PHOTOSENSITIVE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, DETECTION SUBSTRATE AND ARRAY SUBSTRATE
Номер патента: US20210050469A1
Опубликовано: 18-02-2021
Автор(ы): Huang Rui, QIANG Zhaohui, Song Jipeng, Wang Lizhong, Yang Tao, Zhou Tianmin
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-02-2021
Автор(ы): Huang Rui, QIANG Zhaohui, Song Jipeng, Wang Lizhong, Yang Tao, Zhou Tianmin
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
Номер патента: US20170365629A1. Автор: Koichi Kaneko,Hirokazu Fujimaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.