автор: Shoji Kano,Koji Katoh. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2012-03-16.

An aluminum nitride film and a substance coated with same

Номер патента: IL212238A0. Автор: . Владелец: Katoh Koji. Дата публикации: 2011-06-30.

Aluminum nitride ceramic, and preparation method thereof

Номер патента: WO2023246633A2. Автор: Li Ni,Zhongwen Zhu,Chenxu GUO,Hanning XIAO. Владелец: Hydrogen Source Technology (Jiangsu) Co., Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Silicon nitride powder production method, silicon nitride powder, silicon nitride sintered body and circuit substrate using same

Номер патента: EP2832687B1. Автор: Takeshi Yamao,Koji Shibata,Takayuki Fujii,Masataka Fujinaga,Michio Honda,Takuji OHMARU. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-14.

Silicon nitride powder production method, silicon nitride powder, silicon nitride sintered body and circuit substrate using same

Номер патента: EP2832687A4. Автор: Takeshi Yamao,Koji Shibata,Takayuki Fujii,Masataka Fujinaga,Michio Honda,Takuji OHMARU. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2015-11-25.

Polycrystalline aluminum nitride material and method of production thereof

Номер патента: US20150151968A1. Автор: Rafael Dalmau,Baxter Moody,David Henshall,Raoul Schlesser. Владелец: HexaTech Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Aluminum nitride conjugate body and method of producing the same

Номер патента: CN100381401C. Автор: 江崎龙夫. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

Polycrystalline aluminum nitride material and method of production thereof

Номер патента: WO2012012384A1. Автор: Rafael Dalmau,Baxter Moody,David Henshall,Raoul Schlesser. Владелец: Hexatech, Inc.. Дата публикации: 2012-01-26.

Microwave heating apparatus, and method for manufacturing aluminum nitride by using same

Номер патента: US20240237166A1. Автор: Jae-Kyung Kim,Jang-youn JUNG,Euy-Sik Jeon,Dong-goo SOHN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Boron nitride powder, method for producing boron nitride powder, resin material, and method for producing resin material

Номер патента: EP4043394A1. Автор: Hiroyuki Masuoka,Akira Matsuzaki,Daisuke Tahara. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2022-08-17.

Preparation method for aluminum nitride

Номер патента: GB2621958A. Автор: Liu Wei,LI Changdong,Liu Yongqi,Cai Haibing,GONG Qinxue. Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Boron nitride powder, method of manufacturing boron nitride powder, resin material, and method of manufacturing resin material

Номер патента: CA3145280C. Автор: Hiroyuki Masuoka,Akira Matsuzaki,Daisuke Tahara. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

High-activity spherical aluminum alloy with micro-nano structure and preparation method and application thereof

Номер патента: CN115041678B. Автор: 刘敏,常成,易江龙,闫星辰. Владелец: Institute of New Materials of Guangdong Academy of Sciences. Дата публикации: 2023-03-24.

Slurry-designated silicon nitride powder and method for producing same, silicon nitride powder slurry for use in mold release agent and method for producing same, silicon nitride powder for use in mold release agent, mold release agent, and polycrystalline-silicon-casting mold and method for producing same

Номер патента: EP3106431A4. Автор: Takeshi Yamao,Michio Honda,Shinsuke Jida. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2017-09-20.

Aluminum nitride-based catalyst with nano aluminum hydroxide as binder and preparation method thereof

Номер патента: CN110756214B. Автор: 孙予罕,张军,陆娜,刘曙光,李树青. Владелец: Jupeng Bio HK Ltd. Дата публикации: 2022-08-30.

ALUMINUM NITRIDE GRANULES

Номер патента: FR2727108A1. Автор: Yves Laurent,Patrick Verdier,John Razafindrakoto,Viot Benedicte Ducel,Corinne Garnier,Jimenez Jose Jesus Benitez,Gallego Michel Anguel Centeno,Gordon Jose Antonio Odriozola. Владелец: Cernix. Дата публикации: 1996-05-24.

Silicon nitride powder manufacturing system and silicon nitride powder manufacturing method

Номер патента: KR102342680B1. Автор: 이상균,고영석. Владелец: (주)에이치에스쏠라에너지. Дата публикации: 2021-12-24.

Undercut-free patterned aluminum nitride structure and methods for forming the same

Номер патента: US12134824B2. Автор: Yuan-Chih Hsieh,Hung-Hua Lin,Yi-Ren Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Undercut-free patterned aluminum nitride structure and methods for forming the same

Номер патента: US20220325396A1. Автор: Yuan-Chih Hsieh,Hung-Hua Lin,Yi-Ren Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Undercut-free patterned aluminum nitride structure and methods for forming the same

Номер патента: US20240368746A1. Автор: Yuan-Chih Hsieh,Hung-Hua Lin,Yi-Ren Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Apparatus for manufacturing aluminum nitride single crystal, method for manufacturing aluminum nitride single crystal, and aluminum nitride single crystal

Номер патента: EP2410082A1. Автор: Hiroyuki Kamata,Tomonori Miura,Ichirou Nagai,Tomohisa Katou. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2012-01-25.

Wet etch patterning of an aluminum nitride film

Номер патента: CA3062002A1. Автор: Dosi Dosev. Владелец: Rosemount Aerospace Inc. Дата публикации: 2020-09-05.

Aluminum nitride substrate manufacturing method, aluminum nitride substrate, and method of removing strain layer introduced into aluminum nitride substrate by laser processing

Номер патента: US20230212785A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Yoshitaka Nishio,Daichi DOJIMA,Moeko Matsubara. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2023-07-06.

Powder metallurgy tungsten crucible for aluminum nitride crystal growth

Номер патента: EP1440187A4. Автор: Leo J Schowalter,Glen A Slack. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2005-11-30.

Powder metallurgy tungsten crucible for aluminum nitride crystal growth

Номер патента: EP1440187A2. Автор: Leo J. Schowalter,Glen A. Slack. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2004-07-28.

Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth

Номер патента: US09670591B2. Автор: Leo J. Schowalter,Glen A. Slack,Robert T. Bondokov,Kenneth E. Morgan. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Powder metallurgy tungsten crucible for aluminum nitride crystal growth

Номер патента: EP1440187B1. Автор: Leo J. Schowalter,Glen A. Slack. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2011-08-17.

Powder metallurgy tungsten crucible for aluminum nitride crystal growth

Номер патента: AU2002367470A1. Автор: Leo J. Schowalter,Glen A. Slack. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2003-10-08.

Aluminum nitride films and processes for producing the same

Номер патента: US3565704A. Автор: Ting Li Chu. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1971-02-23.

Method for washing aluminum nitride single crystal substrate, method for producing aluminum nitride single crystal layered body, and method for producing aluminum nitride single crystal substrate, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: US20230227997A1. Автор: Masayuki Fukuda,Hiroshi Furuya. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for enhancing aluminum nitride

Номер патента: US5520785A. Автор: Jong-Kai Lin,Keenan L. Evans,Hang M. Liaw. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-05-28.

Undercut-free patterned aluminum nitride structure and methods for forming the same

Номер патента: US20220018009A1. Автор: Yuan-Chih Hsieh,Hung-Hua Lin,Yi-Ren Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Undercut-free patterned aluminum nitride structure and methods for forming the same

Номер патента: EP3939934A1. Автор: Yuan-Chih Hsieh,Hung-Hua Lin,Yi-Ren Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Aluminum nitride passivated phosphors for electroluminescent displays

Номер патента: EP1574114A1. Автор: Guo Liu. Владелец: iFire Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-14.

Thermally conducting adhesive containing aluminum nitride

Номер патента: US5288769A. Автор: Robert W. Pennisi,James L. Davis,Marc V. Papageorge. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-02-22.

Growth of bulk single crystals of aluminum nitride from a melt

Номер патента: US5954874A. Автор: Charles Eric Hunter. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-09-21.

Growth of bulk single crystals of aluminum nitride

Номер патента: US5858086A. Автор: Charles Eric Hunter. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-01-12.

Process for producing unagglomerated single crystals of aluminum nitride

Номер патента: US5096860A. Автор: Sadashiv K. Nadkarni. Владелец: Alcan International Ltd Canada. Дата публикации: 1992-03-17.

Aluminum nitride passivated phosphors for electroluminescent displays

Номер патента: WO2004057925A1. Автор: Guo Liu. Владелец: Ifire Technology Corp.. Дата публикации: 2004-07-08.

Method for producing water-resistant aluminum nitride powder

Номер патента: US09399577B2. Автор: Yukihiro Kanechika,Megumu Tamagaki. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Method for Producing Aluminum Nitride Powder, Aluminum Nitride Powder, and Package

Номер патента: US20230137083A1. Автор: Hideki Satou,Yasuyuki Yamamoto. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Aluminum nitride powder, aluminum nitride-based ceramic sintered body, member for semiconductor manufacturing device, aluminum nitride luminescent material, and method of manufacturing aluminum nitride powder

Номер патента: US20070142205A1. Автор: Jun Yoshikawa,Yoshimasa Kobayashi,Naomi Teratani. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Method of manufacturing an aluminum nitride powder

Номер патента: US20090220404A1. Автор: Jun Yoshikawa,Yoshimasa Kobayashi,Naomi Teratani. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2009-09-03.

Aluminum nitride powder, resin composition, and thermally conductive molded object

Номер патента: US20170066908A1. Автор: Yoshiharu Hatakeyama,Kenichi Fujikawa,Yuji Yamagishi,Miho Yamaguchi,Akihiro Oohashi. Владелец: Nitto Shinko Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Aluminum nitride powder, resin composition, and thermally conductive molded object

Номер патента: US09663635B2. Автор: Yoshiharu Hatakeyama,Kenichi Fujikawa,Yuji Yamagishi,Miho Yamaguchi,Akihiro Oohashi. Владелец: Nitto Shinko Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for preparing aluminum nitride powder based on aluminum metal

Номер патента: US20240199421A1. Автор: Cheng-Hung Shih,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2024-06-20.

Oxynitride phosphor powder, silicon nitride powder for production of oxynitride phosphor powder, and production method of oxynitride phosphor powder

Номер патента: US09758720B2. Автор: Takayuki Ueda,Masataka Fujinaga,Takuma Sakai,Shinsuke Jida. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for producing aluminum nitride powder, aluminum nitride powder, and package

Номер патента: EP4101813A1. Автор: Hideki Satou,Yasuyuki Yamamoto. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2022-12-14.

Aluminum nitride powder and process for preparation of the same

Номер патента: US5049367A. Автор: Kazuhiko Nakano,Norio Matsuda,Mitsutoshi Murase,Hideaki Murakami. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1991-09-17.

Method of manufacturing caked structured ceramic product from aluminum nitride

Номер патента: RU2193543C2. Автор: Анатолий Сударев,Владимир Гришаев,Патрик АВРАН. Владелец: Онера (Оффис Насьональ Д'Этюд Э Де Решерш Аэроспасьяль). Дата публикации: 2002-11-27.

Process for producing sinterable crystalline aluminum nitride powder

Номер патента: CA2008645C. Автор: Masao Tanaka,Kazuo Wakimura,Atsuhiko Hiai. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals Inc. Дата публикации: 1997-05-13.

Process for preparing high purity aluminum nitride

Номер патента: US4806330A. Автор: Peter J. Melling,Ibrahim Sekercioglu,Beebhas C. Mutsuddy. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 1989-02-21.

Method for preparing aluminum nitride

Номер патента: US20180148335A1. Автор: Swe-Kai Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-05-31.

High thermal conductivity aluminum nitride ceramic body

Номер патента: US4547471A. Автор: Irvin C. Huseby,Carl F. Bobik. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1985-10-15.

Process for producing aluminum nitride powder

Номер патента: US4917877A. Автор: Akira Murase,Akihiko Tsuge,Hachiro Ichikawa,Masanory Oguni,Hiroo Ozawa. Владелец: Nippon Light Metal Co Ltd. Дата публикации: 1990-04-17.

Pressureless sintering process to produce high thermal conductivity ceramic body of aluminum nitride

Номер патента: US4578233A. Автор: Irvin C. Huseby,Carl F. Bobik. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-03-25.

Process for producing aluminum nitride sintered body

Номер патента: CA1266063A. Автор: Hitofumi Taniguchi,Nobuyuki Kuramoto. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 1990-02-20.

Manufacturing method for an aluminum nitride sintered body

Номер патента: US4755491A. Автор: Sachihiko Miwa. Владелец: Onoda Cement Co Ltd. Дата публикации: 1988-07-05.

Hydrophobic aluminum nitride powder and method for producing the same

Номер патента: US20230416501A1. Автор: Yoshitaka Inaki,Hisamori Inagawa. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Process for producing aluminum nitride sintered body

Номер патента: US5242872A. Автор: Hitofumi Taniguchi,Nobuyuki Kuramoto. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 1993-09-07.

Method for producing silicon-containing oxide-coated aluminum nitride particle

Номер патента: US20240327646A1. Автор: Naoki Minorikawa,Hiroki Sugimoto,Ikue KOBAYASHI. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for forming an aluminum nitride layer

Номер патента: US12068734B2. Автор: Maximilian SCHIEK,Christian Ceranski,Günter SCHEINBACHER. Владелец: RF360 Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for producing sintered aluminum nitride granules

Номер патента: US09403680B2. Автор: Yutaka Fukunaga,Yukihiro Kanechika. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for production of high purity aluminum nitrides

Номер патента: US4767607A. Автор: Donald M. Schleich. Владелец: Polytechnic Institute of NYU. Дата публикации: 1988-08-30.

Method for production of high purity aluminum nitrides

Номер патента: CA1301430C. Автор: Donald M. Schleich. Владелец: POLYTECHNIC UNIVERSITY (THE). Дата публикации: 1992-05-26.

Aluminum nitride assemblage

Номер патента: EP4409622A1. Автор: Chengtsin Lee,David CARLONI. Владелец: Morgan Advanced Ceramics Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Aluminum nitride sintered body, method of making the same, and semiconductor manufacturing equipment component using aluminum nitride sintered body

Номер патента: US20210017087A1. Автор: Noriyuki NARUSE. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Process for Producing an Aluminum Nitride Sintered Body

Номер патента: US20080300128A1. Автор: Masanobu Azuma,Yukihiro Kanechika. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Method of manufacturing aluminum nitride structure with anisotropic properties

Номер патента: US5284537A. Автор: Fumio Ueno,Mitsuo Kasori,Akihiro Horiguchi,Yoshiko Goto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-02-08.

Hexagonal boron nitride powder and method for producing same, and cosmetic preparation and method for producing same

Номер патента: US20240277586A1. Автор: Ryuki MATSUI. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Process for producing aluminum nitride and aluminum nitride

Номер патента: US20040022715A1. Автор: Hirohisa Miura,Hirofumi Matunaga. Владелец: Ibaragi Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

Boron-nitride powder and resin composition containing same

Номер патента: US09656868B2. Автор: Taiki Nishi,Toshikatsu Mitsunaga,Koki IKARASHI. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of forming metallized layer on aluminum nitride base material

Номер патента: CA2044508C. Автор: Akira Yamakawa,Nobuo Ogasa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-06-25.

Aluminum nitride granular powder and resin composition

Номер патента: EP4317058A1. Автор: Akimasa Kuramoto,Yutaka Fukunaga,Makoto Takakusaki,Masato CHIBURI. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Aluminum nitride granular powder and resin composition

Номер патента: US20240026119A1. Автор: Akimasa Kuramoto,Yutaka Fukunaga,Makoto Takakusaki,Masato CHIBURI. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Aluminum nitride-based sintered compact and semiconductor holding device

Номер патента: EP3632877A1. Автор: Yucong Wang,Masahiro Satou,Kazuhiro Kuchimachi. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2020-04-08.

Method for forming an aluminum nitride layer

Номер патента: WO2019166285A1. Автор: Maximilian SCHIEK,Christian Ceranski,Günter SCHEINBACHER. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2019-09-06.

Hexagonal boron nitride powder, and method for producing same

Номер патента: EP4299511A1. Автор: Shota Daiki,Tomoyuki Kakigi. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Sintered aluminum nitride body and metallized substrate prepared therefrom

Номер патента: CA2252075C. Автор: Motoyuki Tanaka,Masuhiro Natsuhara,Yasuhisa Yushio,Kazutaka Sasaki,Hirohiko Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-11-27.

Aluminum nitride sintered body formed with metallized layer and method of manufacturing the same

Номер патента: CA1333241C. Автор: Akira Sasame,Hitoyuki Sakanoue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1994-11-29.

Controlled dielectric loss aluminum nitride

Номер патента: WO1997035816A1. Автор: Rudolph C. Enck,Jonathan H. Harris,Robert A. Youngman,Thomas S. Nemecek. Владелец: Carborundum Corporation. Дата публикации: 1997-10-02.

A silicon oxynitride or an oxydized silicon nitride powder of the general formula si(x)o(y)n(z), a preparation method thereof and the use thereof in antipathogen products

Номер патента: EP4214178A1. Автор: WEI Xia,Håkan ENGQVIST,Ioannis KATSAROS. Владелец: Viaton Ab. Дата публикации: 2023-07-26.

A silicon oxynitride or an oxydized silicon nitride powder of the general formula si(x)o(y)n(z), a preparation method thereof and the use thereof in antipathogen products

Номер патента: WO2022060271A8. Автор: WEI Xia,Håkan ENGQVIST,Ioannis KATSAROS. Владелец: Viaton Ab. Дата публикации: 2022-08-18.

Method to synthesize highly luminescent doped metal nitride powders

Номер патента: WO2005104767A3. Автор: Alan C Thomas,Rafael Garcia,Abigail Bell,Fernando A Ponce. Владелец: Fernando A Ponce. Дата публикации: 2006-01-26.

Aluminum nitride film, method of manufacturing aluminum nitride film, and high withstand voltage component

Номер патента: US20190002281A1. Автор: Tetsuo Inoue,Mari Shimizu,Shuichi Saito,Takashi Hino,Atsushi Yumoto. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Aluminum nitride sintered compact and method for producing same

Номер патента: US20200148598A1. Автор: Daisuke Miyamoto,Kosuke SHIOI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-05-14.

Aluminum nitride assemblage

Номер патента: WO2023055605A1. Автор: Chengtsin Lee,David CARLONI. Владелец: Morgan Advanced Ceramics, Inc.. Дата публикации: 2023-04-06.

Modified aluminum nitride particles and methods of making the same

Номер патента: US20210009811A1. Автор: Li Yao,Jimmie R. Baran, Jr.,Nathan E. Schultz,Gerry A. Hoffdahl,Tien T. Wu. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-01-14.

Boron nitride powder

Номер патента: EP4414324A1. Автор: Takayuki Iwasaki,Kenji Fukao,Kosuke Wada. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Highly water repellent and highly oil absorbent boron nitride powder, method for manufacturing the same, and cosmetic

Номер патента: US20150374596A1. Автор: Masato Kumagai,Takahisa Koshida,Shoichi Hiwasa. Владелец: Mizushima Ferroalloy Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Hexagonal boron nitride powder and method for producing same

Номер патента: EP4455077A1. Автор: Makoto ABURATANI. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-10-30.

Method for preparing monocrystalline aluminum nitride

Номер патента: US3598526A. Автор: James O Huml,Gilbert S Layne. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1971-08-10.

Method for preparing aluminum nitride and metal fluoride single crystals

Номер патента: US3607014A. Автор: James O Huml,Gilbert S Layne. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1971-09-21.

Method for manufacturing aluminum nitride sintered body in which via hole is made

Номер патента: CA2381403C. Автор: Reo Yamamoto,Yoshihide Kamiyama. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2007-03-27.

Dense molded bodies of polycrystalline aluminum nitride and process for preparation without use of sintering aids

Номер патента: CA1261887A. Автор: Karl-Alexander Schwetz,Klaus Hunold,Alfred Lipp,Wolfgang Grellner,Max Mohr. Владелец: Elektroschmelzwerk Kempten GmbH. Дата публикации: 1989-09-26.

Preparation of aluminum nitride

Номер патента: US3607046A. Автор: Charles M Little,Richard A Murie. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1971-09-21.

Impurity control during formation of aluminum nitride crystals and thermal treatment of aluminum nitride crystals

Номер патента: US11939700B2. Автор: Toru Kimura,Leo J. Schowalter,Thomas Miebach,Keisuke Yamaoka,Robert T. Bondokov,James R. Grandusky,Jianfeng Chen,Shichao Wang. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Laminate of aluminum nitride single-crystal substrate

Номер патента: US11952677B2. Автор: Masao Ariyuki. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Surface treated aluminum nitride baffle

Номер патента: US20160145743A1. Автор: Dmitry Lubomirsky,Muhammad M. Rasheed. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Surface treated aluminum nitride baffle

Номер патента: WO2010022212A2. Автор: Dmitry Lubomirsky,Muhammad M. Rasheed. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-02-25.

Process for making aluminum nitride substate

Номер патента: RU2293136C2. Автор: Марк ФЕРРАТО,Ален ПТИБОН,Жан ЖАРРИЖ. Владелец: Альстом. Дата публикации: 2007-02-10.

Process of producing aluminum nitride multiple-layer circuit board

Номер патента: US5683529A. Автор: Nobuo Kamehara,Hiroshi Makihara,Koji Omote,Mineharu Tsukada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-11-04.

Dense molded bodies of polycrystalline aluminum nitride and process for preparation without use of sintering aids

Номер патента: US4803183A. Автор: Karl-Alexander Schwetz,Klaus Hunold,Alfred Lipp,Wolfgang Grellner,Max Mohr. Владелец: Elektroschmelzwerk Kempten GmbH. Дата публикации: 1989-02-07.

Surface treated aluminum nitride baffle

Номер патента: WO2010022212A3. Автор: Dmitry Lubomirsky,Muhammad M. Rasheed. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-05-14.

Aluminum nitride particle

Номер патента: US20210114876A1. Автор: Akimasa Kuramoto,Yukihiro Kanechika. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Aluminum nitride particles

Номер патента: EP3617138A1. Автор: Akimasa Kuramoto,Yukihiro Kanechika. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2020-03-04.

Aluminum nitride dopant scheme for bulk acoustic wave filters

Номер патента: US12101076B2. Автор: Michael David Hill. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Direct bonding of copper to aluminum nitride substrates

Номер патента: CA2076549A1. Автор: Constantine A. Neugebauer,Kyung W. Paik. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-06-25.

Hexagonal boron nitride powder and method for producing same, and cosmetic and method for producing same

Номер патента: US20240270576A1. Автор: Ryuki MATSUI. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Hexagonal boron nitride powder and method for producing same, and cosmetic preparation and method for producing same

Номер патента: US20240279061A1. Автор: Ryuki MATSUI. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Hexagonal Boron Nitride Aggregated Particles, Hexagonal Boron Nitride Powder, Resin Composition, and Resin Sheet

Номер патента: US20240308861A1. Автор: Teruhiko Nawata,Satoru Yoshida,Shota Daiki,Kyouichi Fujinami. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Aluminum nitride sintered body and method of preparing the same

Номер патента: CA2277346C. Автор: Motoyuki Tanaka,Masuhiro Natsuhara,Yasuhisa Yushio,Kazutaka Sasaki,Hirohiko Nakata,Yasuhiro Murase. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-11-23.

Method for flat firing aluminum nitride/tungsten electronic modules

Номер патента: US5932043A. Автор: Benjamin Vito Fasano,Robert Hannon,Carla Natalia Cordero,David Brian Goland,Lester Wynn Herron,Gregory Marvin Johnson,Andrew Michael Reitter,Subhash Laxman Shinde,Richard Allen Bates,Lisa Michelle Studzinski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-08-03.

Aluminum nitride sintered body and process for preparation thereof

Номер патента: US5250478A. Автор: Yoshihiro Okawa,Masanobu Ishida. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 1993-10-05.

Silicon-containing aluminum nitride particles, method for producing same, and light emitting device

Номер патента: US20200198968A1. Автор: Shoji Hosokawa,Shimpei KINOSHITA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Silicon-containing aluminum nitride particles, method for producing same, and light emitting device

Номер патента: US20230416090A1. Автор: Shoji Hosokawa,Shimpei KINOSHITA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Silicon-containing aluminum nitride particles, method for producing same, and light emitting device

Номер патента: US11807528B2. Автор: Shoji Hosokawa,Shimpei KINOSHITA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Aluminium nitride sintered body, member for semiconductor manufacturing device, and method of manufacturing aluminum nitride sintered body

Номер патента: EP1837318A3. Автор: Jun Yoshikawa,Naohito Yamada,Yoshimasa Kobayashi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2010-04-21.

Aluminum nitride crystals having low urbach energy and high transparency to deep-ultraviolet wavelengths

Номер патента: US20190382919A1. Автор: Toru Kimura,Leo J. Schowalter,Thomas Miebach,Keisuke Yamaoka,Robert T. Bondokov,James R. Grandusky,Jianfeng Chen,Shichao Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of producing carbide and carbon nitride powders containing binder, and cermet obtained from the same

Номер патента: US20140100103A1. Автор: Sung-Wook Cho,Han-Jung Kwon,Ji-Woong Kim,Jae-Won Lim,Ki-Min Roh,Dae-Sup Kil,Sun-A Jung. Владелец: Korea Institute of Geoscience and Mineral Resources KIGAM. Дата публикации: 2014-04-10.

Boron nitride powder, heat dissipation sheet, and method for producing heat dissipation sheet

Номер патента: EP4253315A1. Автор: Kosuke Wada,Kiyotaka Fuji. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Hexagonal Boron Nitride Powder

Номер патента: US20240092998A1. Автор: Shota Daiki,Yuuichi Ikeda. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for producing spherical silicon nitride powder

Номер патента: US20190177162A1. Автор: Kuan-Ting Lai,Chun-Te Wu,Cheng-Hung Shih,Yang-Kuo Kuo. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2019-06-13.

Hexagonal boron nitride powder

Номер патента: EP4279448A1. Автор: Shota Daiki,Yuuichi Ikeda. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Hexagonal Boron Nitride Powder and Method for Producing the Same

Номер патента: US20240150186A1. Автор: Shota Daiki,Tomoyuki Kakigi. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Boron nitride powder, heat dissipation sheet, and method for producing heat dissipation sheet

Номер патента: US20240026198A1. Автор: Kosuke Wada,Kiyotaka Fuji. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for producing hexagonal boron nitride powder

Номер патента: EP4129898A1. Автор: Teruhiko Nawata,Yuichi Ikeda,Kyoichi Fujinami,Shota Daiki. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-02-08.

Method for producing hexagonal boron nitride powder

Номер патента: CA3167241A1. Автор: Teruhiko Nawata,Yuichi Ikeda,Kyoichi Fujinami,Shota Daiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for producing hexagonal boron nitride powder

Номер патента: US20230134671A1. Автор: Teruhiko Nawata,Yuichi Ikeda,Kyoichi Fujinami,Shota Daiki. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Process for producing unagglomerated single crystals of aluminum nitride

Номер патента: US5190738A. Автор: Luc Parent. Владелец: Alcan International Ltd Canada. Дата публикации: 1993-03-02.

High dense sintered body of aluminum nitride, method for preparing the same and member for manufacturing semiconductor using the sintered body

Номер патента: US20060240972A1. Автор: Sung-Min Lee,Min-Woo Lee,Hyung Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Process for producing small particles of aluminum nitride and particles so-produced

Номер патента: US5246683A. Автор: Mukesh Jain,Luc Parent. Владелец: Alcan International Ltd Canada. Дата публикации: 1993-09-21.

Process for manufacturing aluminum nitride whiskers

Номер патента: US5688320A. Автор: Vladimir Nikolaevich Gribkov,Boris Vladimirovich Shchetanov,Eric Loguinovitch Umantsev,Vladimir Alexandrovich Silaev,Yurii Alexeevich Gorelov,Piotr Phiodorovich Lyasota. Владелец: VIAM. Дата публикации: 1997-11-18.

Sintered aluminum nitride

Номер патента: US5874378A. Автор: Masanobu Ishida,Hiroshi Okayama,Toshihiro Iwaida. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 1999-02-23.

Boron nitride powder and method for producing boron nitride powder

Номер патента: US20230357007A1. Автор: Takaaki Tanaka,Go Takeda,Hiroyuki Shiotsuki. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Substituted aluminum nitride for improved acoustic wave filters

Номер патента: US11778915B2. Автор: Peter Ledel Gammel,Michael David Hill. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Boron nitride powder and resin composition

Номер патента: US20240217819A1. Автор: Kenji Miyata,Yusuke Sasaki,Takako Arai,Tomonari MIYAZAKI. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Hexagonal boron nitride agglomerated particles, hexagonal boron nitride powder, resin composition, and resin sheet

Номер патента: EP4303180A1. Автор: Teruhiko Nawata,Satoru Yoshida,Shota Daiki,Kyouichi Fujinami. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-01-10.

Boron nitride powder and resin composition

Номер патента: US20220073698A1. Автор: Yusuke Sasaki,Fumihiro Kurokawa,Kohki Ichikawa. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Zirconium nitride powder coated with alumina and process for producing the same

Номер патента: US11999860B2. Автор: Kensuke Kageyama,Naoyuki AIBA. Владелец: Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Hexagonal boron nitride powder

Номер патента: EP3835259A1. Автор: Seiji Nabeshima,Yumi Nakagawa,Shigeyuki Katayama,Masaomi Kuroda,Masashi Miyaguchi. Владелец: Mizushima Ferroalloy Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-16.

Aggregated boron nitride particles, boron nitride powder, heat-conductive resin composition, and heat-dissipation sheet

Номер патента: EP4257545A1. Автор: Kosuke Wada,Kiyotaka Fuji. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Modified boron nitride powder

Номер патента: EP4023207A1. Автор: Makoto ABURATANI. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2022-07-06.

Modified boron nitride powder

Номер патента: US20220281744A1. Автор: Makoto ABURATANI. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Zirconium-containing nitride powder and ultraviolet ray-curable black organic composition

Номер патента: US20230382733A1. Автор: Masaya Karube,Tasuku Sugiura. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Aggregated boron nitride particles, boron nitride powder, heat-conductive resin composition, and heat-dissipation sheet

Номер патента: US20240052226A1. Автор: Kosuke Wada,Kiyotaka Fuji. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Hexagonal boron nitride powder and method for producing same, and cosmetics and method for manufacturing same

Номер патента: US20240208817A1. Автор: Ryuki MATSUI. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Hexagonal boron nitride powder for cosmetics, and cosmetic

Номер патента: US20240197582A1. Автор: Ryuki MATSUI. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Large aluminum nitride crystals with reduced defects and methods of making them

Номер патента: US09598791B2. Автор: Leo J. Schowalter,Glen A. Slack,Kenneth E. Morgan,Robert Bondokov. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Aluminum nitride piezoelectric thin film, piezoelectric material, piezoelectric component, and method for manufacturing aluminum nitride piezoelectric thin film

Номер патента: US20160372653A1. Автор: Atsushi Honda,Morito Akiyama,Keiko Nishikubo,Keiichi Umeda,Toshimi Nagase. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-12-22.

Thermal control for formation and processing of aluminum nitride

Номер патента: US11913136B2. Автор: Takashi Suzuki,Leo J. Schowalter,Keisuke Yamaoka,Robert T. Bondokov,Shailaja P. Rao,Jianfeng Chen,Shichao Wang. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Systems and methods for rapid inactivation of SARS-CoV-2 by silicon nitride and aluminum nitride

Номер патента: US11844344B2. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Preparation method of aluminum nitride composite structure based on two-dimensional (2d) crystal transition layer

Номер патента: US20240141549A1. Автор: Fang Liu,Bo Shen,Yucheng Guo,Zhaoying Chen,Xinqiang Wang,Bowen SHENG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-02.

Large, UV-transparent aluminum nitride single crystals

Номер патента: US11828002B2. Автор: Takashi Suzuki,Leo J. Schowalter,Keisuke Yamaoka,Robert T. Bondokov,Shailaja P. Rao,Jianfeng Chen,Shichao Wang. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Aluminum nitride passivation layer for mercury cadmium telluride in an electrical device

Номер патента: US11851785B2. Автор: Andrew Clarke,George Grama,David R. Rhiger,Stuart B. Farrell. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-12-26.

Hexagonal boron nitride powder

Номер патента: EP4349774A1. Автор: Yuichi Ikeda,Kohei Ueda,Satoru Yoshida,Shota Daiki,Yuuki Hirozane,Tetsuta KOIZUMI. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-04-10.

Process for production of spherical aluminum nitride powder, and spherical aluminum nitride powder produced by the process

Номер патента: EP2530049A1. Автор: Kazutaka Watanabe,Takehiko Yoneda. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

Process for production of spherical aluminum nitride powder, and spherical aluminum nitride powder produced by the process

Номер патента: WO2011093488A1. Автор: 一孝 渡辺,武彦 米田. Владелец: 株式会社トクヤマ. Дата публикации: 2011-08-04.

Process for production of spherical aluminum nitride powder, and spherical aluminum nitride powder produced by the process

Номер патента: TW201132579A. Автор: Kazutaka Watanabe,Takehiko Yoneda. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2011-10-01.

An inert gas atomization process for producing fine spherical aluminum powder

Номер патента: LU503750B1. Автор: Shejun Ma. Владелец: Henan Yuanyang Powder Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE POWDER AND ALUMINUM NITRIDE POWDER PREPARED THEREBY

Номер патента: US20160272497A1. Автор: KIM Shin-a,KOO Jae-Hong,CHUNG Yong-Kwon,CHI Eun-Ok. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Apparatus and method of manufacturing aluminum nitride powder and aluminum nitride powder prepared thereby

Номер патента: KR101766004B1. Автор: 정용권,김신아,지은옥,구재홍. Владелец: 오씨아이 주식회사. Дата публикации: 2017-08-24.

Apparatus and method for producing aluminum nitride powder and aluminum nitride powder

Номер патента: CN105984859A. Автор: 郑镛权,具宰弘,金新芽,池银玉. Владелец: DC Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-05.

Isobutane dehydrogenation catalyst with carrier being spherical aluminum-containing mesoporous molecular sieve silica gel composite material, and preparation method and application thereof

Номер патента: CN110614112A. Автор: 刘东兵,刘红梅,亢宇. Владелец: China Petrochemical Corp. Дата публикации: 2019-12-27.

Preparation method of nano aluminum nitride powder

Номер патента: CN108101545B. Автор: 王浩,何庆,章林,秦明礼,曲选辉,贾宝瑞,吴昊阳,鲁慧峰. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2022-04-12.

Silica-coated aluminum nitride powders with improved properties and methos for their preparation

Номер патента: WO1999014036A1. Автор: Thomas J. Mroz. Владелец: Advanced Refractory Technologies, Inc.. Дата публикации: 1999-03-25.

A kind of preparation method of nano aluminum nitride powder

Номер патента: CN108101545A. Автор: 王浩,何庆,章林,秦明礼,曲选辉,贾宝瑞,吴昊阳,鲁慧峰. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2018-06-01.

Nano aluminum nitride powder synthesis production line

Номер патента: CN112299385A. Автор: 王澎,韩召,任小平,陆献平. Владелец: Zhejiang Yuyao New Material Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Device and method for continuously synthesizing aluminum nitride powder by using conveying bed under normal pressure

Номер патента: CN114130341A. Автор: 王立,刘传平,张文聪,尹少武,童莉葛. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2022-03-04.

Aluminum nitride ceramics, a member used for the manufacture of semiconductors, and method for producing an aluminum nitride sintered body

Номер патента: TWI258460B. Автор: Yuji Katsuda,Naomi Teratani. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2006-07-21.

Silicon nitride phosphorescent substance alpha-silicon nitride powders, utilize the CaAlSiN of this powder 3phosphorescent substance, utilize the Sr of this powder 2si 5n 8phosphorescent substance, utilize (Sr, Ca) AlSiN of this powder 3phosphorescent substance, utilize the La of this powder 3si 6n 11the manufacture method of phosphorescent substance and this phosphorescent substance

Номер патента: CN103201213B. Автор: 藤永昌孝,酒井拓马,治田慎辅,上田孝之. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-13.

Process for Continuous Preparation of Aluminum Nitride by Carbon Nitriding of Alumina in a Movable Bed Reactor

Номер патента: NO314895B1. Автор: Roland Bachelard,Pierre Ravenel. Владелец: Atochem Elf Sa. Дата публикации: 2003-06-10.

Jointed body of aluminum nitride-based ceramics substrate, method of manufacturing jointed body of aluminum nitride-based ceramics base, and bonding agent

Номер патента: JP3604888B2. Автор: 勉 今井,玄章 大橋. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2004-12-22.

Process for the production of aluminum nitride crystals or aluminum nitride mixed crystals

Номер патента: AT288318B. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1971-02-25.

Method of manufacturing aluminum nitride wafer and the aluminum nitride wafer thereof

Номер патента: TW202134490A. Автор: 曾彥凱,江柏萱. Владелец: 鴻創應用科技有限公司. Дата публикации: 2021-09-16.

Aluminum nitride ceramics, a member used for the manufacture of semiconductors, and method for producing an aluminum nitride sintered body

Номер патента: TW200413269A. Автор: Yuji Katsuda,Naomi Teratani. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2004-08-01.

Aluminum nitride sintered body, metal including member, electrostatic chuck, method of producing aluminum nitride sintered body, and method of producing metal including member

Номер патента: TW403730B. Автор: Hiromichi Kobayashi,Naohito Yamada,Hiroki Bessho,Yukimasa Mori. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2000-09-01.

Aluminum nitride sintered compact, metallized substrate, heater,jig and method for producing aluminum nitride sintered compact

Номер патента: AU2003252740A1. Автор: Sadamu Ishidu,Yasushi Tsuzuki,Yasushi Itoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-03-03.

Silicon nitride powder for mold release agent of casting mold for casting polycrystalline silicon ingot and method for manufacturing said silicon nitride powder, slurry containing said silicon nitride powder, casting mold for casting polycrystalline silicon ingot and method for manufacturing same, and method for manufacturing polycrystalline silicon ingot using said casting mold

Номер патента: US20160159648A1. Автор: Takeshi Yamao,Takayuki Fujii,Michio Honda,Shinsuke Jida. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Particulate aluminum nitride and method for production thereof

Номер патента: EP1535880A4. Автор: Masayuki Mori. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 2007-05-02.

Method for producing aluminum nitride sintered compact

Номер патента: EP1553067B1. Автор: Y. Itami Works Sumitomo Electric Ind. Ltd Itoh,S. Itami Works Sumitomo Electric Ind. Ltd Ishidu,Y. Itami Works Sumitomo Electric Ind Ltd Tsuzuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-07-21.

An aluminum nitride ceramic and a member used for the production of semiconductors

Номер патента: EP1420004B1. Автор: Naomi c/o Intellectual Property Dept. Teratani,Yuji c/o Intellectual Property Dept. Katsuda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2011-01-05.

PLANT FOR PRODUCING DISPERSED ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: RU2014139238A. Автор: Аскольд Рафаилович Бекетов,Андрей Александрович Елагин,Михаил Владимирович Баранов,Роман Александрович Шишкин,Валерия Сергеевна Кудякова,Юрий Дмитриевич Афонин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2016-04-20.

Silicon nitride powder for mold release agent of polycrystalline silicon ingot casting mold and manufacturing method thereof, slurry containing silicon nitride powder, casting mold for polycrystalline silicon ingot and manufacturing method thereof, and polycrystalline silicon using the mold Manufacturing method of ingot casting

Номер патента: JP5975176B2. Автор: 猛 山尾,慎輔 治田,道夫 本田,孝行 藤井. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Tantalum nitride powder for release agent for mold for casting of polycrystalline ingot, method for producing the same, slurry containing the tantalum nitride powder, mold for casting polycrystalline ingot, method for producing the same, and method for producing polycrystalline ingot using the same

Номер патента: TWI624429B. Автор: Takeshi Yamao,Takayuki Fujii,Michio Honda,Shinsuke Jida. Владелец: Ube Industries. Дата публикации: 2018-05-21.

Method for producing fine silicon powder, and method for producing fine silicon nitride powder

Номер патента: SG11201708638PA. Автор: Masahiko Ikeuchi,Hideaki Minami,Hirofumi Inada,Toyohiro Yamamoto,Taigo Takaishi,Yuya Arakawa,Tatsuro Gueshi,Makoto Kawata,Junichiro Kadono. Владелец: Kyoto Municipal Institute Of Industrial Tech And Culture. Дата публикации: 2017-11-29.

Aluminum Nitride Synthesis from Nut Shells

Номер патента: US20210045417A1. Автор: Qadri Syed B.,Rath Bhakta B.,Gorzkowski,III Edward P.. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2021-02-18.

MOLTEN IRON-ASSISTED METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE AND DEVICE THEREOF

Номер патента: US20170107110A1. Автор: CHEN Swe-Kai. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Method of preparing heterogeneous stacked co-fired ceramic for use in an aluminum nitride electrostatic chuck

Номер патента: US20150155194A1. Автор: Lea-Hwung Leu,Cheng-Hung Shih,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2015-06-04.

Wear-Resistant, High Durability Industrial Ceramic Cutting Edges and Tools made from Sintered Polycrystalline Composites Based on Aluminum Nitride

Номер патента: US20140349117A1. Автор: Sastri Suri A.. Владелец: Surmet Corporation. Дата публикации: 2014-11-27.

BONDING MATERIAL COMPOSITION, ALUMINUM NITRIDE BONDED BODY, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20160361900A1. Автор: Goto Masashi,KATSUDA Yuji,NISHIMURA Noboru. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2016-12-15.

Aluminum nitride sintered bodies and members for semiconductor producing apparatus

Номер патента: KR100445050B1. Автор: 가츠다유지,츠루다히데요시. Владелец: 니뽄 가이시 가부시키가이샤. Дата публикации: 2004-08-21.

Process for the continuous preparation of aluminum nitride by carbonitriding alumina.

Номер патента: FR2710048B1. Автор: Disson Jean-Pierre,Ravenel Pierre,Bachelard Roland. Владелец: Elf Atochem SA. Дата публикации: 1995-11-03.

Porous body comprising particles of aluminum nitride, process for their preparation and their applications

Номер патента: FR2717172A1. Автор: Disson Jean-Pierre,Bachelard Roland. Владелец: Elf Atochem SA. Дата публикации: 1995-09-15.

PROCESS FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: FR2907110A1. Автор: Matthieu Boehm,Alexandre Dessainjean,Jean Remi Butruille. Владелец: Alcan International Ltd Canada. Дата публикации: 2008-04-18.

Process for the continuous preparation of aluminum nitride by carbonitriding alumina.

Номер патента: FR2710048A1. Автор: Disson Jean-Pierre,Ravenel Pierre,Bachelard Roland. Владелец: Elf Atochem SA. Дата публикации: 1995-03-24.

Spherical aluminum nitride powder and method for producing spherical aluminum nitride powder

Номер патента: EP3835260B1. Автор: Daisuke Kato,Mitsutaka Takahashi,Fuyuki Ito. Владелец: Maruwa Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Spherical aluminum nitride powder and method for producing spherical aluminum nitride powder

Номер патента: US20210246024A1. Автор: Daisuke Kato,Mitsutaka Takahashi,Fuyuki Ito. Владелец: Maruwa Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Manufacturing method of aluminum nitride powder, aluminum nitride sintered body, and manufacturing method of the aluminum nitride sintered body

Номер патента: KR101079312B1. Автор: 박종철,김수룡,김유진,피재환. Владелец: 한국세라믹기술원. Дата публикации: 2011-11-04.

Aluminum nitride powder and method of producing same

Номер патента: EP4105174A4. Автор: Masato Hamamoto,Yoshiaki Yamashita,Yoshinori Tagashira. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Rare earth-activated aluminum nitride powders and method of making

Номер патента: EP1989158A4. Автор: Bing Han,Kailash C Mishra,Madis Raukas,Keith A Klinedinst,Jonathan Tap,Jan B Talbot. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2010-03-17.

Rare earth-activated aluminum nitride powders and

Номер патента: TWI352064B. Автор: Bing Han,Kailash C Mishra,Madis Raukas,Keith A Klinedinst,Jonathan Tao,Jan B Talbot. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2011-11-11.

Aluminum nitride sintered body and method for producing aluminum nitride powder

Номер патента: JP2967094B2. Автор: 正明 小畑,修三 神崎,優喜 大橋,喜代司 平尾,素弘 鳥山. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1999-10-25.

Aluminum nitride powder and aluminum nitride sintered compact

Номер патента: US20090295046A1. Автор: Hiroshi Murata,Takeshi Gotoh,Kohki Ichikawa. Владелец: Denki Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 2009-12-03.

Aluminum nitride powder and aluminum nitride sintered compact

Номер патента: US20080200326A1. Автор: Hiroshi Murata,Takeshi Gotoh,Kohki Ichikawa. Владелец: Denki Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 2008-08-21.

Aluminum nitride powder and aluminum nitride sintered compact

Номер патента: EP1731482A4. Автор: Kohki Ichikawa,Takeshi; Gotoh,Hiroshi; Murata. Владелец: Denki Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 2011-12-14.

Spherical aluminum-based catalyst carrier based on composite hydrogel molding and preparation method thereof

Номер патента: CN113289595B. Автор: 刘博男,庞泉德,庞春霞,骆国庆. Владелец: Zibo Kaimai New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-10-14.

PROCESS FOR MANUFACTURING SPHERICAL ALUMINUM PARTICLES

Номер патента: BR7602252A. Автор: R Johnson,A Wilks. Владелец: Uop Inc. Дата публикации: 1976-10-12.

Manufacturing method of modified aluminum nitride raw material, modified aluminum nitride raw material, manufacturing method of aluminum nitride crystals, and downfall defect prevention method

Номер патента: EP4137620A4. Автор: Tadaaki Kaneko,Yoshitaka Nishio,Daichi DOJIMA,Moeko Matsubara. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2024-05-22.

Hexagonal boron nitride powder, method for producing same, resin composition and resin sheet

Номер патента: US20190337803A1. Автор: Yuki Otsuka,Masaru FUKASAWA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-11-07.

Hexagonal boron nitride powder, method for producing same, resin composition and resin sheet

Номер патента: EP3562779A1. Автор: Yuki Otsuka,Masaru FUKASAWA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-11-06.

ALUMINUM NITRIDE POWDERS

Номер патента: US20150353355A1. Автор: Wang Meng,KANECHIKA Yukihiro,Fukunaga Yutaka,SUGAWARA Ken. Владелец: TOKUYAMA CORPORATION. Дата публикации: 2015-12-10.

Aluminum nitride powder and preparation method and application thereof

Номер патента: CN113460981B. Автор: 陈烁烁,江楠,王高强. Владелец: Nanchong Three Circle Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-18.

ALUMINUM NITRIDE POWDER AND SINTERED BODY AND RESIN COMPOSITION CONTAINING THE SAME

Номер патента: FR2722492B1. Автор: Shinichiro Tanaka,Takeshi Miyai,Masahide Mohri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1997-03-14.

FINE ALUMINUM NITRIDE POWDER, COMPOSITION AND SINTERED BODIES FORMED THEREFROM, AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: FR2545810B1. Автор: Hitofumi Taniguchi,Nobuyuki Kuramoto. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 1990-07-13.

Sinterable aluminum nitride powders and the fabrication method thereof

Номер патента: KR100788196B1. Автор: 이승용,서경원,박종구. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2007-12-26.

Aluminum nitride powder sintered material and production thereof

Номер патента: KR940000730B1. Автор: 마사야 미야께,아끼라 야마가와,고우헤이 시모다,고이찌 소게베. Владелец: 나까하라 쯔네오. Дата публикации: 1994-01-28.

Aluminum nitride powder and manufacturing method thereof

Номер патента: TW202138291A. Автор: 田頭宜典,山下義晶,濵元正人. Владелец: 日商德山股份有限公司. Дата публикации: 2021-10-16.

Aluminum nitride powder, sintered body and production thereof

Номер патента: CA2028244A1. Автор: Masaya Miyake,Akira Yamakawa,Koichi Sogabe,Kouhei Shimoda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-02-07.

Process for preparing aluminum nitride powder

Номер патента: KR101399694B1. Автор: 정우식. Владелец: 영남대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-05-30.

Preparation method of nano-sized aluminum nitride powder

Номер патента: KR101284476B1. Автор: 정우식. Владелец: 영남대학교 산학협력단. Дата публикации: 2013-07-15.

ALUMINUM NITRIDE POWDER WITH IMPROVED WATER RESISTANCE

Номер патента: DE3925338A1. Автор: Yoshiki Hashizume,Masatoshi Uenishi,Takamasa Yokote. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 1990-02-08.

FINE ALUMINUM NITRIDE POWDER, COMPOSITION AND SINTERED BODIES FORMED THEREFROM, AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: FR2549822B1. Автор: Hitofumi Taniguchi,Nobuyuki Kuramoto. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 1991-02-08.

PROCEDURE FOR THE PRODUCTION OF ALUMINUM NITRIDE AND THEREFORE PRODUCED ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: DK601189A. Автор: Steven Douglas Poste,Narasimha Srinivasa Raghavan. Владелец: Alcan Int Ltd. Дата публикации: 1990-05-30.

Method for producing silicon-containing oxide-coated aluminum nitride particles, and silicon-containing oxide-coated aluminum nitride particles

Номер патента: EP3842383A4. Автор: Naoki Minorikawa,Hidetoshi Okamoto,Yuki Otsuka. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-06-08.

Manufacturing process of moisture resistant aluminum nitride and profiles obtained with this nitride

Номер патента: FR1279586A. Автор: Fritz Frehn. Владелец: Deutsche Edelstahlwerke AG. Дата публикации: 1961-12-22.

Aluminum nitride/yttrium nitride composite powder preparation method

Номер патента: CN106565246A. Автор: 乔梁,付丽,郑精武,车声雷,应耀,诸葛凯. Владелец: Zhejiang University of Technology ZJUT. Дата публикации: 2017-04-19.

Martensitic wear resistant alloy strengthened through aluminum nitrides

Номер патента: US12018343B2. Автор: Cong Yue Qiao,David M Doll. Владелец: LE Jones Co. Дата публикации: 2024-06-25.

Highly transparent aluminum nitride single crystalline layers and devices made therefrom

Номер патента: US09840790B2. Автор: Toru Kinoshita,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Zlatko Sitar,Toru Nagashima,Jinqiao Xie,Yuki Kubota,Raoul Schlesser,Rafael F. Dalmau,Baxter F. MOODY. Владелец: HexaTech Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

SILICON NITRIDE POWDER, SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND CIRCUIT SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHOD FOR SAID SILICON NITRIDE POWDER

Номер патента: US20170107109A1. Автор: Jida Shinsuke,Yamao Takeshi,Honda Michio. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Process for producing high purity silicon powder and silicon nitride powder from pesilicon

Номер патента: KR970027173A. Автор: 이병우,한원택. Владелец: 이진주. Дата публикации: 1997-06-24.

Method for manufacturing silicon nitride powder for manufacturing substrate and silicon nitride powder therefrom

Номер патента: KR20220131011A. Автор: 박규환,정훈. Владелец: 주식회사 아모텍. Дата публикации: 2022-09-27.

Fine aluminium nitride powder, composition and sintered bodies made with this powder and processes for their manufacture

Номер патента: FR2549822A1. Автор: Hitofumi Taniguchi,Nobuyuki Kuramoto. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 1985-02-01.

The manufacturing method of alpha-silicon nitride powders, silicon nitride sinter and circuit board and alpha-silicon nitride powders

Номер патента: CN106470939B. Автор: 治田慎辅,山尾猛,本田道夫. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2018-09-04.

Silicon nitride powder, silicon nitride sintered body and circuit substrate, and production method for said silicon nitride powder

Номер патента: TW201605763A. Автор: Takeshi Yamao,Michio Honda,Shinsuke Jida. Владелец: Ube Industries. Дата публикации: 2016-02-16.

Boron nitride powder, and method for producing boron nitride powder

Номер патента: TW202225089A. Автор: 松井隆貴. Владелец: 日商電化股份有限公司. Дата публикации: 2022-07-01.

Boron nitride powder, and method for producing boron nitride powder

Номер патента: WO2022071246A1. Автор: 孝明 田中,豪 竹田,宏幸 塩月. Владелец: デンカ株式会社. Дата публикации: 2022-04-07.

Silicon nitride powder for sintering

Номер патента: EP4137453A4. Автор: Hideaki Kawai,Satoru Wakamatsu. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

ALUMINUM NITRIDE PARTICLES

Номер патента: US20200010374A1. Автор: Kobayashi Yoshimasa,KOBAYASHI Hiroharu,Iida Kazuki. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2020-01-09.

Aluminum nitride particles

Номер патента: JP6346718B1. Автор: 博治 小林,和希 飯田,義政 小林. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-06-20.

Aluminum nitride granules and method for producing the same

Номер патента: JP2525074B2. Автор: 清章 廣川,人文 谷口. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 1996-08-14.

Aluminum nitride grains and process for their manufacture

Номер патента: DE4119695C2. Автор: Hitofumi Taniguchi,Kiyofumi Hirokawa. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 1998-08-20.

Silicon-containing oxide-coated aluminum nitride particles

Номер патента: CN114507382A. Автор: 御法川直树,大冢雄树,冈本英俊. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-05-17.

Highly transparent aluminum nitride single crystalline layers and devices made therefrom

Номер патента: WO2014031119A1. Автор: Toru Kinoshita,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Zlatko Sitar,Toru Nagashima,Jinqiao Xie,Yuki Kubota,Raoul Schlesser,Rafael F. Dalmau,Baxter F. MOODY. Владелец: Hexatech, Inc.. Дата публикации: 2014-02-27.

Spherical aluminum lithium germanium phosphate material and composite solid electrolyte prepared from same

Номер патента: CN112062117B. Автор: 刘欢,李智,彭冲,宋锡滨,田琰,林德宝. Владелец: Shanghai Guoci New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Preparation method of aluminum nitride powder

Номер патента: CN111847403B. Автор: 刘卫平,林伟毅,钟建智. Владелец: Fujian Zhenjing New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

Preparation method of high-purity aluminum nitride powder for high-thermal-conductivity filler

Номер патента: CN114031409B. Автор: 张凡,张昊,李文静,刘晓波,张贝贝,杨洁颖,周玉贵,赵成博. Владелец: Aerospace Research Institute of Materials and Processing Technology. Дата публикации: 2022-09-23.

Preparation method of high-purity nano aluminum nitride powder

Номер патента: CN114772563B. Автор: 赵晓. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-22.

Boron nitride powder, method for producing boron nitride powder, resin material, and method for producing resin material

Номер патента: CN114521201A. Автор: 松崎晃,增冈弘之,田原大辅. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2022-05-20.

Thermally conductive silicone rubber composition containing organo polysiloxanes with high and low polymerization degrees and spherical aluminum oxide powder

Номер патента: US5352731A. Автор: Akio Nakano,Tsutomu Yoneyama,Nobumasa Tomizawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1994-10-04.

Method for producing aluminum nitride substrate, aluminum nitride substrate, and method for suppressing introduction of dislocation into aluminum nitride growth layer

Номер патента: US20230392282A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Yoshitaka Nishio,Daichi DOJIMA,Moeko Matsubara,Taku Murakawa. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of preparing substrate surface from aluminum nitride ceramics for thin film metallization

Номер патента: RU2724291C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Aluminum nitride film, piezoelectric device, resonator, filter, and multiplexer

Номер патента: US20190363243A1. Автор: Kuniaki Tanaka,Tokihiro Nishihara,Tomonori YAMATOH. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Silicon-containing oxide-coated aluminum nitride particle and method of manufacturing the same

Номер патента: US12139618B2. Автор: Naoki Minorikawa,Hidetoshi Okamoto,Yuki Otsuka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-11-12.

N-type aluminum nitride single-crystal substrate and vertical nitride semiconductor device

Номер патента: US09748410B2. Автор: Toru Kinoshita,Toru Nagashima,Toshiyuki Obata. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Aluminum nitride laminate member and light-emitting device

Номер патента: US20200259046A1. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD

Номер патента: US09711345B2. Автор: Eiichiro Shiba. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-07-18.

Physical vapor deposition of an aluminum nitride film

Номер патента: US09484198B1. Автор: Yung-Chin Yang,Chen-Te Chang,Jyh-Wei Lee. Владелец: Ming Chi University of Technology. Дата публикации: 2016-11-01.

Technology of epitaxial growth of monocrystalline aluminum nitride and growth chamber for implementation of technology

Номер патента: RU2158789C1. Автор: Ю.А. Водаков,Е.Н. Мохов,М.Г. Рамм,А.Д. Роенков,С.Ю. Карпов,Ю.Н. Макаров,А.С. Сегаль. Владелец: Сегаль Александр Соломонович. Дата публикации: 2000-11-10.

Method for forming film and method for forming aluminum nitride film

Номер патента: US10640862B2. Автор: Jun Wang,Boyu Dong,Bingliang Guo,Yujie Geng,Huaichao Ma. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-05.

Single crystalline aluminum nitride substrate and optoelectronic devices made therefrom

Номер патента: WO2024201307A1. Автор: Rafael Dalmau,Raoul Schlesser,Jeffrey Britt,Samuel KIRBY. Владелец: Hexatech, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Cyclic aluminum nitride deposition in a batch reactor

Номер патента: US09552979B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Werner Knaepen,Bert Jongbloed,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Cornelius A. van der Jeugd,Peter Zagwijn,Robin Roelofs,Marinus Josephus de Blank. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-01-24.

Epitaxial growth of aluminum on aluminum-nitride compounds

Номер патента: EP4338285A1. Автор: Theodore D. Kennedy,John Andrew Logan,Brian Douglas Schultz. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-03-20.

Method of making a solid magnetic material from Sm2 Fe17 N3-X type intermetallic nitride powder

Номер патента: US5573603A. Автор: Patrick Dubots,Christian Belouet,Philippe Mocaer. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1996-11-12.

Aluminum nitride laminate member and aluminum nitride layer

Номер патента: US11549196B2. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-10.

Aluminum nitride laminate member and aluminum nitride layer

Номер патента: US20200255978A1. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Methods of depositing aluminum nitride templating layers using thermal pulsed chemical vapor deposition for the enhancement of aluminum nitride thick films and related films

Номер патента: US20240052493A1. Автор: Andrew Kummel,Aaron McLeod,Scott UEDA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-02-15.

Optical interference filter with aluminum nitride layers

Номер патента: US12078830B2. Автор: Karen Denise Hendrix,Georg J. Ockenfuss,Jinhui Yang,Marius Grigonis,Andy SHKABKO. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2024-09-03.

Cyclic doped aluminum nitride deposition

Номер патента: US09837281B2. Автор: Werner Knaepen,Bert Jongbloed,Dieter Pierreux. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-05.

Nucleation of aluminum nitride on a silicon substrate using an ammonia preflow

Номер патента: US09617656B2. Автор: Jeff Ramer,William E. Fenwick. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method and system for capillary flow in microporous aluminum nitride for non-thermal solar desalination

Номер патента: US20240076213A1. Автор: Luat T. Vuong,James Li-Guo LEUNG,Navindra D. SINGH. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-03-07.

Aluminum nitride surfaced components

Номер патента: WO1999032677A8. Автор: Michael J Hollins,Michael K Aghajanian,Virgil Irick Jr. Владелец: Virgil Irick Jr. Дата публикации: 1999-10-21.

Aluminum nitride surfaced components

Номер патента: WO1999032677A9. Автор: Michael J Hollins,Michael K Aghajanian,Virgil Irick Jr. Владелец: Virgil Irick Jr. Дата публикации: 1999-11-18.

Single-cystalline aluminum nitride substrate and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09691942B2. Автор: Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Yuki HIRAREN. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2017-06-27.

Aluminum nitride-compatible thick-film binder glass and thick-film paste composition

Номер патента: US5637261A. Автор: Douglas M. Mattox. Владелец: University of Missouri System. Дата публикации: 1997-06-10.

Aluminum nitride protection of silver apparatus, system and method

Номер патента: US20180059290A1. Автор: Colby Greg RAMPLEY,Jeffrey Lynn WEIBRECHT,Minh-Phuong Thanh LE. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Aluminum nitride single crystals having controllable color and methods of forming them

Номер патента: US11840773B1. Автор: Toru Kimura,Leo J. Schowalter,Thomas Miebach,Keisuke Yamaoka,Robert T. Bondokov,James R. Grandusky,Jianfeng Chen,Shichao Wang,Sean P. Branagan. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Method for depositing highly doped aluminum nitride piezoelectric material

Номер патента: EP4224543A1. Автор: Jan Matthijn Dekkers,Jeroen Aaldert Heuver,Willem Cornelis Lambert Hopman. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-08-09.

Process for the production of transparent aluminum nitride films

Номер патента: US4882136A. Автор: Dieter Peters. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1989-11-21.

Method for depositing highly doped aluminum nitride piezoelectric material

Номер патента: WO2023154631A1. Автор: Jan Matthijn Dekkers,Jeroen Aaldert Heuver,Willem Cornelis Lambert Hopman. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-08-17.

Process for the production of transparent aluminum nitride coatings from ammine salts of aluminum iodides

Номер патента: US4882135A. Автор: Dieter Peters. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1989-11-21.

N-type conductive aluminum nitride semiconductor crystal and manufacturing method thereof

Номер патента: CA2677414C. Автор: Hiroyuki Yanagi,Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2012-12-18.

Etching solution and method for aluminum nitride

Номер патента: US11929257B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Chung Yi Chang. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-03-12.

Nucleation of aluminum nitride on a silicon substrate using an ammonia preflow

Номер патента: US20140318443A1. Автор: Jeff Ramer,William E. Fenwick. Владелец: Manutius IP Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Low drag coatings containing boron nitride powder

Номер патента: CA2865510C. Автор: Jon Leist. Владелец: Momentive Performance Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Low drag coating containing boron nitride powder

Номер патента: US9689074B2. Автор: Jon Leist. Владелец: Momentive Performance Materials Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Spherical aluminum particles in coatings

Номер патента: CA1264928A. Автор: Mark F. Mosser. Владелец: Sermatech International Inc. Дата публикации: 1990-01-30.

Spherical aluminum particles in coatings

Номер патента: EP0142418A1. Автор: Mark F. Mosser. Владелец: Sermatech International Inc. Дата публикации: 1985-05-22.

Spherical aluminum particle in coating

Номер патента: JPS60149787A. Автор: マーク　エフ．モツサー. Владелец: SAAMATETSUKU INTERN Inc. Дата публикации: 1985-08-07.

Method for manufacturing aluminum nitride crystal, aluminum nitride crystal, aluminum nitride crystal substrate and semiconductor device

Номер патента: KR101404270B1. Автор: 나호 미즈하라,미치마사 미야나가,도모히로 가와세,신스케 후지와라. Владелец: 스미토모덴키고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-06-05.

Apparatus for manufacturing aluminum nitride single crystal, method for manufacturing aluminum nitride single crystal, and aluminum nitride single crystal

Номер патента: US8641821B2. Автор: Hiroyuki Kamata,Tomonori Miura,Ichirou Nagai,Tomohisa Katou. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-02-04.

Apparatus for manufacturing aluminum nitride single crystal, method for manufacturing aluminum nitride single crystal, and aluminum nitride single crystal

Номер патента: KR101425498B1. Автор: 도모노리 미우라,도모히사 가토,이치로 나가이,히로유키 가마타. Владелец: 가부시키가이샤후지쿠라. Дата публикации: 2014-08-01.

Method for manufacturing aluminum nitride crystal, aluminum nitride crystal, aluminum nitride crystal substrate and semiconductor device

Номер патента: EP1972702A4. Автор: Shinsuke Fujiwara,Tomohiro Kawase,Michimasa Miyanaga,Naho Mizuhara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-08-11.

Aluminum nitride substrate manufacturing method, aluminum nitride substrate, and method of removing strain layer introduced into aluminum nitride substrate by laser processing

Номер патента: EP4137624A4. Автор: Tadaaki Kaneko,Yoshitaka Nishio,Daichi DOJIMA,Moeko Matsubara. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2024-05-22.

Aluminum nitride substrate and group-iii nitride laminate

Номер патента: CN104583470A. Автор: 木下亨,弘中启一郎. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2015-04-29.

Aluminum nitride single crystal polygonal column and method for producing plate-like aluminum nitride single crystal using the same

Номер патента: JPWO2009066663A1. Автор: 浩 天野,天野　浩,正信 東,金近　幸博,幸博 金近. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

Chromium nitride and titanium aluminum nitride hard multilayer nano-film coating

Номер патента: CN112575291A. Автор: 黄桃,范玉山. Владелец: Suzhou Denai Nano Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-03-30.

Aluminum nitride single crystal polygonal column and method for producing plate-like aluminum nitride single crystal using the same

Номер патента: JP5374381B2. Автор: 浩 天野,正信 東,幸博 金近. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2013-12-25.

Polishing agent composition for aluminum nitride substrate and method for polishing aluminum nitride substrate

Номер патента: CN111793467B. Автор: 后藤优治,巢河慧. Владелец: Yamaguchi Seiken Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Aluminum nitride substrate and group-iii nitride laminate

Номер патента: EP2896725B1. Автор: Toru Kinoshita,Keiichiro Hironaka. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2022-01-19.

Aluminum nitride bulk crystals having high transparency to untraviolet light and methods of forming them

Номер патента: US09447519B2. Автор: Leo J. Schowalter,Glen A. Slack,Robert T. Bondokov,Kenneth E. Morgan,Sandra B. Schujman,Shailaja P. Rao. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Powder metallurgy tungsten crucible for aluminum nitride crystal growth

Номер патента: AU2002367470A8. Автор: Leo J Schowalter,Glen A Slack. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2003-10-08.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: US09970127B2. Автор: Juan Carlos Rojo,Leo Schowalter,Glen A. Slack,Robert T. Bondokov,Kenneth E. Morgan,Joseph A. Smart. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

LARGE ALUMINUM NITRIDE CRYSTALS WITH REDUCED DEFECTS AND METHODS OF MAKING THEM

Номер патента: US20130152852A1. Автор: Bondokov Robert T.,Morgan Kenneth E.,Schowalter Leo,Slack Glen A.. Владелец: CRYSTAL IS, INC.. Дата публикации: 2013-06-20.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: US20140061666A1. Автор: Juan Carlos Rojo,Leo Schowalter,Glen A. Slack,Robert T. Bondokov,Kenneth E. Morgan,Joseph A. Smart. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth

Номер патента: US20190106808A1. Автор: Leo J. Schowalter,Glen A. Slack,Robert T. Bondokov,Kenneth E. Morgan. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

DEFECT REDUCTION IN SEEDED ALUMINUM NITRIDE CRYSTAL GROWTH

Номер патента: US20200354852A1. Автор: Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.,Morgan Kenneth E.,Slack Glen A.. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: US8545629B2. Автор: Leo J. Schowalter,Glen A. Slack,J. Carlos Rojo,Robert T. Bondokov,Kenneth E. Morgan,Joseph A. Smart. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2013-10-01.

Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth

Номер патента: CN107059116B. Автор: R·T·邦德科夫,K·E·摩根,L·J·肖沃尔特,G·A·斯莱克. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2019-12-31.

Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth

Номер патента: US9771666B2. Автор: Kenneth Morgan,Leo J. Schowalter,Glen A. Slack,Robert T. Bondokov,Shailaja P. Rao,Shawn Robert Gibb. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Passivation of aluminum nitride substrates

Номер патента: US7915178B2. Автор: Ramon R. Collazo,Zlatko Sitar,Rafael Dalmau. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2011-03-29.

Aluminum nitride sintered compact having metallized layer and method for preparation thereof

Номер патента: EP1509071A1. Автор: Yoshiyuki c/o Itami Works HIROSE,Takashi c/o Itami Works TSUNO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-02-23.

Semiconductor device with aluminum nitride anti-deflection layer

Номер патента: EP4115452A1. Автор: George Grama,Michael J. Rondon,Andrew P. Clarke. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-01-11.

Passivated aluminum nitride for enhanced thermal conductivity composite materials for fuser belts

Номер патента: CA2706164C. Автор: Santokh S. Badesha,David J. Gervasi,Matthew M. Kelly. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Passivated aluminum nitride for enhanced thermal conductivity composite materials for fuser belts

Номер патента: EP2258764A3. Автор: Santokh S. Badesha,David J. Gervasi,Matthew M. Kelly. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2011-03-02.

Passivated aluminum nitride for enhanced thermal conductivity materials for fuser belts

Номер патента: US20100310859A1. Автор: Santokh Badesha,David J. Gervasi,Matthew M. Kelly. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Passivated aluminum nitride for enhanced thermal conductivity composite materials for fuser belts

Номер патента: US20140151597A1. Автор: Santokh Badesha,David J. Gervasi,Matthew M. Kelly. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Aluminum nitride heater and methods of making same

Номер патента: WO2020163434A1. Автор: Makoto Aoki,Jerry Wayne Smith. Владелец: Lexmark International, Inc.. Дата публикации: 2020-08-13.

Monolithic Optical Packages and Methods Using Aluminum Nitride

Номер патента: US20140097333A1. Автор: Yu Fei,Qi Deng,Anwar A. Mohammed. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Aluminum nitride heater

Номер патента: US11791074B2. Автор: Makoto Aoki,Jerry Wayne Smith. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Making an aluminum nitride heater

Номер патента: US11862366B2. Автор: Makoto Aoki,Jerry Wayne Smith. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Mold-tool assembly including heater having resistive element encased in aluminum nitride

Номер патента: CA2803283A1. Автор: Brian Esser,Stephen Linwood Gray. Владелец: HUSKY INJECTION MOLDING SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2012-02-02.

Monolithic optical packages and methods using aluminum nitride

Номер патента: WO2014053091A1. Автор: Yu Fei,Qi Deng,AnwarA. MOHAMMED. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-04-10.

Making an aluminum nitride heater

Номер патента: US20200258662A1. Автор: Makoto Aoki,Jerry Wayne Smith. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Making an aluminum nitride heater

Номер патента: US20230154656A1. Автор: Makoto Aoki,Jerry Wayne Smith. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Cellular Sandwich Panel Containing Boron Nitride Powder and Manufacturing Method for Said Panel

Номер патента: US20240109270A1. Автор: Wolfgang Brochard,Jonathan Blanc. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2024-04-04.

SPHERICAL ALUMINUM NITRIDE POWDER

Номер патента: US20130164534A1. Автор: Muneoka Takatoshi,Watanabe Kazutaka. Владелец: TOKUYAMA CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-27.

METHOD OF PRODUCING A SPHERICAL ALUMINUM NITRIDE POWDER

Номер патента: US20130171451A1. Автор: Muneoka Takatoshi,Watanabe Kazutaka. Владелец: TOKUYAMA CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-04.

Method for Producing Spherical Aluminum Nitride Powder

Номер патента: US20190202697A1. Автор: Shin Hee Jun,Donghwan Kim,Han Nah Jeong,Myounghwan OH,Haejong JUNG,Sang Hun Cheong. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

The preparation method of Spherical aluminum nitride powder

Номер патента: CN109790027A. Автор: 吴明焕,金东焕,田信姬,郑汉娜,郑海宗,郑相勋. Владелец: LG Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Method for preparing spherical aluminum nitride powder

Номер патента: EP3502052A1. Автор: Shin Hee Jun,Donghwan Kim,Han Nah Jeong,Myounghwan OH,Haejong JUNG,Sang Hun Cheong. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Method for producing spherical aluminum nitride powder

Номер патента: JP6639733B2. Автор: シン・ヒ・ジュン,ミョンファン・オ,ハン・ナ・チョン,トンファン・キム,ヘジョン・チョン,サン・フン・チョン. Владелец: エルジー・ケム・リミテッド. Дата публикации: 2020-02-05.

Preparation method of spherical aluminum nitride fluorescent powder

Номер патента: CN110790243A. Автор: 王�琦,李森,曹文斌. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2020-02-14.

Manufacturing method of spherical aluminum nitride

Номер патента: KR20190129554A. Автор: 오명환,정상훈,김동환,정한나,전신희,정해종. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2019-11-20.

Purification method of aluminum nitride powder, aluminum nitride powder prepared by method and application of aluminum nitride powder

Номер патента: CN110697665A. Автор: 吕毅,张昊,韩耀,王华栋,赵英民,张天翔. Владелец: Aerospace Research Institute of Materials and Processing Technology. Дата публикации: 2020-01-17.

Method of preparing spherical shape aluminum nitride powder and spherical shape aluminum nitride powder

Номер патента: KR102494472B1. Автор: 정한나,강양구,전신희,이하나. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2023-01-31.

Process for preparing fine aluminum nitride powder from an inorganic flocculant

Номер патента: US5219539A. Автор: Giovanni Bezzi,Luigi Contursi,Giordano Beghelli. Владелец: Temav SpA. Дата публикации: 1993-06-15.

Aluminum nitride powder, resin composition, and thermally conductive molded object

Номер патента: EP3115337A4. Автор: Yoshiharu Hatakeyama,Kenichi Fujikawa,Yuji Yamagishi,Miho Yamaguchi,Akihiro Oohashi. Владелец: Nitto Shinko Corp. Дата публикации: 2017-08-09.

Coated aluminum nitride powder and its preparation

Номер патента: GB2266092B. Автор: Masayuki Kawaguchi,Yasushi Kita,Koji Nozaki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 1994-01-05.

Coated aluminum nitride powder and its preparation

Номер патента: GB9310763D0. Автор: . Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 1993-07-14.

LOW TEMPERATURE SYNTHESIS PROCESS FOR NITRIDE POWDERS, ESPECIALLY ALUMINUM NITRIDE.

Номер патента: FR2681590B1. Автор: Jean Guyader,Yves Laurent,Francois Haussonne,Michel Passaret,Jean Lostec,Jean-Paul Bertot,Paul L'haridon. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1994-05-20.

PROCESS FOR THE LOW TEMPERATURE SYNTHESIS OF NITRIDE POWDERS, ESPECIALLY ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: FR2681590A1. Автор: Guyader Jean,Haussonne Francois,Passaret Michel,Lostec Jean,Bertot Jean-Paul,Laurent Yves,L Haridon Paul. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1993-03-26.

The method for preparing aluminum nitride powder by controlled combustion nitridation

Номер патента: CN1066429A. Автор: J·P·亨利,A·W·韦默,G·A·科克伦,G·A·艾斯曼,W·G·穆尔. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1992-11-25.

Method for removing carbon powder from aluminum nitride powder

Номер патента: JPS62191407A. Автор: Kunihiko Nakamura,邦彦 中村,Akio Era,Toshiya Kunisaki,恵羅　彰男,国崎　敏哉. Владелец: Mitsui Aluminum Co Ltd. Дата публикации: 1987-08-21.

ALUMINUM NITRIDE POWDER AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20130244036A1. Автор: Muneoka Takatoshi,Watanabe Kazutaka. Владелец: TOKUYAMA CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-19.

ALUMINUM NITRIDE POWDER, RESIN COMPOSITION, AND THERMALLY CONDUCTIVE MOLDED OBJECT

Номер патента: US20170066908A1. Автор: OOHASHI Akihiro,YAMAGUCHI Miho,Hatakeyama Yoshiharu,FUJIKAWA Kenichi,Yamagishi Yuji. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

Method for Producing Aluminum Nitride Powder

Номер патента: US20150086467A1. Автор: KANECHIKA Yukihiro,Fukunaga Yutaka. Владелец: TOKUYAMA CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-26.

METHOD FOR MANUFACTURING ALUMINUM NITRIDE POWDER

Номер патента: US20150175421A1. Автор: Kuo Yang-Kuao,Shih Cheng-Hung,Huang Yung-Han,Leu Lea-Hwung. Владелец: Chung-Shan Institute of Science and Technology, Armaments Bureau, M.N.D.. Дата публикации: 2015-06-25.

METHOD FOR PRODUCING WATER-RESISTANT ALUMINUM NITRIDE POWDER

Номер патента: US20150225238A1. Автор: KANECHIKA Yukihiro,Tamagaki Megumu. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

METHOD OF PREPARING ALUMINUM NITRIDE POWDER THROUGH ATMOSPHERE CONTROLLED CARBON-THERMAL REDUCTION

Номер патента: US20160257568A1. Автор: Hsi Chi-Shiung,LAI KUAN-TING,YANG MIN-YU. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

ALUMINUM NITRIDE POWDER CONTAINING NO COARSE PARTICLES

Номер патента: US20190389725A1. Автор: Yamamoto Yasuyuki,INAKI Yoshitaka,Imoto Yasushi,Himeno Masataka. Владелец: TOKUYAMA CORPORATION. Дата публикации: 2019-12-26.

Yttrium-coated aluminum nitride powder, its preparation and use

Номер патента: DE102017124404A1. Автор: Alexander Warrikhoff,Teja Reetz. Владелец: Rtw Rontgen-Technik Dr Warrikhoff & Co KG GmbH. Дата публикации: 2019-04-25.

Method for preparing superfine aluminum nitride powder through low temperature and low pressure

Номер патента: CN106517114A. Автор: 张银霞,杨志平,赵金鑫. Владелец: Hubei Ledphor Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

Boron-Substituted Aluminum Nitride Powder and Method of Preparing the Same

Номер патента: KR20200118689A. Автор: 오명환,정한나,이하나. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2020-10-16.

Boron-Substituted Aluminum Nitride Powder and Method of Preparing the Same

Номер патента: KR102500846B1. Автор: 오명환,정한나,이하나. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2023-02-15.

PROCESS FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE POWDER

Номер патента: FR2608146B1. Автор: Akira Murase,Kazuo Horiba,Hachiro Ichikawa,Masanori Oguni. Владелец: Nippon Light Metal Co Ltd. Дата публикации: 1990-01-19.

Method for producing aluminum nitride powder

Номер патента: US9145301B2. Автор: Yutaka Fukunaga,Yukihiro Kanechika. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2015-09-29.

Process for producing sinterable crystalline aluminum nitride powder

Номер патента: EP0385096A1. Автор: Masao Tanaka,Kazuo Wakimura,Atsuhiko Hiai. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals Inc. Дата публикации: 1990-09-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ALUMINUM NITRIDE POWDER

Номер патента: FR2608146A1. Автор: Akira Murase,Kazuo Horiba,Hachiro Ichikawa,Masanori Oguni,Ichikawa Masanori Oguni Akira Murase Kazuo Horiba Hachiro. Владелец: Nippon Light Metal Co Ltd. Дата публикации: 1988-06-17.

Method of Preparing the Aluminum Nitride Powder

Номер патента: KR102500848B1. Автор: 오명환,정한나,전신희. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2023-02-15.

Readily sinterable aluminum nitride powder and production thereof

Номер патента: JPS6395103A. Автор: Kazuhiro Baba,Nobuaki Shohata,和宏 馬場,伸明 正畑. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-04-26.

Method for producing water-resistant aluminum nitride powder

Номер патента: EP2894126B1. Автор: Yukihiro Kanechika,Megumu Tamagaki. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2018-08-01.

Production of aluminum nitride powder

Номер патента: JPS62132710A. Автор: Koichi Yamada,興一 山田,Kazuo Horinouchi,Isao Kameda,堀ノ内　和夫,亀田　績. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1987-06-16.

Aluminum nitride powder having a reduced ammonia odor and a method for preparing the same

Номер патента: WO1994019275A1. Автор: Kevin E. Howard,John R. Moyer. Владелец: The Dow Chemical Company. Дата публикации: 1994-09-01.

Low-cost aluminum nitride powder preparation process

Номер патента: CN114506828A. Автор: 杨大胜,施纯锡,黄文思,冯家伟. Владелец: FUJIAN HUAQING ELECTRONIC MATERIAL TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2022-05-17.

Method for producing aluminum nitride powder

Номер патента: CN104114482A. Автор: 金近幸博,福永豊. Владелец: TOKUNOYAMA CO Ltd. Дата публикации: 2014-10-22.

Process for the production of crystalline, sinterable aluminum nitride powder.

Номер патента: DE69021907D1. Автор: Masao Tanaka,Kazuo Wakimura,Atsuhiko Hiai. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals Inc. Дата публикации: 1995-10-05.

Aluminum nitride powder having exceptional water resistance

Номер патента: WO2015137263A1. Автор: 雄一郎 川端,大野　秀樹,昭子 岩▲崎▼. Владелец: 株式会社トクヤマ. Дата публикации: 2015-09-17.

Preparation method of aluminum nitride powder

Номер патента: CN114044680A. Автор: 高朋召,肖汉宁,覃航. Владелец: Hunan University. Дата публикации: 2022-02-15.

Aluminum nitride powder without coarse particles

Номер патента: TWI740012B. Автор: 山本泰幸,稲木喜孝,伊本靖司,姬野雅孝. Владелец: 日商德山股份有限公司. Дата публикации: 2021-09-21.

Preparation of easily sinterable aluminum nitride powder

Номер патента: JPS61155210A. Автор: Hiroshi Inoue,Katsutoshi Yoneya,Akihiko Tsuge,寛 井上,勝利 米屋,柘植　章彦. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-07-14.

METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE POWDER

Номер патента: DE69228562T2. Автор: John Henley,Glenn Eisman,Alan Weimer,Gene Cochran. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1999-11-11.

Aluminum nitride powder having a reduced ammonia odor and a method for preparing the same

Номер патента: CA2154350A1. Автор: Kevin E. Howard,John R. Moyer. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-09-01.

Aluminum nitride powder not containing coarse particles

Номер патента: EP3594178A4. Автор: Masataka Himeno,Yasuyuki Yamamoto,Yoshitaka Inaki,Yasushi Imoto. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2020-12-09.

Spherical-like aluminum nitride powder and preparation method thereof

Номер патента: CN115403389B. Автор: 刘青,周波,孔杰,杜善国,王立家,陈凤娇,吴春正,杨丛林,冯桂霞. Владелец: Chalco Shandong Co ltd. Дата публикации: 2023-06-13.

Method for producing aluminum nitride powder

Номер патента: KR102010867B1. Автор: 유타카 푸쿠나가,유키히로 카네치카. Владелец: 가부시키가이샤 도쿠야마. Дата публикации: 2019-08-14.

Process for the production of fine aluminum nitride powder.

Номер патента: DE69106308T2. Автор: Giovanni Bezzi,Luigi Contursi,Giordano Beghelli Gio Beghelli. Владелец: Enirisorse SpA. Дата публикации: 1995-05-18.

Method of preparing a multimodal cubic boron nitride powder

Номер патента: US20170355644A1. Автор: Gerold Weinl,Rui Shao,Jacob PALMER,Lawrence Dues. Владелец: Diamond Innovations Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Method of preparing a multimodal cubic boron nitride powder

Номер патента: EP3221280A1. Автор: Gerold Weinl,Rui Shao,Jacob PALMER,Lawrence Dues. Владелец: Diamond Innovations Inc. Дата публикации: 2017-09-27.

Aluminum nitride composite base, aluminum nitride composite heat generating body using the same, aluminum nitride composite electrostatic chuck, and same chuck with heater

Номер патента: JPH1160356A. Автор: Toshimi Kobayashi,Atsuo Kawada,敦雄 川田,Yoshikazu Otani,義和 大谷,Hiroshi Mogi,弘 茂木,Kazuyoshi Tamura,和義 田村,利美 小林. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-02.

Aluminum nitride substrate, aluminum nitride circuit substrate, semiconductor device, and aluminum nitride substrate manufacturing method

Номер патента: JPWO2010109960A1. Автор: 山口　晴彦,山口　　晴彦,福田　悦幸,悦幸 福田. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Aluminum nitride film, method of manufacturing aluminum nitride film, and high withstand voltage component

Номер патента: US20190002281A1. Автор: Tetsuo Inoue,Mari Shimizu,Shuichi Saito,Takashi Hino,Atsushi Yumoto. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Aluminum nitride sintered body, semiconductor manufacturing member, and method of manufacturing aluminum nitride sintered body

Номер патента: US20060217259A1. Автор: Naohito Yamada,Naomi Teratani. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Method for preparing aluminum nitride by directly nitriding aluminum alkoxide

Номер патента: CN113603067A. Автор: 卢胜波,范光磊. Владелец: Shandong Zhanchi New Material Co ltd. Дата публикации: 2021-11-05.

Aluminum nitride ceramic tape casting slurry, ceramic substrate, and preparation methods as well as application of aluminum nitride ceramic tape casting slurry and ceramic substrate

Номер патента: CN105481368A. Автор: 王雪,郭坚,宋海燕,白锁. Владелец: Packet Header Innovation Research Institute Of Peking University. Дата публикации: 2016-04-13.

Low-temperature sintered aluminum nitride ceramic material, aluminum nitride casting slurry and application

Номер патента: CN113200747A. Автор: 丁涛. Владелец: Shandong Dingding Technology Development Co ltd. Дата публикации: 2021-08-03.

Refractory materials and processes for making them from aluminum nitride-bonded grains containing boron nitride or graphite inclusions.

Номер патента: DE69109050T2. Автор: Jacques Paul Raymon Schoennahl,Michel Dussaulx. Владелец: Savoie Refractaires SA. Дата публикации: 1995-11-09.

Process for sintering aluminum nitride to a high thermal conductivity and resultant sintered bodies

Номер патента: CA2155836A1. Автор: Lynne K. Mills,Theresa A. Guiton. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-10-13.

Methods of Joining Aluminum Nitride Sinters and Aluminum Nitride Joined Articles

Номер патента: US20090155625A1. Автор: Masanobu Azuma,Koji Watari,Yukihiro Kanechika,Masaki Yasuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-18.

Aluminum nitride-base composite, electric functional material, electrostatic chuck and production of aluminum nitride-base composite

Номер патента: JPH10338574A. Автор: Yuji Katsuta,Kiyoshi Araki,清 新木,祐司 勝田,玄章 大橋,Kuroaki Oohashi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1998-12-22.

Aluminum nitride conductor material and aluminum nitride full-ceramic heating structure device

Номер патента: CN112573926A. Автор: 孙伟,李丽霞. Владелец: WUXI HYGOOD NEW TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-30.

Aluminum nitride sintered body, member for semiconductor manufacturing device, and method of manufacturing aluminum nitride sintered body

Номер патента: TW200736187A. Автор: Jun Yoshikawa,Naohito Yamada,Yoshimasa Kobayashi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2007-10-01.

ALUMINUM NITRIDE SINTERED BODY, METHOD OF MAKING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT COMPONENT USING ALUMINUM NITRIDE SINTERED BODY

Номер патента: US20210017087A1. Автор: NARUSE Noriyuki. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

IMPURITY CONTROL DURING FORMATION OF ALUMINUM NITRIDE CRYSTALS AND THERMAL TREATMENT OF ALUMINUM NITRIDE CRYSTALS

Номер патента: US20220074072A1. Автор: Grandusky James R.,Schowalter Leo J.,Kimura Toru,Chen Jianfeng,Bondokov Robert T.,Miebach Thomas,WANG SHICHAO,YAMAOKA Keisuke. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

Oxynitride phosphor powder, silicon nitride powder for production of oxynitride phosphor powder, and production method of oxynitride phosphor powder

Номер патента: US20140264170A1. Автор: Takayuki Ueda,Masataka Fujinaga,Takuma Sakai,Shinsuke Jida. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Manufacturing method of aluminium nitride and aluminum nitride prepared by the same

Номер патента: US20170260050A1. Автор: Hae sung KIM,Jae-Pyoung Ahn,Kon-Bae LEE. Владелец: Senus Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Aluminum nitride substrate, aluminum nitride circuit substrate, and semiconductor device

Номер патента: JP5667045B2. Автор: 山口　晴彦,山口　　晴彦,福田　悦幸,悦幸 福田. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Method for making silicon nitride powder

Номер патента: CA1334333C. Автор: Akira Sano,Isao Imai,Kouichi Sueyoshi,Toshitsugu Ishii. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 1995-02-14.

Composition for High Strength Aluminum Nitride Sintering and High Strength Aluminum Nitride Sintered Body

Номер патента: KR102205085B1. Автор: 김경민,류성수,백수현. Владелец: 한국세라믹기술원. Дата публикации: 2021-01-19.

Production of aluminum nitride substrates, e.g. useful as supports for power electronics, comprises spraying a support with a powder comprising aluminum nitride particles coated with an oxide precursor

Номер патента: FR2845078A1. Автор: Alain Petitbon,Marc Ferrato,Jean Jarrige. Владелец: Alstom SA. Дата публикации: 2004-04-02.

Silicon nitride powders for ceramics by carbothermic reduction and the process for the manufacture thereof

Номер патента: AU7103787A. Автор: Roland Bachelard,Philippe Joubert. Владелец: Atochem SA. Дата публикации: 1987-10-08.

Method of manufacturing silicon nitride powder

Номер патента: GB1414143A. Автор: . Владелец: Lucas Industries Ltd. Дата публикации: 1975-11-19.

High-heat conductivity silicon nitride-aluminum nitride composite material and preparation method thereof

Номер патента: CN105503199A. Автор: 张玉军,张琳,刘玉,龚红宇,郭学,冯玉润,王仙丽. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2016-04-20.

Method for producing aluminum nitride based composite, electronic functional material, electrostatic chuck and aluminum nitride based composite

Номер патента: KR100278904B1. Автор: 유지 가츠다,기요시 아라키,츠네아키 오하시. Владелец: 시바타 마사하루. Дата публикации: 2001-01-15.

Silicon nitride ceramic used as a cutting ceramic or as a substrate for coatings contains, as sintering aid, dysprosium oxide, aluminum oxide inserted as aluminum nitride and magnesium oxide

Номер патента: DE19939173A1. Автор: Michael Fripan,Ulrich Mowlai,Dieter Theil,Conrad Haeusermann,Alwin Nagel. Владелец: CERAMTEC GMBH. Дата публикации: 2001-02-22.

Aluminum nitride sintered body, semiconductor manufacturing member, and method of manufacturing aluminum nitride sintered body

Номер патента: KR100756619B1. Автор: 나오히토 야마다,나오미 데라타니. Владелец: 니뽄 가이시 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-09-10.

NEW MATERIAL FROM FIREPROOF GRAIN GRADES CONNECTED BY A MATRIX MADE OF ALUMINUM NITRIDE OR SIALON, CONTAINING TITANT NITRIDE

Номер патента: DE69515685D1. Автор: Paul Schoennahl,Marie Bitouzet. Владелец: Savoie Refractaires SA. Дата публикации: 2000-04-20.

Method for synthesizing silicon nitride and aluminum nitride at one time

Номер патента: CN106365641A. Автор: 林永兴,汪思保. Владелец: Anhui Technovo Lidar Technology Co ltd. Дата публикации: 2017-02-01.

PROCESS TO PRODUCE AN ARTICLE OF DENSE ALUMINUM NITRIDE THAT HAS A HIGH THERMAL CONDUCTIVITY AND ARTICLE OF DENSE ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: BR8907633A. Автор: Arne K Knudsen,Mike S Paquette. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1991-07-30.

Method for making silicon nitride powder

Номер патента: US4986972A. Автор: Akira Sano,Isao Imai,Kouichi Sueyoshi,Toshitsuga Ishii. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 1991-01-22.

Method of manufacturing aluminum nitride basic material being formed diffusioin layer and aluminum nitride basic material thereof

Номер патента: KR101693010B1. Автор: 최원철,강승동. Владелец: (주)씨엠코리아. Дата публикации: 2017-01-06.

Metallization of aluminum nitride substrate and aluminum nitride substrate

Номер патента: JPH107478A. Автор: Masayuki Fujimoto,正之 藤本,Mitsuo Ueno,光生 上野. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 1998-01-13.

Process for the production of films from single crystal compounds of aluminum nitride or gallium nitride

Номер патента: DE2102582C3. Автор: Harold Murray Anaheim Calif. Manasevit (V.St.A.). Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1975-07-17.

A manufacturing method of aluminum nitride and an aluminum nitride prepared by the same

Номер патента: KR101884979B1. Автор: 김해성,안재평,이건배. Владелец: 주식회사 시너스. Дата публикации: 2018-08-02.

Method for producing glass-coated aluminum nitride particles and method for producing a heat-dissipating resin composition containing the glass-coated aluminum nitride particles

Номер патента: JP6606628B1. Автор: 雄樹 大塚,岡本　英俊,英俊 岡本. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-11-13.

Process for producing silicon carbide and aluminum nitride composites

Номер патента: NO952955L. Автор: Jorulf Brynestad,Harald A Oeye,Ketil Motzfeldt,Laure Delmas. Владелец: SINVENT AS. Дата публикации: 1997-01-27.

Hexagonal boron nitride powder for filler

Номер патента: CA3231795A1. Автор: Seiji Nabeshima,Yumi Nakagawa,Shigeyuki Katayama,Masaomi Kuroda,Masashi Miyaguchi. Владелец: Jfe Mineral & Alloy Company Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Surface treated aluminum nitride baffle

Номер патента: TW201017719A. Автор: Dmitry Lubomirsky,Muhammad M Rasheed. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-05-01.

Art of producing aluminum nitrid.

Номер патента: US1252649A. Автор: Louis Burgess,Maurice Barnett. Владелец: Individual. Дата публикации: 1918-01-08.

Method of producing aluminum nitrids.

Номер патента: US867615A. Автор: Ottokar Serpek. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-10-08.

Process of making aluminum nitrid and other chemical substances

Номер патента: US1393370A. Автор: Hoopes William. Владелец: Aluminum Company Of America. Дата публикации: 1921-10-11.

Induced metallization process by way of dissociating aluminum nitride ceramic

Номер патента: IL87417A0. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1989-01-31.

SILICON NITRIDE POWDER PRODUCTION METHOD, SILICON NITRIDE POWDER, SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND CIRCUIT SUBSTRATE USING SAME

Номер патента: US20150056121A1. Автор: Fujinaga Masataka,SHIBATA Koji,Yamao Takeshi,Honda Michio,Fujii Takayuki,Ohmaru Takuji. Владелец: UBE INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for Producing a Silicon Nitride Powder and Battery Comprising the Powder

Номер патента: US20200067092A1. Автор: Holt Arve,Filtvedt Werner,Preston Thomas,Kirkengen Martin,Ulvestad Asbjorn,Andersen Hanne F,Klette Hallgeir,Mongstad Trygve,Maehlen Jan Petter,Nordseth Ornulf. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

HEXAGONAL BORON NITRIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING HEXAGONAL BORON NITRIDE POWDER

Номер патента: US20210163288A1. Автор: Takeda Go,TSUICHIHARA Masao,TANIGUCHI Yoshitaka. Владелец: Denka Company Limited. Дата публикации: 2021-06-03.

AGGREGATE BORON NITRIDE PARTICLES, BORON NITRIDE POWDER, PRODUCTION METHOD FOR BORON NITRIDE POWDER, RESIN COMPOSITION, AND HEAT DISSIPATION MEMBER

Номер патента: US20210261413A1. Автор: Takeda Go,TANIGUCHI Yoshitaka. Владелец: Denka Company Limited. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for preparing high-purity alpha-silicon nitride powder and high-purity alpha-silicon nitride powder

Номер патента: CN113493191B. Автор: 黄彬,张吉武,张耀华,李小东,王思嘉,马海安,宗鑫. Владелец: Xinjiang Jingshuo New Material Co ltd. Дата публикации: 2022-11-22.

Oxynitride fluorescent substance powder, silicon nitride powder for manufacturing same, and method for manufacturing same

Номер патента: KR101876103B1. Автор: 다카유키 우에다,마사타카 후지나가,다쿠마 사카이,신스케 지다. Владелец: 우베 고산 가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-07-06.

Boron nitride powder, method for producing boron nitride powder, and cosmetics

Номер патента: KR20200127972A. Автор: 류키 마츠이,미츠루 시이바. Владелец: 덴카 주식회사. Дата публикации: 2020-11-11.

Oxynitride fluorescent substance powder, silicon nitride powder for manufacturing same, and method for manufacturing same

Номер патента: CN103842473A. Автор: 藤永昌孝,酒井拓马,治田慎辅,上田孝之. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2014-06-04.

Nitride powder used for preparing thick film, method for preparing nitride thick film using the powder and thick film prepared thereby

Номер патента: KR101735822B1. Автор: 김종우,박동수,최종진,한병동,류정호,윤운하,안철우. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2017-05-15.

A kind of aluminium nitride powder presoma and preparation method thereof and aluminium nitride powder

Номер патента: CN109467439A. Автор: 张�浩,魏鑫,郭军,党军杰,崔嵩,田晨光,孙登琼,许海仙,史常东. Владелец: CETC 43 Research Institute. Дата публикации: 2019-03-15.

Boron Nitride Powder and Its Manufacturing Method, Boron Nitride Powder, Composite Materials and Heat Dissipating Members

Номер патента: JP7015971B2. Автор: 孝明 田中,豪 竹田,悠 楯岡. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for preparing high-purity silicon nitride powder by taking high-oxygen-content silicon powder as raw material

Номер патента: CN114409414B. Автор: 贺刚,王良,李江涛,杨增朝. Владелец: Technical Institute of Physics and Chemistry of CAS. Дата публикации: 2023-04-18.

Surface-treated aggregated boron nitride powder, aggregated boron nitride powder, and thermally conductive resin composition

Номер патента: US20220154060A1. Автор: Yoshitaka Taniguchi,Go Takeda. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Hexagonal boron nitride powder, resin composition, resin sheet, and method for producing hexagonal boron nitride powder

Номер патента: CN113165874A. Автор: 山田哲也,池田祐一,绳田辉彦,台木祥太,藤波恭一,手岛胜弥. Владелец: National University Legal Person Xinzhou University. Дата публикации: 2021-07-23.

Boron nitride powder and method for producing same, boron carbonitride powder, composite material and heat dissipation member

Номер патента: TW202122343A. Автор: 田中孝明,竹田豪,楯岡悠. Владелец: 日商電化股份有限公司. Дата публикации: 2021-06-16.

Boron nitride powder and method for producing boron nitride powder

Номер патента: JP7140939B2. Автор: 孝明 田中,豪 竹田,宏幸 塩月. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-21.

Production and sintering of reaction bonded silicon nitride composites containing silicon carbide whiskers or silicon nitride powders

Номер патента: US4919868A. Автор: Jow-Lay Huang. Владелец: Champion Spark Plug Co. Дата публикации: 1990-04-24.

Hexagonal boron nitride powder, method for producing hexagonal boron nitride powder for cosmetics, and cosmetics

Номер патента: JP7204732B2. Автор: 満 椎葉,隆貴 松井. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-16.

Preparation method of copper nitride powder

Номер патента: GB202218222D0. Автор: . Владелец: Yangtze River Delta Research Institute of UESTC Huzhou. Дата публикации: 2023-01-18.

Fine silicon nitride powder having high content of alpha phase and method of making same

Номер патента: JPS5375200A. Автор: Masaaki Mori,Norihei Takai. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 1978-07-04.

Modified boron nitride powder

Номер патента: EP4023207A4. Автор: Makoto ABURATANI. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Preparation of silicon nitride powder

Номер патента: GB2204862B. Автор: Laszlo Marosi. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1991-01-30.

Preparation of silicon nitride powder

Номер патента: GB2204862A. Автор: Laszlo Marosi. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1988-11-23.

Hexagonal boron nitride powder

Номер патента: EP3835259B1. Автор: Seiji Nabeshima,Yumi Nakagawa,Shigeyuki Katayama,Masaomi Kuroda,Masashi Miyaguchi. Владелец: Jfe Mineral & Alloy Company Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Transient liquid phase, pressureless joining of aluminum nitride components

Номер патента: US20130319762A1. Автор: Harris Jonathan H.,Polese Frank J.,Tesch Robert J.,Nootens Stephen P.,Dinescu Sorin,Bradbury William L.. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

ALUMINUM NITRIDE PLATE

Номер патента: US20210002138A1. Автор: Kobayashi Yoshimasa,Shibata Hiroyuki,KOBAYASHI Hiroharu. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2021-01-07.

ALUMINUM NITRIDE PLATE

Номер патента: US20210009418A1. Автор: Kobayashi Yoshimasa,KOBAYASHI Hiroharu. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2021-01-14.

Modified aluminum nitride particles and methods of making the same

Номер патента: US20210009811A1. Автор: Li Yao,Jimmie R. Baran, Jr.,Nathan E. Schultz,Gerry A. Hoffdahl,Tien T. Wu. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-01-14.

SURFACE TREATED ALUMINUM NITRIDE BAFFLE

Номер патента: US20160145743A1. Автор: LUBOMIRSKY DMITRY,Rasheed Muhammad M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Method for preparing aluminum nitride

Номер патента: US20180148335A1. Автор: Swe-Kai Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-05-31.

ALUMINUM NITRIDE-BASED SINTERED COMPACT AND SEMICONDUCTOR HOLDING DEVICE

Номер патента: US20200207666A1. Автор: Wang Yucong,KUCHIMACHI Kazuhiro,SATOU Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

SUBSTITUTED ALUMINUM NITRIDE FOR IMPROVED ACOUSTIC WAVE FILTERS

Номер патента: US20210280771A1. Автор: Hill Michael David,Gammel Peter Ledel. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Method of Making Aluminum Nitride Foam

Номер патента: US20200239312A1. Автор: Choe Heeman,Nam Kyungju. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

ALUMINUM NITRIDE SINTERED BODY AND MEMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACUTING APPARATUS COMPRISING SAME

Номер патента: US20200303205A1. Автор: CHAE Je Ho,PARK Hyo Sung,AHN Duck Won,KANG Tae Hee. Владелец: MiCo Ceramics Ltd.. Дата публикации: 2020-09-24.

METAL-BASED ALUMINUM NITRIDE COMPOSITE MATERIAL AND PREPARATION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20190337856A1. Автор: Xu Qiang,LIN Xinping,SHAO Changjian,LIU Chengchen,SONG Shanqing. Владелец: BYD Company Limited. Дата публикации: 2019-11-07.

GLASS-COATED ALUMINUM NITRIDE PARTICLES, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND HEAT DISSIPATING RESIN COMPOSITION CONTAINING SAME

Номер патента: US20200339419A1. Автор: OTSUKA Yuki,OKAMOTO Hidetoshi. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2020-10-29.

Aluminum nitride from inorganic polymers

Номер патента: US5455322A. Автор: James A. Jensen. Владелец: Lanxide Technology Co LP. Дата публикации: 1995-10-03.

Preparation method of aluminum nitride matrix fluorescent ceramic and related fluorescent ceramic

Номер патента: CN107200588B. Автор: 李乾,许颜正. Владелец: Appotronics Corp Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

Method for manufacturing aluminum nitride

Номер патента: JP2564804B2. Автор: 克彦 新井,育夫 倉地,宏明 和田,洋児 渡部. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 1996-12-18.

PROCESS FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE TRICHITES

Номер патента: FR2735466B1. Автор: Vladimir Nikolaevich Gribkov,Boris Vladimirovich Shchetanov,Eric Loguinovitch Umantsev,Vladimir Alexandrovich Silaev,Yurii Alexeevich Gorelov,Piotr Phiodorovich Lyasota. Владелец: AIRBUS GROUP SAS. Дата публикации: 1997-08-22.

Aluminum nitride manufacturing process

Номер патента: CH373359A. Автор: Perieres Rene,Bollack Raymond. Владелец: Pechiney Prod Chimiques Sa. Дата публикации: 1963-11-30.

Process for the production of purified or high-purity aluminum nitride

Номер патента: AT266037B. Автор: . Владелец: Pechiney Prod Chimiques Sa. Дата публикации: 1968-11-11.

Aluminum nitride-yttrium aluminate complex phase ceramic with high temperature thermal shock resistance and preparation method thereof

Номер патента: CN113264777B. Автор: 凌磊,田梦,刘鹏博,蔡舒,王重言,吕绪明,左佑. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-27.

METHOD FOR PRODUCING GRANULES FROM ALUMINUM NITRIDE AND THE USE THEREOF.

Номер патента: DE3771014D1. Автор: Waltraud Werdecker,Wolfgang Becker,Harald Gottschalk,Joachim Fleischer. Владелец: WC Heraus GmbH. Дата публикации: 1991-08-01.

METHOD FOR PRODUCING GRANULES FROM ALUMINUM NITRIDE AND THE USE THEREOF

Номер патента: DE3630303A1. Автор: Waltraud Werdecker,Wolfgang Becker,Harald Gottschalk,Joachim Fleischer. Владелец: WC Heraus GmbH and Co KG. Дата публикации: 1988-03-10.

Preparation method of porous aluminum nitride ceramic material

Номер патента: CN110845241A. Автор: 王春华,田静,李庆春,汤志强,茹红强,孙卫康,赵东萍. Владелец: Shenzhen Dongtao New Material Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-28.

Aluminum nitride sintered product, method for producing the same, and electrostatic chuck including the same

Номер патента: KR101413250B1. Автор: 나오미 데라타니,도루 하야세,유지 가츠타. Владелец: 엔지케이 인슐레이터 엘티디. Дата публикации: 2014-06-30.

Aluminum nitride Ceramic Materials with Low Dielectric Loss And Ceramic Heater And Manufacturing thereof

Номер патента: KR20180097052A. Автор: 조태현,이주성,김봉수,김신,윤상옥. Владелец: (주)보부하이테크. Дата публикации: 2018-08-30.

Manufacturing method of aluminum nitride substrate

Номер патента: JP2628599B2. Автор: 孝司 表,峰春 塚田,悦郎 宇田川,宏 牧原. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-07-09.

Aluminum nitride sintered body having metallized surface and method for producing the same

Номер патента: JP2616951B2. Автор: 晃 山川,雅也 三宅,彰 笹目,仁之 坂上. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1997-06-04.

Aluminum nitride sinter and production thereof

Номер патента: KR950006209B1. Автор: 마사야 미야께,코헤이 시모다,아끼라 야마카와,코이찌 소가베. Владелец: 스미도모덴기고오교오 가부시기가이샤. Дата публикации: 1995-06-12.

Novel aluminum nitride refractory materials and methods for making the same

Номер патента: CA2103255A1. Автор: John P. Biel, Jr.,Jack A. Kuszyk. Владелец: Lanxide Technology Company, Lp. Дата публикации: 1992-12-20.

Process for preparing aluminum nitride

Номер патента: FR1470972A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1967-02-24.

Macrocrystals containing aluminum nitride in the form of platelets, their preparation process and their uses.

Номер патента: FR2715169B1. Автор: Roland Bachelard,Jean-Pierre Disson. Владелец: Elf Atochem SA. Дата публикации: 1996-04-05.

PROCESS FOR BINDING A METAL SHEET, SUCH AS COPPER, ON AN ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATE, AND PRODUCT OBTAINED.

Номер патента: FR2658504B1. Автор: Guinet Jannick,Hubert Jean-Claude,Jarrige Jean,Mexmain Jacques,Michelet Jean-Pascal. Владелец: Telemecanique Electrique SA. Дата публикации: 1993-08-27.

Method and apparatus for the manufacture of aluminum nitride

Номер патента: FR543529A. Автор: Jacques Sigrist. Владелец: . Дата публикации: 1922-09-05.

METHOD FOR MANUFACTURING CARBON MATERIAL PROTECTED AGAINST OXIDATION BY ALUMINUM NITRIDE AND MATERIAL OBTAINED THEREBY

Номер патента: FR2654094A1. Автор: Rousseau Gerard. Владелец: AIRBUS GROUP SAS. Дата публикации: 1991-05-10.

Improvements in the preparation of aluminum nitride

Номер патента: FR1162795A. Автор: . Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1958-09-17.

Process for metallizing and electroplating nickel and gold on aluminum nitride ceramic wafer

Номер патента: CN115417697A. Автор: 朱杰,张晓�. Владелец: Zhenjiang Jinxing Surface Engineering Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-12-02.

Preparation method of aluminum nitride ceramic with high thermal conductivity

Номер патента: CN107759225B. Автор: 黄向东,刘海华. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-11-10.

Cleaning method and laminate of aluminum nitride single-crystal substrate

Номер патента: WO2016039116A1. Автор: 正男 有行. Владелец: 株式会社トクヤマ. Дата публикации: 2016-03-17.

METHOD FOR BINDING A METAL SHEET, SUCH AS COPPER, ON AN ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATE, AND PRODUCT OBTAINED

Номер патента: FR2658504A1. Автор: Guinet Jannick,Hubert Jean-Claude,Jarrige Jean,Mexmain Jacques,Michelet Jean-Pascal. Владелец: Telemecanique Electrique SA. Дата публикации: 1991-08-23.

Increasing aluminum nitride thermal conductivity via pre-densification treatment

Номер патента: EP0437449A1. Автор: Arne K. Knudsen. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1991-07-24.

Glass-coated aluminum nitride particles, method for producing same, and heat dissipating resin composition containing same

Номер патента: EP3730455A4. Автор: Hidetoshi Okamoto,Yuki Otsuka. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-08-04.

Oxygen controlled PVD aluminum nitride buffer for gallium nitride-based optoelectronic and electronic devices

Номер патента: US09929310B2. Автор: Vivek Agrawal,Rongjun Wang,Mingwei Zhu,Anantha Subramani,Daniel Lee Diehl,Nag B. Patibandia. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Fabrication method of spherical aluminum hydroxide

Номер патента: KR100732455B1. Автор: 김선욱,박병학,이석근. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2007-06-27.

ALUMINUM NITRIDE PIEZOELECTRIC THIN FILM, PIEZOELECTRIC MATERIAL, PIEZOELECTRIC COMPONENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING ALUMINUM NITRIDE PIEZOELECTRIC THIN FILM

Номер патента: US20160372653A1. Автор: UMEDA Keiichi,HONDA ATSUSHI,Nishikubo Keiko,AKIYAMA Morito,Nagase Toshimi. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

METHOD OF PRODUCING GLASS-COATED ALUMINUM NITRIDE PARTICLES AND METHOD OF PRODUCING HEAT-DISSIPATING RESIN COMPOSITION COMPRISING THESE GLASS-COATED ALUMINUM NITRIDE PARTICLES

Номер патента: US20210238465A1. Автор: OTSUKA Yuki,OKAMOTO Hidetoshi. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2021-08-05.

Process of producing aluminum nitrid.

Номер патента: US1180840A. Автор: Georg Giulini. Владелец: Individual. Дата публикации: 1916-04-25.

Bulked boron nitride particles, boron nitride powder, method for producing boron nitride powder, resin composition, and heat dissipation member

Номер патента: JP7069314B2. Автор: 豪 竹田,佳孝 谷口. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-17.

METHOD FOR PRODUCING SILICON-CONTAINING OXIDE-COATED ALUMINUM NITRIDE PARTICLES AND METHOD FOR PRODUCING EXOERGIC RESIN COMPOSITION

Номер патента: US20220135805A1. Автор: MINORIKAWA Naoki,OTSUKA Yuki,KOBAYASHI Ikue. Владелец: SHOWA DENKO K. K.. Дата публикации: 2022-05-05.

Large-size ultraviolet transparent aluminum nitride single crystal and preparation method thereof

Номер патента: CN111630630A. Автор: S·P·拉奥,R·T·伯恩多考夫,陈贱峰,山岡慶祐,王时超,鈴木崇志,L·J·邵瓦尔特. Владелец: Crystal Chemical Corp. Дата публикации: 2020-09-04.

Bulk wave resonator having an aluminum nitride film containing scandium and ScAlN protective layer

Номер патента: US09461616B2. Автор: Keiichi Umeda. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of forming pattern with high aspect ratio on polycrystalline aluminum nitride substrate

Номер патента: US09814143B1. Автор: Yi-Hsiuan Yu,Lea-Hwung Leu,Chung-Yen Lu,Chia-Ting Lin. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2017-11-07.

Aluminum nitride-based semiconductor deep ultraviolet light-emitting device

Номер патента: US10622530B2. Автор: Yoshihiro Ueta,Shuhichiroh YAMAMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-04-14.

Aluminum nitride-based semiconductor deep ultraviolet light-emitting device

Номер патента: US20180083173A1. Автор: Yoshihiro Ueta,Shuhichiroh YAMAMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Aluminum nitride barrier layer

Номер патента: US09646876B2. Автор: Deenesh Padhi,Alexandros T. Demos,He REN,Bhaskar Kumar,Srinivas Guggilla,Priyanka DASH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Aluminum Nitride Dipole Dopant Film for Tuning Multi-VT Devices

Номер патента: US20240332004A1. Автор: Chi On Chui,Cheng-Hao Hou,Da-Yuan Lee,Pei Ying Lai,Yi Hsuan Chen,Jia-Yun XU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Switching board on aluminum nitride for power and high-power microwave semiconductor devices, mounted on the base of the device housing

Номер патента: RU2696369C1. Автор: Игорь Петрович Смирнов,Александр Александрович Тевяшов,Андрей Сергеевич Корпухин. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2019-08-01.

Substrate having annealed aluminum nitride layer formed thereon and method for manufacturing the same

Номер патента: US09614124B2. Автор: Hideto Miyake,Hiroyuki Fukuyama. Владелец: Mie University NUC. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for preparing superfine spherical aluminum powder by high-pressure atomization

Номер патента: CN111633215B. Автор: 王怡,王宝,周建安,付晓晨,裴培炎,成日金. Владелец: Wuhan University of Science and Engineering WUSE. Дата публикации: 2023-03-31.

Low-energy-consumption high-yield spherical aluminum powder production system and method

Номер патента: CN113020609A. Автор: 姚磊,张劲,董前年,朱双单,疏敏,谷圣军,霍冬亮. Владелец: Inner Mongolia Xuyang New Materials Co ltd. Дата публикации: 2021-06-25.

Superconducting structure with layers of niobium nitride and aluminum nitride

Номер патента: US4844989A. Автор: Ivan K. Schuller,James M. Murduck,Yves J. Lepetre,John B. Ketterson. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 1989-07-04.

Selective etching of scandium-doped aluminum nitride

Номер патента: EP4396861A1. Автор: Sukti Chatterjee,Vijay Bhan SHARMA,Bharatwaj Ramakrishnan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device with ferroelectric aluminum nitride

Номер патента: US11996451B2. Автор: Miin-Jang Chen,Bo-Ting Lin,Tzong-Lin Jay Shieh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device with ferroelectric aluminum nitride

Номер патента: US20210074817A1. Автор: Miin-Jang Chen,Bo-Ting Lin,Tzong-Lin Jay Shieh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device with ferroelectric aluminum nitride

Номер патента: US10847623B2. Автор: Miin-Jang Chen,Bo-Ting Lin,Tzong-Lin Jay Shieh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-11-24.

Power semiconductor devices incorporating single crystalline aluminum nitride substrate

Номер патента: US20140264714A1. Автор: Jinqiao Xie,Baxter Moody,Seiji Mita. Владелец: HexaTech Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Aluminum nitride electrostatic chuck used in high temperature and high plasma power density semiconductor manufacturing process

Номер патента: US09972520B2. Автор: Yi-Hsiuan Yu,Yang-Kuao Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2018-05-15.

Optoelectronic devices incorporating single crystalline aluminum nitride substrate

Номер патента: US09680062B2. Автор: Jinqiao Xie,Baxter Moody,Seiji Mita. Владелец: HexaTech Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device with ferroelectric aluminum nitride

Номер патента: US20240313060A1. Автор: Miin-Jang Chen,Bo-Ting Lin,Tzong-Lin Jay Shieh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-09-19.

Power semiconductor devices incorporating single crystalline aluminum nitride substrate

Номер патента: US09748409B2. Автор: Jinqiao Xie,Baxter Moody,Seiji Mita. Владелец: HexaTech Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of preparing substrate surface from aluminum nitride ceramic with holes formed by laser cutting, for thin-film metallisation

Номер патента: RU2723475C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Александра Сергеевна Гришаева,Яна Сергеевна Маскалец. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-11.

Aluminum nitride barrier layer

Номер патента: US20160254181A1. Автор: Deenesh Padhi,Alexandros T. Demos,He REN,Bhaskar Kumar,Srinivas Guggilla,Priyanka DASH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Integrated electronics on the aluminum nitride platform

Номер патента: US20220199782A1. Автор: Debdeep Jena,Huili Grace Xing,Reet Chaudhuri,Austin Hickman,James C. M. Hwang. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-06-23.

Aluminum nitride barrier layer

Номер патента: WO2016137747A1. Автор: Deenesh Padhi,Alexandros T. Demos,He REN,Bhaskar Kumar,Srinivas Guggilla,Priyanka DASH. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-09-01.

Method for reduction of interfacial stress accumulation between double side copper-plated layers and aluminum nitride substrate

Номер патента: US20200152825A1. Автор: Chun-Te Wu,Cheng-Hung Shih,Yang-Kuo Kuo,Hong-Ting Huang. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2020-05-14.

Systems and methods for rapid inactivation of sars-cov-2 by silicon nitride and aluminum nitride

Номер патента: EP4171225A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-03.

Aluminum nitride film, acoustic wave device, filter, and multiplexer

Номер патента: US20180375489A1. Автор: Kuniaki Tanaka,Tokihiro Nishihara. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2018-12-27.

Removing aluminum nitride sections

Номер патента: US20130052758A1. Автор: Christopher L. Chua,Noble M. Johnson,Thomas Wunderer,Brent S. Krusor,Bowen Cheng. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Pattern-enabled aluminum nitride thermal test vehicle for datacenter cooling systems

Номер патента: US20230397376A1. Автор: Ali Heydari. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of manufacturing aluminum nitride layer

Номер патента: US20240297266A1. Автор: June O Song. Владелец: Wavelord Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Thick print copper pastes for aluminum nitride substrates

Номер патента: US09799421B2. Автор: Virginia C. GARCIA,Matthew Sgriccia,Mark CHALLINGSWORTH. Владелец: Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC. Дата публикации: 2017-10-24.

Titanium-doped amorphous aluminum nitride microlaser device and method for making and using same

Номер патента: US09515447B2. Автор: Muhammad Maqbool,Kyle Main. Владелец: BALL STATE INNOVATION Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Aluminum nitride heater

Номер патента: CA2251875C. Автор: Masuhiro Natsuhara,Yasuhisa Yushio,Hirohiko Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-01-06.

Power semiconductor devices incorporating single crystalline aluminum nitride substrate

Номер патента: EP2973719A1. Автор: Jinqiao Xie,Baxter Moody,Seiji Mita. Владелец: HexaTech Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Power semiconductor devices incorporating single crystalline aluminum nitride substrate

Номер патента: US20180026144A1. Автор: Jinqiao Xie,Baxter Moody,Seiji Mita. Владелец: HexaTech Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor light emitting devices including flexible unitary film on aluminum nitride substrate

Номер патента: US8455909B2. Автор: Gerald H. Negley. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-06-04.

Method of manufacturing aluminum nitride films

Номер патента: WO2022212317A1. Автор: Vijay Bhan SHARMA,Bharatwaj Ramakrishnan,Suresh Chand SETH,Abhijeet Laxman Sangle,Ankur Anant KADAM. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-10-06.

Layer structures for rf filters fabricated using rare earth oxides and epitaxial aluminum nitride

Номер патента: US20170141750A1. Автор: Andrew Clark,Howard Williams,Rytis Dargis,Michael Lebby,Rodney Pelzel,Patrick Chin. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2017-05-18.

Lamb wave delay line with aluminum nitride piezoelectric layer

Номер патента: US20210111694A1. Автор: Rei GOTO,Siarhei Dmitrievich Barsukou. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Titanium-doped amorphous aluminum nitride microlaser device and method for making and using same

Номер патента: US20120274944A1. Автор: Muhammad Maqbool,Kyle Main. Владелец: BALL STATE UNIVERSITY BOARD OF TRUSTEES. Дата публикации: 2012-11-01.

Layer structures for rf filters fabricated using rare earth oxides and epitaxial aluminum nitride

Номер патента: US20190028081A1. Автор: Andrew Clark,Howard Williams,Rytis Dargis,Michael Lebby,Rodney Pelzel,Patrick Chin. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2019-01-24.

Process for producing laminate comprising al-based group iii nitride single crystal layer, laminate produced by the process, process for producing al-based group iii nitride single crystal substrate using the laminate, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: EP2243866A1. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2010-10-27.

Method for producing a laminated body having a1-based group-iii nitride single crystal layer, laminated body produced by the method, method for producing a1-based group-iii nitride single crystal substrate employing the laminated body, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: CA2712148C. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2012-08-07.

Method for producing aluminum nitride substrate, aluminum nitride substrate, and method for suppressing occurrence of cracks in aluminum nitride layer

Номер патента: US20230197486A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Yoshitaka Nishio,Daichi DOJIMA,Moeko Matsubara,Taku Murakawa. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for producing aluminum nitride substrate, aluminum nitride substrate, and method for suppressing occurrence of cracks in aluminum nitride layer

Номер патента: EP4137614A4. Автор: Tadaaki Kaneko,Yoshitaka Nishio,Daichi DOJIMA,Moeko Matsubara,Taku Murakawa. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2024-05-22.

Method for producing aluminum nitride substrate, aluminum nitride substrate, and method for suppressing introduction of dislocation into aluminum nitride growth layer

Номер патента: EP4137616A4. Автор: Tadaaki Kaneko,Yoshitaka Nishio,Daichi DOJIMA,Moeko Matsubara,Taku Murakawa. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2024-05-22.

Growth and manufacture of reduced dislocation density and free-standing aluminum nitride films by hydride vapor phase epitaxy

Номер патента: WO2008057454A3. Автор: Shuji Nakamura,James S Speck,Derrick S Kamber. Владелец: Janpan Science And Technology. Дата публикации: 2008-07-03.

Growth and manufacture of reduced dislocation density and free-standing aluminum nitride films by hydride vapor phase epitaxy

Номер патента: WO2008057454A8. Автор: Shuji Nakamura,James S Speck,Derrick S Kamber. Владелец: Derrick S Kamber. Дата публикации: 2008-09-25.

Apparatus for manufacturing group iii nitride single crystal, method for manufacturing group iii nitride single crystal using the apparatus, and aluminum nitride single crystal

Номер патента: US20170330745A1. Автор: Masayuki Fukuda,Toru Nagashima. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Gallium nitride-based LED fabrication with PVD-formed aluminum nitride buffer layer

Номер патента: TW201234658A. Автор: Omkaram Nalamasu,Vivek Agrawal,Nag B Patibandla,ming-wei Zhu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

METHOD FOR GROWING A SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE EPITAXIAL LAYER USING ALUMINUM NITRIDE / GALLIUM NITRIDE SUPERLATTICES

Номер патента: US20220090294A1. Автор: BIN ABU BAKAR Ahmad Shuhaimi,AL- ZUHAIRI Omar Ayad Fadhil,AHMAD MAKINUDIN Abdullah Haaziq,BIN AZMAN SHAH Mohd Adreen Shah,BIN KAMARUNDZAMAN Anas. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

APPARATUS FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL USING THE APPARATUS, AND ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20190287799A1. Автор: NAGASHIMA Toru,FUKUDA Masayuki. Владелец: TOKUYAMA CORPORATION. Дата публикации: 2019-09-19.

APPARATUS FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL USING THE APPARATUS, AND ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20170330745A1. Автор: NAGASHIMA Toru,FUKUDA Masayuki. Владелец: TOKUYAMA CORPORATION. Дата публикации: 2017-11-16.

Method for producing aluminum nitride substrate, aluminum nitride substrate, and method for suppressing introduction of dislocation into aluminum nitride growth layer

Номер патента: WO2021210398A1. Автор: 西尾　佳高,忠昭 金子,大地 堂島,拓 村川,萌子 松原. Владелец: 豊田通商株式会社. Дата публикации: 2021-10-21.

Producing aluminum nitride volume single crystal, comprises disposing monocrystalline aluminum nitride seed crystal in crystal growth region of crucible arrangement, and producing aluminum nitride growth gas phase in crystal growth region

Номер патента: DE102009016133A1. Автор: Ralph-Uwe Dr. Barz,Thomas Dr. Straubinger. Владелец: SiCrystal AG. Дата публикации: 2010-10-07.

Method for producing a laminated body having a1-based group-iii nitride single crystal layer, laminated body produced by the method, method for producing a1-based group-iii nitride single crystal substrate employing the laminated body, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: CA2712148A1. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-23.

Manufacturing method of laminated body having aluminum nitride single crystal layer, laminated body manufactured by the manufacturing method, manufacturing method of aluminum nitride single crystal substrate using the laminated body, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: JP4707755B2. Автор: 徹 永島,和哉 高田,明 箱守. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2011-06-22.

METHOD FOR PRODUCING A LAMINATED BODY HAVING Al-BASED GROUP-III NITRIDE SINGLE CRYSTAL LAYER, LAMINATED BODY PRODUCED BY THE METHOD, METHOD FOR PRODUCING Al-BASED GROUP-III NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE EMPLOYING THE LAMINATED BODY, AND ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20110018104A1. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Method for growing aluminum nitride crystal, process for producing aluminum nitride crystal, and aluminum nitride crystal

Номер патента: EP2230333A1. Автор: Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Michimasa Miyanaga,Naho Mizuhara,Keisuke Tanizaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-09-22.

Method for producing laminate having aluminum nitride single crystal layer, laminate produced by the method, method for producing aluminum nitride single crystal substrate using the laminate, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: JP2011020900A. Автор: Kazuya Takada,徹 永島,Toru Nagashima,和哉 高田,Akira Hakomori,明 箱守. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Method for manufacturing aluminum nitride substrate, aluminum nitride substrate, and method for forming aluminum nitride layer

Номер патента: US20230304186A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Yoshitaka Nishio,Daichi DOJIMA,Moeko Matsubara. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for manufacturing aluminum nitride substrate, aluminum nitride substrate, and method for forming aluminum nitride layer

Номер патента: EP4137623A4. Автор: Tadaaki Kaneko,Yoshitaka Nishio,Daichi DOJIMA,Moeko Matsubara. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2024-05-22.

ALUMINUM NITRIDE LAMINATE MEMBER AND ALUMINUM NITRIDE LAYER

Номер патента: US20200255978A1. Автор: FUJIKURA Hajime. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

IMPURITY CONTROL DURING FORMATION OF ALUMINUM NITRIDE CRYSTALS AND THERMAL TREATMENT OF ALUMINUM NITRIDE CRYSTALS

Номер патента: US20190382916A1. Автор: Grandusky James R.,Schowalter Leo J.,Kimura Toru,Chen Jianfeng,Bondokov Robert T.,Miebach Thomas,WANG SHICHAO,YAMAOKA Keisuke. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Manufacturing method of aluminum nitride single crystal and aluminum nitride single crystal

Номер патента: EP1806440A3. Автор: Yoshimasa c/o Legal Affairs and Int. Kobayashi,Naohito c/oLegal Affairs and Intellectual Yamada. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2009-05-13.

Method of forming mixed rare earth nitride and aluminum nitride films by atomic layer deposition

Номер патента: US20070237698A1. Автор: Robert Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

Production of bulk single crystals of aluminum nitride, silicon carbide and aluminum nitride:silicon carbide alloy

Номер патента: EP1144737A3. Автор: Charles Eric Hunter. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2002-09-11.

Production of bulk single crystals of aluminum nitride, silicon carbide and aluminum nitride:silicon carbide alloy

Номер патента: EP1144737A2. Автор: Charles Eric Hunter. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Method for growing aluminum nitride crystal and method for producing aluminum nitride crystal

Номер патента: JP5391653B2. Автор: 喜之 山本,英章 中幡,倫正 宮永,奈保 水原,圭祐 谷崎. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-15.

Manufacturing method of aluminum nitride single crystal and aluminum nitride single crystal

Номер патента: EP1806440A2. Автор: Yoshimasa c/o Legal Affairs and Int. Kobayashi,Naohito c/oLegal Affairs and Intellectual Yamada. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2007-07-11.

Light-emitting device, aluminum nitride product, aluminum nitride single crystal, and manufacturing method and application thereof

Номер патента: CN114059165B. Автор: 王新强,罗巍,康俊杰,袁冶,刘上锋. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2022-08-12.

Silica-based gallium nitride growing method based on graphene and magnetron sputtering aluminum nitride

Номер патента: CN105655238A. Автор: 陈智斌,郝跃,张进成,吕佳骐. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2016-06-08.

SIMULATED DIAMOND GEMS FROM ALUMINUM NITRIDE AND ALUMINUM NITRIDE: SILICON CARBIDE ALLOY

Номер патента: DE69916093D1. Автор: Eric Hunter. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-05-06.

Light-emitting device, aluminum nitride product, aluminum nitride single crystal, and manufacturing method therefor and use thereof

Номер патента: WO2023082540A1. Автор: 王新强,罗巍,康俊杰,袁冶,刘上锋. Владелец: 松山湖材料实验室. Дата публикации: 2023-05-19.

Aluminum nitride single crystal film, aluminum nitride single crystal laminated substrate and processes for production of both

Номер патента: EP1918429A4. Автор: Kazuya Takada,Hiroyuki Fukuyama,Akira Hakomori. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2011-09-21.

Process For Producing Aluminum Nitride Crystal And Aluminum Nitride Crystal Obtained Thereby

Номер патента: US20080008642A1. Автор: Yoshimura Masashi,Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Hiroaki Isobe,Minoru Kawahara,Takatamo Sasaki. Владелец: Kansai Technology Licensing Organization Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Aluminum nitride single crystal film, aluminum nitride single crystal laminated substrate and processes for production of both

Номер патента: EP1918429A1. Автор: Hiroyuki c/o Tohoku University FUKUYAMA,Kazuya c/o Tokuyama Corporation TAKADA,Akira c/o Tokuyama Corporation HAKOMORI. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2008-05-07.

Production of bulk single crystals of aluminum nitride, silicon carbide and aluminum nitride:silicon carbide alloy

Номер патента: AU1807000A. Автор: Charles Eric Hunter. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2000-05-01.

Thin Film of Aluminum Nitride and Process for Producing the Thin Film of Aluminum Nitride

Номер патента: US20100209622A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Michimasa Miyanaga,Naho Mizuhara,Keisuke Tanizaki,Issei Satoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-08-19.

Aluminum nitride filled thermally conductive silicone composition

Номер патента: EP4244290A4. Автор: Yan Zheng,Peng Wei,Dorab Bhagwagar,Darren Hansen,Han Guang Wu. Владелец: Dow Silicones Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Aluminum nitride filled thermally conductive silicone composition

Номер патента: EP4244290A1. Автор: Yan Zheng,Peng Wei,Dorab Bhagwagar,Darren Hansen,Han Guang Wu. Владелец: Dow Silicones Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Doped aluminum nitride crystals and methods of making them

Номер патента: US09525032B2. Автор: Leo J. Schowalter,Glen A. Slack. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for preparing polycrystalline aluminum nitride high reflection mirror

Номер патента: TWI656231B. Автор: 黃勇翰,呂忠諺. Владелец: 國家中山科學研究院. Дата публикации: 2019-04-11.

Growth of large aluminum nitride single crystals with thermal-gradient control

Номер патента: US09580833B2. Автор: Leo J. Schowalter,Robert T. Bondokov,Shailaja P. Rao,Shawn R. Gibb. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE CRYSTALS

Номер патента: US20130187170A1. Автор: Fukuyama Hiroyuki,Maeda Kazuo,Tanaka Akikazu,Adachi Masayoshi. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-25.

APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCTION OF ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20130239878A1. Автор: KATOU Tomohisa,MIURA Tomonori,KAMATA Hiroyuki,NAGAI Ichiro. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-19.

Two-stage seeded growth of large aluminum nitride single crystals

Номер патента: US20200010975A1. Автор: Leo J. Schowalter,Robert T. Bondokov,James R. Grandusky. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

DEFECT REDUCTION IN SEEDED ALUMINUM NITRIDE CRYSTAL GROWTH

Номер патента: US20150013592A1. Автор: Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.,Morgan Kenneth E.,Slack Glen A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

DIAMETER EXPANSION OF ALUMINUM NITRIDE CRYSTALS DURING GROWTH BY PHYSICAL VAPOR TRANSPORT

Номер патента: US20210047749A1. Автор: Schowalter Leo J.,Suzuki Takashi,Chen Jianfeng,Bondokov Robert T.,Miebach Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTALS HAVING LARGE CRYSTAL AUGMENTATION PARAMETERS

Номер патента: US20210047751A1. Автор: Schowalter Leo J.,Suzuki Takashi,Chen Jianfeng,Bondokov Robert T.,Miebach Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

ALUMINUM NITRIDE PROTECTION OF SILVER APPARATUS, SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20180059290A1. Автор: Rampley Colby Greg,Weibrecht Jeffrey Lynn,LE Minh-Phuong Thanh. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Manufacturing method of aluminum nitride

Номер патента: US20220090282A1. Автор: Chun-Ying Lee,Kun-Cheng Peng,Chi-Ting CHUNG. Владелец: Ming Chi University of Technology. Дата публикации: 2022-03-24.

METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING LARGE, SINGLE-CRYSTALS OF ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: US20150079329A1. Автор: Smart Joseph A.,Bondokov Robert T.,Morgan Kenneth E.,Schowalter Leo,Slack Glen A.,Rojo Juan Carlos. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20190093255A1. Автор: YANAGI Hiroyuki,NAGASHIMA Toru,OKAYAMA Reiko,FUKUDA Masayuki. Владелец: TOKUYAMA CORPORATION. Дата публикации: 2019-03-28.

Doped aluminum nitride crystals and methods of making them

Номер патента: US20140231725A1. Автор: Leo J. Schowalter,Glen A. Slack. Владелец: CRYSAL IS Inc. Дата публикации: 2014-08-21.

LARGE, UV-TRANSPARENT ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTALS

Номер патента: US20190153618A1. Автор: Schowalter Leo J.,Suzuki Takashi,Chen Jianfeng,Bondokov Robert T.,WANG SHICHAO,Rao Shailaja P.,YAMAOKA Keisuke. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING LARGE, SINGLE-CRYSTALS OF ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: US20170159207A1. Автор: Smart Joseph A.,Bondokov Robert T.,Morgan Kenneth E.,Schowalter Leo,Slack Glen A.,Rojo Juan Carlos. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

MANUFACTURING METHOD OF HIGH REFLECTION MIRROR WITH POLYCRYSTALLINE ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: US20190172986A1. Автор: LU Chung-Yen,Huang Yung-Han. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

DEFECT REDUCTION IN SEEDED ALUMINUM NITRIDE CRYSTAL GROWTH

Номер патента: US20170191184A1. Автор: Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.,Morgan Kenneth E.,Slack Glen A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20190186044A1. Автор: Nakamura Keiichiro,Iwasaki Yosuke. Владелец: JFE MINERAL COMPANY, LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

NUCLEATION OF ALUMINUM NITRIDE ON A SILICON SUBSTRATE USING AN AMMONIA PREFLOW

Номер патента: US20170198410A1. Автор: Fenwick Will,Ramer Jeff. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

LARGE ALUMINUM NITRIDE CRYSTALS WITH REDUCED DEFECTS AND METHODS OF MAKING THEM

Номер патента: US20160208417A1. Автор: Schowalter Leo J.,Morgan Kenneth E.,Slack Glen A.,Bondokov Robert. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

THERMAL CONTROL FOR FORMATION AND PROCESSING OF ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: US20200190694A1. Автор: Schowalter Leo J.,Suzuki Takashi,Chen Jianfeng,Bondokov Robert T.,WANG SHICHAO,Rao Shailaja P.,YAMAOKA Keisuke. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Growth of large aluminum nitride single crystals with thermal-gradient control

Номер патента: US20150218728A1. Автор: Leo J. Schowalter,Robert T. Bondokov,Shailaja P. Rao,Shawn R. Gibb. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

HIGH GROWTH RATE PROCESS FOR CONFORMAL ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: US20150235835A1. Автор: BANERJI Ananda,Shankar Nagraj,Swaminathan Shankar,LaVoie Adrien. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2015-08-20.

GROWTH OF LARGE ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTALS WITH THERMAL-GRADIENT CONTROL

Номер патента: US20170226661A1. Автор: Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.,Rao Shailaja P.,Gibb Shawn Robert. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

NUCLEATION OF ALUMINUM NITRIDE ON A SILICON SUBSTRATE USING AN AMMONIA PREFLOW

Номер патента: US20140318443A1. Автор: Fenwick William E.,Ramer Jeff. Владелец: MANUTIUS IP INC.. Дата публикации: 2014-10-30.

Method and device for decreasing generation of surface oxide of aluminum nitride

Номер патента: US20210262082A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Yao-Syuan Cheng. Владелец: Skytech Co Ltd Taiwan. Дата публикации: 2021-08-26.

AMMONIA PRE-TREATMENT TO PROMOTE AMORPHOUS SILICON ADHESION TO ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: US20190249295A1. Автор: Sumega Jon David,Simpson Jeffrey Ryan. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

Cleaning Method and Laminate of Aluminum Nitride Single-Crystal Substrate

Номер патента: US20170260650A1. Автор: Ariyuki Masao. Владелец: TOKUYAMA CORPORATION. Дата публикации: 2017-09-14.

Growth Method of Aluminum Nitride

Номер патента: US20180258550A1. Автор: Hsu Kung-Hsieh,Hsu Ming-Sen. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

ALUMINUM NITRIDE LAMINATE MEMBER AND LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20200259046A1. Автор: FUJIKURA Hajime. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

TWO-STAGE SEEDED GROWTH OF LARGE ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTALS

Номер патента: US20200283926A1. Автор: Grandusky James R.,Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

ALUMINUM NITRIDE BULK CRYSTALS HAVING HIGH TRANSPARENCY TO ULTRAVIOLET LIGHT AND METHODS OF FORMING THEM

Номер патента: US20190316272A1. Автор: Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.,Morgan Kenneth E.,Slack Glen A.,Rao Shailaja P.,Schujman Sandra B.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

ALUMINUM NITRIDE BULK CRYSTALS HAVING HIGH TRANSPARENCY TO ULTRAVIOLET LIGHT AND METHODS OF FORMING THEM

Номер патента: US20160348273A1. Автор: Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.,Morgan Kenneth E.,Slack Glen A.,Rao Shailaja P.,Schujman Sandra B.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

DOPED ALUMINUM NITRIDE CRYSTALS AND METHODS OF MAKING THEM

Номер патента: US20200350411A1. Автор: Schowalter Leo J.,Slack Glen A.. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

TWO-STAGE SEEDED GROWTH OF LARGE ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTALS

Номер патента: US20180363164A1. Автор: Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.,SR. James R.,GRANDUSKY. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

ALUMINUM NITRIDE FILM, PIEZOELECTRIC DEVICE, RESONATOR, FILTER, AND MULTIPLEXER

Номер патента: US20190363243A1. Автор: NISHIHARA Tokihiro,TANAKA Kuniaki,YAMATOH Tomonori. Владелец: TAIYO YUDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2019-11-28.

ALUMINUM NITRIDE PASSIVATION LAYER FOR MERCURY CADMIUM TELLURIDE IN AN ELECTRICAL DEVICE

Номер патента: US20220372651A1. Автор: Grama George,Clarke Andrew,Rhiger David R.,Farrell Stuart B.. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

Silicone composite composition comprising natural graphite, alumina and aluminum nitride, and preparation method of thermal conductive grease comprising the same

Номер патента: KR101872199B1. Автор: 오원태,최현명. Владелец: 비엔비머티리얼 주식회사. Дата публикации: 2018-06-28.

Aluminum nitride film and preparation method and application thereof

Номер патента: CN111364017A. Автор: 徐丽华,赵乐,褚卫国,闫兰琴. Владелец: Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems. Дата публикации: 2020-07-03.

N-type aluminum nitride monocrystalline substrate

Номер патента: CN106574399A. Автор: 永岛彻,木下亨. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2017-04-19.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: US20060005763A1. Автор: Leo Schowalter,Glen Slack,J. Rojo. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Doped aluminum nitride crystals and methods of making them

Номер патента: WO2007065018A2. Автор: Leo J. Schowalter,Glen A. Slack. Владелец: CRYSTAL IS, INC.. Дата публикации: 2007-06-07.

Use the growth of the bulk aluminum nitride single crystal of thermal gradient control

Номер патента: CN103038400B. Автор: L·J·斯高沃特,S·R·吉布,R·T·邦杜库,S·P·拉奥. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2016-06-22.

Aluminum nitride single crystal growth device and method without seed crystal bonding technology

Номер патента: CN107829134B. Автор: 张国义,朱星宇,韩彤,吴洁君,程玉田,李孟达,于彤军. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-26.

Aluminum nitride/graphene composite thermally conductive silicone grease and preparing method thereof

Номер патента: CN105885418A. Автор: 曾广胜. Владелец: Hunan University of Technology. Дата публикации: 2016-08-24.

Preparing template comprising substrate and crystal layer made of e.g. aluminum nitride, comprises e.g. performing crystal growth of material on substrate at crystal growth temperature, changing to second temperature and continuing growth

Номер патента: DE102012204551A1. Автор: Eberhard Richter,Frank Habel,Marit Gründer,Frank Brunner,Markus Weyers. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2013-09-26.

A kind of aluminum-nitride single crystal grower and method without seed crystal adhesive technology

Номер патента: CN107829134A. Автор: 张国义,朱星宇,韩彤,吴洁君,程玉田,李孟达,于彤军. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-03-23.

MOS transistor having aluminum nitride gate structure and method of manufacturing same

Номер патента: US6495409B1. Автор: Michael J. Manfra,Yiu-Huen Wong,Loren N. Pfeiffer,Kenneth W. West. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2002-12-17.

Increasing reliability of copper-based metallization structures in a microstructure device by using aluminum nitride

Номер патента: KR101385709B1. Автор: 크리스토프 스트렉,볼커 카러트. Владелец: 글로벌파운드리즈 인크.. Дата публикации: 2014-04-17.

Method for preparation of silicon-aluminum nitride or oxynitride fluorescent powder

Номер патента: CN105778903A. Автор: 陈克新,葛瑶,袁轩,邹艺峰,葛一瑶,袁轩一. Владелец: Tianjin Nader Science And Technology Ltd. Дата публикации: 2016-07-20.

METHOD FOR FORMING OXIDE AND / OR ALUMINUM NITRIDE AND DEVICE FOR CARRYING OUT SAID METHOD

Номер патента: FR3043699B1. Автор: Jean-Luc Delcarri,Julien VITIELLO,Fabien Piallat. Владелец: ALTATECH SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2019-06-14.

PROCESS FOR TREATMENT OF ORIENTATED SILICON STEEL INHIBITED BY ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: FR2322930A1. Автор: . Владелец: Allegheny Ludlum Industries Inc. Дата публикации: 1977-04-01.

Aluminum nitride coating composite for sinking heat, heat sink using the composite and manufacturing method of the heat sink

Номер патента: KR100972753B1. Автор: 탁명수. Владелец: 탁명수. Дата публикации: 2010-07-28.

PROCESS FOR COATING ALUMINUM NITRIDE OF THE CYLINDER PUT OF AN ALUMINUM ALLOY CASING

Номер патента: FR2762618B1. Автор: Axel Heuberger,Jürgen Steinwandel,Jorg Hoschele,Theodor Staneff. Владелец: Daimler Benz AG. Дата публикации: 2001-04-27.

Chemical vapor deposition of e.g., silicon carbide or aluminum nitride on a flat substrate, comprises substrate heating by heat radiated from a process gas passage tube having external heaters on opposite sides of the substrate

Номер патента: FR2786203A1. Автор: Andre Leycuras. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2000-05-26.

Film formation method for semiconductor device, aluminum nitride film formation method, and electronic device

Номер патента: TWI626327B. Автор: Jun Wang,Boyu Dong,Bingliang Guo,Yujie Geng,Huaichao Ma. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-11.

Aluminum-nitride buffer and active layers by physical vapor deposition

Номер патента: KR102168043B1. Автор: 시안민 탕,롱준 왕,아난타 서브라마니,밍웨이 추,나그 비. 파티밴드라,비베크 아그라왈,다니엘 엘. 디엘. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2020-10-20.

Seeded growth process for preparing aluminum nitride single crystals

Номер патента: EP1866464B1. Автор: Zlatko Sitar,Raoul Schlesser,Vladimir Noveski. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2013-02-27.

Thick film paste compositions for use with an aluminum nitride substrate

Номер патента: EP0306271A1. Автор: Gordon J. Roberts,Kevin W. Allison,Dana L. Hankey,Edward Stadnicar, Jr.. Владелец: Ferro Corp. Дата публикации: 1989-03-08.

Aluminum-nitride single crystal

Номер патента: CN108463582A. Автор: 中村启一郎,岩崎洋介,中村启郎. Владелец: JFE Mineral Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-28.

In-situ formation of oxidized aluminum nitride films

Номер патента: US20070259534A1. Автор: Anthony Dip,Kimberly G. Reid. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Devices having removed aluminum nitride sections

Номер патента: EP2562826B1. Автор: Christopher L. Chua,Noble M. Johnson,Thomas Wunderer,Brent S. Krusor. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2017-06-28.

ALUMINUM NITRIDE (AlN) DEVICES WITH INFRARED ABSORPTION STRUCTURAL LAYER

Номер патента: US20170327370A1. Автор: Julius Ming-Lin Tsai,Michael J. Daneman. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Mold for Casting Polycrystalline Silicon Ingot, and Silicon Nitride Powder for Mold Release Material Thereof, Slurry Containing Silicon Nitride Powder for Mold Release Layer Thereof and Mold Release Material for Casting Thereof

Номер патента: US20130273189A1. Автор: Jida Shinsuke,Yamao Takeshi,Honda Michio. Владелец: UBE INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2013-10-17.

Mold-Tool Assembly Including Heater having Resistive Element Encased in Aluminum Nitride

Номер патента: US20130202730A1. Автор: Esser Brian,Gray Stephen Linwood. Владелец: Husky Injection Molding Systems Ltd.. Дата публикации: 2013-08-08.

Monolithic Optical Packages and Methods Using Aluminum Nitride

Номер патента: US20140097333A1. Автор: Yu Fei,Qi Deng,Anwar A. Mohammed. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

ALUMINUM NITRIDE (AlN) DEVICES WITH INFRARED ABSORPTION STRUCTURAL LAYER

Номер патента: US20170022054A1. Автор: DANEMAN Michael J.,Tsai Julius Ming-Lin. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

Low Temperature Direct Bonding Of Aluminum Nitride To AlSiC Substrates

Номер патента: US20200262000A1. Автор: Puckett Waylon,Pahinkar Darshan G.,Graham Samuel. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

Aluminum nitride/nano-silver solder paste heat conduction material and preparation method thereof

Номер патента: CN110549040B. Автор: 张平,许晖,姜雄,杨道国,周漫,燕立培. Владелец: Guilin University of Electronic Technology. Дата публикации: 2021-09-14.

Method for preparing spherical aluminum-doped nickel lithium carbonate for lithium ion battery positive electrode material

Номер патента: CN102074679B. Автор: 刘强,胡国荣,杜柯,彭忠东,曹雁冰,蒋庆来,刘万民. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-04-17.

Method for preparing spherical aluminum-doped nickel lithium carbonate for lithium ion battery positive electrode material

Номер патента: CN102074679A. Автор: 刘强,胡国荣,杜柯,彭忠东,曹雁冰,蒋庆来,刘万民. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-05-25.

Solar selective coating for harnessing solar energy, e.g. for solar steam generation, includes three solar absorber layers containing titanium aluminum nitride, titanium-aluminum-oxynitride and silicon nitride, respectively

Номер патента: DE102006039669A1. Автор: Harish Chandra Barshilia,Vatika Krishnamurthy William Grips,Karaikudi Sankaranarayana Rajam. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2008-02-28.

Micrometer-line ultraviolet light detection device based on gallium nitride-aluminum nitride core-shell structure and preparation method thereof

Номер патента: CN111509062A. Автор: 刘青,施江,高芳亮,李述体. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-08-07.

Polycrystalline sintered compact consisting essentially of aluminum nitride and its production

Номер патента: JPH01167279A. Автор: Masaki Kato,Naoki Ueda,直樹 植田,Naomi Awano,直実 粟野,正樹 加藤. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 1989-06-30.

Multilayer sandwich type aluminum skin and spherical aluminum net shell

Номер патента: CN113719175B. Автор: 张玉平,陶彬,郎需庆,管孝瑞,马开良. Владелец: Sinopec Safety Engineering Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-13.

Aluminum nitride-based high power devices and methods of making the same

Номер патента: WO2023168139A9. Автор: William Alan Doolittle,Habib Ahmad,Zachary P. ENGEL,Christopher M. MATTHEWS,Keisuke MOTOKI,Alex S. WEIDENBACH. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-30.

Aluminum nitride-based high power devices and methods of making the same

Номер патента: WO2023168139A2. Автор: William Alan Doolittle,Habib Ahmad,Zachary P. ENGEL,Christopher M. MATTHEWS,Keisuke MOTOKI,Alex S. WEIDENBACH. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-09-07.

Aluminum nitride-based high power devices and methods of making the same

Номер патента: WO2023168139A3. Автор: William Alan Doolittle,Habib Ahmad,Zachary P. ENGEL,Christopher M. MATTHEWS,Keisuke MOTOKI,Alex S. WEIDENBACH. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-02-22.

Snspd with integrated aluminum nitride seed or waveguide layer

Номер патента: US20230309420A1. Автор: Nag B. Patibandla,Robert Jan Visser,Zihao Yang,Mingwei Zhu,Nir Yahav,Adi de la Zerda. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Snspd with integrated aluminum nitride seed or waveguide layer

Номер патента: EP4100707A2. Автор: Nag B. Patibandla,Robert Jan Visser,Zihao Yang,Mingwei Zhu,Nir Yahav,Adi de la Zerda. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-12-14.

SNSPD with integrated aluminum nitride seed or waveguide layer

Номер патента: US11788883B2. Автор: Nag B. Patibandla,Robert Jan Visser,Zihao Yang,Mingwei Zhu,Nir Yahav,Adi de la Zerda. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Iii-nitride thermal management based on aluminum nitride substrates

Номер патента: WO2022081424A1. Автор: Gregg H. Jessen. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc.. Дата публикации: 2022-04-21.

Systems and methods for rapid inactivation of sars-cov-2 by silicon nitride and aluminum nitride

Номер патента: EP4171225A4. Автор: Bhajanjit Singh Bal,Bryan J Mcentire,Ryan M Bock. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Highly selective silicon oxide/silicon nitride etching by selective boron nitride or aluminum nitride deposition

Номер патента: US20200402808A1. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for growing gallium nitride on diamond substrate based on hexagonal boron nitride and aluminum nitride

Номер патента: CN110690105B. Автор: 王东,郝跃,宁静,张进成,刘起显,贾彦青,闫朝超. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2021-09-28.

Highly selective silicon oxide/silicon nitride etching by selective boron nitride or aluminum nitride deposition

Номер патента: KR20220024072A. Автор: 위-하오 차이,두 장,밍메이 왕. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-03-03.

DOUBLE ALUMINUM NITRIDE SPACERS FOR NITRIDE HIGH ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20130341635A1. Автор: Cao Yu,Johnson Wayne,Laboutin Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

Gallium Nitride Devices with Aluminum Nitride Alloy Intermediate Layer

Номер патента: US20140077222A1. Автор: Gehrke Thomas,Weeks,JR. T. Warren,Piner Edwin L.,Linthicum Kevin J.. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-20.

Aluminum Nitride Substrate and Group-III Nitride Laminate

Номер патента: US20150249122A1. Автор: Kinoshita Toru,Hironaka Keiichiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-03.

Aluminum nitride transitional layer for reducing dislocation density and cracking of AIGan epitaxial films

Номер патента: US7915626B1. Автор: Daniel D. Koleske,Andrew A. Allerman,Mary H. Crawford,Stephen R. Lee. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2011-03-29.

Semiconductor devices having heterojunctions of an indium aluminum nitride ternary alloy layer and a second iii‑nitride ternary alloy layer

Номер патента: WO2019073411A1. Автор: Kaikai LIU,Xiaohang Li. Владелец: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-04-18.

Gallium nitride growth method based on black phosphorus and magnetron sputtering aluminum nitride

Номер патента: CN105931946A. Автор: 张金,陈智斌,郝跃,宁静,张进成,庞凯,吕佳骐,朱家铎,许晟瑞,林志宇. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2016-09-07.

Aluminum nitride and aluminum oxide/aluminum nitride heterostructure gate dielectric stack based field effect transistors and method for forming same

Номер патента: US20020090773A1. Автор: Supratik Guha,Lars-Ake Ragnarsson,Eduard Cartier, Nestor Bojarczuk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

GALLIUM NITRIDE-BASED LED FABRICATION WITH PVD-FORMED ALUMINUM NITRIDE BUFFER LAYER

Номер патента: US20130174781A1. Автор: Patibandla Nag B.,NALAMASU Omkaram,ZHU MINGWEI,Agrawal Vivek. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-11.

Gallium Nitride Devices With Aluminum Nitride Intermediate Layer

Номер патента: US20140131659A1. Автор: Gehrke Thomas,Weeks,JR. T. Warren,Piner Edwin L.,Linthicum Kevin J.. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-15.

GALLIUM NITRIDE TRANSISTOR WITH UNDERFILL ALUMINUM NITRIDE FOR IMPROVED THERMAL AND RF PERFORMANCE

Номер патента: US20200066848A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Oxygen Controlled PVD Aluminum Nitride Buffer for Gallium Nitride-Based Optoelectronic and Electronic Devices

Номер патента: US20140264363A1. Автор: Wang Rongjun,SUBRAMANI Anantha,Patibandla Nag B.,DIEHL Daniel Lee,ZHU MINGWEI,Agrawal Vivek. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

N-TYPE ALUMINUM NITRIDE SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE AND VERTICAL NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160254391A1. Автор: Kinoshita Toru,OBATA Toshiyuki,NAGASHIMA Toru. Владелец: TOKUYAMA CORPORATION. Дата публикации: 2016-09-01.

Copper conductor paste for aluminum nitride board, and aluminum nitride board

Номер патента: JPH10283840A. Автор: Toru Noguchi,徹 野口,Masato Kawahara,正人 川原,Hiromasa Yagiyuu,裕聖 柳生. Владелец: Mitsuboshi Belting Ltd. Дата публикации: 1998-10-23.

Porous aluminum nitride composite substrate and application thereof in epitaxial growth of high-quality gallium nitride thin film

Номер патента: CN105489714A. Автор: 李亮,罗伟科. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2016-04-13.

Group III nitride HEMT with top layers containing aluminum nitride and method for their production

Номер патента: DE102008013755B4. Автор: Adam William Saxler,Scott T. Sheppard,Richard Peter Smith. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Aluminum nitride-aluminum oxide layers for enhancing the efficiency of group III-nitride light-emitting devices

Номер патента: US10217897B1. Автор: Zhenqiang Ma,Kwangeun KIM. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-02-26.

Method for manufacturing a layer of gallium nitride or gallium and aluminum nitride

Номер патента: KR101186032B1. Автор: 하첸 라레쉐. Владелец: 피코기가 인터내셔널. Дата публикации: 2012-09-25.

III-nitride thermal management based on aluminum nitride substrates

Номер патента: US11862718B2. Автор: Gregg H. Jessen. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Aluminum nitride and aluminum oxide/aluminum nitride heterostructure gate dielectric stack based field effect transistors and method for forming same

Номер патента: TW594992B. Автор: Supratik Guha,Lars-Ake Ragnarsson,Eduard Cartier,Nestor A Bojarczuk Jr. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-06-21.

Iii-nitride thermal management based on aluminum nitride substrates

Номер патента: EP4226419A1. Автор: Gregg H. Jessen. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2023-08-16.

Double aluminum nitride spacers for nitride high electron-mobility transistors

Номер патента: WO2013185089A1. Автор: Yu Cao,Wayne Johnson,Oleg Laboutin. Владелец: IQE KC, LLC. Дата публикации: 2013-12-12.

Aluminum Nitride Combined Overtone Resonators for the mmWave Spectrum

Номер патента: US20210111696A1. Автор: Matteo Rinaldi,Guofeng Chen. Владелец: Northeastern University Boston. Дата публикации: 2021-04-15.

High temperature aluminum nitride heater pedestal with multi-zone capability

Номер патента: US20240347353A1. Автор: Ajit Sane,Annendra Lal. Владелец: Therm X of California Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Sun-screening oil-control pressed powder based on hexagonal boron nitride powder and preparation method thereof

Номер патента: CN114376926A. Автор: 朱思宇,顾志国,晏晓东. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-04-22.

Titanium-doped amorphous aluminum nitride microlaser device and method for making and using same

Номер патента: US20120274944A1. Автор: Muhammad Maqbool,Kyle Main. Владелец: BALL STATE UNIVERSITY BOARD OF TRUSTEES. Дата публикации: 2012-11-01.

ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATE FOR CIRCUIT BOARD AND PRODUCTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20130149530A1. Автор: Gotoh Takeshi,Harada Yusaku,Terano Katsunori. Владелец: DENKI KAGAKU KOGYO KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-06-13.

DEFECT REDUCTION IN SEEDED ALUMINUM NITRIDE CRYSTAL GROWTH

Номер патента: US20130157442A1. Автор: Bondokov Robert T.,Morgan Kenneth E.,Schowalter Leo,Slack Glen A.. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-20.

POLYCRYSTALLINE ALUMINUM NITRIDE BASE MATERIAL FOR CRYSTAL GROWTH OF GaN-BASE SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING GaN-BASE SEMICONDUCTOR USING THE SAME

Номер патента: US20130168692A1. Автор: Komorita Hiroshi,Nakayama Noritaka,Takanami Kentaro. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

METHOD FOR FORMING AN ALUMINUM NITRIDE LAYER

Номер патента: US20210006220A1. Автор: SCHIEK Maximilian,CERANSKI Christian,SCHEINBACHER Günter. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

Power semiconductor devices incorporating single crystalline aluminum nitride substrate

Номер патента: US20180026144A1. Автор: Jinqiao Xie,Baxter Moody,Seiji Mita. Владелец: HexaTech Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

LAYER STRUCTURES FOR RF FILTERS FABRICATED USING RARE EARTH OXIDES AND EPITAXIAL ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: US20190028081A1. Автор: Clark Andrew,LEBBY MICHAEL,Dargis Rytis,Pelzel Rodney,Williams Howard,Chin Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

PYROELECTRIC ALUMINUM NITRIDE MEMS INFRARED SENSOR WITH SELECTIVE WAVELENGTH INFRARED ABSORBER

Номер патента: US20150035110A1. Автор: Yamamoto Kansho,Horsley David,Pisano Albert. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ALUMINUM NITRIDE-BASED TRANSISTOR

Номер патента: US20220051888A1. Автор: Nam Ok Hyun,CHOI UI Ho. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

HIGH GROWTH RATE PROCESS FOR CONFORMAL ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: US20160064211A1. Автор: BANERJI Ananda,Shankar Nagraj,Swaminathan Shankar,LaVoie Adrien. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

METHOD FOR FORMING ALUMINUM NITRIDE-BASED FILM BY PEALD

Номер патента: US20170062209A1. Автор: Shiba Eiichiro. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

FLUORESCENT LIGHTING WITH ALUMINUM NITRIDE PHOSPHORS

Номер патента: US20160071718A1. Автор: Payne Stephen A.,Cherepy Nerine J.,Seeley Zachary M.,Srivastava Alok M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

PASSIVATED ALUMINUM NITRIDE FOR ENHANCED THERMAL CONDUCTIVITY COMPOSITE MATERIALS FOR FUSER BELTS

Номер патента: US20140151597A1. Автор: Badesha Santokh,Kelly Matthew M.,Gervasi David J.. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH FERROELECTRIC ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: US20210074817A1. Автор: Chen Miin-Jang,Shieh Tzong-Lin Jay,Lin Bo-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

OPTICAL WAVEGUIDE HAVING ALUMINUM NITRIDE THIN FILM

Номер патента: US20200068706A1. Автор: Bird Steven C.,Daghighian Henry Meyer. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

ALUMINUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEEP ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20180083173A1. Автор: UETA Yoshihiro,YAMAMOTO SHUHICHIROH. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH FERROELECTRIC ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: US20200098871A1. Автор: Chen Miin-Jang,Shieh Tzong-Lin Jay,Lin Bo-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

ELECTROCHEMICAL REMOVAL OF ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATES FOR ELECTRONIC AND OPTOELECTRONIC DEVICES

Номер патента: US20190115501A1. Автор: Schowalter Leo J.,Chen Jianfeng,Kitamura Ken. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

OPTOELECTRONIC DEVICES INCORPORATING SINGLE CRYSTALLINE ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATE

Номер патента: US20140209923A1. Автор: Xie Jinqiao,Moody Baxter,Mita Seiji. Владелец: Hexatech, Inc.. Дата публикации: 2014-07-31.

ALUMINUM NITRIDE ELECTROSTATIC CHUCK USED IN HIGH TEMPERATURE AND HIGH PLASMA POWER DENSITY SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS

Номер патента: US20170140969A1. Автор: Kuo Yang-Kuao,Yu Yi-Hsiuan,Ruan Jian-Long. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

LAYER STRUCTURES FOR RF FILTERS FABRICATED USING RARE EARTH OXIDES AND EPITAXIAL ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: US20170141750A1. Автор: Clark Andrew,LEBBY MICHAEL,Dargis Rytis,Pelzel Rodney,Williams Howard,Chin Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

ALUMINUM NITRIDE DOPANT SCHEME FOR BULK ACOUSTIC WAVE FILTERS

Номер патента: US20220286108A1. Автор: Hill Michael David. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

HIGH-VOLTAGE ALUMINUM NITRIDE (AlN) SCHOTTKY-BARRIER DIODES

Номер патента: US20190140110A1. Автор: Fu Houqiang,Zhao Yuji. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

METHOD FOR REDUCTION OF INTERFACIAL STRESS ACCUMULATION BETWEEN DOUBLE SIDE COPPER-PLATED LAYERS AND ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATE

Номер патента: US20200152825A1. Автор: Shih Cheng-Hung,Wu Chun-Te,Kuo Yang-Kuo,Huang Hong-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

Metal Aluminum Nitride Embedded Resistors for Resistive Random Memory Access Cells

Номер патента: US20140264223A1. Автор: Hsueh Chien-Lan,Tendulkar Mihir,Higuchi Randall J.. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD FOR PREPARING ALUMINUM NITRIDE-ZINC OXIDE ULTRAVIOLET DETECTING ELECTRODE

Номер патента: US20210202782A1. Автор: LU Chung-Yen,Huang Yung-Han,Ruan Jian-Long. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICES INCORPORATING SINGLE CRYSTALLINE ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATE

Номер патента: US20140264714A1. Автор: Xie Jinqiao,Moody Baxter,Mita Seiji. Владелец: Hexatech, Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

OPTOELECTRONIC DEVICES INCORPORATING SINGLE CRYSTALLINE ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATE

Номер патента: US20160181474A1. Автор: Xie Jinqiao,Moody Baxter,Mita Seiji. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

SNSPD WITH INTEGRATED ALUMINUM NITRIDE SEED OR WAVEGUIDE LAYER

Номер патента: US20210239519A1. Автор: Patibandla Nag B.,Visser Robert Jan,ZHU MINGWEI,YANG Zihao,YAHAV Nir,de la Zerda Adi. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

SNSPD WITH INTEGRATED ALUMINUM NITRIDE SEED OR WAVEGUIDE LAYER

Номер патента: US20210242390A1. Автор: Patibandla Nag B.,Visser Robert Jan,ZHU MINGWEI,YANG Zihao,YAHAV Nir,de la Zerda Adi. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

Low-Temperature Deposition of High-Quality Aluminum Nitride Films for Heat Spreading Applications

Номер патента: US20210249331A1. Автор: Kazior Thomas E.,Pop Eric,Chumbes Eduardo M.,Chen Michelle,Kummel Andrew,Perez Chris,UEDA Scott,McLeod Aaron,Burkland Mike,Rodwell Mark. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

ALUMINUM NITRIDE BARRIER LAYER

Номер патента: US20160254181A1. Автор: Demos Alexandros T.,Ren He,Padhi Deenesh,GUGGILLA Srinivas,Kumar Bhaskar,DASH Priyanka. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-09-01.

SUBSTRATE HAVING ANNEALED ALUMINUM NITRIDE LAYER FORMED THEREON AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160254411A1. Автор: Fukuyama Hiroyuki,MIYAKE Hideto. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ALUMINUM NITRIDE ANTI-DEFLECTION LAYER

Номер патента: US20210280531A1. Автор: Grama George,Clarke Andrew P.,Rondon Michael J.. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Single-Crystalline Aluminum Nitride Substrate and a Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140346638A1. Автор: Koukitu Akinori,KUMAGAI Yoshinao,NAGASHIMA Toru,Hiraren Yuki. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

CYCLIC ALUMINUM NITRIDE DEPOSITION IN A BATCH REACTOR

Номер патента: US20140357090A1. Автор: Sprey Hessel,Maes Jan Willem,Pierreux Dieter,Xie Qi,ROELOFS Robin,Jongbloed Bert,Knaepen Werner,van der Jeugd Cornelius A.,Zagwijn Peter,de Blank Marinus Josephus. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

Metal Aluminum Nitride Embedded Resistors for Resistive Random Memory Access Cells

Номер патента: US20140377931A1. Автор: Hsueh Chien-Lan,Tendulkar Mihir,Higuchi Randall J.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATE

Номер патента: US20150296610A1. Автор: Bird Steven C.,Daghighian Henry Meyer. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

Aluminum Nitride Based Silicon-On-Insulator Substrate Structure

Номер патента: US20170288055A1. Автор: Odnoblyudov Vladimir,BASCERI CEM,Aktas Ozgur,Risbud Dilip. Владелец: Quora Technology, Inc.. Дата публикации: 2017-10-05.

PHYSICAL VAPOR DEPOSITION OF AN ALUMINUM NITRIDE FILM

Номер патента: US20160307749A1. Автор: Lee Jyh-Wei,Yang Yung-Chin,CHANG CHEN-TE. Владелец: Ming Chi University of Technology. Дата публикации: 2016-10-20.

ALUMINUM-NITRIDE BUFFER AND ACTIVE LAYERS BY PHYSICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20150348773A1. Автор: TANG XIANMIN,Wang Rongjun,SUBRAMANI Anantha,Patibandla Nag B.,DIEHL Daniel Lee,ZHU MINGWEI,Agrawal Vivek. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

ALUMINUM NITRIDE FILM, ACOUSTIC WAVE DEVICE, FILTER, AND MULTIPLEXER

Номер патента: US20180375489A1. Автор: NISHIHARA Tokihiro,TANAKA Kuniaki. Владелец: TAIYO YUDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2018-12-27.

ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATE REMOVAL FOR ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING DEVICES

Номер патента: US20200411716A1. Автор: Grandusky James R.,Schowalter Leo J.,Moe Craig. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Methods for polishing aluminum nitride

Номер патента: WO2008060505A1. Автор: Kevin Moeggenborg. Владелец: Cabot Microelectronics Corporation. Дата публикации: 2008-05-22.

Method for metallizing aluminum nitride substrate

Номер патента: JPH0723273B2. Автор: 健一郎 宮原,青木　　一夫. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 1995-03-15.

Method for manufacturing surface enhanced Raman scattering substrate based on aluminum nitride nanostructure

Номер патента: CN108693166B. Автор: 王鹏,陈达,王璟璟,王鸿飞. Владелец: SHANDONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-06-22.

Production of crystalline aluminum nitride

Номер патента: JPH01156460A. Автор: Jinichi Tani,仁一 谷. Владелец: Tokiwa Corp. Дата публикации: 1989-06-20.

Method for manufacturing gate electrode of semiconductor device including aluminum nitride flim there under

Номер патента: KR100609542B1. Автор: 박동수,이태혁,장준수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-08.

Method for metallizing of aluminum nitride substrate

Номер патента: JPS63270454A. Автор: Toshiro Okamura,Yoshiyuki Tsuru,Hajime Nakayama,Naoki Fukutomi,肇 中山,直樹 福富,岡村　寿郎,▲つる▼　義之. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1988-11-08.

III-V compound semiconductor, e.g. for LEDs and laser diodes, comprises two indium-gallium-aluminum nitride based semiconductor layers with an interposed different material pattern for low angle grain boundary suppression

Номер патента: DE10011876A1. Автор: Takayoshi Maeda,Kazumasa Hiramatsu,Yasushi Iyechika,Hideto Miyake. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-14.

A method for preparing aluminum nitride board having nickel pattern

Номер патента: KR100759452B1. Автор: 이경환. Владелец: 주식회사 비에이치. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor light emitting devices including flexible unitary film on aluminum nitride substrate

Номер патента: CN102544332A. Автор: G.H.内格利. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2012-07-04.

Aluminum nitride sintered compact and members for semiconductor producing apparatus having the same

Номер патента: KR100940456B1. Автор: 이성민,안형석. Владелец: 주식회사 코미코. Дата публикации: 2010-02-04.

Thick print copper pastes for aluminum nitride substrates

Номер патента: CN104240790A. Автор: V·C·加西亚,M·斯格里西亚,M·查令斯沃斯. Владелец: Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC. Дата публикации: 2014-12-24.

Method for patterning aluminum nitride and silicon carbide composite structure and composite structure

Номер патента: CN111029256A. Автор: 阮勇,尤政,张高飞,周元楷. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-17.

A kind of aluminum-nitride-based timber-used large power thick film circuit high temperature sintering resistance slurry and preparation method thereof

Номер патента: CN106879086A. Автор: 高丽萍,苏冠贤. Владелец: Dongguan Corehelm Electronic Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Vertical aluminum nitride metal oxide semiconductor field effect transistor based on silicon carbide substrate and preparation method

Номер патента: CN112038408A. Автор: 刘志宏,郝跃,张进成,周弘,许晟瑞,王捷英,曾诗凡. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2020-12-04.

SNSPD with integrated aluminum nitride seed or waveguide layer

Номер патента: US11653576B2. Автор: Nag B. Patibandla,Robert Jan Visser,Zihao Yang,Mingwei Zhu,Nir Yahav,Adi de la Zerda. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-05-16.

METHOD FOR MANUFACTURING SCANDIUM ALUMINUM NITRIDE FILM

Номер патента: US20120000766A1. Автор: Kano Kazuhiko,Nishikubo Keiko,TESHIGAHARA Akihiko,AKIYAMA Morito,Tabaru Tatsuo. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Heating aluminum nitride with reducing additives to produce high thermal conductivity ceramics

Номер патента: CA1265915A. Автор: Irvin Charles Huseby,Carl Francis Bobik. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1990-02-20.

Heating aluminum nitride with reducing additives to produce high thermal conductivity ceramics

Номер патента: CA1265914A. Автор: Irvin Charles Huseby,Carl Francis Bobik. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1990-02-20.

GROWTH OF LARGE ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTALS WITH THERMAL-GRADIENT CONTROL

Номер патента: US20120000414A1. Автор: Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.,Rao Shailaja P.,Gibb Shawn Robert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing titanium nitride powder

Номер патента: RU2488549C1. Автор: Александр Александрович Громов,Александр Андреевич Дитц,Юлия Игоревна Паутова,Екатерина Владимировна Чаплина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2013-07-27.

Production of uranium nitride powders

Номер патента: RU2522814C1. Автор: Александр Сергеевич Черкасов,Александр Юрьевич Котов,Владимир Михайлович Репников,Вячеслав Юрьевич Вишневский,Евгений Константинович Дьяков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ"). Дата публикации: 2014-07-20.

Ultrafine gallium nitride powder preparation method

Номер патента: RU2319667C1. Автор: Александр Александрович Громов,Александр Андреевич Дитц,Юли Игоревна Строкова,Юлия Игоревна Строкова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет. Дата публикации: 2008-03-20.

Method of obtaining composite material based on diamond and/or cubic boron nitride powder

Номер патента: RU2393135C1. Автор: Владимир Васильевич Журавлев,Валерий Борисович Дудаков,Гниятулла Гарифуллович Ишбаев,Валерий Федорович Герасимов,Гниятулла Гарифуллович Ишбаев (RU),Владимир Васильевич Журавлев (RU),Валерий Федорович Герасимов (RU),Валерий Борисович Дудаков (RU). Владелец: ОАО "Научно-исследовательский институт природных синтетических алмазов и инструмента". Дата публикации: 2010-06-27.

Method of obtaining ultradisperse silicon nitride powder

Номер патента: RU2541058C1. Автор: Юрий Александрович Бирюков,Леонид Николаевич Богданов,Александр Ювинальевич Объедков,Александр Юрьевич Бирюков,Владимир Анатольевич Полюшко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ). Дата публикации: 2015-02-10.

Method of producing nano-size aluminium nitride powder

Номер патента: RU2494041C1. Автор: Александр Николаевич Новиков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НОРМИН". Дата публикации: 2013-09-27.

PROCESS FOR PRODUCING SPHERICAL ALUMINUM NITRIDE POWDER AND SPHERICAL ALUMINUM NITRIDE POWDER PRODUCED BY THE SAME PROCESS

Номер патента: US20120258310A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-11.

Production method of spherical aluminum nitride powder

Номер патента: JP2023049232A. Автор: Osamu Uchida,Atsushi Yaginuma,Hiroshi Mogi,弘 茂木,篤 柳沼,修 内田. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-10.

Aluminum nitride powder, method for producing the same, and aluminum nitride sintered body produced from the powder

Номер патента: JP3509137B2. Автор: 晃 山川,浩一 曽我部,成二 中畑,貴宏 松浦. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-03-22.

Amorphous spherical aluminum silicate, method for producing the same, and preparation using the aluminum silicate.

Номер патента: JP5132225B2. Автор: 鈴木隆文,木村邦宏. Владелец: Kyowa Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-30.

METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE POWDER

Номер патента: RU2005102149A. Автор: Аскольд Рафаилович Бекетов,Дмитрий Аскольдович Бекетов,Юрий Дмитриевич Афонин,Никита Львович Черный,Аскольд Рафаилович Бекетов (RU),Дмитрий Аскольдович Бекетов (RU),Юрий Дмитриевич Афонин (RU),Никита Львович Черный (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр научно-технических разработок"(ООО "Центр научно-технических"), RU (RU). Дата публикации: 2006-07-10.

Method for preparing aluminum nitride powder with polymer mixture

Номер патента: TWI522310B. Автор: Lea Hwung Leu,Cheng Hung Shih,Yang Kuo Kuo,Yung Han Huang. Владелец: Nat Inst Chung Shan Science & Technology. Дата публикации: 2016-02-21.

Production of aluminum nitride powder and aluminum nitride sintered product

Номер патента: JPS6418977A. Автор: Kazuhiro Baba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-01-23.

Aluminum nitride powder manufacturing method, aluminum nitride sintered body and manufacturing method thereof

Номер патента: JPH0629124B2. Автор: 武彦 林,晃 市田,信昭 浅田. Владелец: Tokyo Tungsten Co Ltd. Дата публикации: 1994-04-20.

Method for removing carbon powder from aluminum nitride powder

Номер патента: JPS60180906A. Автор: Yukio Mizutani,幸雄 水谷,Ippei Yamamoto,一平 山本. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 1985-09-14.

Spherical aluminum powder/polyaniline nuclear-shell structure composite electrorheological fluid

Номер патента: CN103468348A. Автор: 张伟强,高子伟,张国防,崔丹,朱序阳,龚举浩,李子美,南宝江. Владелец: Shaanxi Normal University. Дата публикации: 2013-12-25.

Secondary waterproof structure of spherical aluminum plate roof

Номер патента: CN203569761U. Автор: 王海军,陈慧明. Владелец: SHENZHEN HUAHUI DECORATION ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-30.

Method for preparing spherical aluminum oxide

Номер патента: CN103055950A. Автор: 郭长友,凌凤香,王少军,季洪海,王丽华,杨卫亚,沈智奇. Владелец: Sinopec Fushun Research Institute of Petroleum and Petrochemicals. Дата публикации: 2013-04-24.

Method for preparing uniformly dispersed spherical aluminum hydroxide powder

Номер патента: CN103318932B. Автор: 吴秀勇. Владелец: Taishan Medical University. Дата публикации: 2015-04-08.

Preparation method of spherical aluminum-doped zinc oxide nanometer powder

Номер патента: CN101665237B. Автор: 钟景明,张立,王东新,孙本双,鲍续进. Владелец: XIBEI INST OF RARE METAL MATERIAL. Дата публикации: 2012-09-05.

Preparation method for spherical aluminum trioxide catalyst carrier

Номер патента: CN101774615A. Автор: 崔占臣,史作森,李向伟,逄淑杰. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2010-07-14.

Novel atomizing nozzle for producing nitrogen atomized spherical aluminum powder

Номер патента: CN216780324U. Автор: 霍红艳,曹立松. Владелец: Yingkou Hengda Industry Co ltd. Дата публикации: 2022-06-21.

Aluminum nitride powder and its production

Номер патента: JPS6487505A. Автор: Masahiko Tachika,Morio Shimoshimizu,Takao Fukuda. Владелец: Shin Nihon Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 1989-03-31.

Aluminum nitride powder

Номер патента: JPS63225507A. Автор: Yoshiki Hashizume,Eikichi Uchimura,Hiroaki Ueshimo,Yoshiteru Miyazawa,良樹 橋詰,内村　栄吉,上霜　浩昭,宮沢　吉輝. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 1988-09-20.

Aluminum nitride powder and production thereof

Номер патента: JPS6355108A. Автор: Masahiko Tachika,Takao Fukuda,正彦 田近,福田　隆生. Владелец: Shin Nihon Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 1988-03-09.

Method for preparing nano aluminum nitride powder at low temperature

Номер патента: CN101830448B. Автор: 刘平,马明亮,刘新宽,周敬恩,席生岐. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-04.

Aluminum nitride powder for manufacturing sintered body

Номер патента: JPS62207770A. Автор: 直樹 宇野,基晴 宮越,榎木　憲嗣. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-09-12.

Oxidation resistant aluminum nitride powder and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2671986B2. Автор: 和夫 前田,秀樹 広津留,鉄夫 加賀,征彦 中島,美幸 中村. Владелец: Denki Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 1997-11-05.

Method for stabilizing aluminum nitride powder

Номер патента: JPH01164710A. Автор: Hitoaki Tanaka,仁朗 田中. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1989-06-28.

Method for producing low oxygen aluminum nitride powder

Номер патента: JP2612016B2. Автор: 和夫 前田,秀樹 広津留,鉄夫 加賀,征彦 中島,美幸 中村. Владелец: Denki Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 1997-05-21.

Method for producing aluminum nitride powder

Номер патента: JP3237965B2. Автор: 高潮 頼. Владелец: TOYO ALMINIUM KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2001-12-10.

Aluminum nitride powder

Номер патента: JP3175073B2. Автор: 利夫 塩原,茂樹 井野. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-11.

Aluminum nitride powder and its manufacture

Номер патента: JPS5950008A. Автор: Hitofumi Taniguchi,Nobuyuki Kuramoto,倉元　信行,谷口　人文. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 1984-03-22.

Production of aluminum nitride powder

Номер патента: JPS63182207A. Автор: Hitofumi Taniguchi,Nobuyuki Kuramoto,倉元　信行,谷口　人文. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 1988-07-27.

Aluminum nitride powder coated with coating film of silanol group-containing polyorganosiloxane and its production

Номер патента: JPH11116213A. Автор: Hiroshi Kimura,Shusuke Yamaoka,秀典 山岡,博 木村,Hiroaki Kotaka,啓章 小鷹,Shigeo Santo,茂夫 山藤. Владелец: Toshiba Silicone Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Water resistant aluminum nitride powder

Номер патента: JP3420901B2. Автор: 隆 小野,学 下田,道夫 岩間,功 原田. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2003-06-30.

Method for producing water-resistant aluminum nitride powder coated with carbonaceous film

Номер патента: JP4065945B2. Автор: 優喜 大橋,省二 川上,泰正 高尾. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2008-03-26.

Aluminum nitride powder for refractory

Номер патента: JPH1029851A. Автор: Tetsuo Kaga,鉄夫 加賀,Kazuhiro Yonetani,和浩 米谷,Tomonori Ikeda,知則 池田,Takanori Ichishima,孝則 一島. Владелец: Denki Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 1998-02-03.

Aluminum nitride powder, method for producing the same, and heat conductive material containing the same

Номер патента: JP4804023B2. Автор: 晴三 加藤,裕 越智,吉輝 宮澤. Владелец: TOYO ALMINIUM KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2011-10-26.

Production of aluminum nitride powder

Номер патента: JPS6311506A. Автор: Mitsuhiro Murata,充弘 村田,Yasunobu Yoneda,Harufumi Bandai,康信 米田,治文 万代. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1988-01-19.

Production of aluminum nitride powder

Номер патента: JPS63151606A. Автор: Kenichi Sakamoto,Akira Murase,Masanori Kokuni,憲一 坂本,Mikio Kanehara,Hachiro Ichikawa,市川　八郎,小国　正則,村瀬　晃,金原　幹夫. Владелец: Nippon Light Metal Co Ltd. Дата публикации: 1988-06-24.

Spherical large particle aluminum nitride powder preparation method

Номер патента: CN104909762A. Автор: 刘昶,何庆,章林,秦明礼,曲选辉,贾宝瑞,鲁慧峰. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2015-09-16.

Method for preparing aluminum nitride powder

Номер патента: RU2312060C2. Автор: Аскольд Рафаилович Бекетов,Дмитрий Аскольдович Бекетов,Юрий Дмитриевич Афонин,Никита Львович Черный. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр научно-технических разработок" (ООО "Центр научно-технических разработок"). Дата публикации: 2007-12-10.

Aluminum nitride powder

Номер патента: JP2516295B2. Автор: 人文 谷口,昇 柳村. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 1996-07-24.

Production of fine high-purity aluminum nitride powder

Номер патента: JPS63176302A. Автор: Kaoru Kawada,Yuzo Osawa,Ikuro Suzuki,Mitsuo Koizumi,育郎 鈴木,光生 小泉,川田　薫,大沢　雄三. Владелец: Mitsubishi Metal Corp. Дата публикации: 1988-07-20.

Aluminum nitride powder, method for producing the same, and ceramic sintered body

Номер патента: JP4205685B2. Автор: 鉄夫 加賀,恒希 市川. Владелец: Denki Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 2009-01-07.

Production of aluminum nitride powder

Номер патента: JPS62260705A. Автор: Senjo Yamagishi,Mutsuo Hayashi,睦夫 林,Yuji Yoshioka,山岸　千丈,吉岡　勇治. Владелец: Nihon Cement Co Ltd. Дата публикации: 1987-11-13.

Large particle size aluminum nitride powder and method for producing the same

Номер патента: JP3533532B2. Автор: 高潮 頼,裕二 永井,利隆 桜井,雅利 上西. Владелец: TOYO ALMINIUM KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2004-05-31.

Production of aqueous slurry of aluminum nitride powder

Номер патента: JPS6442310A. Автор: Yasuo Imamura,Joji Ichihara,Tomio Matsuzaki. Владелец: Denki Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 1989-02-14.

Method for synthesizing ultra-fine aluminum nitride powder with combustion

Номер патента: CN101269979A. Автор: 李江涛,林志明,裴军,宋英,杜吉胜,杨术亮. Владелец: Liaoning Jiayi Metals & Minerals Co ltd. Дата публикации: 2008-09-24.

Method for producing aluminum nitride powder

Номер патента: JP4014562B2. Автор: 弘 村田,猛 後藤,恒希 市川. Владелец: Denki Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 2007-11-28.

Coprecipitation-carbothermic reduction method for preparing aluminum nitride powder

Номер патента: CN101973533B. Автор: 秦明礼,曲选辉,贾宝瑞,鲁慧峰,储爱民. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2013-11-06.

Aluminum nitride powder and method for producing the same

Номер патента: JP2662591B2. Автор: 久雄 竹内,晃 山川,雅也 三宅,仁之 坂上. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1997-10-15.

Production of aluminum nitride powder

Номер патента: JPS63151604A. Автор: Tadashi Ohashi,Toshiyuki Hirao,Tateo Hayashi,忠 大橋,Masaru Nanma,林　健郎,平尾　寿之,南間　勝. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 1988-06-24.

Aluminum nitride powder and method for producing degreased body thereof

Номер патента: JP3959555B2. Автор: 裕二 永井,太郎 辰巳,利隆 桜井. Владелец: TOYO ALMINIUM KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2007-08-15.

Aluminum nitride powder and method for producing the same

Номер патента: JP4958353B2. Автор: 太郎 辰巳,利隆 桜井. Владелец: TOYO ALMINIUM KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-06-20.

Composite aluminum nitride powder and method for producing the same

Номер патента: JP2021134121A. Автор: Yukihiro Kanechika,幸博 金近,喜孝 稲木,Yoshitaka Inagi,寿盛 稲川,Hisamori Inagawa. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2021-09-13.

Method for synthesizing ultra-fine aluminum nitride powder with combustion

Номер патента: CN101269979B. Автор: 李江涛,林志明,裴军,宋英,杜吉胜,杨术亮. Владелец: Liaoning Jiayi Metals & Minerals Co ltd. Дата публикации: 2011-01-12.

Production of aluminum nitride powder composition

Номер патента: JPS63274605A. Автор: Hirohiko Nakada,博彦 仲田,Yoshio Miyamoto,Mitsue Koizumi,欽生 宮本,Hitoshi Sakagami,小泉　光恵,坂上　仁之. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 1988-11-11.

Method for preparing amorphous and nanocrystal silicon boron carbon nitrogen aluminum ceramic composite material by using aluminum nitride powder as aluminum source

Номер патента: CN102173804A. Автор: 贾德昌,杨治华,周玉,叶丹,段小明,张培峰,孟庆昌. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2011-09-07.

Manufacturing method of fluorescent material with aluminum nitride as host lattice and fluorescent material with aluminum nitride as host lattice

Номер патента: TW201033332A. Автор: zhi-wei Zhang,Xian-Long Zhong,Yan-Qun Liu,hui-yi Wang. Владелец: Univ Nat Cheng Kung. Дата публикации: 2010-09-16.

Manufacturing method of fluorescent material with aluminum nitride as host lattice and a fluorescent material with aluminum nitride as host lattice

Номер патента: TW201033333A. Автор: zhi-wei Zhang,Xian-Long Zhong,Yan-Qun Liu,hui-yi Wang. Владелец: Univ Nat Cheng Kung. Дата публикации: 2010-09-16.

Manufacturing method of fluorescent material with aluminum nitride as host lattice and fluorescent material with aluminum nitride as host lattice

Номер патента: TW201033334A. Автор: zhi-wei Zhang,Xian-Long Zhong,Yan-Qun Liu,hui-yi Wang. Владелец: Univ Nat Cheng Kung. Дата публикации: 2010-09-16.

ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATE, ALUMINUM NITRIDE CIRCUIT BOARD, SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATE

Номер патента: US20120038038A1. Автор: Fukuda Yoshiyuki,Yamaguchi Haruhiko. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-16.

APPARATUS FOR MANUFACTURING ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR MANUFACTURING ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20120039789A1. Автор: KATOU Tomohisa,NAGAI Ichirou,MIURA Tomonori,KAMATA Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-16.

GALLIUM NITRIDE-BASED LED FABRICATION WITH PVD-FORMED ALUMINUM NITRIDE BUFFER LAYER

Номер патента: US20120156819A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-21.

Synthesizing dense titanium aluminum nitride-titanium nitride composite block material by in site thermal press process

Номер патента: CN1944338A. Автор: 王苹,严明,周卫兵,朱教群,梅炳初,田晨光. Владелец: Wuhan University of Technology WUT. Дата публикации: 2007-04-11.

Method for preparing non-stoichiometric titanium nitride and aluminum nitride composite material

Номер патента: CN102503433A. Автор: 王明智,赵玉成,邴建立,乔丽娜,邹芹. Владелец: YANSHAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-06-20.

Aluminum nitride-silicon carbide composite circuit board substrate material enhanced by anti-corrosive high-density nanometer titanium nitride and preparation method thereof

Номер патента: CN105367100A. Автор: 王丹丹,王乐平,夏运明,涂聚友. Владелец: HEFEI LONGDUO ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-02.

Method for producing aluminum nitride-hexagonal boron nitride sintered body

Номер патента: JP2642184B2. Автор: 隆雄 金井,紘 久保,啓 種本. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-08-20.

Production method of aluminum nitride ceramic and aluminum nitride ceramic prepared by same

Номер патента: CN102030538B. Автор: 林勇钊,林信平,朱淑丽,周龙飞. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-10.

Method for preparing aluminum nitride/boron nitride composite ceramic through combustion synthesis method

Номер патента: CN101708989A. Автор: 赫晓东,郑永挺. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2010-05-19.

METHOD FOR MANUFACTURING A LAYER OF GALLIUM NITRIDE OR GALLIUM AND ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: US20120074427A1. Автор: Lahreche Hacene. Владелец: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2012-03-29.

Aluminum nitride sintered body, manufacturing method thereof, and electrode built-in type susceptor using aluminum nitride sintered body

Номер патента: JP4181359B2. Автор: 健太郎 高橋,幹郎 小西. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2008-11-12.

Nano-sized boron nitride-enhanced high-thermal-conductivity aluminum nitride-silicon carbide composite circuit board substrate material and preparation method thereof

Номер патента: CN105367075A. Автор: 王丹丹,王乐平,夏运明,涂聚友. Владелец: HEFEI LONGDUO ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-02.

Aluminum nitride-boron nitride nano particle transformer oil with high thermal resistance and superconductivity and preparation method thereof

Номер патента: CN104046439A. Автор: 李新满. Владелец: Tongling Sanjia Transformer Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-17.

Boron nitride-aluminum nitride laminate and its use

Номер патента: JPH11292648A. Автор: Yoshiyuki Nakamura,祥二郎 渡辺,美幸 中村,Nobuyuki Yoshino,信行 吉野,Shojiro Watanabe. Владелец: Denki Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 1999-10-26.

Light emitting diode with aluminum nitride oxide film and semiconductor device with aluminum nitride oxide film

Номер патента: TWM613065U. Автор: 林俊成. Владелец: 天虹科技股份有限公司. Дата публикации: 2021-06-11.

Burning furnace for aluminum nitride and production of aluminum nitride sintered compact using the same furnace

Номер патента: JPH1025161A. Автор: 公一 寺尾,Koichi Terao,一郎 内山,Ichiro Uchiyama,Akihiro Hamano,明弘 浜野. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1998-01-27.

Method of manufacturing thread-like aluminum nitride

Номер патента: RU2106298C1. Автор: Аскольд Рафаилович Бекетов,Людмила Михайловна Жукова,Альберт Константинович Панюшкин,Юрий Дмитриевич Афонин,Леонид Дмитриевич Проскуряков. Владелец: Леонид Дмитриевич Проскуряков. Дата публикации: 1998-03-10.

METHOD FOR PRODUCING CUBIC ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: RU2007112044A. Автор: Александр Петрович Ильин,Людмила Олеговна Толбанова,Александр Петрович Ильин (RU),Людмила Олеговна Толбанова (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образовани Томский политехнический университет (RU). Дата публикации: 2008-10-10.

METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE IN COMBUSTION MODE

Номер патента: RU2013113794A. Автор: Инна Петровна Боровинская,Владимир Вячеславович Закоржевский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения Российской академии наук. Дата публикации: 2014-10-10.

Aluminum nitride refractory material

Номер патента: CA739879A. Автор: J. Bartlett Howard,T. Lapp David. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1966-08-02.

Aluminum nitride manufacture

Номер патента: CA156534A. Автор: Ottokar Serpek. Владелец: LA GENERALE DES NITRURES Ste. Дата публикации: 1914-06-30.

Aluminum nitrid

Номер патента: CA173693A. Автор: Paul Bunet. Владелец: LA GENERAL DES NITRURES Ste. Дата публикации: 1916-12-05.

In-situ formation of oxidized aluminum nitride films

Номер патента: TWI380352B. Автор: Anthony Dip,Kimberly G Reid. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-12-21.

Process for the production of purified aluminum nitride

Номер патента: CA770532A. Автор: Perieres Rene,Noble Maurice. Владелец: Pechiney SA. Дата публикации: 1967-10-31.

Aluminum nitride ceramic for electronic packaging and preparation method thereof

Номер патента: CN118930279A. Автор: 徐志刚,沈强,彭健,王传彬,张联盟,何开平. Владелец: Wuhan University of Technology WUT. Дата публикации: 2024-11-12.

METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: RU2013124604A. Автор: Гарегин Раймондович Карагедов,Николай Захарович Ляхов,Евгений Александрович Рыжиков,Артем Самвелович Абраамян. Владелец: Закрытое акционерное общество "Центр инновационных керамических нанотехнологий Нанокомпозит". Дата публикации: 2014-12-20.

METAL CUTTING OF THE BAND SAW FOR CUTTING OF A METAL PRODUCT WITH REMOVAL OF A MULTI-LAYER SHAFT COATED FROM MIXED TITANIUM AND ALUMINUM NITride

Номер патента: RU2009126157A. Автор: Кеннет ХОЛЛ,Даянанда СУКАДХАРЕ,Кеннет ХОЛЛ (US),Даянанда СУКАДХАРЕ (US). Владелец: Ирвин Индастриал Тул Компани (Us). Дата публикации: 2011-01-20.

Apparatus for the manufacture of aluminum nitride

Номер патента: CA156535A. Автор: Ottokar Serpek. Владелец: LA GENERALE DES NITRURES Ste. Дата публикации: 1914-06-30.

Aluminum nitrid production

Номер патента: CA182348A. Автор: Harry L. Duncan. Владелец: Individual. Дата публикации: 1918-02-19.

Aluminum nitride sintered compact, ceramic substrate, ceramic heater and electrostatic chuck

Номер патента: TW200304909A. Автор: Yasuji Hiramatsu,Yasutaka Ito. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-16.

Aluminum nitride production

Номер патента: CA134728A. Автор: Ottokar Serpek. Владелец: Individual. Дата публикации: 1911-08-01.

Production of aluminum nitride

Номер патента: CA210713A. Автор: Shoeld Mark. Владелец: ARMOUR FERTILIZER WORKS. Дата публикации: 1921-04-19.

Aluminum nitride wafer carrier

Номер патента: TW200824070A. Автор: zhao-gang He. Владелец: Uf Tech Corp. Дата публикации: 2008-06-01.

Aluminum nitride production

Номер патента: CA195602A. Автор: Mark Schoeld. Владелец: ARMOUR FERTILIZER WORKS. Дата публикации: 1919-12-30.

In-situ formation of oxidized aluminum nitride films

Номер патента: TW200807508A. Автор: Anthony Dip,Kimberly G Reid. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-02-01.

Aluminum nitride refractory and method of making

Номер патента: CA719729A. Автор: Long George,M. Foster Luther. Владелец: Aluminum Company Of America. Дата публикации: 1965-10-12.

A kind of laser sintered 3D prints the preparation of rapid shaping silicon nitride powder powder material

Номер патента: CN104744049B. Автор: 李慧芝,曹冲,张培志,候金焕. Владелец: University of Jinan. Дата публикации: 2016-10-19.

Method for producing modified hexagonal boron nitride powder and modified hexagonal boron nitride powder

Номер патента: JP2023049689A. Автор: Shota Daiki,祥太 台木,智行 柿木,Satoyuki Kakigi. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-04-10.

β-type silicon nitride powder and method for producing β-type silicon nitride powder

Номер патента: JP3242431B2. Автор: 藤 元 英 安,崎 尚 登 広,友 護 三. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-25.

Quick crystallization method for realizing amorphous silicon nitride powder by taking silica powder as additive

Номер патента: CN102060544A. Автор: 王立,杨福明,尹少武,李延辉. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2011-05-18.

Raw material cubic system boron nitride powder and production thereof, sintered body of cubic system boron nitride and production thereof using said powder, and growing method for cubic system boron nitride

Номер патента: JPS5556005A. Автор: Kaoru Kawada. Владелец: Toshiba Tungaloy Co Ltd. Дата публикации: 1980-04-24.

Method for preparing nanocrystalline vanadium nitride powder

Номер патента: ZA202200432B. Автор: FENG Zheng,Rong Li,Nan Xiao,Qiang Zhen,Naijing Bu. Владелец: Univ Shanghai. Дата публикации: 2022-03-30.

Pressureless sintering silicon nitride powders

Номер патента: CA1023924A. Автор: Frederick F. Lange,Gerald R. Terwilliger. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1978-01-10.

POLYCRYSTALLINE ALUMINUM NITRIDE MATERIAL AND METHOD OF PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120021175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-26.

ALUMINUM-NITRIDE-BASED COMPOSITE MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND MEMBER FOR A SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS

Номер патента: US20120052326A1. Автор: . Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-03-01.

METHOD FOR FORMING AN ALUMINUM NITRIDE THIN FILM

Номер патента: US20120100698A1. Автор: Kato Koji,YAMAMURA Waichi,KANO Shoji. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-26.

Corrosion-resistant article coated with aluminum nitride

Номер патента: US20120107613A1. Автор: . Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-03.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICES INCLUDING FLEXIBLE UNITARY FILM ON ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATE

Номер патента: US20120119221A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-17.

Increasing reliability of copper-based metallization structures in a microstructure device by using aluminum nitride

Номер патента: US20120241958A1. Автор: Streck Christof,Kahlert Volker. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-27.

Nucleation of Aluminum Nitride on a Silicon Substrate Using an Ammonia Preflow

Номер патента: US20130026480A1. Автор: Fenwick William E.,Ramer Jeff. Владелец: Bridgelux, Inc.. Дата публикации: 2013-01-31.

Method for Protecting Aluminum Nitride from Moisture

Номер патента: US20130032649A1. Автор: Kuo Yang-Kuao,Hsiang Chia-Yi,Huang Fu-Hsing. Владелец: Chung-Shan Institute of Science and Technology, Armaments, Bureau, Ministry of National Defense. Дата публикации: 2013-02-07.

DEVICES HAVING REMOVED ALUMINUM NITRIDE SECTIONS

Номер патента: US20130049005A1. Автор: Krusor Brent S.,Chua Christopher L.,Wunderer Thomas,Johnson Noble M.. Владелец: PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED. Дата публикации: 2013-02-28.

REMOVING ALUMINUM NITRIDE SECTIONS

Номер патента: US20130052758A1. Автор: Krusor Brent S.,Chua Christopher L.,Wunderer Thomas,Johnson Noble M.,Cheng Bowen. Владелец: PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED. Дата публикации: 2013-02-28.

Production of aluminum nitride

Номер патента: JPS6433009A. Автор: Masao Tanaka,Takao Tanaka,Atsuhiko Hiai. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals Inc. Дата публикации: 1989-02-02.

Conductor paste for aluminum nitride substrate

Номер патента: JP2730794B2. Автор: 周二 佐伯,正 中野,駿 岡田. Владелец: DOWA KOGYO KK. Дата публикации: 1998-03-25.

Method for firing aluminum nitride substrate

Номер патента: JP2757874B2. Автор: 孝司 表,博三 横山,峰春 塚田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-05-25.

Preparation method of aluminum nitride nanoparticle modified transformer oil

Номер патента: CN105132079A. Автор: 杨颖�,周远翔,刘东霖. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-09.

Aluminum nitride base sintered body and manufacture

Номер патента: JPS62128971A. Автор: 洋一 萩原,健一郎 宮原. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 1987-06-11.

Method for preparing silicon carbide-aluminum nitride (SiC-AlN) solid solution ceramic powder

Номер патента: CN102515767B. Автор: 秦明礼,曲选辉,贾宝瑞,鲁慧峰,储爱民. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2013-11-20.

Aluminum nitride composition

Номер патента: JPS6252180A. Автор: 麻生　功,倉元　信行,谷口　人文. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 1987-03-06.

High thermal conductivity aluminum nitride sintered body

Номер патента: JPH07121829B2. Автор: 佳子 佐藤,文雄 上野,光男 加曽利,昭宏 堀口,章彦 柘植. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1995-12-25.

Aluminum nitride composition

Номер патента: JPS62132776A. Автор: 麻生　功,倉元　信行,谷口　人文. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 1987-06-16.

Epoxy resin material with nano aluminum nitride filler and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104262901A. Автор: 王全辉,涂桂朝. Владелец: GUANGDONG LION ELEC CO Ltd. Дата публикации: 2015-01-07.

SINTERED MATERIAL BASED ON ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: SU384921A1. Автор: Т. В. Дубовик Т. В. Андреева Т. Г. Куценок витель Г. В. Самсонов. Владелец: Ордена Трудового Красного Знамени институт проблем материаловедени Украинской ССР. Дата публикации: 1973-05-29.

Aluminum nitride and semiconductor manufacturing equipment

Номер патента: JP3559123B2. Автор: 小林　　廣道,裕樹 別所,行正 森. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2004-08-25.

High heat conductivity aluminum nitride sintered body

Номер патента: JPS5950077A. Автор: 秀行 大図,勝利 米屋,博康 大田. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-03-22.

Sintered Aluminum Nitride Based Composite

Номер патента: SU521338A1. Автор: Дмитрий Моисеевич Карпинос,Виктория Михайловна Грошева,Виктор Александрович Голеневич,Галина Петровна Орлова,Юрий Лазаревич Пилиповский,Юрий Михайлович Шаматов,Олег Федорович Черняков. Владелец: Ордена Трудового Красного Знамени Институт Проблем Материаловедения Ан Украинской Сср. Дата публикации: 1976-07-15.

Graphene coated aluminum nitride filler and method for producing the same, electronic material, resin composite, and hydrophobic treatment method

Номер патента: JP2017031005A. Автор: Masato Matsui,Naoyuki Takahashi,直行 高橋,高橋　直行,将人 松井,一人 北村,Kazuto Kitamura. Владелец: Kawaken Fine Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Aluminum nitride-based ceramic and member for producing semiconductor

Номер патента: JP2003226580A. Автор: Jun Yoshikawa,Yuji Katsuta,祐司 勝田,潤 ▲よし▼川. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2003-08-12.

Aluminum nitride sintered body

Номер патента: JP2728706B2. Автор: 義美 大橋,智春 東松. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-18.

Method for manufacturing aluminum nitride sintered body for DBC circuit board and method for manufacturing DBC circuit board

Номер патента: JP4301617B2. Автор: 通泰 小松. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-22.

Grinding and polishing method of aluminum nitride substrate

Номер патента: TW201404539A. Автор: Xiu-Ru Lin. Владелец: Xiu-Ru Lin. Дата публикации: 2014-02-01.

Aluminum nitride package

Номер патента: JP3369749B2. Автор: 博紀 浅井,通泰 小松. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-01-20.

Aluminum nitride substrate for semiconductors

Номер патента: JP2563809B2. Автор: 裕幸 加藤,健一郎 宮原,征一 高見. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 1996-12-18.

Manufacturing method of aluminum nitride whiskers

Номер патента: JP6635826B2. Автор: 輝彦 縄田,喜久雄 山本,金近　幸博,幸博 金近,晃匡 蔵本,山本　喜久雄,縄田　輝彦. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2020-01-29.

Manufacturing method of aluminum nitride sintered body

Номер патента: JP3244092B2. Автор: 公一 寺尾,一郎 内山. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2002-01-07.

Black aluminum nitride sintered form

Номер патента: JPH01115874A. Автор: Motohiro Sakurai,基宏 櫻井. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-05-09.

Growth method of aluminum nitride single crystal using ultrafine particle material

Номер патента: JP5488947B2. Автор: 益三 山田. Владелец: 有限会社Ｃｐｄ技術研究所. Дата публикации: 2014-05-14.

Production of aluminum/nitride whisker

Номер патента: JPH1160397A. Автор: Ryochi Shintani,良智 新谷. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1999-03-02.

Aluminum nitride sintered body and manufacture

Номер патента: JPS6217075A. Автор: 征彦 中島,正浩 伊吹山,明 宮井,石井　正司. Владелец: Denki Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 1987-01-26.

Aluminum nitride sintered body

Номер патента: JP2605045B2. Автор: 哲 西山,真也 水野,修正 倉谷,孝一 宇野,久 桜本. Владелец: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc. Дата публикации: 1997-04-30.

Method for metalizing surface of aluminum nitride ceramic

Номер патента: CN102515874A. Автор: 杜斌,刘征,杨艳玲,鲁燕萍,杨华猛. Владелец: CETC 12 Research Institute. Дата публикации: 2012-06-27.

Manufacturing method of aluminum nitride substrate

Номер патента: JP3265289B2. Автор: 英樹 佐藤,康之 杉浦,裕 小森田. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-03-11.

Manufacturing method of aluminum nitride sintered body

Номер патента: JP2730941B2. Автор: 義美 大橋,智春 東松. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-25.

Method for producing aluminum nitride nanoribbon

Номер патента: JP4431745B2. Автор: 義雄 板東,ウィン・ロンウェイ. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2010-03-17.

Aluminum nitride sintered body

Номер патента: JP5258151B2. Автор: 正信 東,幸博 金近. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2013-08-07.

Manufacture of aluminum nitride sintered body

Номер патента: JPS6241768A. Автор: 和明 栗原,悦郎 宇田川,亀原　伸男. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-02-23.

Aluminum nitride multilayer substrate

Номер патента: JP3658539B2. Автор: 俊一郎 田中,岡本　　光弘. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-06-08.

Method for manufacturing aluminum nitride silicon tip and grids structure

Номер патента: CN101497991A. Автор: 李云龙,李俊杰,罗强,顾长志,杨海方,金爱子,时成瑛. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2009-08-05.

Manufacture of aluminum nitride

Номер патента: JPS6221764A. Автор: 修 小村,柴田　憲一郎,曾我部　浩一. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1987-01-30.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.