Photodetector using a buried gate electrode for a transfer transistor and methods of manufacturing the same
Номер патента: KR102515309B1
Опубликовано: 28-03-2023
Автор(ы): 신-치 첸, 웨이-리 후, 윤-웨이 쳉, 쿠오-쳉 리, 펭-치엔 시에
Принадлежит: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
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Опубликовано: 28-03-2023
Автор(ы): 신-치 첸, 웨이-리 후, 윤-웨이 쳉, 쿠오-쳉 리, 펭-치엔 시에
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Image sensor with embedded light-measuring pixels and method of automatic exposure control using the same
Номер патента: US20200328242A1. Автор: Po-Min Wang,Chi-Hsiang Peng. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2020-10-15.