• Главная
  • Transistor structure with improved unclamped inductive switching immunity

Transistor structure with improved unclamped inductive switching immunity

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Vertical field-effect transistor structure and method for producing a vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240222495A1. Автор: Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

High voltage transistor structure and method

Номер патента: US09799766B2. Автор: Po-Yu Chen,Kuo-Ming Wu,Wan-Hua Huang,Jing-Ying CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Transistor structure with reduced parasitic side wall characteristics

Номер патента: US09577039B2. Автор: Hubert Rothleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12027584B2. Автор: Ling-Wuu Yang,Jung-Yu Shieh,Zong-Jie Ko,Jeng Hwa Liao,Hsing-Ju Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Transistor structure with multi-layer field plate and related method

Номер патента: US20230307508A1. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Transistor structure with reduced parasitic "side wall" characteristics

Номер патента: US20170117370A1. Автор: Hubert Rothleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-27.

Transistor structure and formation method thereof

Номер патента: US20240105846A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu,Wen-Hsien TU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Transistor structure having an air spacer and method for making the same

Номер патента: US20230290855A1. Автор: Liang Li,Chun Yu Wong,John H Zhang,Heng Yang,Sunil K Singh. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230326969A1. Автор: Ling-Wuu Yang,Jung-Yu Shieh,Zong-Jie Ko,Jeng Hwa Liao,Hsing-Ju Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Transistor structure

Номер патента: EP4177957A3. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

Transistor structure

Номер патента: EP4177957A2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-10.

Transistor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230402457A1. Автор: Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo,Chun-Nan LU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for forming transistor structure

Номер патента: US20230027913A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Fin transistor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240055504A1. Автор: Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09647073B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Deep source and drain for transistor structures with back-side contact metallization

Номер патента: US11688780B2. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Transistor structure

Номер патента: US20230170421A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160126316A1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20170213890A1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor transistor structure

Номер патента: US20240258406A1. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Vertically Stacked Transistor Structures

Номер патента: US20230187539A1. Автор: Hans Mertens,Steven Demuynck,Sujith Subramanian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-15.

Transistor structure

Номер патента: EP4187584A3. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Transistor structure

Номер патента: EP4187584A2. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-31.

Transistor structure

Номер патента: US20230387309A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor transistor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11955536B2. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor transistor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220399459A1. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Lateral DMOS structure with lateral extension structure for reduced charge trapping in gate oxide

Номер патента: US20050214995A1. Автор: James Beasom. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2005-09-29.

Ggnmos transistor structure, esd protection device and circuit

Номер патента: US20240282765A1. Автор: Yan Yan,LIN Wu,Cheng Zhou,Yong Huang,Lu Huang,Wanyi ZHOU,Haili SHI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Transistor structure with multiple halo implants having epitaxial layer over semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20200135583A1. Автор: Samar K. Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-30.

Transistor structure and method with an epitaxial layer over multiple halo implants

Номер патента: US20150084108A1. Автор: Samar Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-26.

Transistor structure and related inverter

Номер патента: US12074205B2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Ggnmos transistor structure, and esd protection component and circuit

Номер патента: EP4333077A1. Автор: Yan Yan,LIN Wu,Cheng Zhou,Yong Huang,Lu Huang,Wanyi ZHOU,Haili SHI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Thin film transistor structure, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20210057549A1. Автор: En-Tsung Cho,Qionghua Mo. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Transistor structure

Номер патента: US10573737B1. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-25.

Fabricating method of transistor structure

Номер патента: US10825925B2. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Transistor structure

Номер патента: EP4125134A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-02-01.

Transistor structure with hybrid gate dielectric structure and asymmetric source/drain regions

Номер патента: US20240030343A1. Автор: Jagar Singh,Man Gu,Saloni Chaurasia. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Transistor structure

Номер патента: US09954099B1. Автор: Cheng-Hsun Chung,Shih-Teng HUANG,Tien-SHang Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of fabricating thin film transistor structure

Номер патента: US09935182B2. Автор: Wen Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Transistor structure

Номер патента: US09741826B1. Автор: Cheng-Hsun Chung,Shih-Teng HUANG,Tien-SHang Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Field-effect transistor structure having low gate resistance, and preparation method

Номер патента: EP3843160A1. Автор: Miao Xu,Xinfang Liu,Yanxiang Liu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-30.

Transistor structure

Номер патента: US20180114858A1. Автор: Cheng-Hsun Chung,Shih-Teng HUANG,Tien-SHang Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Transistor structure with varied gate cross-sectional area

Номер патента: US09966457B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Pranita Kerber. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing trench transistor structure

Номер патента: US20210091067A1. Автор: Wei-Yu Lin,Shih-Hao Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Transistor structure with gate over well boundary and related methods to form same

Номер патента: US11942325B2. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Transistor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US10475932B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Shao-Hui Wu. Владелец: Untied Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Trench transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200135713A1. Автор: Wei-Yu Lin,Shih-Hao Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Thin film transistor structure

Номер патента: US20240014277A1. Автор: Lih-Hsiung Chan,Ming-Kai Chuang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of fabricating a self-aligned contact trench DMOS transistor structure

Номер патента: US5665619A. Автор: Izak Bencuya,Sze-Hon Kwan. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-09-09.

Transistor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20190131456A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Shao-Hui Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor structure and transistor structure

Номер патента: US20240014319A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Self-aligned schottky-barrier clamped planar DMOS transistor structure and its manufacturing methods

Номер патента: US20060131619A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon-Based Technology Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor structure with improved channel stack and method for fabrication thereof

Номер патента: WO2012118873A1. Автор: Pushkar Ranade,Lucian Shifren,Paul E. Gregory. Владелец: SUVOLTA, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor structure having test and transistor structures

Номер патента: US20120319110A1. Автор: Zhengmao Zhu,Abhishek Dube,Viorel Ontalus,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-20.

Transistor structure

Номер патента: US20240186408A1. Автор: Ming-Ta Lei,Chih-Wen Yao,Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen,Chen-Liang Chu,Ta-Yuan Kung,Chun-Hsun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Transistor structure with multiple vertical thin bodies

Номер патента: EP4418328A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Stacked complementary transistor structure for three-dimensional integration

Номер патента: GB2628503A. Автор: Cheng Kangguo,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Transistor structure with multiple vertical thin bodies

Номер патента: US20240282861A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Mos transistor structure with in-situ doped source and drain and method for forming the same

Номер патента: US20120032231A1. Автор: Lei Guo,Jing Wang,Jun Xu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: Rongwei Yu. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Vertical transistor structures with offset spacers

Номер патента: US20240079452A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Nanowire transistor structure and nanowire inverter structure

Номер патента: US11038066B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Process of forming an electronic device including a transistor structure

Номер патента: US11342443B2. Автор: Abhishek Banerjee,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-05-24.

Process of forming an electronic device including a transistor structure

Номер патента: US20190035910A1. Автор: Abhishek Banerjee,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-01-31.

Process of Forming an Electronic Device Including a Transistor Structure

Номер патента: US20200227536A1. Автор: Abhishek Banerjee,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-07-16.

Transistor structure with metal interconnection directly connecting gate and drain/source regions

Номер патента: EP3968375A3. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Transistor gate forming methods and transistor structures

Номер патента: US7867845B2. Автор: Prashant Raghu,Sanh D. Tang,Ravi Iyer,Gordon A. Haller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-11.

Body contact soi transistor structure and method of making

Номер патента: US20130026573A1. Автор: Dongping Wu,Shili Zhang. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-01-31.

Transistor structures

Номер патента: US7659560B2. Автор: Prashant Raghu,Sanh D. Tang,Ravi Iyer,Gordon A. Haller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Vertical transistor structures having vertical-surrounding-gates with self-aligned features

Номер патента: US20070020819A1. Автор: Sanh Tang,Grant Huglin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Method for forming trench transistor structure

Номер патента: US5705409A. Автор: Keith E. Witek. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-01-06.

Transistor structure having interconnect to side of diffusion and related method

Номер патента: US20060094182A1. Автор: Richard Williams,Hussein Hanafi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Igzo transistor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20150171225A1. Автор: Longqiang Shi,Chihyuan Tseng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Nanowire transistor structure and nanowire inverter structure

Номер патента: US20190386150A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of fabricating transistor structure

Номер патента: US20240064993A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Kuo-Chang Chiang,Song-Fu Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Nanowire transistor structure and nanowire inverter structure

Номер патента: US20200220027A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US11843044B2. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: EP4210110A1. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Thin film transistor structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US8445912B2. Автор: Hideki Ono,Mari Sasaki,Iwao Yagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Bipolar transistor structure with emitter/collector contact to doped semiconductor well and related methods

Номер патента: US11804541B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Lateral bipolar transistor structure with marker layer for emitter and collector

Номер патента: US11799021B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Thin film transistor structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20110204375A1. Автор: Hideki Ono,Mari Sasaki,Iwao Yagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Thin film transistor structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20130237020A1. Автор: Hideki Ono,Mari Sasaki,Iwao Yagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Transistor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240105830A1. Автор: Yan-Ru Chen. Владелец: Hon Young Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150235967A1. Автор: Yi-Kai Wang,Yu-Jung Peng,Chi-Jen Kao. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

High voltage transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20220123121A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

High voltage transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11610973B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

High voltage transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20220013648A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Transistor structure

Номер патента: US11721587B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Transistor structure

Номер патента: US12087635B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Transistor structure

Номер патента: US20190115260A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Transistor structure

Номер патента: US20210335669A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Transistor structure

Номер патента: US20230326801A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Transistor structure

Номер патента: US11088027B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Transistor structure

Номер патента: US10796964B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Transistor structure

Номер патента: US10373872B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Bipolar transistor structure with base protruding from emitter/collector and methods to form same

Номер патента: US11961901B2. Автор: Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

High voltage transistor structure

Номер патента: US11990507B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Transistor structure and memory structure

Номер патента: US20220399339A1. Автор: Chiu-Tsung Huang,Chun-Sheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US11881395B2. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Solid power semiconductor field effect transistor structure

Номер патента: US20200266273A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Xianda Zhao,Wai Yee LIU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-08-20.

High voltage transistor structure

Номер патента: US11942475B2. Автор: Yong-Shiuan Tsair,Meng-Han LIN,Wen-Tuo Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

High electron mobility transistor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240243194A1. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit structure with dual thickness cobalt silicide layers and method for its manufacture

Номер патента: US6040606A. Автор: Christopher S. Blair. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-03-21.

Transistor structure incorporating a solid deuterium source for gate interface passivation

Номер патента: US6114734A. Автор: Robert H. Eklund. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Thin, dielectrically isolated island resident transistor structure having low collector resistance

Номер патента: CA2033780C. Автор: James D. Beasom. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1996-07-30.

Thin, dielectrically isolated island resident transistor structure having low collector resistance

Номер патента: CA2033780A1. Автор: James D. Beasom. Владелец: James D. Beasom. Дата публикации: 1991-07-09.

Transistor structure with multiple vertical thin bodies

Номер патента: US20240304672A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20240332067A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US12040224B2. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20220262671A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20220139762A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Transistor Structure Including a Scandium Gallium Nitride Back-barrier Layer

Номер патента: US20190006502A1. Автор: Robert L. Coffie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-01-03.

Transistor structure, manufacturing method of transistor structure, and light emitting apparatus

Номер патента: US8633487B2. Автор: Kazuto Yamamoto. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Transistor structure, semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220352361A1. Автор: Inho Park,Hui Xue,Wentao Xu,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

LDMOS Transistor Structure and Method of Manufacture

Номер патента: US20180277501A1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech,Michaela Braun,Jan Ropohl,Matthias Zigldrum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-09-27.

Power rail between fins of a transistor structure

Номер патента: EP4123690A3. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

3D semiconductor device and structure with single-crystal layers

Номер патента: US11876011B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

3d semiconductor device and structure with single-crystal layers

Номер патента: US20230343632A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for forming a dual transistor structure

Номер патента: US5413948A. Автор: James R. Pfiester,James D. Hayden. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-05-09.

Top-drain trench based resurf DMOS transistor structure

Номер патента: US5723891A. Автор: Satwinder Malhi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-03-03.

Semiconductor device with unified transistor structure and voltage regulator diode

Номер патента: US20220069119A1. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor with unified transistor structure and voltage regulator diode

Номер патента: US20200105924A1. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor with unified transistor structure and voltage regulator diode

Номер патента: US11955544B2. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor with unified transistor structure and voltage regulator diode

Номер патента: US11201237B2. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-12-14.

Self aligned field effect transistor structure

Номер патента: US20100155793A1. Автор: Lee-mi Do,Kyu-Ha Baek. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-24.

Transistor structure and semiconductor device using the same

Номер патента: US20230269933A1. Автор: Jaepil Lee,Minhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Isolation walls for vertically stacked transistor structures

Номер патента: US20190393214A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130105764A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-02.

Thin Film Transistor Structure

Номер патента: US20100289068A1. Автор: Hsiao-Wei Cheng,Yi-Chang Yang,Hsiu-Ju Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-11-18.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US8853674B2. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-07.

Transistor Structure and Control Unit Comprising the Same

Номер патента: US20080067691A1. Автор: Chun-Ching Wei,Chung-Yu Liang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-03-20.

Thin film transistor structure and array substrate using the same

Номер патента: US8872173B2. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Xue-Hung TSAI,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2014-10-28.

Thin film transistor structure and array substrate using the same

Номер патента: US20130320329A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Xue-Hung TSAI,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

DRAM Arrays, Vertical Transistor Structures, and Methods of Forming Transistor Structures and DRAM Arrays

Номер патента: US20110018045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Thin film transistor structure, display panel and display device

Номер патента: US11967646B2. Автор: Liu He,FENG Jiang,Rongrong Li,Yizhen XU,Chunhui REN,Keming Yang,Qiang Leng. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Thin film transistor structure, display panel and display device

Номер патента: US20240088298A1. Автор: Liu He,FENG Jiang,Rongrong Li,Yizhen XU,Chunhui REN,Keming Yang,Qiang Leng. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Drail-well/extension high voltage MOS transistor structure and method of fabrication

Номер патента: US4978628A. Автор: Bruce D. Rosenthal. Владелец: Teledyne Industries Inc. Дата публикации: 1990-12-18.

Fin-FET sensor with improved sensitivity and specificity

Номер патента: US09810660B2. Автор: Wenchuang Hu,Ruhai Tian,Suresh Regonda,Krutarth B. Trivedi. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2017-11-07.

Vertical transistor structure

Номер патента: US4811071A. Автор: Herbert F. Roloff. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-03-07.

Field Effect Transistor Structure Having Notched Mesa

Номер патента: US20180286947A1. Автор: Kiuchul Hwang. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-10-04.

Field effect transistor structure having notched mesa

Номер патента: WO2016182825A1. Автор: Kiuchul Hwang. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2016-11-17.

Field effect transistor structure having notched mesa

Номер патента: EP3295487A1. Автор: Kiuchul Hwang. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-03-21.

Heterojunction bipolar transistor structure having current clamping layer

Номер патента: US20240079450A1. Автор: Zong-Lin LI,Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230335609A1. Автор: Chin-Chia Kuo,Ming-Hua Tsai,Wei Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Lateral transistor structure having self-aligned base and base contact and method of fabrication

Номер патента: CA1179786A. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1984-12-18.

Field effect transistor structure and method for making same

Номер патента: CA1061014A. Автор: Robert C. Dockerty,Shakir A. Abbas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-08-21.

Transistor structures and transistors with a germanium-containing channel

Номер патента: US20060001126A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Transistor structures and transistors with a germanium-containing channel

Номер патента: US7446351B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-11-04.

Transistor structures and transistors with a germanium-containing channels

Номер патента: US20060266995A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor structure with backside through silicon vias and method of obtaining die ids thereof

Номер патента: US20230230930A1. Автор: Kuang-Hui Tang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Schottky diode structure with localized diode well

Номер патента: US5150177A. Автор: Murray J. Robinson,Christopher C. Joyce,Tim W. Luk. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1992-09-22.

Enhancement - depletion field effect transistor structure and method of manufacture

Номер патента: EP1794796A2. Автор: Hassan Maher,Pierre M. M. Baudet. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-06-13.

Array fanout pass transistor structure

Номер патента: US9330764B2. Автор: Chieh-Fang Chen,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Ic structures with improved bonding between a semiconductor layer and a non-semiconductor support structure

Номер патента: EP4174911A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-03.

Thin film transistor structure of pixel

Номер патента: US20100320473A1. Автор: Chih-Chung Liu. Владелец: Century Display Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Circuit wiring techniques for stacked transistor structures

Номер патента: US20200286831A1. Автор: Chen Zhang,ZHENG Xu,Tenko Yamashita,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Circuit wiring techniques for stacked transistor structures

Номер патента: US11894303B2. Автор: Chen Zhang,ZHENG Xu,Tenko Yamashita,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Compact P-channel/N-channel transistor structure

Номер патента: US5693975A. Автор: Chuen-Der Lien. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 1997-12-02.

Method and design of high-performance interconnects with improved signal integrity

Номер патента: US11744006B2. Автор: Guoan Wang,Jinqun Ge. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2023-08-29.

Method and Design of High-Performance Interconnects with Improved Signal Integrity

Номер патента: US20210378089A1. Автор: Guoan Wang,Jinqun Ge. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor interconnect structure with double conductors

Номер патента: US12087685B2. Автор: Takeshi Nogami,Benjamin D. Briggs,Raghuveer R. Patlolla. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor interconnect structure with double conductors

Номер патента: US09837350B2. Автор: Takeshi Nogami,Benjamin D. Briggs,Raghuveer R. Patlolla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor interconnect structure with double conductors

Номер патента: US20170294382A1. Автор: Takeshi Nogami,Benjamin D. Briggs,Raghuveer R. Patlolla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor interconnect structure with double conductors

Номер патента: US20170294381A1. Автор: Takeshi Nogami,Benjamin D. Briggs,Raghuveer R. Patlolla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Image sensor with improved dynamic range and method of formation

Номер патента: US20050017248A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-27.

Image sensor with improved dynamic range and method of formation

Номер патента: US20070034907A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-15.

Lateral/vertical transistor structures and process of making and using same

Номер патента: US09908115B2. Автор: Justin K. Valley,Eric D. Hobbs. Владелец: Berkeley Lights Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Unit pixel having 2-transistor structure for image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1900030A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-19.

Conductance modulated integrated transistor structure with low drain capacitance

Номер патента: US5164812A. Автор: John H. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-11-17.

Electrical-interference-isolated transistor structure

Номер патента: US20060125063A1. Автор: Chung-Hsing Tzu. Владелец: Domintech Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Clocked CBICMOS integrated transistor structure

Номер патента: US5119160A. Автор: John H. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-06-02.

Combination capacitor and transistor structure for use in monolithic circuits

Номер патента: US4245231A. Автор: Robert B. Davies. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1981-01-13.

Transistor structures

Номер патента: US11881492B2. Автор: Robert Michael Guidash,Muhammad Maksudur RAHMAN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

MOS-transistor structure as light sensor

Номер патента: US09721980B2. Автор: Ernst Bretschneider. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-08-01.

Unit pixel having 2-transistor structure for image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2007001131A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2007-01-04.

Transistor structure, gate driving circuit, driving method thereof, and display panel

Номер патента: US20240005839A1. Автор: Haoxuan ZHENG,Dujuan Yin. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Transistor structure, gate driving circuit, driving method thereof, and display panel

Номер патента: US11955050B2. Автор: Haoxuan ZHENG,Dujuan Yin. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Conductance-modulated integrated transistor structure

Номер патента: US4920399A. Автор: John H. Hall. Владелец: Linear Integrated Systems Inc. Дата публикации: 1990-04-24.

Transistor structures

Номер патента: US20180286801A1. Автор: Haojun Zhang,Chien-Hsin Lee,Mahadeva Iyer NATARAJAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Trenched MOSFETS with improved gate-drain (GD) clamp diodes

Номер патента: US8389354B2. Автор: Fwu-Iuan Hshieh. Владелец: Force Mos Technology Corp Cayman Islands. Дата публикации: 2013-03-05.

Trenched mosfets with improved gate-drain (GD) clamp diodes

Номер патента: US20090219657A1. Автор: Fwu-Iuan Hshieh. Владелец: FORCE-MOS TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2009-09-03.

Enhanced efficiency of LED structure with n-doped quantum barriers

Номер патента: US11870006B2. Автор: Jian Yin,Gholamreza Chaji,Dayan Ban,Ehsanollah Fathi. Владелец: Vuereal Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Image sensors with improved surface planarity

Номер патента: US09847359B2. Автор: Ulrich Boettiger,Swarnal Borthakur,Richard Mauritzson,Aaron BELSHER. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Electric device with improved heat removal

Номер патента: RU2736225C1. Автор: Паоло ПАВАНЕЛЛО,Роберто ДЗАННОЛЬ. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for the fabrication of bonding solder layers on metal bumps with improved coplanarity

Номер патента: US20130052817A1. Автор: Tim Hsiao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Light-emitting diode with improved light extraction efficiency

Номер патента: US09978910B2. Автор: Ye Seul KIM,Kyoung Wan Kim,Jin Woong LEE,Yeo Jin Yoon. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Light-emitting devices and displays with improved performance

Номер патента: US09853184B2. Автор: Seth Coe-Sullivan,Jonathan S. Steckel,Marshall Cox,Caroline J. Roush. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Image device with improved chrominance quality

Номер патента: US09552757B2. Автор: Gia Chuong Phan,Maggie PHAN,Anthony PHAN. Владелец: VP Assets Ltd Great Britain. Дата публикации: 2017-01-24.

Microwave powered uv lamp with improved rf gasket arrangement

Номер патента: US20030155870A1. Автор: Jonathan Barry. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Microwave powered uv lamp with improved rf gasket arrangement

Номер патента: WO2003073799A1. Автор: Jonathan D. Barry. Владелец: Fusion Uv Systems, Inc.. Дата публикации: 2003-09-04.

Magnetic induction switch

Номер патента: US12014889B2. Автор: DONG Chen,Kai Xu,Jianguo Dong,Binjie XU,Minghai Zhao. Владелец: Ningbo Self Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Induction switch

Номер патента: US20110234101A1. Автор: Christian Teske,Joachim Jacoby. Владелец: Goethe Universitaet Frankfurt am Main. Дата публикации: 2011-09-29.

External electric device with improved polymeric insulation system

Номер патента: RU2414015C1. Автор: Хоан Д. ЛИ,Стив А. ШОУ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2011-03-10.

Spark plug with improved tightness

Номер патента: RU2753101C2. Автор: Крис ШИММЕЛЬ,Угур ЙЫЛМАЗ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2021-08-11.

Device for electric contact with improved opening

Номер патента: RU2598539C2. Автор: Ги КОТТОН. Владелец: Легран Снс. Дата публикации: 2016-09-27.

Magnetic Induction Switch

Номер патента: US20210358705A1. Автор: DONG Chen,Kai Xu,Jianguo Dong,Binjie XU,Minghai Zhao. Владелец: Self Electronics USA Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Anode geometry with improved volumetric efficiency and improved esr

Номер патента: US20140104757A1. Автор: John T. Kinard,Joao Candeias. Владелец: Kemet Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Method for manufacturing secondary battery with improved resistance

Номер патента: US12119480B2. Автор: Ji Hoon Ryu,Song Yi HAN. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Three-pin electrical plug with improved terminal structure

Номер патента: US8172626B1. Автор: Min-Chen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-08.

Multi-junction laser diode with improved wavelength stability

Номер патента: US20240243548A1. Автор: Jürgen Müller,Franz Eberhard,Philipp Staudinger. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Multi-junction laser diode with improved wavelength stability

Номер патента: EP4404400A3. Автор: Jürgen Müller,Franz Eberhard,Philipp Staudinger. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Lithium Battery Explosion-proof Structure with Built-in BMS Board

Номер патента: US20240313306A1. Автор: Jinhui Zeng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-19.

Multi-junction laser diode with improved wavelength stability

Номер патента: EP4404400A2. Автор: Jürgen Müller,Franz Eberhard,Philipp Staudinger. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Choke structure with water cooling

Номер патента: US11778773B2. Автор: Kao-Ping Lo. Владелец: Phihong Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Charging socket structure with embedded circuit board, and charging socket

Номер патента: EP4429035A1. Автор: Chao Wang. Владелец: Changchun Jetty Automotive Parts Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Switching device with improved electric arc quenching performed using permanent magnets

Номер патента: RU2726162C1. Автор: Роберт КРАЛИК. Владелец: ШАЛЬТБАУ ГМБХ. Дата публикации: 2020-07-09.

Display device and transistor structure for the same

Номер патента: US09818342B2. Автор: Joon-Min Park. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Bi-directional transistor structure

Номер патента: US6084458A. Автор: Kuan-Yu Fu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Topological transistor structure and topological transistor

Номер патента: EP3975275A1. Автор: Victor Fernandez Becerra,Mircea Trif,Timo Hyart. Владелец: Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk. Дата публикации: 2022-03-30.

Head switch for a stacked transistor structure

Номер патента: WO2024172968A1. Автор: Hayg-Taniel Dabag,Ibrahim Ramez CHAMAS,Waqas Ahmad,Asad Ali NAWAZ. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-22.

Head switch for a stacked transistor structure

Номер патента: US20240275378A1. Автор: Hayg-Taniel Dabag,Ibrahim Ramez CHAMAS,Waqas Ahmad,Asad Ali NAWAZ. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Ambipolar transistor structure and electronic device

Номер патента: US20230240088A1. Автор: Tanmoy SARKAR,Gitti L. FREY. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Tunneling magnetoresistive (TMR) device with improved seed layer

Номер патента: US12035634B2. Автор: Christian Kaiser,Susumu Okamura,Brian R. York. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Radio Frequency Switching Circuit With Hot-Switching Immunity

Номер патента: US20210409044A1. Автор: Daniel Studer,Anders Stensgaard Larsen,Mitchell R. Blozinski. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Radio Frequency Switching Circuit With Hot-Switching Immunity

Номер патента: US20210184709A1. Автор: Daniel Studer,Anders Stensgaard Larsen,Mitchell R. Blozinski. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Radio frequency switching circuit with hot-switching immunity

Номер патента: US11489548B2. Автор: Daniel Studer,Anders Stensgaard Larsen,Mitchell R. Blozinski. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2022-11-01.

Electronic Inductive Switching Power Amplifier

Номер патента: CA2109180A1. Автор: Tasleem Tota. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-04-26.

Cascode amplifier with improved amplification characteristics

Номер патента: US20240154590A1. Автор: Jongsoo Lee,Sangmin Yoo,Jeongyeol BAE,Joonggeun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Brushless dc motor with improved starting

Номер патента: CA1206508A. Автор: James Reffelt. Владелец: Rotron Inc. Дата публикации: 1986-06-24.

Film bulk acoustic resonator chip and package structure with improved temperature coefficient

Номер патента: US11870414B2. Автор: Young Hun Kim. Владелец: Wisol Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Film bulk acoustic resonator chip and package structure with improved temperature coefficient

Номер патента: US20220060169A1. Автор: Young Hun Kim. Владелец: Wisol Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Microphone structure with improved substrate

Номер патента: US20210136474A1. Автор: Jinghua Ye. Владелец: Zilltek Technology Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Film bulk acoustic resonator chip and package structure with improved power tolerance

Номер патента: US20220060176A1. Автор: Young Hun Kim. Владелец: Wisol Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Devices for Real-time Speech Output with Improved Intelligibility

Номер патента: US20240005944A1. Автор: David R. Baraff,Gene Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-04.

Mixer with improved linearity

Номер патента: US20170302226A1. Автор: Mohamed Mobarak,Mohamed Moussa Ramadan Esmael. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2017-10-19.

Oscillator with improved sideband noise

Номер патента: WO1996023351A1. Автор: Leng Hock Ooi,Branko Avanic,Peter J. Yeh. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 1996-08-01.

Mixer with improved linearity

Номер патента: US09793856B1. Автор: Mohamed Mobarak,Mohamed Moussa Ramadan Esmael. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2017-10-17.

Magnetic tunnel junction device with improved barrier layer

Номер патента: WO2007120344A3. Автор: Jijun Sun,John T Martin,Jon M Slaughter. Владелец: Jon M Slaughter. Дата публикации: 2008-10-30.

Led lighting device driver with improved luminous performance and method thereof

Номер патента: EP4207951A1. Автор: Zhirong Lin,Fuxing Lu. Владелец: Xiamen Pvtech Co ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Switching system with improved message distributor

Номер патента: US20020024962A1. Автор: Hermann Gollwitzer,Karl Sapotta,Kurt Ramsdorf. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2002-02-28.

Baw resonator with improved performance

Номер патента: US20220060174A1. Автор: Thomas Bain Pollard. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2022-02-24.

Video security system with improved network response time using pre-authentication information

Номер патента: US20230011133A1. Автор: Sang Hoon Lee,In Taek Lim. Владелец: IDIS Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Aerosol-generating system with improved air flow control

Номер патента: RU2710636C2. Автор: Мишель Торанс. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2019-12-30.

Devices for real-time speech output with improved intelligibility

Номер патента: EP4300494A1. Автор: Gene Kang,David Baraff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-03.

Multiplexer circuit with improved isolation and multiplexer component

Номер патента: WO2019228860A1. Автор: Juha Ellä,Edgar Schmidhammer,Peter J. Shah. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2019-12-05.

Device, system, camera device, and method for capturing immersive images with improved quality

Номер патента: US20240155093A1. Автор: Daniel Pohl. Владелец: Immervr GmbH. Дата публикации: 2024-05-09.

Device, system, camera device, and method for capturing immersive images with improved quality

Номер патента: EP4366301A2. Автор: Daniel Pohl. Владелец: Immervr GmbH. Дата публикации: 2024-05-08.

Electric machine with improved cooling

Номер патента: RU2643791C1. Автор: Герд ГРАНАТ,Вальтер ПУТЦ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2018-02-06.

Liquid crystal display panel with improved image contrast

Номер патента: EP1853966A1. Автор: Pavel I. Lazarev,Michael V. Paukshto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2007-11-14.

Mechanical Metamaterial with Improved Compressive Responses

Номер патента: US20230212372A1. Автор: Jiun-Hung Chen,Chien-Yie Tsay. Владелец: FENG CHIA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-06.

Vibration ripper having link structure with improved vibration isolating function

Номер патента: US12098518B2. Автор: Sung Chan Lee. Владелец: Sterling Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Vessel with improved device for closing

Номер патента: RU2711460C2. Автор: Тимоте КАЙО. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2020-01-17.

Composite element with improved properties

Номер патента: CA3087499C. Автор: Christof Grieser-Schmitz,Andre Kamm. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-06-25.

Container with improved closing means

Номер патента: RU2660055C1. Автор: Энтони СНАЙДЕР,Онезью Луис ТЕЗИНГ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2018-07-04.

Acoustical sound proofing material with improved fracture characteristics and methods for manufacturing same

Номер патента: CA2683069A1. Автор: Brandon D. Tinianov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Devices with improved antibacterial surface

Номер патента: US20230111815A1. Автор: Shahram Amini. Владелец: Pulse IP LLC. Дата публикации: 2023-04-13.

Devices with improved antibacterial surface

Номер патента: CA3234251A1. Автор: Shahram Amini. Владелец: Pulse IP LLC. Дата публикации: 2023-04-20.

Devices with improved antibacterial surface

Номер патента: AU2022363516A1. Автор: Shahram Amini. Владелец: Pulse IP LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Roof rib finder and fastening device using an inductive switch

Номер патента: US6064189A. Автор: Samuel R. Frankel. Владелец: Construction Fasteners Inc. Дата публикации: 2000-05-16.

Footwear structure with improved comfortableness

Номер патента: WO2007010583B1. Автор: Antonio Gazzola. Владелец: Generazione S R L. Дата публикации: 2007-03-29.

Lock Structure With Improved Safety, And Gun Lock

Номер патента: US20230213297A1. Автор: Wenyuan Zhang. Владелец: Shenzhen Hanmai Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Fabrication of optical fibers with improved cross sectional circularity

Номер патента: US4154591A. Автор: William G. French,G. William Tasker. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1979-05-15.

Gas inflator structures with improved cooling filters and method of making the filters

Номер патента: CA1140058A. Автор: Fred E. Schneiter. Владелец: Thiokol Corp. Дата публикации: 1983-01-25.

Toothbrush with improved fixation of beams and fixing wire

Номер патента: RU2472404C1. Автор: Франсиз П. ПАКВИЛЛО. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2013-01-20.

Blast-furnace and blast-furnace hearth with improved walls lining

Номер патента: RU2563399C2. Автор: Жак ПИРЕ,Жиль КАС. Владелец: Поль Вурт С.А.. Дата публикации: 2015-09-20.

Liquid sample analyzer with improved optical characteristics

Номер патента: US3954341A. Автор: Kenneth F. Uffenheimer. Владелец: Technicon Instruments Corp. Дата публикации: 1976-05-04.

Structure with improved adhesion

Номер патента: US11787982B2. Автор: Karsten Moh,Eduard Arzt,René HENSEL,Verena Nicola Tinnemann. Владелец: INNOCISE GmbH. Дата публикации: 2023-10-17.

Sheet with improved ability to retain non-removable folds

Номер патента: RU2706064C1. Автор: Исто ХЕЙСКАНЕН,Эса САУККОНЕН. Владелец: СТОРА ЭНСО ОЙЙ. Дата публикации: 2019-11-13.

Moulded containers with improved grip and method of the fabrication

Номер патента: RU2462406C2. Автор: Ю Ши. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2012-09-27.

Connection of hydraulic hose without cleaning it with improved seal and hose retention

Номер патента: RU2554159C2. Автор: Эрик Д. МЕНОР. Владелец: КЕЙТЕРПИЛЛАР ИНК.. Дата публикации: 2015-06-27.

Polyethylene compositions with improved breaking characteristics

Номер патента: RU2349613C2. Автор: Тае Хунь КУОЛК. Владелец: Юнивейшн Технолоджиз, Ллс. Дата публикации: 2009-03-20.

Sliding window with improved tightness

Номер патента: RU2589634C1. Автор: Дзонг Тае КИМ,Ми Дзин ЛИ. Владелец: ЭлДжи ХАУСИС, ЛТД.. Дата публикации: 2016-07-10.

Pneumatic tire with improved design of beads

Номер патента: RU2264302C2. Автор: Франсис БОРДО,Форрест ПАТТЕРСОН. Владелец: МИШЛЕН РЕШЕРШ Э ТЕКНИК С.А.. Дата публикации: 2005-11-20.

Lighting arrangement with improved illumination uniformity

Номер патента: RU2666293C2. Автор: Теве Хипке ХЕМСТРА. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2018-09-06.

Device for observation with improved depth perception

Номер патента: RU2642920C2. Автор: Грэхэм Питер Фрэнсис МЁРСЕР. Владелец: Вижн Инжиниринг Лимитед. Дата публикации: 2018-01-29.

Implantable urological device with improved retrieval feature

Номер патента: RU2651128C2. Автор: Хэцзинь Ли,ДУК Хон Линх ХО. Владелец: ТАРИС Биомедикал ЛЛК. Дата публикации: 2018-04-18.

Boot with improved sole

Номер патента: RU2554788C2. Автор: Рене БОРЕЛЬ,Уоррен БОСОМУОРТ,Гийом АМФИОН,Паскаль СТРИЖАК. Владелец: Саломон С.А.С.. Дата публикации: 2015-06-27.

Resin impregnated coated article with improved aesthetic properties

Номер патента: RU2671327C2. Автор: Ильпо Сильвентойнен. Владелец: Серфактор Джермани Гмбх. Дата публикации: 2018-10-30.

Skate blades with improved turning properties

Номер патента: RU2681769C2. Автор: Миклош МАКАИ. Владелец: Миклош МАКАИ. Дата публикации: 2019-03-12.

Absorbing article with improved conformability

Номер патента: RU2284172C2. Автор: Сольгун ДРЕВИК,Фредрик АСП. Владелец: Ска Хайджин Продактс Аб. Дата публикации: 2006-09-27.

Security system with improved lock assembly

Номер патента: US5931033A. Автор: Peter W. Mirabella,William P. Lanigan. Владелец: MI Jack Products Inc. Дата публикации: 1999-08-03.

Method for manufacturing friction disks with ceramic materials with improved friction layer

Номер патента: US8906289B2. Автор: Andreas Kienzle,Ingrid Krätschmer. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2014-12-09.

Optical disc with improved sensitivity for super-resolution pits and lands

Номер патента: US20110276991A1. Автор: Gael Pilard,Larisa von Riewel. Владелец: THOMSON LICENSING. Дата публикации: 2011-11-10.

Epoxy resin with improved water resistance and composition comprising same

Номер патента: US20240218111A1. Автор: Jae Hoon Lee,Hoon Ryu,Jun Seop Im. Владелец: Samyang Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Epoxy resin with improved water resistance and composition comprising same

Номер патента: EP4332141A1. Автор: Jae Hoon Lee,Hoon Ryu,Jun Seop Im. Владелец: Samyang Corp. Дата публикации: 2024-03-06.

Oncolytic virus with improved safety and anticancer effects

Номер патента: EP3992281A1. Автор: Mong Cho,Taeho HWANG. Владелец: Bionoxx Inc. Дата публикации: 2022-05-04.

Oncolytic virus with improved safety and anticancer effects

Номер патента: CA3139643A1. Автор: Mong Cho,Taeho HWANG. Владелец: Bionoxx Inc. Дата публикации: 2020-12-30.

p53 VARIANT WITH IMPROVED LIQUID-LIQUID PHASE SEPARATION ABILITY AND ACTIVITY AND USE THEREOF

Номер патента: US20240279294A1. Автор: Yan Liu,Guozhen Wang. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-08-22.

Absorbent antimicrobial wound dressings with improved properties and reduced discoloration

Номер патента: AU2022245188A9. Автор: Erik Carlsson. Владелец: Molnycke Health Care AB. Дата публикации: 2024-10-17.

Thermoplastic composition with improved wear properties and method for making thereof

Номер патента: EP1940954A1. Автор: Nicola Cont. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2008-07-09.

A sugarcane harvester with improved basecutter gearbox assembly

Номер патента: AU2020251526A1. Автор: Kaushik Anilbhai DAMANI,Hasmukh Gatorbhai GOHIL. Владелец: Tirth Agro Technology Pvt Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

A sugarcane harvester with improved basecutter gearbox assembly

Номер патента: WO2020202175A1. Автор: Kaushik Anilbhai DAMANI. Владелец: Tirth Agro Technology Pvt. Ltd.. Дата публикации: 2020-10-08.

Electrochemical biosensor with improved accuracy

Номер патента: US09753004B2. Автор: Hakhyun Nam,Geun Sig Cha,Sung-Kwon Jung,Moon Hwan Kim,Myeong Ho Lee,Ung Ki LEE,Han Be PARK. Владелец: I Sens Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

P450-BM3 variants with improved activity

Номер патента: US09708587B2. Автор: Xiyun Zhang,Vesna Mitchell,Robert Osborne,Jeffrey C. Moore,Erika M. MILCZEK,Khin Yu Naing Htwe. Владелец: Codexis Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

P450-BM3 variants with improved activity

Номер патента: US09683220B2. Автор: Xiyun Zhang,Vesna Mitchell,Robert Osborne,Jeffrey C. Moore,Erika M. MILCZEK,Khin Yu Naing Htwe. Владелец: Codexis Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Frame with improved heat-insulating properties for openings of buildings

Номер патента: RU2562122C2. Автор: Джузеппе ЭСПОЗИТО. Владелец: Аксер С.Р.Л.. Дата публикации: 2015-09-10.

Container with improved gas barrier properties

Номер патента: RU2434798C2. Автор: Юй ШИ,Франсис М. ШЛОСС,Дойл А. ВИМС. Владелец: Истмэн Кемикал Компани. Дата публикации: 2011-11-27.

Absorbing item with improved adjoining

Номер патента: RU2286756C2. Автор: Сольгун ДРЕВИК,Фредрик АСП. Владелец: Ска Хайджин Продактс Аб. Дата публикации: 2006-11-10.

Easily transported and assembled wall structure with or for sliding door

Номер патента: RU2682342C2. Автор: Массимо МИГЛИОРИНИ. Владелец: Кобленц С.п.А.. Дата публикации: 2019-03-19.

Improved wall structure with sliding door or slide-swinging door

Номер патента: RU2677965C2. Автор: Массимо МИГЛИОРИНИ. Владелец: Кобленц С.п.А.. Дата публикации: 2019-01-22.

Smoking article with improved air flow

Номер патента: RU2602966C2. Автор: Олег МИРОНОВ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2016-11-20.

Assembly structure with shelves

Номер патента: RU2433775C2. Автор: Йохн АНДЕРСЕН,Хокан ШЕЛАНДЕР. Владелец: Инджой Груп Аб. Дата публикации: 2011-11-20.

Vessel with improved hydrodynamic performance

Номер патента: CA1305369C. Автор: Ulf Harry Stanford. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-07-21.

Sintered extremely fine-grained titanium-based carbonitride alloy with improved toughness and/or wear resistance

Номер патента: US5470372A. Автор: Gerold Weinl. Владелец: Sandvik Ab. Дата публикации: 1995-11-28.

Floor mat with improved rigidity and non-slip backing

Номер патента: US20220117427A1. Автор: Yoojin JUNG. Владелец: Bdk Usa Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Lubricant composition with improved electrical properties

Номер патента: SG146563A1. Автор: Marc-Andre Poirier,Andrea B Wardlow. Владелец: Exxonmobil Res & Eng Co. Дата публикации: 2008-10-30.

Alcohol-containing beverage with improved flavor

Номер патента: WO2017018549A1. Автор: Noriko Nakamura,Shigenao Maruyama,Keisuke Matsui,Atsuki Komiya. Владелец: SUNTORY HOLDINGS LIMITED. Дата публикации: 2017-02-02.

Golf club head with improved striking face

Номер патента: US20240238652A1. Автор: Kyle A. Carr. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for producing biomass granules with improved fluidity

Номер патента: AU2022429076A1. Автор: In Lee,A Young Jeong,Jungap An,Jin-Seong Rim. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2024-06-27.

A pharmaceutical composition with improved bio-availability of inositol phosphate

Номер патента: WO1995019775A1. Автор: Lars Persson,Nicola Rehnberg,Torgny Gustafsson. Владелец: PERSTORP AB. Дата публикации: 1995-07-27.

Palladium catalysts with improved performance in biological environments

Номер патента: WO2017196985A9. Автор: Keith Wood,Thomas Kirkland,Rachel Friedman Ohana,Sergiy Levin. Владелец: PROMEGA CORPORATION. Дата публикации: 2018-12-13.

Palladium catalysts with improved performance in biological environments

Номер патента: EP3454981A1. Автор: Keith Wood,Thomas Kirkland,Rachel Friedman Ohana,Sergiy Levin. Владелец: Promega Corp. Дата публикации: 2019-03-20.

Hybrid memory module with improved inter-memory data transmission path

Номер патента: US20200356475A1. Автор: Aws Shallal. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2020-11-12.

Sieve frame wedge with improved sealing

Номер патента: WO2021021043A1. Автор: Abdulkerim SELEK. Владелец: Genç Deği̇rmen Mak. San. Ve Ti̇c. A.S.. Дата публикации: 2021-02-04.

Ferritic stainless steel with improved ridging resistance and its manufacturing method

Номер патента: US20240035134A1. Автор: Mun-Soo Lee,Junghyun Kong. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

B12 dependent dehydratases with improved reaction kinetics

Номер патента: EP1583818A2. Автор: Der-Ing Liao,Katharine J. Gibson,Xiao-Song Tang. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2005-10-12.

Waste-fiber-made brick body connection structure with thermal insulation effect

Номер патента: LU502180B1. Автор: Zeliang Li. Владелец: Suqian Univ. Дата публикации: 2022-11-30.

Pad with improved sound-reflecting surface for woodwind musical instruments and lubricant to prevent pads from sticking

Номер патента: US20030154845A1. Автор: James Schmidt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Antibodies with improved folding stability

Номер патента: EP2726504A1. Автор: Roland Beckmann. Владелец: Dutalys Gmbh. Дата публикации: 2014-05-07.

Woven fabric with improved comfort

Номер патента: US20200056309A1. Автор: Abhishek Gupta. Владелец: Trident Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

A pharmaceutical composition with improved bioavailability of inositol phosphate

Номер патента: WO1993016705A1. Автор: Lars Persson. Владелец: PERSTORP AB. Дата публикации: 1993-09-02.

Lubricant composition with improved electrical properties

Номер патента: SG182158A1. Автор: Poirier Marc-André,B Wardlow Andrea. Владелец: Exxonmobil Res & Eng Co. Дата публикации: 2012-07-30.

Articles with improved flame retardancy and/or melt dripping properties

Номер патента: CA2937136C. Автор: Gangadhar Jogikalmath,Deepak Arabagatte Ramappa. Владелец: Qed Labs Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Engineered pichia strains with improved fermentation yield and n-glycosylation quality

Номер патента: WO2013066685A1. Автор: Byung-Kwon Choi,Ming-Tang Chen. Владелец: Merck Sharp & Dohme Corp.. Дата публикации: 2013-05-10.

Tires with improved rim fitability

Номер патента: US20200130424A1. Автор: Kwang Tae Kim,Si Wan Kim,In Jeong Park,Woo Haeng HEO,Young Do Lee. Владелец: Hankook Tire and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Universal Joint with Improved Ball Lubrication

Номер патента: US20100292013A1. Автор: Daryl J. Jaeger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Composite golf club head with improved sound

Номер патента: US20150238828A1. Автор: Uday V. Deshmukh,Charles E. Golden. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2015-08-27.

System for gliding on snow with improved mobility

Номер патента: US20140021689A1. Автор: Thomas George Marlow,John Titus Marlow. Владелец: MARLOW DYNAMICS LLC. Дата публикации: 2014-01-23.

Sound absorbing fabric with improved thermal insulation and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180233121A1. Автор: Keun Young Kim,Oh Deok KWON. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Inertial measurement apparatus and method with improved thermal and noise performance

Номер патента: US20210080334A1. Автор: Mike Horton,Shu Wang. Владелец: Aceinna Transducer Systems Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Titanium dioxide pigments with improved gloss and/or durability

Номер патента: EP1381652A1. Автор: John Stratton,Brian Tear,Robert Burniston. Владелец: Millennium Inorganic Chemicals Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Isocyanate composition with improved stability and reactivity, and optical lens using same

Номер патента: US20210163669A1. Автор: Junghwan Shin,Hyuk Hee HAN,Jung Hwan MYUNG. Владелец: SKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Fused NHase with improved specific activity and stability

Номер патента: US9670474B2. Автор: Li Zhou,Yuanyuan Xia,Zhemin Zhou,Wenjing Cui,Zhongmei Liu. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-06-06.

Tire with improved resistance to sidewall damage

Номер патента: US20130092308A1. Автор: FANG Zhu,Drew R. Howlett,Craig Jurs. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-18.

Titanium dioxide pigments with improved gloss and/or durability

Номер патента: US20020166478A1. Автор: John Stratton,Brian Tear,Robert Burniston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-14.

Engineered pichia strains with improved fermentation yield and n-glycosylation quality

Номер патента: EP2780462A1. Автор: Byung-Kwon Choi,Ming-Tang Chen. Владелец: Merck Sharp and Dohme LLC. Дата публикации: 2014-09-24.

Polyurethane with improved abrasion resistance, the method for preparing the same and use thereof

Номер патента: WO2012013676A1. Автор: XIANG Liu,Zhong CAO,Sam Torres. Владелец: BAYER MATERIALSCIENCE AG. Дата публикации: 2012-02-02.

Fused NHase with improved specific activity and stability

Номер патента: US20160312205A1. Автор: Li Zhou,Yuanyuan Xia,Zhemin Zhou,Wenjing Cui,Zhongmei Liu. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-27.

Fused NHase with improved specific activity and stability

Номер патента: US9896679B2. Автор: Li Zhou,Yuanyuan Xia,Zhemin Zhou,Wenjing Cui,Zhongmei Liu. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-20.

Fused NHase with improved specific activity and stability

Номер патента: US20160312206A1. Автор: Li Zhou,Yuanyuan Xia,Zhemin Zhou,Wenjing Cui,Zhongmei Liu. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-27.

Process for preparing antibody-drug conjugates with improved homogeneity

Номер патента: US12109273B2. Автор: Ao JI,Chuchu SUN,Wenxu HE. Владелец: Wuxi Xdc Singapore Private Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Air-pumping rubber glove with improved ventilation and durability

Номер патента: MY132535A. Автор: Jai Choon SIN. Владелец: Jai Choon SIN. Дата публикации: 2007-10-31.

Air-pumping rubber glove with improved ventilation and durability

Номер патента: WO1997045029A1. Автор: Jai Choon SIN. Владелец: Jai Choon SIN. Дата публикации: 1997-12-04.

A balanced insole structure with massage function

Номер патента: ZA202212112B. Автор: Jiqi Yin. Владелец: Dongguan Qi Qi Clothing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Structural Siding Panel with Improved Thermal and Mechanical Properties

Номер патента: US20210246665A1. Автор: Michael Deaner,Kurt Heikkila,Adam Bartel,Scott Bohnen. Владелец: Tundra Composites LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Reduced genome bacteria with improved genetic stability

Номер патента: US09914905B2. Автор: Frederick R. Blattner,Gyorgy Posfai,Balint Csorgo. Владелец: SCARAB GENOMICS LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Fused NHase with improved specific activity and stability

Номер патента: US09896679B2. Автор: Li Zhou,Yuanyuan Xia,Zhemin Zhou,Wenjing Cui,Zhongmei Liu. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-20.

Torquemeter with improved accuracy and method of use

Номер патента: US09752942B2. Автор: Mark R. Jolly,Michael Hamel,Russell E. Altieri,Charles J. ALLRED,Stephen C. SOUTHWARD. Владелец: Lord Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Fused NHase with improved specific activity and stability

Номер патента: US09670474B2. Автор: Li Zhou,Yuanyuan Xia,Zhemin Zhou,Wenjing Cui,Zhongmei Liu. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-06-06.

Golf club with improved weighting

Номер патента: US09616298B1. Автор: Dustin A. Barksdale,Donald S. Bone. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2017-04-11.

Image device with improved chrominance quality

Номер патента: US09613588B2. Автор: Gia Chuong Phan,Maggie PHAN,Anthony PHAN. Владелец: VP Assets Ltd Great Britain. Дата публикации: 2017-04-04.

Tapered thread configuration with improved durability

Номер патента: US09605491B2. Автор: Randy R. Runquist,Michael D. Langenfeld. Владелец: Vermeer Manufacturing Co. Дата публикации: 2017-03-28.

Element of lining for use in structure with stabilised soil

Номер патента: RU2534285C2. Автор: Ришар КАРИУ. Владелец: Терр Армэ Энтернасьональ. Дата публикации: 2014-11-27.

Method of making turbojet nacelle structure with cellular cores

Номер патента: RU2515750C2. Автор: Бертран ДЕЖУАЙО,Тьерри ДЕШАМ,Джон МУТЬЕ. Владелец: Эрсель. Дата публикации: 2014-05-20.

Phosphatases with improved phytase activity

Номер патента: CA2365418C. Автор: Xingen Lei. Владелец: Cornell Research Foundation Inc. Дата публикации: 2009-05-26.

Aggregate drying system with improved aggregate dryer and mass flow apparatus

Номер патента: CA1307521C. Автор: Paul E. Bracegirdle. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-09-15.

Laminar composite structure with self-restoring layer

Номер патента: RU2494872C2. Автор: Энцо КОЗЕНТИНО. Владелец: Эйрбас Оперэйшнз Лимитед. Дата публикации: 2013-10-10.

Container plug having structure with multiple locking elements

Номер патента: RU2692433C2. Автор: Мин Сеок ЧОЙ. Владелец: СиДжей ЧЕИЛДЗЕДАНГ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-06-24.

Stable antiplaque dentifrice with improved foaming and fluoride stability

Номер патента: CA1238282A. Автор: Richard J. Crawford,John P. Curtis,Kathleen M. Yuhasz. Владелец: Colgate Palmolive Co. Дата публикации: 1988-06-21.

Alcoholic beverage with improved foaming properties and method for processing same

Номер патента: CA2532030C. Автор: Atsuki Kawamura,Mitsuhiko Oda,Syuuichi Ishii. Владелец: Sapporo Breweries Ltd. Дата публикации: 2009-06-09.

Multibit hand tool with improved bit insertion

Номер патента: CA1248788A. Автор: Antonio Corona,Franco O. Corona. Владелец: Individual. Дата публикации: 1989-01-17.

Plants with improved digestibility and marker haplotypes

Номер патента: CA3221517A1. Автор: Monika KLOIBER-MAITZ,Nina Meyer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-02.

Devices with improved antibacterial surface

Номер патента: WO2023064267A1. Автор: Shahram Amini. Владелец: Pulse Ip, Llc. Дата публикации: 2023-04-20.

Plants with improved digestibility and marker haplotypes

Номер патента: EP4376596A1. Автор: Monika KLOIBER-MAITZ,Nina Meyer. Владелец: KWS SAAT SE and Co KGaA. Дата публикации: 2024-06-05.

Frame structure with umbrella-shaped carrying device

Номер патента: AU2021250918A1. Автор: Cheng Wang,Chunhui Zhou,Aolin Ma,Meilian Ding,Lingqi Meng. Владелец: Construction Machinery Branch of XCMG. Дата публикации: 2023-03-09.

Modular structure with press-fit assembly

Номер патента: EP4212065A1. Автор: Manuel Artola Angeles. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-19.

Power transmission structure with dual blade shaft of a circular saw

Номер патента: US20060081104A1. Автор: Chun-Hsiang Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

Fastening structure with two different threads

Номер патента: US20220356897A1. Автор: Chien-Ting Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-10.

Devices, systems, and methods for flexible, deployable structure with optical fiber

Номер патента: US20190317293A1. Автор: Kevin Cox,Dana Turse,Mark Lake. Владелец: Roccor LLC. Дата публикации: 2019-10-17.

Door structure with thermal bridge breaks

Номер патента: US20170306691A1. Автор: Rodrigo Medina Sotelo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-26.

Table structure with screen

Номер патента: AU2020100980A4. Автор: Chih Feng Ho. Владелец: Oxti Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Absorbing product with improved leg cuff

Номер патента: RU2553961C2. Автор: Глен Рей ЛЭШ. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2015-06-20.

Capsule with improved sealing element

Номер патента: RU2655153C2. Автор: МАЙЕР Лука ДОЛЬОНИ. Владелец: Туттоэспрессо С.Р.Л.. Дата публикации: 2018-05-23.

Retaining plate with improved closing element

Номер патента: RU2701569C1. Автор: Ральф ЗАУЭР,Ян ШУЛЬТИНК. Владелец: Еврофильтерс Холдинг Н.В.. Дата публикации: 2019-09-30.

Aerosol generating system with improved piercing element

Номер патента: RU2672650C2. Автор: Эрик ФОРС,Фредерик БЮЛЕР. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2018-11-16.

Swirler, combustion chamber and gas turbine with improved swirling

Номер патента: RU2509957C2. Автор: Кэсинь ЛЮ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2014-03-20.

Smoking article with improved damping

Номер патента: RU2705478C2. Автор: Ален КАДИРИЧ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2019-11-07.

Hairdressing device with improved ergonomicity

Номер патента: RU2641080C2. Автор: Антони МАССОН,Фабрис РЕНО. Владелец: СЕБ С.А.. Дата публикации: 2018-01-15.

Flexible laminate with improved integrated pressure relief valve

Номер патента: RU2765910C2. Автор: Петер ХАНСЕН. Владелец: АМКОР ФЛЕКСИБЛЗ ДЕНМАРК АпС. Дата публикации: 2022-02-04.

Swirler, combustion chamber and gas turbine with improved mixing

Номер патента: RU2548521C2. Автор: Кам-Кей ЛАМ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-04-20.

Aqueous cosmetic composition with improved stability

Номер патента: RU2260420C2. Автор: Луи ДЕАН,Дидье ЖЮПРЕЛЛЬ. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2005-09-20.

Container with improved closing means

Номер патента: RU2656804C1. Автор: Энтони СНАЙДЕР,Онезью Луис ТЕЗИНГ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2018-06-06.

Washing machine with improved shock absorber

Номер патента: RU2628974C2. Автор: Сильвано ФУМАГАЛЛИ. Владелец: Канди С.П.А.. Дата публикации: 2017-08-23.

Product dosing device with improved launch

Номер патента: RU2759648C2. Автор: Паскаль ЭННЕМАНН,Гвенаэль ДУЛЕН,Джоуи КУРТЦ. Владелец: Проман Са. Дата публикации: 2021-11-16.

Biocidal compositions of hydrogen peroxide with improved activity

Номер патента: RU2437928C2. Автор: Илья БОББЕРТ. Владелец: Асептикс Рисерч Б.В.. Дата публикации: 2011-12-27.

Boot with improved bottom part

Номер патента: RU2602047C2. Автор: Рене БОРЕЛЬ,Патрик ЛЕЙК,Бенжамен ГРЕНЕ. Владелец: Саломон С.А.С.. Дата публикации: 2016-11-10.

Prefabricated structure with component part

Номер патента: RU2679016C2. Автор: Петер КРАЙДЛЬ. Владелец: Маурер Зёне Инжиниринг Гмбх Энд Ко. Кг. Дата публикации: 2019-02-05.

Press with improved service

Номер патента: RU2591921C2. Автор: Кристоф КУДЬЕР. Владелец: Арева Нс. Дата публикации: 2016-07-20.

Rotary-winged aircraft main rotor blade with improved aircraft performance

Номер патента: RU2631758C2. Автор: Перлман Л. Дэвид. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2017-09-26.

Gas-turbine blade provided with improved cooling circuits

Номер патента: RU2296863C2. Автор: Патрис Эно,Изабель БУРРЬЁ,Филипп ПИКО. Владелец: Снекма Моторс. Дата публикации: 2007-04-10.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Isothermal transistor structures

Номер патента: WO2024209317A1. Автор: Ken Cadien,Douglas W. Barlage,Lhing Gem SHOUTE. Владелец: Zinite Corporation. Дата публикации: 2024-10-10.

Power mos transistor structure

Номер патента: CA1280221C. Автор: Eugene Tonnel,Gilles Thomas. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1991-02-12.

Method for making transistor structures

Номер патента: CA1050666A. Автор: George E. Smith. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1979-03-13.

COPOLYCARBONATES WITH IMPROVED PROPERTIES

Номер патента: US20120004375A1. Автор: . Владелец: BAYER MATERIALSCIENCE AG. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Structures with Rare-earths

Номер патента: US20120001171A1. Автор: Atanackovic Petar B.. Владелец: TRANSLUCENT INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTION OF A PROSTHESIS STRUCTURE WITH AN IMPLANT STRUCTURE

Номер патента: US20120003606A1. Автор: FISCHLER Titus,Schaffner Roland,Fischler Elisabeth,Baechler Martin,Baechler Juerg. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Building structure with tile facing

Номер патента: RU2429331C1. Автор: Владимир Владимирович Батенко. Владелец: Владимир Владимирович Батенко. Дата публикации: 2011-09-20.

Enclosing structure with metal frame

Номер патента: RU2412308C1. Автор: Александр Сергеевич Грынь. Владелец: Александр Сергеевич Грынь. Дата публикации: 2011-02-20.

Forged connecting rod with improved beam

Номер патента: PH22015000691U1. Автор: Jojo Uy Moreno. Владелец: Jojo Uy Moreno. Дата публикации: 2016-01-06.

Forged connecting rod with improved beam

Номер патента: PH22015000691Y1. Автор: Jojo Uy Moreno. Владелец: Jojo Uy Moreno. Дата публикации: 2016-01-06.