Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium für Halbleiteranordnungen
Номер патента: DE1066564B
Опубликовано: 08-10-1959
Автор(ы): München Dipl.-Phys. Dr. Günther Ziegler und Dipl.-Chem. Dr. Erhard Sirtl
Принадлежит: Siemens and Halske AG
Опубликовано: 08-10-1959
Автор(ы): München Dipl.-Phys. Dr. Günther Ziegler und Dipl.-Chem. Dr. Erhard Sirtl
Принадлежит: Siemens and Halske AG
PROCESS FOR THE PRODUCTION OF HEXAGONAL MONOCRYSTALS AND THEIR USE AS A SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR COMPONENTS
Номер патента: FR2851259B1. Автор: Dirk Sprenger,Burkhard Speit,Markus Schweizer. Владелец: Schott Glaswerke AG. Дата публикации: 2009-07-03.