Highly transparent aluminum nitride single crystalline layers and devices made therefrom
Номер патента: US09840790B2
Опубликовано: 12-12-2017
Автор(ы): Akinori Koukitu, Baxter F. MOODY, Jinqiao Xie, Rafael F. Dalmau, Raoul Schlesser, Toru Kinoshita, Toru Nagashima, Yoshinao Kumagai, Yuki Kubota, Zlatko Sitar
Принадлежит: HexaTech Inc, Tokuyama Corp, Tokyo University of Agriculture and Technology NUC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-12-2017
Автор(ы): Akinori Koukitu, Baxter F. MOODY, Jinqiao Xie, Rafael F. Dalmau, Raoul Schlesser, Toru Kinoshita, Toru Nagashima, Yoshinao Kumagai, Yuki Kubota, Zlatko Sitar
Принадлежит: HexaTech Inc, Tokuyama Corp, Tokyo University of Agriculture and Technology NUC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of growing crystalline layers on amorphous substrates using two-dimensional and atomic layer seeds
Номер патента: US20210217617A1. Автор: Joshua A. Robinson,Natalie BRIGGS. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-07-15.