氮化鋁晶圓片之製造方法及其氮化鋁晶圓片
Номер патента: TW202134490A
Опубликовано: 16-09-2021
Автор(ы): 曾彥凱, 江柏萱
Принадлежит: 鴻創應用科技有限公司
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-09-2021
Автор(ы): 曾彥凱, 江柏萱
Принадлежит: 鴻創應用科技有限公司
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for making aluminum nitride wafer and aluminum nitride wafer made by the same
Номер патента: US20210287996A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.