Transistor structure with improved unclamped inductive switching immunity
Номер патента: US9716166B2
Опубликовано: 25-07-2017
Автор(ы): Kyle Terrill, Madhur Bobde, Qufei Chen, Wenjie Zhang
Принадлежит: Vishay Siliconix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 25-07-2017
Автор(ы): Kyle Terrill, Madhur Bobde, Qufei Chen, Wenjie Zhang
Принадлежит: Vishay Siliconix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Vertical field-effect transistor structure and method for producing a vertical field-effect transistor structure
Номер патента: US20240222495A1. Автор: Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.