절연막 형성용 실록산류의 평가방법, 절연막 형성용 도포액 및 그 제조방법 및 반도체장치용 절연막의 형성방법 및 이것을 적용하는 반도체 장치의 제조방법.(method of evaluating siloxane used for forming insulation coating, coating fluid used for forming-insulation coating, process for producing the fluid, process for forming insulation coating for semiconductor device, and process for producing semiconductor device by applying the above process)
Номер патента: KR960702610A
Опубликовано: 27-04-1996
Автор(ы): 다다시 나카노, 도모히로 오타, 마코토 시무라
Принадлежит: 가와사끼 세이데쯔 가부시끼가이샤, 에모토 간지
Опубликовано: 27-04-1996
Автор(ы): 다다시 나카노, 도모히로 오타, 마코토 시무라
Принадлежит: 가와사끼 세이데쯔 가부시끼가이샤, 에모토 간지
Реферат: 본 발명은, 유기 SOG 중의 Si원자에 결합한 유기치환기의 함유비율과 유기치환기의 수가 다른 Si원자의 존재비율에 의해서 절연막 형성용 실록산류를 평가한다. 또한, 본 발명에 있어서, 이 평가결과에 의거하여, Si-C결합을 1개 가지는 SiC원자의 존재비율이 80％이상인 실록산류를 함유하는 도프액 또는, 조성식(CH 3 ) y SiO 2.2/y (0.8≤y≤1.3)로 나타나고, 중량평균 분자량이 1500∼6000으로 불규칙구조를 가지는 메틸 실록산 올리고머를 함유하는 도포액을 이용하여, 반도체 장치용 절연막, 특히 층간 절연막을 형성함으로써, 미세한 홈의 매립성, 밑바탕 패턴전체의 평탄성, 단차매립을 위한 두꺼운 도포성, 절연성 등의 전기특성 등의 막특성이 뛰어난 절연막을 얻을 수 있다.
따라서 본 발명에 있어서는, 이와 같이 막특성이 우수한 절연막을 가지는 반도체 장치를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서는, 알콕시 실란과 알틸 알콕시 실란 등을 이용하고, Si원자에 결합한 유기치환기의 양을 모든 Si원자의 80∼130％로 조정한 원료를 이용함으로써, 상술한 도포액을 얻을 수 있다.
Control method of the high density plasma chemical vapor deposition apparatus for forming a inter-layer dielectric film
Номер патента: KR100763690B1. Автор: 김윤빈. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-10-04.