Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

形成具有量子阱沟道的非平面晶体管

Номер патента: CN101681924B
Опубликовано: 11-01-2012
Автор(ы): C·O·徐, J·卡瓦列罗斯, P·马吉, W·蔡
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Forming a non-planar transistor having a quantum well channel

Номер патента: US09806180B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Prashant Majhi,Wilman Tsai,Chi On Chui. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Forming a non-planar transistor with a quantum well channel

Номер патента: DE112008000571T5. Автор: Jack Portland Kavalieros,Chi On San Mateo Chui,Prashant Austin Majhi,Wilman Saratoga Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Forming A Non-Planar Transistor Having A Quantum Well Channel

Номер патента: US20180033875A1. Автор: Kavalieros Jack T.,Majhi Prashant,Chui Chi On,TSAI Wilman. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

Non-planar transistor and method of forming the same

Номер патента: US09627541B2. Автор: Shui-Yen Lu,Jhen-Cyuan Li,Nan-Yuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Non-planar transistor and method of forming the same

Номер патента: US20160336451A1. Автор: Shui-Yen Lu,Jhen-Cyuan Li,Nan-Yuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Non-planar transistor

Номер патента: US20170179292A1. Автор: Shui-Yen Lu,Jhen-Cyuan Li,Nan-Yuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Non-planar transistors and methods of fabrication thereof

Номер патента: EP2761647A1. Автор: Subhash M. Joshi,Michael Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-08-06.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US9564490B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US20170104069A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US20160118464A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Methods of forming alternative channel materials on a non-planar semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09627245B2. Автор: Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Nicolas Loubet,Bruce Doris. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods of forming a non-planar ultra-thin body semiconductor device and the resulting devices

Номер патента: US20150228792A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Ruilong Xie,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Forming A Non-Planar Transistor Having A Quantum Well Channel

Номер патента: US20150084000A1. Автор: Kavalieros Jack T.,Majhi Prashant,Chui Chi On,TSAI Wilman. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US8633471B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Non-planar transistors and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09735276B2. Автор: Chin-Hsiang Lin,Sey-Ping Sun,Chih-Hang Tung,Cheng-Hung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Interlayer dielectric for non-planar transistors

Номер патента: US09634124B2. Автор: Sameer Pradhan,Jeanne Luce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods for forming a transistor

Номер патента: EP1759409A2. Автор: Victor Moroz,Lori D. Washington,Faran Nouri. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-03-07.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8866223B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-21.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8853779B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-07.

Transistor structures including a non-planar body having variable and complementary semiconductor and insulator portions

Номер патента: US20200312841A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Cheng-Ying Huang,Nishant Gupta,Aravind S. Killampalli,Prashant Wadhwa,Byungki Jung,Kaiwen Hsu,Supanee Sukrittanon,Caleb Barrett,Jay P. Gupta,Justin Railsback. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Non-planar transistors with channel regions having varying widths

Номер патента: US20200295002A1. Автор: Richard Schenker,Sam Sivakumar,Stephanie A. BOJARSKI,Leonard GULER,Michael K. Harper,Urusa ALAAN,Stephen D. Snyder,Achala Bhuwalka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US20120187480A1. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-07-26.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US20120187479A1. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-07-26.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US09853156B2. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Non-planar transistor arrangements with asymmetric gate enclosures

Номер патента: US11984487B2. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Non-Planar Transistors with Replacement Fins and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20160013106A1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20150155385A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Chun Jin-Sung,JOSHI Subhash M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-06-04.

Techniques for forming non-planar germanium quantum well devices

Номер патента: US09799759B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Willy Rachmady,Been Y. Jin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

METHODS OF FORMING A NON-PLANAR ULTRA-THIN BODY SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150228792A1. Автор: Xie Ruilong,Hargrove Michael,JACOB Ajey Poovannummoottil. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-08-13.

A bulk non-planar transistor having a strained channel with enhanced mobility and methods of fabrication

Номер патента: KR100845175B1. Автор: 닉 린덜트,스티븐 엠 세아. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2008-07-10.

Bulk non-planar transistor having strained enhanced mobility and methods of fabrication

Номер патента: US7781771B2. Автор: Stephen M. Cea,Nick Lindert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Bulk non-planar transistor having strained enhanced mobility and methods of fabrication

Номер патента: US7326634B2. Автор: Stephen M. Cea,Nick Lindert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-02-05.

A bulk non-planar transistor having strained enhanced mobility and methods of fabrication

Номер патента: TWI269358B. Автор: Nick Lindert,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-12-21.

EPITAXIAL STRUCTURE AND PROCESS THEREOF FOR NON-PLANAR TRANSISTOR

Номер патента: US20150123210A1. Автор: Chen Chun-Yu,Liao Chin-I. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2015-05-07.

NON-PLANAR TRANSISTOR

Номер патента: US20170179292A1. Автор: LU Shui-Yen,Li Jhen-Cyuan,Huang Nan-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20170323966A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Chun Jin-Sung,JOSHI Subhash M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-11-09.

NON-PLANAR TRANSISTORS AND METHODS OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20160351716A1. Автор: HATTENDORF Michael L.,JOSHI Subhash M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-12-01.

Sensors with a non-planar sensing structure

Номер патента: US20200400607A1. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Shyue Seng Tan,Ping Zheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Non-planar transistor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12051733B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Non-planar transistor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240347615A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Uniform threshold voltage non-planar transistors

Номер патента: US20220376069A1. Автор: Gang Chen,Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Lateral confinement of source drain epitaxial growth in non-planar transistor for cell height scaling

Номер патента: EP4109554A1. Автор: Nitesh Kumar,Mohammed Hasan,Tahir Ghani,Nikhil Mehta,Vivek Thirtha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Method of manufacturing a semiconductor device having a rectifying junction at the side wall of a trench

Номер патента: US09608092B2. Автор: Wolfgang Werner,Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Quantum well device, non-planar transistor and method

Номер патента: JP5474175B2. Автор: ピラリセッティ、ラヴィ,ハダイト、マンツ,ジン、ビーン−イー,チュ−クン、ベンジャミン,チャウ、ロバート. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-04-16.

Techniques for forming contacts to quantum well transistors

Номер патента: US09704981B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Mantu K. Hudait,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Non-planar quantum well device having interfacial layer and method of forming same

Номер патента: US09786786B2. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Non-planar transistor having germanium channel region and method for forming the same

Номер патента: KR100585111B1. Автор: 양정환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-01.

Quantum well fin-like field effect transistor (QWFinFET) having a two-section combo QW structure

Номер патента: US09620633B2. Автор: Yu-Lien Huang,Chun-Hsiang FAN,Yung-Ta Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Uniaxially strained quantum well device and method of making same

Номер патента: EP2656390A2. Автор: Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-10-30.

Transistor having germanium channel on silicon nanowire and fabrication method thereof

Номер патента: US09935189B2. Автор: Seongjae Cho,Mina Yun. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor structure including a transistor having stress creating regions and method for the formation thereof

Номер патента: US09812573B1. Автор: Maciej Wiatr,Chung Foong Tan,Arkadiusz Malinowski,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Transistor having strain-inducing anchors and a strain-enhancing suspended channel

Номер патента: US20200365467A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for Forming a Semiconductor Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20170229539A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-10.

INTERLAYER DIELECTRIC FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20140117425A1. Автор: Pradhan Sameer,Luce Jeanne. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-01.

Method of producing a semiconductor device having a ferroelectric gate stack

Номер патента: US12107128B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Aichinger,Saurabh Roy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Trench Field Effect Transistor Having Improved Electrical Performance

Номер патента: US20240204071A1. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi,Jinho Seo. Владелец: Thinsic Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391039A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of producing a semiconductor device having a ferroelectric gate stack

Номер патента: US20230411460A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Aichinger,Saurabh Roy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-21.

METHODS OF FORMING A NON-PLANAR ULTRA-THIN BODY DEVICE

Номер патента: US20150255555A1. Автор: JR. William J.,Taylor,Xie Ruilong,Hargrove Michael,JACOB Ajey Poovannummoottil. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-09-10.

Forming a gate contact in the active area

Номер патента: US09905671B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

APPARATUS AND METHODS FOR FORMING A MODULATION DOPED NON-PLANAR TRANSISTOR

Номер патента: US20170104069A1. Автор: Rachmady Willy,Dewey Gilbert,Kavalieros Jack,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Hudait Mantu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-04-13.

Methods of forming alternative channel materials on a non-planar semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US20150255295A1. Автор: Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Nicolas Loubet,Bruce Doris. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of forming a semiconductor structure comprising a field effect transistor having a stressed channel region

Номер патента: TWI455210B. Автор: Andreas Gehring,Andy Wei,Anthony Mowry,Manuj Rathor. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2014-10-01.

Method of forming a semiconductor structure comprising a field effect transistor having a stressed channel region

Номер патента: KR101365714B1. Автор: 앤디 웨이,안드레아스 게링,안토니 모우리,마누지 라쏘르. Владелец: 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2014-02-21.

Forming a gate contact in the active area

Номер патента: US10170583B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-01.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20190139971A1. Автор: Wang Xiang,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei-Chang Liu,Chuan Sun,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20130256767A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Joshi Sabhash M.,Chun Jin-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

NON-PLANAR TRANSISTORS AND METHODS OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20130264617A1. Автор: JOSHI Subhash M.,Hattendorf Michael. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

INTERLAYER DIELECTRIC FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20190013406A1. Автор: Pradhan Sameer,Luce Jeanne. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-01-10.

INTERLAYER DIELECTRIC FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20160020304A1. Автор: Pradhan Sameer,Luce Jeanne. Владелец: INTEL CORPORATON. Дата публикации: 2016-01-21.

TUNGSTEN GATES FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20180047825A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Chun Jin-Sung,Bergstrom Daniel B.,Chiu Julia. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-02-15.

INTERLAYER DIELECTRIC FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20170125596A1. Автор: Pradhan Sameer,Luce Jeanne. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-05-04.

SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20190221662A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Chun Jin-Sung,JOSHI Subhash M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-07-18.

METHODS OF DOPING FIN STRUCTURES OF NON-PLANAR TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20180254320A1. Автор: LILAK AARON D.,WEBER Cory E.,LIAO Szuya S.,Budrevich Aaron A.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-09-06.

METHODS OF DOPING FIN STRUCTURES OF NON-PLANAR TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20190267448A1. Автор: LILAK AARON D.,WEBER Cory E.,LIAO Szuya S.,Budrevich Aaron A.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-08-29.

INTERLAYER DIELECTRIC FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20200279950A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Luce Jeanne L.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-09-03.

NON-PLANAR TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20160336451A1. Автор: LU Shui-Yen,Li Jhen-Cyuan,Huang Nan-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US20200357916A1. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

GATE ISOLATION IN NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20200373299A1. Автор: Hafez Walid M.,AUTH Christopher P.,Bhimarasetti Gopinath,GULER Leonard P.,Sharma Vyom. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with cladded non-planar transistor structures

Номер патента: TWI524433B. Автор: 凱雷姆 姆瑞特 阿卡伐爾達爾,阿喬伊 布凡努姆帝 雅各布. Владелец: 格羅方德半導體公司. Дата публикации: 2016-03-01.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US10283640B2. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-07.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US20230028568A1. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Tungsten gates for non-planar transistors

Номер патента: TWI643345B. Автор: 山米爾Ｓ 普拉德漢,丹尼爾Ｂ 柏格斯壯,秦金宋,茱莉亞 趙,麥克Ｃ 瓦茲. Владелец: 英特爾公司. Дата публикации: 2018-12-01.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with cladded non-planar transistor structures

Номер патента: TW201445638A. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Kerem Murat Akarvardar. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2014-12-01.

Tungsten gates for non-planar transistors

Номер патента: EP2761662A1. Автор: Sameer S. Pradhan,Jin-Sung Chun,Daniel B. Bergstrom,Julia CHIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-08-06.

Tungsten gates for non-planar transistors

Номер патента: KR101685555B1. Автор: 사미르 에스. 프라드한,다니엘 비 버그스트롬,진-성 천,줄리아 치우. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2016-12-12.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US8981435B2. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-03-17.

Methods for inducing strain in non-planar transistor structures

Номер патента: US20080079094A1. Автор: Uday Shah,Brian Doyle,Jack Kavalieros,Been-Yih Jin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-03.

Tungsten gates for non-planar transistors

Номер патента: EP3923347B1. Автор: Sameer S. Pradhan,Jin-Sung Chun,Daniel B. Bergstrom,Julia CHIU. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Methods of doping fin structures of non-planar transistor devices

Номер патента: US20180254320A1. Автор: Szuya S. LIAO,Aaron D. Lilak,Cory E. Weber,Aaron A. Budrevich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Gate isolation in non-planar transistors

Номер патента: US20180331098A1. Автор: Walid M. Hafez,Christopher P. Auth,Leonard P. GULER,Gopinath Bhimarasetti,Vyom Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Methods of doping fin structures of non-planar transistor devices

Номер патента: US20190267448A1. Автор: Szuya S. LIAO,Aaron D. Lilak,Cory E. Weber,Aaron A. Budrevich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Gate isolation in non-planar transistors

Номер патента: US20200373299A1. Автор: Walid M. Hafez,Christopher P. Auth,Leonard P. GULER,Gopinath Bhimarasetti,Vyom Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Gate isolation in non-planar transistors

Номер патента: EP3394897A1. Автор: Walid M. Hafez,Christopher P. Auth,Leonard P. GULER,Gopinath Bhimarasetti,Vyom Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-31.

Deuterium-based passivation of non-planar transistor interfaces

Номер патента: US20200286996A1. Автор: Tahir Ghani,Prashant Majhi,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Aravind S. Killampalli,Mark R. Brazier,Jaya P. Gupta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Tungsten gates for non-planar transistors

Номер патента: US09812546B2. Автор: Sameer S. Pradhan,Jin-Sung Chun,Daniel B. Bergstrom,Julia CHIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Tungsten gates for non-planar transistors

Номер патента: US09637810B2. Автор: Sameer S. Pradhan,Jin-Sung Chun,Daniel B. Bergstrom,Julia CHIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Deuterium-based passivation of non-planar transistor interfaces

Номер патента: US11094785B2. Автор: Tahir Ghani,Prashant Majhi,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Aravind S. Killampalli,Mark R. Brazier,Jaya P. Gupta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-17.

Tungsten gates for non-planar transistors

Номер патента: US20180047825A1. Автор: Sameer S. Pradhan,Jin-Sung Chun,Daniel B. Bergstrom,Julia CHIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Tungsten gates for non-planar transistors

Номер патента: US20170117378A1. Автор: Sameer S. Pradhan,Jin-Sung Chun,Daniel B. Bergstrom,Julia CHIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Nonvolatile memory device with a non-planar gate-insulating layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20060166441A1. Автор: Jeong-Uk Han,Hyun-Khe Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-27.

Manufacturing process for a non-planar all-round gate circuit

Номер патента: DE112011105995B4. Автор: Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Robert Chau,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica Sevanne Kachian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Monolithic integration of high voltage transistors & low voltage non-planar transistors

Номер патента: KR102218368B1. Автор: 키니프 포아,니디 니디,치아-홍 잔,팅 창. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-02-22.

MONOLITHIC INTEGRATION OF HIGH VOLTAGE TRANSISTORS & LOW VOLTAGE NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20170025533A1. Автор: Jan Chia-Hong,Nidhi Nidhi,CHANG Ting,PHOA Kinyip. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

Monolithic integration of high voltage transistors & low voltage non-planar transistors

Номер патента: CN106463533A. Автор: T·张,C-H·简,N·尼迪,K·弗阿. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-22.

UNIFORM THRESHOLD VOLTAGE NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20220376069A1. Автор: Chen Gang,Zang Hui. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-11-24.

BINARY METALLIC ALLOY SOURCE AND DRAIN (BMAS) FOR NON-PLANAR TRANSISTOR ARCHITECTURES

Номер патента: US20220406938A1. Автор: PAYDAVOSI Navid. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-22.

Monolithic integration of high voltage and low voltage non-planar transistors

Номер патента: JP6533237B2. Автор: ホア、キニップ,ニディ、ニディ,ジャン、チア−ホン,チャン、ティン. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-19.

Non-planar transistor arrangements with asymmetric gate enclosures

Номер патента: TW202147622A. Автор: 席恩 Ｔ 馬,古陸米 布奇. Владелец: 美商英特爾公司. Дата публикации: 2021-12-16.

Forming a low votage antifuse device and resulting device

Номер патента: US20150137258A1. Автор: Anurag Mittal,Marc Tarabbia. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12027591B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of forming fin structure on patterned substrate that includes depositing quantum well layer over fin structure

Номер патента: US09634133B1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Gate-all-around quantum well complementary inverter and method of making the same

Номер патента: US20200105750A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Vertical transistor having a vertical gate structure having a top or upper surface defining a facet formed between a vertical source and a vertical drain

Номер патента: US09685536B2. Автор: Er-Xuan Ping,Jeffrey A. McKee. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Multi-gate transistor having sidewall contacts

Номер патента: US8536651B2. Автор: Josephine B. Chang,Dechao Guo,Chung-Hsun Lin,Shu-Jen Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Multi-gate transistor having sidewall contacts

Номер патента: US20120326236A1. Автор: Josephine B. Chang,Dechao Guo,Chung-Hsun Lin,Shu-Jen Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Vertical field effect transistor having U-shaped top spacer

Номер патента: US09859166B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

DMOS transistor having thick gate oxide and STI and method of fabricating

Номер патента: US12113128B2. Автор: Alexei Sadovnikov,Natalia Lavrovskaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of forming fin field effect transistor having tapered sidewalls

Номер патента: US09825150B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09755032B1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

MIS transistor having a large driving current and method for producing the same

Номер патента: US6690047B2. Автор: Akira Nishiyama,Mitsuhiro Noguchi,Daisaburo Takashima,Yukihito Oowaki,Mizuki Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Method for fabricating a semiconductor device including a MOS transistor having a silicide layer

Номер патента: US12033858B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for fabricating a semiconductor device including a mos transistor having a silicide layer

Номер патента: US20240312784A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US09899515B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Transistor having hard-mask layers

Номер патента: US20160380109A1. Автор: Chao-Shun Yang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-12-29.

High-voltage field-effect transistor having multiple implanted layers

Номер патента: US09660053B2. Автор: Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Multiple gate field-effect transistors having oxygen-scavenged gate stack

Номер патента: US09659780B2. Автор: Yen-Ming Chen,Chih-Hsin Ko,Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chan-Lon Yang,Chih Chieh Yeh,Liang-Yin Chen,Xiong-Fei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

MOS transistor having substantially parallelepiped-shaped insulating spacers

Номер патента: US12125899B2. Автор: Arnaud Regnier,Franck Julien,Dann MORILLON,Marjorie HESSE. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconducting metal oxide transistors having a patterned gate and methods for forming the same

Номер патента: US20240363762A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconducting metal oxide transistors having a patterned gate and methods for forming the same

Номер патента: US12125921B2. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for fabricating a nanowire semiconductor transistor having an auto-aligned gate and spacers

Номер патента: US09853124B2. Автор: Sylvain Barraud,Nicolas Posseme,Sylvain Maitrejean,Emmanuel Augendre. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

A method for forming a stacked fet device

Номер патента: EP4199057A1. Автор: Naoto Horiguchi,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-21.

Field effect transistors having a fin

Номер патента: US20230015591A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for Forming a Via Profile of Interconnect Structure of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170194197A1. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for forming a split-gate device

Номер патента: US20150279854A1. Автор: Mehul D. Shroff,Mark D. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-01.

Method for forming a via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09997401B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Superjunction transistor device and method for forming a superjunction transistor device

Номер патента: US12034040B2. Автор: Hans Weber,Ingo Muri,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-09.

Superjunction transistor device and method for forming a superjunction transistor device

Номер патента: EP3916762A1. Автор: Hans Weber,Ingo Muri,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-12-01.

Semiconductor device having a double deep well and method of manufacturing same

Номер патента: US20150162198A1. Автор: Hua-Chou Tseng,Chien-Chih Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Cell Field Portion and a Contact Area

Номер патента: US20160093529A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-31.

Method for forming a fet device

Номер патента: US20230178635A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Aryan Afzalian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-08.

Methods of forming a masking pattern and a semiconductor device structure

Номер патента: US20160260606A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20220068723A1. Автор: TAO Hu,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Xiao Dong Shi. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of manufacturing a semiconductor device having a cell field portion and a contact area

Номер патента: US9852945B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US20160365350A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of forming a thin film transistor on a transparent plate

Номер патента: US6861301B2. Автор: Yuan-Tung Dai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-03-01.

Semiconductor device having a trench with a step-free insulation film

Номер патента: US7259424B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-08-21.

Field effect transistors having improved breakdown voltages and methods of forming the same

Номер патента: EP2622638A1. Автор: Edward John Coyne,Jagar Singh,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Paul Malachy Daly,Seamus Whiston. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-07.

TRANSISTOR STRUCTURES INCLUDING A NON-PLANAR BODY HAVING VARIABLE AND COMPLEMENTARY SEMICONDUCTOR AND INSULATOR PORTIONS

Номер патента: US20200312841A1. Автор: Rachmady Willy,Dewey Gilbert,Kavalieros Jack,Gupta Nishant,HUANG CHENG-YING,Killampalli Aravind S.,BARRETT Caleb,GUPTA Jay P.,HSU Kaiwen,JUNG Byungki,RAILSBACK Justin,SUKRITTANON Supanee,WADHWA Prashant. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device having a trench structure

Номер патента: US8847308B2. Автор: Masayuki Hashitani. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2014-09-30.

Multi-gate iii-v quantum well structures

Номер патента: EP2519968A2. Автор: Gilbert Dewey,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Titash Rakshit,Mathew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-11-07.

Transistor having stacked source/drain regions with formation assistance regions and multi-region wrap-around source/drain contacts

Номер патента: US20210408233A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Stacked transistors having an isolation region therebetween and a common gate electrode, and related fabrication methods

Номер патента: EP4156243A1. Автор: Harsono Simka,Kang-ill Seo,Ming He,Jaehyun Park,Byounghak Hong,Seungchan Yun,Daewon HA,Jeonghyuk Yim,Gunho JO,Inchan HWANG,Rebecca Park,Mehdi Saremi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-29.

Metal oxide thin film transistor having channel protection layer

Номер патента: US09793413B2. Автор: LI ZHANG,Meili Wang,Fengjuan LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Thin film transistor having germanium thin film and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US09704891B2. Автор: Yanzhao Li,Yong Qiao,Long Wang,Yongchun Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of forming a high-voltage device

Номер патента: US6063671A. Автор: Ming-Tsung Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-05-16.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391038A1. Автор: Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190341489A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180337278A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190334033A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180269320A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, planar hv devices, and finfet logic devices on a substrate

Номер патента: US20230290864A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technnology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197831A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197522A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20160111532A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Chun Jin-Sung,JOSHI Subhash M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-04-21.

Method of forming a diode for integration with a semiconductor device and method of forming a transistor device having an integrated diode

Номер патента: EP1102318B1. Автор: Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes,Ivana Deram. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-29.

Forming a retrograde well in a transistor to enhance performance of the transistor

Номер патента: US20050224874A1. Автор: Haowen Bu,Srinivasan Chakravarthi,Robert Bowen,Pr Chrdambaram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-13.

Quantum well field-effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210091185A1. Автор: Michael James Manfra,Candice Fanny THOMAS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Quantum well field-effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4032127A1. Автор: Michael James Manfra,Candice Fanny THOMAS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-07-27.

Quantum well field-effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2021055070A1. Автор: Michael James Manfra,Candice Fanny THOMAS. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

A technique for processing a substrate having a non-planar surface

Номер патента: WO2011047142A2. Автор: Ludovic Godet,Vikram Singh,George D. Papasouliotis,Helen L. Maynard,Heyun Yin. Владелец: Variam Semiconductior Equipment Associates, Inc.. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor-on-insulator lateral heterojunction bipolar transistor having epitaxially grown intrinsic base and deposited extrinsic base

Номер патента: US09887278B2. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Kevin K. Chan,Christopher P. D'Emic,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor element, method of reading out a quantum dot device and system

Номер патента: EP3772756A1. Автор: Pieter Thijs EENDEBAK,Nodar SAMKHARADZE. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-02-10.

NON-PLANAR TRANSISTOR ARRANGEMENTS WITH ASYMMETRIC GATE ENCLOSURES

Номер патента: US20210384299A1. Автор: Bouche Guillaume,Ma Sean T.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-12-09.

Method of forming a semiconductor structure comprising a field effect transistor having a stressed channel region

Номер патента: WO2008054679A1. Автор: Andreas Gehring,Andy Wei,Anthony Mowry,Manuj Rathor. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2008-05-08.

Method of forming a recess structure, a recessed channel type transistor having the recess structure, and method of manufacturing the recessed channel type transistor

Номер патента: KR100718248B1. Автор: 김지혜,김지영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-15.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: WO2007092653A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Da Zhang. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-08-16.

Recessed inner gate spacers and partial replacement channel in non-planar transistors

Номер патента: EP4191683A1. Автор: Prashant Majhi,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Rushabh Shah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

Binary metallic alloy source and drain (bmas) for non-planar transistor architectures

Номер патента: EP4109560A1. Автор: Navid Paydavosi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Non-Planar Transistors and Methods of Fabrication Thereof

Номер патента: US20130277769A1. Автор: Lin Chin-Hsiang,CHANG Cheng-Hung,Sun Sey-Ping,Tung Chih-Hang. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

Tungsten gates for non-planar transistors

Номер патента: US20170117378A1. Автор: Sameer S. Pradhan,Jin-Sung Chun,Daniel B. Bergstrom,Julia CHIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

DEUTERIUM-BASED PASSIVATION OF NON-PLANAR TRANSISTOR INTERFACES

Номер патента: US20180248004A1. Автор: Ghani Tahir,Majhi Prashant,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,Killampalli Aravind S.,BRAZIER MARK R.,GUPTA JAYA P.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-08-30.

NON-PLANAR TRANSISTOR

Номер патента: US20140367798A1. Автор: Kuo Lung-En,Chen Hsuan-Hsu,Weng Chen-Yi,Su Po-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

DEUTERIUM-BASED PASSIVATION OF NON-PLANAR TRANSISTOR INTERFACES

Номер патента: US20200286996A1. Автор: Ghani Tahir,Majhi Prashant,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,Killampalli Aravind S.,BRAZIER MARK R.,GUPTA JAYA P.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-09-10.

NON-PLANAR TRANSISTORS WITH CHANNEL REGIONS HAVING VARYING WIDTHS

Номер патента: US20200295002A1. Автор: Snyder Stephen D.,HARPER Michael K.,BOJARSKI Stephanie A.,SCHENKER Richard,Alaan Urusa,Guler Leonard,Sivakumar Sam,Bhuwalka Achala. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-09-17.

Electrical control of a quantum processing element

Номер патента: EP4360012A1. Автор: Andrew Steven Dzurak,André Luiz Saraiva de Oliveira,Arne LAUCHT,Ross Cho Chun LEON,Wee Han Lim,Tuomo Tanttu,Chih - Hwan Henry YANG. Владелец: Diraq Pty Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Electrical control of a quantum processing element

Номер патента: US20240290872A1. Автор: Chih-Hwan Henry YANG,Andrew Steven Dzurak,André Luiz Saraiva de Oliveira,Arne LAUCHT,Ross Cho Chun LEON,Wee Han Lim,Tuomo Tanttu. Владелец: Diraq Pty Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09960234B2. Автор: Kirk HUANG,Chun-Li Liu,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

SENSORS WITH A NON-PLANAR SENSING STRUCTURE

Номер патента: US20200400607A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,Zheng Ping,Wang Lanxiang. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

APPARATUS AND METHODS FOR FORMING A MODULATION DOPED NON-PLANAR TRANSISTOR

Номер патента: US20160118464A1. Автор: Rachmady Willy,Dewey Gilbert,Kavalieros Jack,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Hudait Mantu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-04-28.

LATERAL CONFINEMENT OF SOURCE DRAIN EPITAXIAL GROWTH IN NON-PLANAR TRANSISTOR FOR CELL HEIGHT SCALING

Номер патента: US20220416044A1. Автор: Ghani Tahir,Kumar Nitesh,MEHTA Nikhil,Hasan Mohammed,THIRTHA Vivek. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Method and system for providing spin transfer tunneling magnetic memories utilizing non-planar transistors

Номер патента: TW200908403A. Автор: Yiming Huai,Eugene Youjun Chen,Alexander A G Driskill-Smith. Владелец: Grandis Inc. Дата публикации: 2009-02-16.

Germanium-based quantum well devices

Номер патента: US09876014B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Roza Kotlyar,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Been-Yih Jin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: WO2005020282A3. Автор: Todd R Abbot. Владелец: Todd R Abbot. Дата публикации: 2006-02-09.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: EP1656696B1. Автор: Todd R. Abbot. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-21.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: WO2005020282A2. Автор: Todd R. Abbot. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-03-03.

Method for manufacturing a transistor having a sharp junction by forming raised source-drain regions before forming gate regions and corresponding transistor produced by said method

Номер патента: US09685456B2. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor-on-insulator (SOI) lateral heterojunction bipolar transistor having an epitaxially grown base

Номер патента: US09691886B2. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Kevin K. Chan,Christopher P. D'Emic,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor-on-insulator (SOI) lateral heterojunction bipolar transistor having an epitaxially grown base

Номер патента: US09647099B2. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Kevin K. Chan,Christopher P. D'Emic,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of forming a distributed power device with low voltage collector protection

Номер патента: US20030228730A1. Автор: David Grant,Taylor Efland,Chin-Yu Tsai,Ramanathan Ramani,Dale Skelton. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-12-11.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A4. Автор: Marius K Orlowski,James D Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-11-05.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: WO2005104225A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-11-03.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-12-06.

Method for fabricating a non-planar nitride-based semiconductor structure

Номер патента: TW200421607A. Автор: Paul Hashimoto,Jeong-Sun Moon,Wah S Wong,David E Grider. Владелец: Hrl Lab Llc. Дата публикации: 2004-10-16.

A method for processing a substrate having a non-planar substrate surface

Номер патента: KR101626079B1. Автор: 조지 디. 파파솔리오티스,비크람 싱흐,헤윤 인. Владелец: 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.. Дата публикации: 2016-05-31.

Method for Manufacturing a Field Effect Transistor of a Non-Planar Type

Номер патента: US20150111351A1. Автор: Kim Min-Soo,Boccardi Guillaume,Chew Soon Aik,Horiguchi Naoto. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2015-04-23.

Compound Semiconductor Substrate and Method of Forming a Compound Semiconductor Substrate

Номер патента: US20170365464A1. Автор: Simone Lavanga,Uttiya Chowdhury. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-21.

Methods and structures for forming a tight pitch structure

Номер патента: US20190189443A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Non-Planar Transistors with Replacement Fins and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20160013106A1. Автор: Fung Ka-Hing. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Quantum dot devices with passive barrier elements in a quantum well stack between metal gates

Номер патента: US20190043950A1. Автор: Ravi Pillarisetty,David J. Michalak,James S. Clarke,Nicole K. Thomas,Hubert C. George,Jeanette M. Roberts,Roman CAUDILLO,Lester Lampert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

INTELLIGENT SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SiGe QUANTUM WELL

Номер патента: US20200083329A1. Автор: Seongjae Cho,Eunseon Yu. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2020-03-12.

Self-aligned method for forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells having a low resistance source region and a high source coupling, and a memory array made thereby

Номер патента: JP5027365B2. Автор: チー・シン・ワン. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2012-09-19.

Non-Planar Transistors with Replacement Fins and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20140377922A1. Автор: Fung Ka-Hing. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

Quantum well stacks for quantum dot devices

Номер патента: WO2018111248A1. Автор: Ravi Pillarisetty,David J. Michalak,James S. Clarke,Van H. Le,Nicole K. Thomas,Hubert C. George,Kanwaljit Singh,Jeanette M. Roberts,Roman CAUDILLO,Zachary R. Yoscovits,Payam AMIN,Jessica M. TORRES. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-06-21.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor having a consistent channel width

Номер патента: US09893169B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor having a consistent channel width

Номер патента: US09837405B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of Forming a Transistor, Method of Patterning a Substrate, and Transistor

Номер патента: US20160093706A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-31.

Method of forming a transistor, method of patterning a substrate, and transistor

Номер патента: US09954068B2. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Vertical transistor having uniform bottom spacers

Номер патента: US09627511B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for Reducing Thickness of Interfacial Layer, Method for Forming High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Oxide Film, and Transistor Having High Dielectric Constant Gate Oxide Film

Номер патента: US20140061872A1. Автор: Toshihide Nabatame,Toyohiro Chikyo,Naoto Umezawa. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2014-03-06.

Method of forming a semiconductor capacitor using amorphous carbon

Номер патента: US7824998B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yuan-Hung Liu,Chi-Hsin Lo,Yeur-Luen Tu,Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-11-02.

Semiconductor device having a side wall insulating film and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20050230749A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor device having a source/drain contact plug with an upwardly protruding portion

Номер патента: US12014957B2. Автор: Yongsik Jeong,Heonjong Shin,Doohyun Lee,Minchan Gwak,Sunghun Jung,Sangwon JEE,Sungmoon Lee,Yeongchang Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods of Manufacturing Transistors Including Forming a Depression in a Surface of a Covering of Resist Material

Номер патента: US20170125406A1. Автор: Scott White,Richard Price. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Indented gate end of non-planar transistor

Номер патента: US09627375B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Yi-Jen Chen,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Yung Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for isotropic doping of a non-planar surface exposed in a void

Номер патента: US20080145994A1. Автор: S. Brad Herner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Electron hole spin qubit transistor, and methods for forming a electron hole spin qubit transistor

Номер патента: EP4235794A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-08-30.

Electron hole spin qubit transistor, and methods for forming a electron hole spin qubit transistor

Номер патента: WO2023161360A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-08-31.

Electron hole spin qubit transistor, and methods for forming a electron hole spin qubit transistor

Номер патента: AU2023225130A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-08-22.

Multiple layer quantum well FET with a side-gate

Номер патента: US09793353B1. Автор: Roger S. Tsai. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device method of manfacturing a quantum well structure and a semiconductor device comprising such a quantum well structure

Номер патента: US20090209067A1. Автор: Youri Ponomarev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-08-20.

Multiple layer quantum well FET with a side-gate

Номер патента: US9793353B1. Автор: Roger S. Tsai. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device method of manfacturing a quantum well structure and a semiconductor device comprising such a quantum well structure

Номер патента: US7951684B2. Автор: Youri Ponomarev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-05-31.

Vertical field-effect-transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: US09716155B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Fabrication of a semiconductor device including a quantum dot structure

Номер патента: EP4434075A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Svenja Mauthe,Markus Scherrer,Preksha TIWARI,Noelia Vico Trivino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector

Номер патента: EP1588435A2. Автор: John A. Wheatley,Andrew J. Ouderkirk. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2005-10-26.

Vertical field-effect-transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: US9941370B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Vertical field-effect-transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: US20170170298A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Vertical field-effect-transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: US20180090581A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of forming a fine pattern, display substrate, and method of manufacturing the same using the method of forming a fine pattern

Номер патента: US8575031B2. Автор: Sang-Ho Park,Se-Hwan Yu,Chong-Sup CHANG,Ji-seon Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-05.

Method for Forming a Test Pad and Method for Performing Array Test Using the Test Pad

Номер патента: US20160341789A1. Автор: Peng Du,Yutong HU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Method of forming a flash memory

Номер патента: US20090117727A1. Автор: Chih-Hsiung Hung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Solid state image sensor devices having non-planar transistors

Номер патента: US7535037B2. Автор: Jeong Ho Lyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-19.

Quantum conveyor and methods of producing a quantum conveyor

Номер патента: US12029142B2. Автор: Wolfram Langheinrich,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for making a quantum device with nuclear spin qubits

Номер патента: US11817490B2. Автор: Raluca Tiron,Louis HUTIN,Julien BORREL. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-14.

Quantum Conveyor and Methods of Producing a Quantum Conveyor

Номер патента: US20230232725A1. Автор: Wolfram Langheinrich,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-07-20.

Methods of manufacturing high electron mobility transistors having a modified interface region

Номер патента: US12015075B2. Автор: Kyle BOTHE,Joshua BISGES. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US09941391B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of forming a high-frequency transistor T gate electrode

Номер патента: US5776820A. Автор: Yamato Ishikawa,Tomoyuki Kamiyama. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-07.

Manufacturing method of semiconductor device including forming a recess filling pattern

Номер патента: US20230260828A1. Автор: Jonghyuk Park,Youngin Kim,Byoungho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US20170062431A1. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-02.

Method for forming a transistor gate dielectric with high-k and low-k regions

Номер патента: SG99379A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Sundaresan Ravi,Yong Meng Lee James. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-10-27.

Method for forming a gate dielectric with high-K and low-K regions

Номер патента: EP1227514B1. Автор: YANG Pan,Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Lap Chan,Jia Zhen Zheng,Ying Keung Leung,James Yong Meng Lee,Elgin Quek,Ravi Sundaresan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods of manufacturing semiconductor device having a blocking insulation layer

Номер патента: US09960046B2. Автор: Jung Ho Kim,Jaeyoung Ahn,Dongchul Yoo,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US09847336B2. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-19.

Manufacturing method for semiconductor device having a T-type gate electrode

Номер патента: US20060009032A1. Автор: So Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Method of Forming a Silicided Gate Utilizing a CMP Stack

Номер патента: US20080268631A1. Автор: Freidoon Mehrad,Frank Scott Johnson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-10-30.

Method of manufacturing a quantum diffraction transistor

Номер патента: US5940696A. Автор: Min Cheol Shin,Kyoung Wan Park,Seong Jae Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1999-08-17.

A quantum domain relay

Номер патента: WO2001088953A3. Автор: Boris Pavlov. Владелец: Boris Pavlov. Дата публикации: 2002-03-28.

Method of making a quantum device

Номер патента: US11941485B2. Автор: Nicolas Posseme,Maud Vinet,Fabrice Nemouchi,Francois Lefloch,Louis HUTIN,Cyrille Le Royer. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-03-26.

Ultra-sensitive biosensor based on lateral bipolar junction transistor having self-aligned epitaxially grown base

Номер патента: US09625409B1. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Sufi Zafar,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device exploiting a quantum interference effect

Номер патента: US5811831A. Автор: Akira Ishibashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-09-22.

Method of manufacturing a bipolar transistor having a decreased collector-base capacitance

Номер патента: US5376564A. Автор: Hiroshi Hirabayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-12-27.

Tunable quantum coupler facilitating a quantum gate between qubits

Номер патента: US11727297B2. Автор: Matthias Steffen,Jiri Stehlik,David ZAJAC,Devin L. Underwood. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench capacitor and a logic device

Номер патента: US20240322001A1. Автор: Jong Hyuk OH. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array

Номер патента: US20210151454A1. Автор: Bharat Bhushan,Collin Howder,Chris M. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Method for forming a semiconductor device having nanocrystal

Номер патента: US20120264277A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Method of forming a mos transistor of a semiconductor

Номер патента: US20020001910A1. Автор: Tony Lin,Jih-Wen Chou,Chin-Lai Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate using a dummy area

Номер патента: US20230262975A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of forming a device with finfet split gate non-volatile memory cells and finfet logic devices

Номер патента: WO2021173186A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of forming a thin film transistor liquid crystal display

Номер патента: US20040131976A1. Автор: Chu-Wei Hsu. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Method for forming a modified semiconductor having a plurality of band gaps

Номер патента: US20050153473A1. Автор: Soo Jin Chua,Jing Hua Teng,Jian Rong Dong. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2005-07-14.

Method of manufacturing field effect transistor having Ohmic electrode in a recess

Номер патента: US20110189826A1. Автор: Katsuaki Kaifu,Juro Mita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Method of manufacturing field effect transistor having Ohmic electrode in a recess

Номер патента: US8202794B2. Автор: Katsuaki Kaifu,Juro Mita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-19.

TUNGSTEN GATES FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20150041926A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Chun Jin-Sung,Bergstrom Daniel B.,Chiu Julia. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

GATE ISOLATION IN NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20180331098A1. Автор: Hafez Walid M.,AUTH Christopher P.,Bhimarasetti Gopinath,GULER Leonard P.,Sharma Vyom. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Passivated polycrystalline semiconductors and quantum well/superlattice structures fabricated thereof

Номер патента: WO1991006982A1. Автор: Arnold Reisman,Raphael Tsu,Edward H. Nicollian. Владелец: MCNC. Дата публикации: 1991-05-16.

TUNGSTEN GATES FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20160035724A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Chun Jin-Sung,Bergstrom Daniel B.,Chiu Julia. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-02-04.

TUNGSTEN GATES FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20160035725A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Chun Jin-Sung,Bergstrom Daniel B.,Chiu Julia. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-02-04.

A non-planar architecture for intelligent reflective surface

Номер патента: EP4396606A1. Автор: Tao Luo,Qiang Wu,Junyi Li,Navid Abedini,Raju Hormis,Ozge Koymen,Mehmet Izzet Gurelli,Farideddin FAYAZBAKHSH. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Two dimensional layered material quantum well junction devices

Номер патента: EP3186836A1. Автор: Jun Amano. Владелец: Konica Minolta Laboratory USA Inc. Дата публикации: 2017-07-05.

Two-dimensional layered material quantum well junction devices

Номер патента: US20170309762A1. Автор: Jun Amano. Владелец: Konica Minolta Laboratory USA Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Two dimensional layered material quantum well junction devices

Номер патента: WO2016032680A1. Автор: Jun Amano. Владелец: KONICA MINOLTA LABORATORY U.S.A., INC.. Дата публикации: 2016-03-03.

Methods for forming a memory cell having a top oxide spacer

Номер патента: US20120181601A1. Автор: Gang Xue,Kashmir Sahota,Chun Chen,Scott Bell,Wai Lo,Alexander Nickel,Shenqing Fang,Angela Hui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-19.

Method for forming a semiconductor device has a lengthened channel length

Номер патента: US20090124085A1. Автор: Hung-Ming Tsai,Ying Cheng CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Methods for forming a memory cell having a top oxide spacer

Номер патента: US20110233647A1. Автор: Gang Xue,Kashmir Sahota,Chun Chen,Scott Bell,Wai Lo,Alexander Nickel,Shenqing Fang,Angela Hui. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2011-09-29.

Quantum well structures useful for semiconductor devices

Номер патента: US5216262A. Автор: Raphael Tsu. Владелец: TWK TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 1993-06-01.

Quantum well device for producing localized electron states for detectors and modulators

Номер патента: US5311009A. Автор: Alfred Y. Cho,Federico Capasso,Jerome Faist,Carlo Sirtori,Deborah L. Sivco. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1994-05-10.

A quantum well device

Номер патента: WO1994020990A1. Автор: William Sidney TRUSCOTT. Владелец: The University Of Manchester Institute Of Science And Technology. Дата публикации: 1994-09-15.

Phonon and charge carrier separation in quantum wells

Номер патента: US5289013A. Автор: Herbert Goronkin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-02-22.

Quantum well electron barrier diode

Номер патента: US4814837A. Автор: Steven W. Kirchoefer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1989-03-21.

Semiconductor processing method of forming a static random access memory cell and static random access memory cell

Номер патента: US5650350A. Автор: Charles H. Dennison,Ken Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-07-22.

Semiconductor processing method of forming a static random access memory cell and static random access memory cell

Номер патента: US5739056A. Автор: Charles H. Dennison,Ken Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-04-14.

Quantum well intermixing

Номер патента: EP2210266A1. Автор: Chung-En Zah,Yabo Li,Kechang Song. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-07-28.

Quantum well intermixing

Номер патента: WO2009045394A1. Автор: Chung-En Zah,Yabo Li,Kechang Song. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2009-04-09.

Method of forming a single metal that performs N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US09960160B2. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Transistor having a thin base region

Номер патента: GB947770A. Автор: Alden Stevenson,Mason Alonzo Clark. Владелец: Pacific Semiconductors Inc. Дата публикации: 1964-01-29.

Method of forming a tunnel oxide layer of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20020076883A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process

Номер патента: US20230143580A1. Автор: Atsuki Fukazawa,Aurélie Kuroda. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-11.

Redistribution layer having a sideview non-planar profile

Номер патента: EP4280266A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yufu Liu,Kuan-Hsiang Mao,Tsung Nan Lo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-11-22.

Method of and apparatus for inline deposition of materials on a non-planar surface

Номер патента: WO2008140664A1. Автор: Ratson Morad. Владелец: Solyndra, Inc.. Дата публикации: 2008-11-20.

Method Of and Apparatus For Inline Deposition of Materials On A Non-Planar Surface

Номер патента: US20140141623A1. Автор: Ratson Morad. Владелец: Solyndra Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Carrier used for deposition of materials on a non-planar surface

Номер патента: WO2009005843A1. Автор: Ratson Morad,Dan Alan Marohl,Timothy J. Franklin. Владелец: Solyndra, Inc.. Дата публикации: 2009-01-08.

Redistribution layer having a sideview zig-zag profile

Номер патента: US20230378107A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yufu Liu,Kuan-Hsiang Mao,Tsung Nan Lo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-11-23.

APPARATUS AND METHODS FOR FORMING A MODULATION DOPED NON-PLANAR TRANSISTOR

Номер патента: US20140099759A1. Автор: Rachmady Willy,Dewey Gilbert,Kavalieros Jack,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Hudait Mantu. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-10.

Method Of and Apparatus For Inline Deposition of Materials On A Non-Planar Surface

Номер патента: US20140141623A1. Автор: Morad Ratson. Владелец: Solyndra LLC. Дата публикации: 2014-05-22.

METHOD FOR DETERMINING THE COMPLETE REMOVAL OF A THIN FILM FROM A NON-PLANAR SUBSTRATE.

Номер патента: FR2665024A1. Автор: Tissier Annie,Galvier Jean,Gayet Philippe. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-01-24.

Method of depositing materials on a non-planar surface

Номер патента: US7563725B2. Автор: Ratson Morad. Владелец: Solyndra Inc. Дата публикации: 2009-07-21.

Method of depositing materials on a non-planar surface

Номер патента: CN101681844A. Автор: 拉特逊·莫拉德. Владелец: Solyndra Inc. Дата публикации: 2010-03-24.

Flip chip package including a non-planar heat spreader and method of making the same

Номер патента: US7719110B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Reza-ur Rahman Khan. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-05-18.

Forming a semiconductor device using a protective layer

Номер патента: WO2021257301A1. Автор: Shihsheng Chang,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-12-23.

METHODS OF FABRICATING NON-PLANAR TRANSISTORS INCLUDING CURRENT ENHANCING STRUCTURES

Номер патента: US20140273397A1. Автор: Rodder Mark S.,Seo Kang-Ill. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-18.

INDENTED GATE END OF NON-PLANAR TRANSISTOR

Номер патента: US20150228647A1. Автор: Chen Yi-Jen,Chen Chang-Yin,Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han,Lin Jr-Jung,CHANG YUNG JUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd.. Дата публикации: 2015-08-13.

Methods of forming a pattern and methods of fabricating a semiconductor device having a pattern

Номер патента: US20110081777A1. Автор: Seongwoon Choi,Seokhwan Oh,Sang Ouk Kim,Dong Ki Yoon,Shiyong Yi,Kyoungseon Kim,Seung Hak Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor device using non-planar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5091932B2. Автор: 博久 川崎. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

Indented gate end of non-planar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI562238B. Автор: Jr Jung Lin,Yung Jung Chang,Yi Jen Chen,Che Cheng Chang,Chih Han Lin,chang yin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-11.

Semiconductor optical device having quantum well structure and its manufacturing method

Номер патента: US20060043356A1. Автор: Akitaka Kimura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Field effect transistor having two gates for functioning at extremely high frequencies

Номер патента: GB1400040A. Автор: . Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1975-07-16.

Method for forming a flash reference cell

Номер патента: US6596574B2. Автор: Bin-Shing Chen,Chiyeh Lo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

A method for forming a contoured floating gate cell

Номер патента: EP1091392A3. Автор: Yun Chang,Chin-Yi Huang,Chih-Jen Huang,Samuel C. Pan,James Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-15.

Method for forming a flash reference cell

Номер патента: US20030077862A1. Автор: Bin-Shing Chen,Chiyeh Lo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-04-24.

Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector and method of making

Номер патента: EP1588431A1. Автор: Michael F. Weber,John A. Wheatley,Andrew J. Ouderkirk. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2005-10-26.

Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector and method of making

Номер патента: WO2004068600A1. Автор: Michael F. Weber,Andrew J. Ouderkirk,John A. Wheatley. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2004-08-12.

Method and device for forming a winding on a non-planar substrate

Номер патента: US7176550B2. Автор: Jozef Thomas Martinus Van Beek,Theodoor Gertrudis Silvester Maria Rijks,Marion Kornelia Matters-Kammerer,Henricus Andreas Van Esch. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-02-13.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING A NON-PLANAR CONDUCTIVE PATTERN, AND METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING A NON-PLANAR CONDUCTIVE PATTERN

Номер патента: US20140042633A1. Автор: Hong Jongwon,Kim Hei Seung,Choi Gilheyun,LEE Jongmyeong,Nam Kyoung Hee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-02-13.

Method of manufacturing a non-planar-shaped hybrid circuit substrate, and non-planar hybrid circuit obtained by this method

Номер патента: FR2571545A1. Автор: Daniel Mestdagh. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1986-04-11.

Control of contact resistance in quantum well intermixed devices

Номер патента: EP1508163A2. Автор: Stewart Duncan Mcdougall,Stephen Intense Photonics Ltd NAJDA,Xuefeng Intense Photonics Ltd LIU. Владелец: Intense Photonics Ltd. Дата публикации: 2005-02-23.

Control of contact resistance in quantum well intermixed devices

Номер патента: WO2003100823A3. Автор: Xuefeng Liu,Stewart Duncan Mcdougall,Stephen Najda. Владелец: Stephen Najda. Дата публикации: 2004-05-27.

Control of contact resistance in quantum well intermixed devices

Номер патента: WO2003100823A2. Автор: Xuefeng Liu,Stewart Duncan Mcdougall,Stephen Najda. Владелец: Intense Photonics Limited. Дата публикации: 2003-12-04.

Control of contact resistance in quantum well intermixed devices

Номер патента: EP1508163B1. Автор: Stewart Duncan Mcdougall,Stephen Intense Photonics Ltd NAJDA,Xuefeng Intense Photonics Ltd LIU. Владелец: Intense Ltd. Дата публикации: 2011-10-05.

ELECTRONIC ASSEMBLIES INCLUDING AN ELECTRONIC DEVICE MOUNTED ON A NON-PLANAR SUBSTRATE

Номер патента: US20180366454A1. Автор: Khalifa Colleen Louise,Kellzi Harry George. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector and method of making

Номер патента: CN100373644C. Автор: 安德鲁·J·欧德科克,约翰·A·惠特利,迈克尔·F·韦伯. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2008-03-05.

method for producing a non-planar element

Номер патента: EP2339623B1. Автор: Manuel Fendler,Gilles Lasfargues,Delphine Dumas. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2015-02-18.

Pillar Structure having a Non-Planar Surface for Semiconductor Devices

Номер патента: US20130292827A1. Автор: Chen Chen-Shien,Hsiao Ching-Wen,Kuo Tin-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

METHOD AND DEVICE FOR LITHOGRAPHICALLY PRODUCING A TARGET STRUCTURE ON A NON-PLANAR INITIAL STRUCTURE

Номер патента: US20190163067A1. Автор: Koos Christian,Lindenmann Nicole,Blaicher Matthias,Hoose Tobias,Dietrich Philipp,Gödecke Maria Laura. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Pillar Structure having a Non-Planar Surface for Semiconductor Devices

Номер патента: US20140302669A1. Автор: Chen Chen-Shien,Hsiao Ching-Wen,Kuo Tin-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-09.

A non-planar integrated circuit device

Номер патента: KR101912928B1. Автор: 롱-쉥 팬. Владелец: 이리듐 메디칼 테크놀로지 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2018-10-29.

Electrohydrodynamic airflow across a heat sink using a non-planar ion emitter array

Номер патента: US8807204B2. Автор: Mark E. STEINKE,Michael S. June,Chunjian Ni,Dana S. Royer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Plasma sculpturing with a non-planar sacrificial layer

Номер патента: EP0155668A2. Автор: George E. Gimpelson,Cheryl L. Russo. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1985-09-25.

A method of forming a metallic interconnect, method of making a semiconductor interconnect having a metallic interconnect, and a semiconductor interconnect semiconductor device array

Номер патента: DE102017122865B3. Автор: Thorsten Meyer,Manfred Schneegans,Klaus Schmidt,Joachim Mahler,Khalil Hosseini,Georg Meyer-Berg,Irmgard Escher-Poeppel,Ivan Nikitin,Edmund Riedl,Patrick Schwarz,Reinhard Pufall,Johannes Lodermeyer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-03-14.

UNIFORM THRESHOLD VOLTAGE NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20220375977A1. Автор: Chen Gang,Zang Hui. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-11-24.

CMOS image sensor comprising non-planar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100630704B1. Автор: 류정호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-02.

Solid state image sensor devices having non-planar transistors

Номер патента: US20060081887A1. Автор: Jeong Lyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-20.

Method for shifting the bandgap energy of a quantum well layer

Номер патента: WO2002035589A1. Автор: Seng-Tiong Ho,Boon-Siew Ooi. Владелец: Phosistor Technologies, Inc.. Дата публикации: 2002-05-02.

Method of disordering quantum well heterostructures

Номер патента: US6936526B2. Автор: Hark Hoe Tan,Chennupati Jagadish,Lan Fu. Владелец: Australian National University. Дата публикации: 2005-08-30.

Method of disordering quantum well heterostructures

Номер патента: US20040038503A1. Автор: Chennupati Jagadish,Lan Fu,Hark Tan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of disordering quantum well heterostructures

Номер патента: WO2002027774A1. Автор: Hark Hoe Tan,Chennupati Jagadish,Lan Fu. Владелец: THE AUSTRALIAN NATIONAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2002-04-04.

Method of forming a gate electrode, method of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode, and method of oxidizing a substrate

Номер патента: US20040092090A1. Автор: Eun-Jung Yun,Kong-Soo Lee,Yong-woo Hyung,Jae-jong Han,Seung-Mok Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-13.

Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group iii nitride based quantum well structures and group iii nitride based superlattice structures

Номер патента: MY137396A. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-01-30.

Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: WO2002097904A3. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: CA2441310A1. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures

Номер патента: US9112083B2. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby, Jr.,Amber Christine Abare. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-08-18.

Method for fabricating at least three MOS transistors having different threshold voltages.

Номер патента: EP2437292A3. Автор: ARNAUD Franck. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-05-14.

Optoelectronic component with three-dimension quantum well structure and method for producing the same

Номер патента: US8294163B2. Автор: Benson Chao,Shih-Chieh Jang,Chung-Hua Fu. Владелец: Hermes Epitek Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

A method to form a low parasitic capacitance CMOS device

Номер патента: EP1255290A3. Автор: YANG Pan,Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Lap Chan,Jia Zhen Zheng,Ying Keung Leung,James Yong Meng Lee,Elgin Quek,Ravi Sundaresan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2007-02-21.

III-Nitride Quantum Well Structure and a Light-Emitting Unit Using the Same

Номер патента: US20150102286A1. Автор: Cheng-Hung Shih,Yu-Chi Hsu,I-Kai LO,Wen-Yuan Pang,Ming-Chi Chou. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2015-04-16.

Three-dimensional memory device containing plural select gate transistors having different characteristics and method of making thereof

Номер патента: US09711524B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Go SHOJI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

III-nitride quantum well structure, a method for producing the same, and a light-emitting unit using the same

Номер патента: US8916458B2. Автор: Cheng-Hung Shih,Yu-Chi Hsu,I-Kai LO,Wen-Yuan Pang,Ming-Chi Chou. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2014-12-23.

Method for forming a diode protection circuit connecting to MOS device

Номер патента: US5946574A. Автор: Chih-Yuan Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-08-31.

Pattern forming method for forming a pattern

Номер патента: US10317797B2. Автор: Takehiro Seshimo,Kenichi Oyama,Hidetami Yaegashi,Yoshitaka Komuro,Katsumi Ohmori. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-06-11.

Method for forming a dual metal gate structure

Номер патента: WO2009005903A1. Автор: William J. Taylor,Srikanth B. Samavedam,James K. Schaeffer,Gauri V. Karve,Cristiano Capasso. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for forming a via hole self-aligned with a metal block on a substrate

Номер патента: US11270912B2. Автор: Christopher Wilson,Martin O'Toole,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-03-08.

A method for forming a via hole self-aligned with a metal block on a substrate

Номер патента: EP3836198A1. Автор: Christopher Wilson,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim,Martin O´TOOLE. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-16.

Method for forming a dual metal gate structure

Номер патента: WO2009005904A1. Автор: William J. Taylor,Srikanth B. Samavedam,James K. Schaeffer,Gauri V. Karve,Cristiano Capasso. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for Forming a Via Hole Self-aligned with a Metal Block on a Substrate

Номер патента: US20210183698A1. Автор: Christopher Wilson,Martin O'Toole,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of forming a self-aligned contact pad for use in a semiconductor device

Номер патента: US20020155687A1. Автор: Dae-hyuk Chung,In-seak Hwang,Han-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US20210020752A1. Автор: Yao-Wen Chang,Chern-Yow Hsu,Gung-Pei Chang,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor processing methods of forming a contact opening to a conductive line and methods of forming substrate active area source/drain regions

Номер патента: US20020115248A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Method of forming a silicide interconnect over a silicon comprising substrate and method of forming a stack of refractory metal nitride over refractory metal silicide over silicon

Номер патента: US20010014532A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Methods of fabricating a semiconductor device having a via structure and an interconnection structure

Номер патента: US09905458B2. Автор: Seongho Park,Yongkong SIEW. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for forming a shallow trench isolation structure with reduced encroachment of active regions and a semiconductor structure therefrom

Номер патента: US20230197504A1. Автор: Da-Zen Chuang,Chih-Chung Sun. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US20110300688A1. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US20110300698A1. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Method and structure for forming a vertical field-effect transistor using a replacement metal gate process

Номер патента: US20200083120A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20170069550A1. Автор: Ran Yan,Pei-Yu Chou,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Method of forming capacitor of semiconductor device by successively forming a dielectric layer and a plate electrode in a single processing chamber

Номер патента: US20060234500A1. Автор: Jong Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Methods of forming a metal silicide region in an integrated circuit

Номер патента: WO2013016341A3. Автор: Michael G. Ward,Igor V. Peidous. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-04-18.

Methods of forming a metal silicide region in an integrated circuit

Номер патента: US20130026617A1. Автор: Michael G. Ward,Igor V. Peidous. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Methods, apparatus and system for forming a finfet device comprising a first portion capable of operating at a first voltage and a second portion capable of operating at a second voltage

Номер патента: US20190157157A1. Автор: Shahab Siddiqui,Luigi Pantisano,Beth Baumert,Abu Naser M. Zainuddin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20110294235A1. Автор: Takuro Maede. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor processing methods of forming a plurality of capacitors on a substrate, bit line contacts and method of forming bit line contacts

Номер патента: US20020115261A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor processing methods of forming a plurality of capacitors on a substrate, bit line contacts and method of forming bit line contacts

Номер патента: US20030064557A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor processing methods of forming a plurality of capacitors on a substrate, bit line contacts and method of forming bit line contacts

Номер патента: US6593203B2. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-15.

Method for forming a shallow trench isolation structure with reduced encroachment of active regions and a semiconductor structure therefrom

Номер патента: US11688624B2. Автор: Da-Zen Chuang,Chih-Chung Sun. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US7413972B2. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US20060134900A1. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Method and structure for forming a vertical field-effect transistor using a replacement metal gate process

Номер патента: US20200083121A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US20220278119A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US8377827B2. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-02-19.

Methods of forming a metal telluride material, related methods of forming a semiconductor device structure, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140227863A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Structure and method of forming a semiconductor device with resistive elements

Номер патента: US12074107B2. Автор: Wen-Sheh Huang,Yung-Shih Cheng,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for forming a dielectric zone in a semiconductor substrate

Номер патента: US20020052092A1. Автор: Rudolf Lachner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Method of forming a high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20110006375A1. Автор: Manfred Ramin,Husam Alshareef,Michael F. Pas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-13.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US11737266B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of Forming a Feature of a Target Material on a Substrate

Номер патента: US20170178905A1. Автор: Annelies Delabie,Markus HEYNE. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of forming a bottom electrode of a capacitor in a dynamic random access memory cell

Номер патента: US20010008785A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wei-Wu Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Method of manufacturing multilevel interconnects including performing a surface treatment to form a hydrophilic surface layer

Номер патента: US6429115B1. Автор: Ming-Sheng Yang,Chin-Hsiang Lin,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-06.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices including forming a spacer structure into a base structure

Номер патента: US12057372B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of forming a contact hole

Номер патента: US20100304569A1. Автор: Pei-Yu Chou,Jiunn-Hsiung Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Method of forming a capacitor dielectric layer

Номер патента: US20030207592A1. Автор: John Moore,Scott DeBoer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US20220367646A1. Автор: Yao-Wen Chang,Chern-Yow Hsu,Gung-Pei Chang,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US11476337B2. Автор: Yao-Wen Chang,Chern-Yow Hsu,Gung-Pei Chang,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

Method of forming a capacitor and an electrical connection thereto, and method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20010055850A1. Автор: Howard Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Method for forming a capacitor in a semiconductor and a capacitor using the same

Номер патента: US20060292811A1. Автор: Sang Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-28.

Methods of forming a conductive line

Номер патента: US20030071356A1. Автор: Jigish Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Multi-step planarizing method for forming a patterned thermally extrudable material layer

Номер патента: US20030008494A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor device having a contact struture using aluminum

Номер патента: US20020014696A1. Автор: Michio Asahina,Junichi Takeuchi,Kazuki Matsumoto,Naohiro Moriya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Template, method of forming a template, apparatus and method of manufacturing an article

Номер патента: US12085852B2. Автор: Amir Tavakkoli Kermani Ghariehali. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Quantum computing apparatus with interposer, method of fabrication thereof, method of performing a quantum computing operation, quantum computing apparatus comprising tantalum nitride and a method of fabrication thereof

Номер патента: NL2030907B1. Автор: Bruno Alessandro,Rijlaarsdam Matthijs,Vlaar Sophia. Владелец: Quantware Holding B V. Дата публикации: 2023-08-18.

Quantum efficiency of multiple quantum wells

Номер патента: US09583671B2. Автор: Masud Beroz,Liang Wang,Ilyas Mohammed. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Improved quantum well design for a coherent, single-photon detector with spin resonant transistor

Номер патента: WO2008042570B1. Автор: Mark F Gyure,Edward T Croke Iii. Владелец: Edward T Croke Iii. Дата публикации: 2008-06-26.

Quantum well infrared photodetectors using II-VI material systems

Номер патента: US09698286B2. Автор: Claire Gmachl,Arvind Ravikumar,Aidong Shen,Maria Tamargo. Владелец: Research Foundation Of City University of New York. Дата публикации: 2017-07-04.

Non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum wells

Номер патента: US09893236B2. Автор: Steven P. DenBaars,Michael D. Craven. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-02-13.

Quantum dot structure and method of producing a quantum dot structure

Номер патента: US20240178349A1. Автор: Madis Raukas,Joseph Treadway,Maria J. Anc,Jonathan Owen,Anindya Swarnakar,Brandon McMurtry. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2024-05-30.

Composition of, and method for forming, a semiconductor structure with polymer and insulator coatings

Номер патента: US20180215997A1. Автор: Juanita N. Kurtin,Weiwen Zhao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-02.

Quantum well structure and preparation method therefor, and light-emitting diode

Номер патента: US20230246124A1. Автор: Kai Cheng,Weihua Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Light emitting devices with inhomogeneous quantum well active regions

Номер патента: US20100197062A1. Автор: Christopher L. Chua,Zhihong Yang,John E. Northrup,Noble Marshall Johnson. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Optoelectronic Semiconductor Chip Comprising a Multi-Quantum Well Comprising at Least One High Barrier Layer

Номер патента: US20170309777A1. Автор: Ivar Tangring,Felix Ernst. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor light emitting device having quantum well layer sandwiched between carrier confinement layers

Номер патента: US20040069996A1. Автор: Tsuyoshi Maruyama,Shotaro Tomita,Kazuhisa Ishii,Keizo Kawaguchi,Toshio Tomiyoshi,Ken Sasakura. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-15.

Quantum efficiency of multiple quantum wells

Номер патента: WO2014008412A2. Автор: Masud Beroz,Liang Wang,Ilyas Mohammed. Владелец: INVENSAS CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-09.

Single quantum well led

Номер патента: WO1992016962A2. Автор: Harold E. Hager,Joseph L. Mantz,Daniel J. Booher,R. Jennhwa Fu. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 1992-10-01.

Light emitting devices with inhomogeneous quantum well active regions

Номер патента: US8048703B2. Автор: Christopher L. Chua,Zhihong Yang,John E. Northrup,Noble Marshall Johnson. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2011-11-01.

Iii-nitride quantum well structures with indium-rich clusters and methods of making the same

Номер патента: EP1142024A1. Автор: Robert F. Karlicek, Jr.,Chuong Highlink Technology Corporation TRAN. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2001-10-10.

Semiconductor light emitting device having quantum well layer sandwiched between carrier confinement layers

Номер патента: US20050145857A1. Автор: Tsuyoshi Maruyama,Shotaro Tomita,Kazuhisa Ishii,Keizo Kawaguchi,Toshio Tomiyoshi,Ken Sasakura. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Multicolour voltage tunable quantum well intersubband infrared photodetector and associated method

Номер патента: CA2127596A1. Автор: Hui Chun Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-01-17.

Multicolour voltage tunable quantum well intersubband infrared photodetector and associated method

Номер патента: CA2127596C. Автор: Hui Chun Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-02.

Quantum well infrared photodetectors using ii-vi material systems

Номер патента: US20140231750A1. Автор: Claire Gmachl,Arvind Ravikumar,Aidong Shen,Maria Tamargo. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-08-21.

Composition of, and method for forming, a semiconductor structure with multiple insulator coatings

Номер патента: EP3294834A1. Автор: Juanita N. Kurtin,Weiwen Zhao. Владелец: Pacific Light Technologies Corp. Дата публикации: 2018-03-21.

Composition of, and method for forming, a semiconductor structure with multiple insulator coatings

Номер патента: US20160333264A1. Автор: Juanita N. Kurtin,Weiwen Zhao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-17.

Quantum well type light-emitting diode

Номер патента: CA2302103C. Автор: Yoshiyuki Mizuno. Владелец: Daido Steel Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-18.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: EP4049083A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2022-08-31.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: WO2021078657A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: SMART Photonics Holding B.V.. Дата публикации: 2021-04-29.

Broad-band quantum well infrared photodetectors

Номер патента: CA2311629C. Автор: Sumith V. Bandara,Sarath D. Gunapala. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2006-02-14.

A quantum dot photodetector apparatus and associated methods

Номер патента: WO2017162913A1. Автор: Richard White. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2017-09-28.

Light emitting devices including a quantum dot color conversion material and method of making thereof

Номер патента: WO2023200855A1. Автор: Saket Chadda,David Olmeijer,Ravisubhash Tangirala,Ivan Huang. Владелец: NANOSYS, INC.. Дата публикации: 2023-10-19.

Terahertz radiating device based on semiconductor coupled quantum wells

Номер патента: WO2006077566A3. Автор: Leonid Shvartsman,Boris Laikhtman. Владелец: Boris Laikhtman. Дата публикации: 2006-08-24.

Light emitting devices including a quantum dot color conversion material and method of making thereof

Номер патента: WO2023200855A9. Автор: Saket Chadda,David Olmeijer,Ravisubhash Tangirala,Ivan Huang. Владелец: SHOEI CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for forming a composite having semiconductor structures including a nanocrystalline core and shell embedded in a matrix

Номер патента: US12107197B2. Автор: Georgeta Masson,Juanita Kurtin,Brian Theobald,Matthew J. Carillo,Oun-Ho Park,Steven M. Hughes. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-10-01.

Avalanche photo diode with quantum well layer

Номер патента: US4731641A. Автор: Kazuo Sakai,Yuichi Matsushima,Shigeyuki Akiba,Yukio Noda,Yukitoshi Kushiro,Katsuyuki Utaka. Владелец: Kokusai Denshin Denwa KK. Дата публикации: 1988-03-15.

Superluminescent diode having a quantum well and cavity length dependent threshold current

Номер патента: US5329134A. Автор: Charles B. Morrison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-07-12.

Slotted quantum well sensor

Номер патента: CA2351721C. Автор: Sumith V. Bandara,Sarath D. Gunapala,John K. Liu,Daniel W. Wilson. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2004-02-24.

Signal distribution for a quantum computing system

Номер патента: CA3102773C. Автор: Evan Jeffrey,Joshua Yousouf MUTUS. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-05-09.

Composition of, and method for forming, a semiconductor structure with polymer and insulator coatings

Номер патента: WO2018140895A1. Автор: Juanita N. Kurtin,Weiwen Zhao. Владелец: Pacific Light Technologies Corp.. Дата публикации: 2018-08-02.

Signal distribution for a quantum computing system

Номер патента: US11854833B2. Автор: Evan Jeffrey,Joshua Yousouf MUTUS. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Signal distribution for a quantum computing system

Номер патента: US20240162050A1. Автор: Evan Jeffrey,Joshua Yousouf MUTUS. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Superlattice quantum well infrared detector

Номер патента: CA2813755C. Автор: David Kryskowski. Владелец: UD Holdings LLC. Дата публикации: 2019-12-03.

Readout of a quantum state in an array of quantum dots

Номер патента: US20220351063A1. Автор: Cornelis Jacobus VAN DIEPEN,Tzu-Kan HSIAO. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2022-11-03.

Integrated circuit with stacked transistors having inductors at both sides of substrate

Номер патента: US20240290779A1. Автор: Ying-Ta Lu,Ming-Long Fan,Szuya Liao,Wei-Xiang YOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Optoelectronic device comprising a stack of multiple quantum wells

Номер патента: US20240204132A1. Автор: Florian Dupont. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-20.

Group iii nitride based light emitting diode structures with multiple quantum well structures having varying well thicknesses

Номер патента: EP2532033A1. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,Daniel Carleton Driscoll,Ashonita Chavan,Pablo Cantu-Alejandro. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-12-12.

Fabrication of a quantum device

Номер патента: US20200411744A1. Автор: Pavel ASEEV,Philippe CAROFF-GAONAC'H. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Fabrication of a quantum device

Номер патента: US20200235276A1. Автор: Pavel ASEEV,Philippe CAROFF-GAONAC'H. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Method of forming a double-layer light-absorbing electroconductive structure

Номер патента: RU2714273C1. Автор: Евгений Алексеевич Гудилин,Андрей Андреевич Петров,Сергей Анатольевич Фатеев,Алексей Борисович Тарасов,Николай Андреевич Белич,Алексей Юрьевич Гришко,Наталья Николаевна Шлёнская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-02-13.

A quantum dot enhanced film and a preparation method thereof, a backlight source and a display device

Номер патента: US20210381676A1. Автор: Guoling FAN. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Light emitting diode including a quantum dot complex, method of manufacturing the same and display device including the same

Номер патента: US12108616B2. Автор: Yongil Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Light emitting diode with doped quantum wells and associated manufacturing method

Номер патента: US09515220B2. Автор: Ivan-Christophe Robin. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-12-06.

Miniband transport quantum well detector

Номер патента: US5965899A. Автор: John W. Little, Jr.. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 1999-10-12.

Quantum dot structure and method of producing a quantum dot structure

Номер патента: WO2020260293A1. Автор: Madis Raukas,Joseph Treadway,Maria J. Anc,Jonathan Owen,Anindya Swarnakar,Brandon McMurtry. Владелец: The Trustees of Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2020-12-30.

Quantum dot structure, method for producing a quantum dot structure, and light emitting device

Номер патента: WO2023117544A1. Автор: Peter Chen,Brian Theobald,Joseph Treadway. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for producing a quantum dot nanoparticles, quantum dot nanoparticles prepared by the method, quantum dot nanoparticles having a core-shell structure, and light emitting element

Номер патента: US20230357634A1. Автор: Ju Young Lee,Seok Kyu Park,Seung Mo Hong,In Won Lee,Jin Han Song,Hyeok Jin Hong. Владелец: UNIAM. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for producing a quantum dot nanoparticles, quantum dot nanoparticles prepared by the method, quantum dot nanoparticles having a core-shell structure, and light emitting element

Номер патента: US11746291B2. Автор: Ju Young Lee,Seok Kyu Park,Seung Mo Hong,In Won Lee,Jin Han Song,Hyeok Jin Hong. Владелец: UNIAM. Дата публикации: 2023-09-05.

Systems and methods for a quantum-analogue computer

Номер патента: US20200036450A1. Автор: Pierre A. Deymier,Keith A. Runge. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2020-01-30.

Method of Forming a Metal Line and Method of Manufacturing a Display Substrate by Using the Same

Номер патента: US20070249097A1. Автор: Sang-Gab Kim,Jang-Soo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-25.

Method for forming a capacitor in a memory cell in a dynamic random access memory device

Номер патента: US5897983A. Автор: Toshiyuki Hirota,Kazuki Yokota,Masanobu Zenke,Tomomi Kurokawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-04-27.

Three-dimensional memory device having a shielding layer and method for forming the same

Номер патента: US11758729B2. Автор: Zhiliang Xia,Jun Chen,Zongliang Huo,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of forming a groove in a surface of a mother substrate

Номер патента: US6276992B1. Автор: Masaya Wajima,Masuyoshi Houda. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-21.

A device and method for forming a contact to a top electrode in ferroelectric capacitor devices

Номер патента: WO2005031856A1. Автор: Haoren Zhuang,Ulrich Egger,Stefan Gernhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-04-07.

Methods for forming a slot with a laterally recessed area at an end thereof through an interposer or other carrier substrate

Номер патента: US20030176045A1. Автор: Setho Fee,Tay Yean,Lim Chye. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-18.

Methods for forming a slot with a laterally recessed area at an end thereof through an interposer or other carrier substrate

Номер патента: US20040203191A1. Автор: Setho Fee,Tay Yean,Lim Chye. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for forming capacitor of a dram having a wall protection structure

Номер патента: US20020110980A1. Автор: Ching-ming Lee,Kuo-Yuh Yang,Yu-Ju Yang,Yu-Hong Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Methods for forming a slot with a laterally recessed area at an end thereof through an interposer or other carrier substrate

Номер патента: US6951777B2. Автор: Tay Wuu Yean,Lim Thiam Chye,Setho Sing Fee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-10-04.

Method of making a non-planar circuit board with embedded electronic components on a mandrel

Номер патента: US09788436B2. Автор: Bruce V. Hughes. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing a non-planar printed circuit board assembly

Номер патента: US09648755B2. Автор: Adrianus Johannes Stephanus Maria De Vaan,Josephus Paulus Augustinus Deeben,Wilhelmus Gerardus Maria Peels. Владелец: Philips Lighting Holding BV. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing a non-planar printed circuit board assembly

Номер патента: EP3090609A1. Автор: Adrianus Johannes Stephanus Maria De Vaan,Josephus Paulus Augustinus Deeben,Wilhelmus Gerardus Maria Peels. Владелец: Philips Lighting Holding BV. Дата публикации: 2016-11-09.

Capacitive touch panel having a non-planar touch surface

Номер патента: EP2256602A3. Автор: Steven V. Netherton,Mark A. Gill. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Variable-speed trigger switch having a conductive elastomer

Номер патента: EP4099353A3. Автор: Tal Gottesman,Geoffrey S. Howard,Daniel L. Schwarz,Michael P. SIKORA,Matthew J. Lazzaro,Kristian B. Sims. Владелец: Black and Decker Inc. Дата публикации: 2023-03-08.

Methods of forming a fiber coupling device and fiber coupling device

Номер патента: US09971108B2. Автор: Michael De Jong,Eric Stephan TEN HAVE,Andreas Matiss,Martin Spreemann. Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Optically driven therapeutic radiation source including a non-planar target configuration

Номер патента: US6721392B1. Автор: Mark Dinsmore. Владелец: CARL ZEISS AG. Дата публикации: 2004-04-13.

Metallic, self-similar interior shield for facilitating connection of a low noise amplifier inside a non-planar, multiarm log-periodic antenna

Номер патента: US20040017324A1. Автор: Gregory Engargiola. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2004-01-29.

Producing an electrically-conductive structure on a non-planar surface

Номер патента: US6998222B2. Автор: Ignaz Eisele,Florian Wiest. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2006-02-14.

Field emission cathode device and method of forming a field emission cathode device

Номер патента: WO2022070097A1. Автор: Jian Zhang. Владелец: Ncx Corporation. Дата публикации: 2022-04-07.

Field emission cathode device and method of forming a field emission cathode device

Номер патента: US20230411101A1. Автор: Jian Zhang. Владелец: NCX Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Field emission cathode device and method of forming a field emission cathode device

Номер патента: WO2022070093A1. Автор: Jian Zhang. Владелец: Ncx Corporation. Дата публикации: 2022-04-07.

Field emission cathode device and method of forming a field emission cathode device

Номер патента: US20240079196A1. Автор: Jian Zhang. Владелец: NCX Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Field emission cathode device and method of forming a field emission cathode device

Номер патента: US11967479B2. Автор: Jian Zhang. Владелец: NCX Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Chip card having a coil antenna with reduced footprint

Номер патента: EP2019997A1. Автор: Oded Bashan,Nehemya Itay,Avner Rimon. Владелец: On Track Innovations Ltd. Дата публикации: 2009-02-04.

External cavity surface emitting laser device having a plurality of quantum wells

Номер патента: KR101015501B1. Автор: 김택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2011-02-16.

Method for increasing maximum modulation speed of a light emitting device, and light emitting device with increased maximum modulation speed and quantum well structure thereof

Номер патента: WO2006014308A1. Автор: YING-LAN Chang,Ashish Tandon,Michael R. T. Tan. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2006-02-09.

Method for increasing maximum modulation speed of a light emitting device, and light emitting device with increased maximum modulation speed and quantum well structure thereof

Номер патента: US20060007974A1. Автор: YING-LAN Chang,Michael Tan,Ashish Tandon. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Quantum well structure, chip processing method, chip, and laser

Номер патента: EP4274040A1. Автор: HONGLIANG Liu,Yan Zou,Yanwei YANG. Владелец: Phograin Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Quantum well structure, chip processing method, chip, and laser

Номер патента: US20230369829A1. Автор: HONGLIANG Liu,Yan Zou,Yanwei YANG. Владелец: Phograin Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Heterostructure electron emitter utilizing a quantum well

Номер патента: US5442192A. Автор: Herbert Goronkin,Lawrence N. Dworsky. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-08-15.

Quantum-well type semiconductor laser device

Номер патента: US5327445A. Автор: Hiroshi Okamoto,Akihiko Kasukawa,Takeshi Namegaya,Narihito Matsumoto. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1994-07-05.

Quantum well active region with three dimensional barriers and fabrication

Номер патента: WO2009023046A2. Автор: Victor C. Elarde,James J. Coleman. Владелец: The Board Of Trustees Of The University Of Illionis. Дата публикации: 2009-02-19.

Quantum well active region with three dimensional barriers and fabrication

Номер патента: WO2009023046A3. Автор: James J Coleman,Victor C Elarde. Владелец: Victor C Elarde. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor laser element having tensile-strained quantum-well active layer

Номер патента: US7362786B2. Автор: Hideki Asano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-04-22.

Strained quantum well type semiconductor laser device

Номер патента: CA2083026C. Автор: Toshio Kikuta,Akihiko Kasukawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-06-24.

Strained quantum well type semiconductor laser device

Номер патента: CA2083026A1. Автор: Toshio Kikuta,Akihiko Kasukawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-05-19.

InP based high temperature lasers with InAsP quantum well layers and barrier layers of Gax(AIIN) 1-xP

Номер патента: EP1443616A3. Автор: Scott W. Corzine,Ying-Ian Chang,David P. Bour,Michael R.T. Tan,Ashish Tandon. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-11-30.

Terahertz radiating device based on semiconductor coupled quantum wells

Номер патента: US20070054427A1. Автор: Leonid Shvartsman,Boris Laikhtman. Владелец: Yissum Research Development Co of Hebrew University of Jerusalem. Дата публикации: 2007-03-08.

Apparatus comprising a quantum well device and method of operating the apparatus

Номер патента: US5023878A. Автор: Kurt Berthold,Anthony F. J. Levi. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1991-06-11.

Hybrid silicon laser-quantum well intermixing wafer bonded integration platform for advanced photonic circuits with electroabsorption modulators

Номер патента: EP2243152A2. Автор: John E. Bowers,Alexander W. Fang,Hyundai Park,Matthew N. Sysak. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2010-10-27.

Hybrid silicon laser-quantum well intermixing wafer bonded integration platform for advanced photonic circuits with electroabsorption modulators

Номер патента: US20140010253A1. Автор: John E. Bowers,Alexander W. Fang,Hyundai Park,Matthew N. Sysak. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2014-01-09.

Large optical cavity (loc) laser diode having quantum well offset and efficient single mode laser emission along fast axis

Номер патента: WO2019232261A1. Автор: Zhigang Chen,Manoj Kanskar. Владелец: nLIGHT, Inc.. Дата публикации: 2019-12-05.

Large optical cavity (loc) laser diode having quantum well offset and efficient single mode laser emission along fast axis

Номер патента: EP3804055A1. Автор: Zhigang Chen,Manoj Kanskar. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Pattern-forming method for forming a conductive circuit pattern

Номер патента: US09980393B2. Автор: Kwang-Seong Choi,Hyun-Cheol Bae,Yong Sung Eom,Jong Tae Moon,Jung Hyun Noh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of forming a transmitting and receiving radiation pattern in an antenna of circular electronic scanning

Номер патента: RU2714533C1. Автор: Олег Станиславович Алексеев,Анатолий Исакович Синани,Георгий Феодосьевич Мосейчук,Александр Николаевич Грибанов,Игорь Владимирович Голиков. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2020-02-18.

METHOD FOR FORMING A LiCoO2 FILM AND APPARATUS FOR IMPLEMENTATION THEREOF

Номер патента: RU2765222C1. Автор: Айрат Хамитович Хисамов,Сергей Михайлович Насточкин,Александр Викторович Россохатый,Ярослав Анатольевич Короленко. Владелец: Тхе Баттериес Сп. з о.о.. Дата публикации: 2022-01-26.

Method of forming a carbon nanotube structure and method of manufacturing field emission device using the method of forming a carbon nanotube structure

Номер патента: US20080003733A1. Автор: In-taek Han,Ha-Jin Kim,Young-Chul Choi,Kwang-Seok Jeong. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of Producing Shape-Conformable Alkali Metal-Sulfur Battery Having a Deformable and Conductive Quasi-Solid Electrode

Номер патента: US20190006721A1. Автор: Aruna Zhamu,Bor Z. Jang. Владелец: Nanotek Instruments Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Electrical terminal and device for forming a terminal

Номер патента: EP3262715A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,David Alan College. Владелец: TE Connectivity Corp. Дата публикации: 2018-01-03.

Electrical terminal and device for forming a terminal

Номер патента: WO2016137911A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,David Alan College. Владелец: TE Connectivity Germany GmbH. Дата публикации: 2016-09-01.

Method of forming a coated film, method of forming an electronic device, and method of manufacturing an electron emission element

Номер патента: US20060188648A1. Автор: Ichio Yudasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Method and apparatus for forming a multiple sectioned ring

Номер патента: US3746828A. Автор: L Minutillo. Владелец: Griffiths Electronics Inc. Дата публикации: 1973-07-17.

Fabrication of nano-structures on multiple sides of a non-planar surface

Номер патента: US20190075789A1. Автор: Albert Yee,Mary Nora DICKSON,Elena LIANG,Susan Christine WU. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2019-03-14.

System and method for 3d printing a non-planar surface

Номер патента: AU2022324102A1. Автор: Cynthia Kutchko,Michael Anthony BUBAS,Bryan William WILKINSON,Kerianne Merceline DOBOSZ,Eric Scott EPSTEIN,Minh Anh TONG,Leslie Owen ARCHULETA. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

System and method for 3d printing a non-planar surface

Номер патента: US20240336011A1. Автор: Cynthia Kutchko,Michael Anthony BUBAS,Bryan William WILKINSON,Kerianne Merceline DOBOSZ,Eric Scott EPSTEIN,Minh Anh TONG,Leslie Owen ARCHULETA. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Apparatus and method for printing on articles having a non-planar surface

Номер патента: CA2728127C. Автор: Ronald L. Uptergrove,Manish K. Senta. Владелец: Plastipak Packaging Inc. Дата публикации: 2014-01-28.

File for creating a non-planar contour, in particular with transverse curvature

Номер патента: CA3240767A1. Автор: Lothar Ertl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for printing on articles having a non-planar surface

Номер патента: CA2818709C. Автор: Ronald L. Uptergrove,Manish K. Senta. Владелец: Plastipak Packaging Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Characterizing a fluid sample based on response of a non-planar structure

Номер патента: US20180284006A1. Автор: David I. Poisner,Yuri I. Krimon,Anand K. Enamandram,Vishal Mannapur,Handeep Kaur. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Fluid-filled track wheel for improved movement of an object across a non-planar area

Номер патента: US11679824B1. Автор: Douglas G. Willis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-20.

Surface charging systems and method for charging a non-planar surface

Номер патента: US10976358B2. Автор: Dejan Nikic,Eddie Kwon. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-04-13.

Wipes being formed into a non-planar form and dispenses for storing said wipes

Номер патента: US09650199B2. Автор: Ian Hamilton Dryburgh,Oday Abbosh,Nigel Lawson. Владелец: BETTER ALL ROUND Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Manufacturing method for a non- planar curved stent

Номер патента: EP1874124A1. Автор: Colin Department of Bioengineering CARO. Владелец: Veryan Medical Ltd. Дата публикации: 2008-01-09.

Manufacturing method for a non- planar curved stent

Номер патента: CA2605812A1. Автор: Colin Caro. Владелец: Veryan Medical Ltd. Дата публикации: 2006-11-09.

System and method for 3d printing a non-planar surface

Номер патента: CA3226580A1. Автор: Cynthia Kutchko,Michael Anthony BUBAS,Bryan William WILKINSON,Kerianne Merceline DOBOSZ,Eric Scott EPSTEIN,Minh Anh TONG,Leslie Owen ARCHULETA. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

System and method for 3d printing a non-planar surface

Номер патента: EP4380780A1. Автор: Cynthia Kutchko,Michael Anthony BUBAS,Bryan William WILKINSON,Kerianne Merceline DOBOSZ,Eric Scott EPSTEIN,Minh Anh TONG,Leslie Owen ARCHULETA. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Drip emitter having membrane with a non-planar portion protruding into regulating chamber recess

Номер патента: US11793127B2. Автор: Ron Keren,Esteban Socolsky. Владелец: Netafim Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Passive diffuser having a non-planar wick

Номер патента: CA2823075A1. Автор: Robert Wong,Raymond Cen,Heather Mastny,Noelle Border,Mike Regina,Maureen Stanley. Владелец: Bath and Body Works Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Wipes being formed into a non-planar form and dispensers for storing said wipes

Номер патента: CA2593366C. Автор: Ian Hamilton Dryburgh,Oday Abbosh,Nigel Lawson. Владелец: BETTER ALL ROUND Ltd. Дата публикации: 2014-08-12.

Burner system including a non-planar perforated flame holder

Номер патента: US20170038063A1. Автор: Christopher A. Wiklof,Joseph Colannino,Douglas W. KARKOW,James K. DANSIE. Владелец: Clearsign Combustion Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Mould and method for making ceramic products with a non-planar cross-section

Номер патента: EP3983189A1. Автор: Fabrizio CALISTI,Giovanni Calisti,Giampaolo Calisti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-20.

Mould and method for making ceramic products with a non-planar cross-section

Номер патента: WO2020250051A1. Автор: Fabrizio CALISTI,Giovanni Calisti,Giampaolo Calisti. Владелец: Calisti Giampaolo. Дата публикации: 2020-12-17.

Microelectromechanical microphone having a stationary inner region

Номер патента: WO2017099849A1. Автор: Thomas Chen,Sushil Bharatan,Renata Melamud Berger. Владелец: InvenSense, Inc.. Дата публикации: 2017-06-15.

A non-planar resistive memory cell and methods for forming non-planar resistive memory cells

Номер патента: EP3127155B1. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi,Niloy Mukherjee,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-29.

Dryer including a case forming a separation flow path

Номер патента: AU2023204568A1. Автор: Ok Nam Cho. Владелец: UNIL ELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2024-05-30.

Memristor with a non-planar substrate

Номер патента: US8283649B2. Автор: Alexandre M. Bratkovski,Jianhua Yang,Shih Yuan Wang,Michael Stuke. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2012-10-09.

Article of Manufacture Having Microphone Devices Mounted on a Non-Planar Printed Circuit Board

Номер патента: US20170026728A1. Автор: Elko Gary W.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

MEMS MICROPHONE PACKAGE STRUCTURE HAVING A NON-PLANAR SUBSTRATE

Номер патента: US20170064458A1. Автор: Wang Chun-Chieh,CHEN Jen-Yi,CHANG Chao-Sen,CHANG Yong-Shiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

ELECTROHYDRODYNAMIC AIRFLOW ACROSS A HEAT SINK USING A NON-PLANAR ION EMITTER ARRAY

Номер патента: US20140230234A1. Автор: June Michael S.,Ni Chunjian,STEINKE Mark E.,Adams Dana S.R.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-21.

SYSTEM AND METHOD FOR EXTRACTING INFORMATION FROM A NON-PLANAR SURFACE

Номер патента: US20200257917A1. Автор: Korolyov Volodymyr,Vinogradova Ana,MOORE Liam. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

METHOD FOR MANUFACTURING A NON-PLANAR PRINTED CIRCUIT BOARD ASSEMBLY

Номер патента: US20160316570A1. Автор: DE VAAN ADRIANUS JOHANNES STEPHANUS MARIA,Peels Wilhelmus Gerardus Maria,Deeben Josephus Paulus Augustinus. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

METHOD FOR DIGITIZING A NON-PLANAR COLORED SURFACE

Номер патента: FR2820588B1. Автор: Philippe Bayle,Jean Baptiste Schrantz. Владелец: I2 S. Дата публикации: 2003-04-25.

System and method for extracting information from a non-planar surface

Номер патента: US10970578B2. Автор: Liam MOORE,Ana Vinogradova,Volodymyr Korolyov. Владелец: Johnson Controls Fire Protection LP. Дата публикации: 2021-04-06.

Method of making a laminated ceramic with a non-planar structure

Номер патента: EP1416546A1. Автор: Matthias Wagner,Hendrikus Oostra,Andreas Roosen,Roderik Hubrecht Höppener. Владелец: Haiku TECH Holding BV. Дата публикации: 2004-05-06.

Dryer including a case forming a separation flow path

Номер патента: GB2624494A. Автор: Nam Cho Ok. Владелец: UNIL ELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2024-05-22.

Implant device having a non-planar surface

Номер патента: US09999516B2. Автор: Jessee Hunt. Владелец: 4Web Inc. Дата публикации: 2018-06-19.

Application of adhesive to a non-planar surface

Номер патента: CA2116072C. Автор: Anthony C. Ng. Владелец: McNeil PPC Inc. Дата публикации: 2006-08-29.

Quantum well nanocrystals with quaternary alloy structure for improved light absorption

Номер патента: US12031070B2. Автор: Jongmin Lee,Shin Ae Jun,Tae Gon Kim,Hyeyeon Yang,Jooyeon AHN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods of forming transistors having raised extension regions

Номер патента: US11756624B2. Автор: Haitao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

High-speed optical modulation using a quantum-well modulator

Номер патента: WO2010107852A3. Автор: Christopher R. Doerr. Владелец: Alcatel-Lucent USA Inc.. Дата публикации: 2011-01-13.

High-speed optical modulation using a quantum-well modulator

Номер патента: EP2409428A2. Автор: Christopher R. Doerr. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2012-01-25.

High-speed optical modulation using a quantum-well modulator

Номер патента: SG174460A1. Автор: Christopher R Doerr. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2011-10-28.

High-speed optical modulation using a quantum-well modulator

Номер патента: WO2010107852A2. Автор: Christopher R. Doerr. Владелец: Alcatel-Lucent USA Inc.. Дата публикации: 2010-09-23.

Dynamic control for a quantum computer

Номер патента: EP4147356A1. Автор: Jules Christiaan VAN OVEN,Cornelis Christiaan BULTINK,Jordy Marinus Josephus GLOUDEMANS. Владелец: Qblox BV. Дата публикации: 2023-03-15.

Dynamic control for a quantum computer

Номер патента: US20230170916A1. Автор: Jules Christiaan VAN OVEN,Cornelis Christiaan BULTINK,Jordy Marinus Josephus GLOUDEMANS. Владелец: Qblox BV. Дата публикации: 2023-06-01.

Dynamic control for a quantum computer

Номер патента: WO2021225447A1. Автор: Jules Christiaan VAN OVEN,Cornelis Christiaan BULTINK,Jordy Marinus Josephus GLOUDEMANS. Владелец: Qblox B.V.. Дата публикации: 2021-11-11.

Dynamic control for a quantum computer

Номер патента: NL2026255B1. Автор: Christiaan Bultink Cornelis,Marinus Josephus Gloudemans Jordy,Christiaan Van Oven Jules. Владелец: Qblox B V. Дата публикации: 2021-11-23.

Fast entangled state generation and quantum information transfer in a quantum system with long-range interactions

Номер патента: US20180159636A1. Автор: Alexey V. Gorshkov,Michael Foss-Feig,Zachary Eldredge,Zhe-Xuan Gong,Ali Hamed Moosavian,Jeremy T. Young. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2018-06-07.

Readout of a quantum state in an array of quantum dots

Номер патента: WO2021133173A1. Автор: Cornelis Jacobus VAN DIEPEN,Tzu-Kan HSIAO. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2021-07-01.

Readout of a quantum state in an array of quantum dots

Номер патента: EP4081956A1. Автор: Cornelis Jacobus VAN DIEPEN,Tzu-Kan HSIAO. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2022-11-02.

Modular control in a quantum computing system

Номер патента: AU2024205288A1. Автор: Nicolas Didier,Chad Tyler Rigetti,Matthew J. Reagor,Nikolas Anton Tezak,William J. Zeng,Benjamin Jacob BLOOM,Christopher Butler OSBORN,Michael Justin Gerchick Scheer. Владелец: Rigetti and Co LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for determining a quantum communication setup, quantum communication setup, computer program, and data processing system

Номер патента: AU2022211813B2. Автор: Pavel SEKATSKI,Nurbolat Kenbaev,Asel Sagingalieva,Alexey Melnikov. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2024-07-25.

A system for generating polarisation-entangled photon pairs for repeating a quantum signal over a distance and a method for generating polarisation-entangled photon pairs in a multi-mode quantum memory for repeating a quantum signal over a distance

Номер патента: EP4035302A1. Автор: Wojciech Wasilewski,Mateusz Mazelanik,Adam Leszczyński,Michal LIPKA,Andrzej OSTASIUK,Krzysztof ZDANOWSKI,Michal PARNIAK-NIEDOJADLO. Владелец: UNIWERSYTET WARSZAWSKI. Дата публикации: 2022-08-03.

A Node for a Quantum Communication System, a Quantum Communication System and Method

Номер патента: GB2623746A. Автор: James Shields Andrew,Ian Woodward Robert,F Dynes James,Walk Nathan. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Synchronization in a quantum controller with modular and dynamic pulse generation and routing

Номер патента: US12021532B2. Автор: Yonatan COHEN,Nissim Ofek,Itamar Sivan. Владелец: Quantum Machines Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Targeting many-body eigenstates on a quantum computer

Номер патента: US12079686B2. Автор: Ryan BABBUSH,Jarrod Ryan MCCLEAN. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Fabrication of a quantum device

Номер патента: WO2020150021A1. Автор: Pavel ASEEV,Philippe CAROFF-GAONAC'H. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Fabrication of a quantum device

Номер патента: CA3123904A1. Автор: Pavel ASEEV,Philippe CAROFF-GAONAC'H. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Fabrication of a quantum device

Номер патента: AU2020209451A1. Автор: Pavel ASEEV,Philippe CAROFF-GAONAC'H. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Fabrication of a quantum device

Номер патента: EP3912193A1. Автор: Pavel ASEEV,Philippe CAROFF-GAONAC'H. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-11-24.

Modular control in a quantum computing system

Номер патента: EP4421647A2. Автор: Nicolas Didier,Chad Tyler Rigetti,Matthew J. Reagor,Nikolas Anton Tezak,William J. Zeng,Benjamin Jacob BLOOM,Christopher Butler OSBORN,Michael Justin Gerchick Scheer. Владелец: Rigetti and Co LLC. Дата публикации: 2024-08-28.

Synchronization in a quantum controller with modular and dynamic pulse generation and routing

Номер патента: US20240305280A1. Автор: Yonatan COHEN,Nissim Ofek,Itamar Sivan. Владелец: Quantum Machines Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Systems and methods for applying flux to a quantum-coherent superconducting circuit

Номер патента: US09787312B2. Автор: Quentin P. Herr,Anna Y. Herr,Ofer Naaman. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

System for forming a synthesized two-dimensional image of a biological sample with high depth of field

Номер патента: RU2734447C2. Автор: Елте Петер ВИНК,Бас ХУЛСКЕН,Мартейн ВОЛТЕРС,Маринус Бастиан ВАН ЛЕУВЕН,Стюарт Хамис САНД. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2020-10-16.

Method for transmitting content using a quantum key distribution network

Номер патента: US20240204997A1. Автор: Claude Poletti,Marc Cartigny,Maxime Labonne,Jorge LOPEZ-CORONADO. Владелец: Airbus Defence and Space SAS. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and device for quantum computation delegated to a quantum server by a client for the creation of a quantum state known to the client purpose concealed from the quantum server

Номер патента: US12028448B2. Автор: Marc Kaplan. Владелец: Veriqloud SAS. Дата публикации: 2024-07-02.

Image forming apparatus including image forming units that form a developer image and selectively form a mark image

Номер патента: US20180120733A1. Автор: Hiroshi Takano. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Method of driving a quantum computer to find one or more states of interest of a network

Номер патента: US20230289641A1. Автор: Samuel Mugel,Pablo Martin,Samuel Douglas PALMER,Roman Oscar Orús. Владелец: Multiverse Computing SL. Дата публикации: 2023-09-14.

Performing parametric dissipation operations in a quantum computing system

Номер патента: EP4416652A1. Автор: Matthew J. Reagor. Владелец: Rigetti and Co LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

Method of generating a key between nodes of a computer network using a quantum key distribution system

Номер патента: RU2708511C1. Автор: Андрей Евгеньевич Жиляев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Информационные Технологии И Коммуникационные Системы". Дата публикации: 2019-12-09.

Quantum payload service for facilitating communications between a quantum computing system and classical computing systems

Номер патента: US20200128063A1. Автор: Leigh Griffin,Luigi Zuccarelli. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Quantum channel routing utilizing a quantum channel measurement service

Номер патента: US20200358536A1. Автор: Stephen Coady,Leigh Griffin. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Gate formation on a quantum processor

Номер патента: US11900219B1. Автор: Marcus Palmer da Silva,Colm Andrew Ryan,Deanna Margo Abrams,Eric Christopher PETERSON,Michael Justin Gerchick Scheer. Владелец: Rigetti and Co LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

High-capacitance dynamic random access memory cell having a storage capacitor on a continuous irregular surface

Номер патента: US5936273A. Автор: Anchor Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-08-10.

Readout of a quantum state in an array of quantum dots

Номер патента: NL2024580B1. Автор: Jacobus Van Diepen Cornelis,Hsiao Tzu-Kan. Владелец: Univ Delft Tech. Дата публикации: 2021-09-06.

System and method for forming a hairpin for motors

Номер патента: US11848589B2. Автор: Jiwon YU. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Performing Parametric Dissipation Operations in a Quantum Computing System

Номер патента: US20240311676A1. Автор: Matthew J. Reagor. Владелец: Rigetti and Co LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory circuitry comprising a vertical string of memory cells and a conductive via and method used in forming a vertical string of memory cells and a conductive via

Номер патента: US12052863B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Kunal R. Parekh,Hongbin Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for distributing symmetric keys between nodes of a computer network with a quantum key distribution system

Номер патента: RU2764458C1. Автор: Михаил Алексеевич Бородин,Андрей Сергеевич Рыбкин. Владелец: Акционерное Общество "Информационные Технологии И Коммуникационные Системы". Дата публикации: 2022-01-17.

Device for forming a sawtooth voltage on capacitor

Номер патента: RU2760979C1. Автор: Сергей Николаевич Доля,Виктор Иванович Смирнов. Владелец: Объединенный Институт Ядерных Исследований (Оияи). Дата публикации: 2021-12-02.

Simulating errors of a quantum device using variational quantum channels

Номер патента: WO2020214910A1. Автор: Katabarwa Amara. Владелец: Zapata Computing, Inc.. Дата публикации: 2020-10-22.

Quantum dot composition including a ligand bonded to a surface of a quantum dot, light emitting element including an emission layer containing a quantum dot and ligand residues, and method for manufacturing the same

Номер патента: US11866627B2. Автор: Jaehoon Kim,Changhee Lee,Yunku JUNG,Jaekook HA,SeHun KIM,Hyojin KO,Dukki Kim,Hyunmi DOH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of operation of a trusted node software in a quantum key distribution system

Номер патента: US20210044433A1. Автор: Eric Hay,Nino Walenta,Donald T. Hyaford. Владелец: Quantumxchange Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Performing a Calibration Process in a Quantum Computing System

Номер патента: US20230394342A1. Автор: Chad Tyler Rigetti,Eyob A. Sete,Matthew J. Reagor,Shane Arthur Caldwell,Nikolas Anton Tezak,William J. Zeng,Benjamin Jacob BLOOM,Michael James Curtis,Nasser Alidoust,Peter Jonathan Karalekas. Владелец: Rigetti and Co LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of operation of a trusted node software in a quantum key distribution system

Номер патента: WO2020226981A1. Автор: Eric Hay,Nino Walenta,Donald T. Hayford. Владелец: Quantumxchange, Inc.. Дата публикации: 2020-11-12.

Simulating Errors of a Quantum Device Using Variational Quantum Channels

Номер патента: US20200334107A1. Автор: Amara Katabarwa. Владелец: Zapata Computing Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Simulating errors of a quantum device using variational quantum channels

Номер патента: CA3133917A1. Автор: Katabarwa Amara. Владелец: Zapata Computing Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Simulating errors of a quantum device using variational quantum channels

Номер патента: EP3956770A1. Автор: Katabarwa Amara. Владелец: Zapata Computing Inc. Дата публикации: 2022-02-23.

Method of operation of a quantum key controller

Номер патента: US20200351086A1. Автор: Nino Walenta,Michael A. Hageman,Donald T. Hayford. Владелец: Quantum Xchange Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Performing a calibration process in a quantum computing system

Номер патента: AU2023200904B2. Автор: Chad Tyler Rigetti,Eyob A. Sete,Matthew J. Reagor,Shane Arthur Caldwell,Nikolas Anton Tezak,William J. Zeng,Benjamin Jacob BLOOM,Michael James Curtis,Nasser Alidoust,Peter Jonathan Karalekas. Владелец: Rigetti and Co LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Performing a calibration process in a quantum computing system

Номер патента: US11977956B2. Автор: Chad Tyler Rigetti,Eyob A. Sete,Matthew J. Reagor,Shane Arthur Caldwell,Nikolas Anton Tezak,William J. Zeng,Benjamin Jacob BLOOM,Michael James Curtis,Nasser Alidoust,Peter Jonathan Karalekas. Владелец: Rigetti and Co LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Quantum processor, quantum logic gate, method of modulating a qudit in a quantum processor, a qudit and register of a quantum processor.

Номер патента: WO2024095083A1. Автор: Fabrizio TAMBURINI,Roberto Siagri. Владелец: Rotonium S.R.L.. Дата публикации: 2024-05-10.

A quantum network and a quantum authentication server

Номер патента: GB2616047A. Автор: YUAN Zhiliang,Marsh Benjamin,James Shields Andrew,Ian Woodward Robert,F Dynes James. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Method for detecting blinding attacks on photodetectors in a quantum cryptography system

Номер патента: US20240187207A1. Автор: Christian Kurtsiefer,Lijiong SHEN. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-06-06.

Configuring a quantum precoder of a multiple-input multiple-output (mimo) device to optimize peak to average power ratio (papr)

Номер патента: WO2024063674A1. Автор: Sairamesh Nammi,Ahsan Javed AWAN,David BERN. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2024-03-28.

Method for forming a wiring pattern by laser irradiation

Номер патента: US20120219918A1. Автор: Hua-Min Huang,Chien-Han Ho. Владелец: Cretec Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

A quantum magnetic field receiving device

Номер патента: WO2023081970A1. Автор: Petar B. Atanackovic,Francesco GIAZOTTO,Giuseppe Carlo Tettamanzi,Isaac Nakone. Владелец: The University of Adelaide. Дата публикации: 2023-05-19.

Method for forming a buried diffusion layer with reducing topography in a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20060154441A1. Автор: Cheng-Ming Yih,Huei-Huarng Chen,Hsuan-Ling Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-13.

Apparatus and method for forming a winding for a stator of a dynamoelectric machine

Номер патента: WO2000004625A1. Автор: Mario Bo. Владелец: Pavesi Srl. Дата публикации: 2000-01-27.

Transmitter for a quantum communication system, a receiver for a quantum communication system and a method of controlling a quantum communication system

Номер патента: US20230283370A1. Автор: Andrew James Shields,Robert Ian WOODWARD,Yuen San Lo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for forming a plating layer and method for manufacturing a circuit board using the same

Номер патента: US20120031550A1. Автор: Kwang-ok Jeong,Jeong-Ho Moon,Hyo-Seung Nam,Won-gyu PARK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Apparatus and method for forming a resist fine pattern

Номер патента: US20230182488A1. Автор: Jong-Gyun Lee,Seog-Soon Kim,Hee-Jun Han. Владелец: Unijet Co ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12082409B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Methods and apparatus for monitoring the integrity of a quantum channel supporting multi-quanta pulse transmission

Номер патента: WO2006119608A1. Автор: Randy Kuang,Guo Qiang Wang. Владелец: NORTEL NETWORKS LIMITED. Дата публикации: 2006-11-16.

Method for laminating and forming a composite laminate in a single operation

Номер патента: EP1401647A2. Автор: David D'arcy Clifford. Владелец: Dofasco Inc. Дата публикации: 2004-03-31.

Device having a non-planar layer, apparatus for manufacturing a device, and method of manufacturing a device

Номер патента: US20230415410A1. Автор: Christopher Thomas Elsworthy. Владелец: Q5d Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Device having a non-planar layer, apparatus for manufacturing a device, and method of manufacturing a device

Номер патента: WO2022106816A1. Автор: Christopher Thomas Elsworthy. Владелец: Q5D Technologies Limited. Дата публикации: 2022-05-27.

Device having a non-planar layer, apparatus for manufacturing a device, and method of manufacturing a device

Номер патента: EP4247619A1. Автор: Christopher Thomas Elsworthy. Владелец: Q5d Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

FORMING A NON-PLANAR COMPOSITE

Номер патента: US20190291502A1. Автор: PLATT David Paul. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2019-09-26.

Forming a non-planar composite

Номер патента: WO2019182799A1. Автор: David Paul Platt. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2019-09-26.

PROCESS FOR OBTAINING A NON-PLANAR PELABLE CUP AND A NON-PLANAR PELABLE CUP THUS OBTAINED

Номер патента: FR3006937B1. Автор: Yann Maurice Gastel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-22.

PROCESS FOR OBTAINING A NON-PLANAR PELABLE BEACH AND A NON-PLANAR PELABLE BEARING THUS OBTAINED

Номер патента: FR3006937A1. Автор: Yann Maurice Gastel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-19.

Method for forming a timepiece train wheel support plate and a timepiece comprising a mold structure for forming a timepiece train wheel support plate and a timepiece train wheel support plate formed of the same

Номер патента: US20070237034A1. Автор: Yuichi Shino,Tamotsu Ono. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2007-10-11.

Device for use in sandpapering a non-planar surface

Номер патента: ZA98744B. Автор: Harry Dudley Bromfield. Владелец: Harry Dudley Bromfield. Дата публикации: 1998-08-04.

Marking device, and method of performing marking on a non-planar portion of a medium

Номер патента: EP4074455B1. Автор: Kazuhiro Fujita,Rie Hirayama,Keiichi Serizawa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Device having a non-planar layer, apparatus for manufacturing a device, and method of manufacturing a device

Номер патента: GB202018252D0. Автор: . Владелец: Q5d Tech Ltd. Дата публикации: 2021-01-06.

Method and apparatus for decoding a non-planar barcode

Номер патента: EP2790125B1. Автор: Wolfgang Templ,Walter Weigmann. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2015-06-03.

An electro-optic palm scanner system employing a non-planar platen

Номер патента: AU689237B2. Автор: Daniel F. Maase,Thomas F. Sartor. Владелец: Identix Inc. Дата публикации: 1998-03-26.

An electro-optic palm scanner system employing a non-planar platen

Номер патента: AU1999095A. Автор: Daniel F. Maase,Thomas F. Sartor. Владелец: Identix Inc. Дата публикации: 1995-09-25.

Method for analysing a non-planar organ

Номер патента: EP3251602B1. Автор: Bernhard Mumm,Georg Schummers,Marcus Schreckenberg. Владелец: TOMTEC IMAGING SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2024-09-11.

Scroll compressor having a bearing lubricating layer

Номер патента: US09644629B2. Автор: Byeongchul Lee,Jinsung Park,Eunsoo Yang,Chuljig Bae. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-09.

Obturator, methods of forming a prefabricated, innervated, pre-vascularized, prelaminated (pipp) flap using an obturator to maintain a stoma or lumen, and methods of restoring damaged or surgically-removed soft tissue with a pipp free or rotational flap

Номер патента: US20220168469A1. Автор: Stephen E. Feinberg,James Brian WASHINGTON,Shiuhyang Kuo. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2022-06-02.

Method of forming a reinforced panel component

Номер патента: US11981090B2. Автор: Marcus Anthony Belcher,Timothy J. Luchini,Daniel Richard FERRIELL. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-05-14.

A method of forming a reinforced panel component and a related apparatus

Номер патента: CA3078890C. Автор: Marcus Anthony Belcher,Timothy J. Luchini,Daniel Richard FERRIELL. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of forming a reinforced panel component and a related apparatus

Номер патента: US20240269941A1. Автор: Marcus Anthony Belcher,Timothy J. Luchini,Daniel Richard FERRIELL. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-08-15.

IMPLANT DEVICE HAVING A NON-PLANAR SURFACE

Номер патента: US20150282945A1. Автор: Hunt Jessee. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

Spherical reflecting optical system having a non-planar correcting plate

Номер патента: US2821109A. Автор: Frederick H Nicoll. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1958-01-28.

Systems and methods for sealing containers having a non-planar flange

Номер патента: AU2013230909B2. Автор: Stephen P. WILCOX. Владелец: Intercontinental Great Brands LLC. Дата публикации: 2016-01-21.

Application of adhesive to a non-planar surface

Номер патента: CA2116072A1. Автор: Anthony C. Ng. Владелец: McNeil PPC Inc. Дата публикации: 1994-08-23.

Mould and method for making shower trays with a non-planar cross-section

Номер патента: EP3983189B1. Автор: Fabrizio CALISTI,Giovanni Calisti,Giampaolo Calisti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-25.

APPARATUS AND METHOD FOR PRINTING ON ARTICLES HAVING A NON-PLANAR SURFACE

Номер патента: US20130265353A1. Автор: Uptergrove Ronald L.,Senta Manish K.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

METHODS OF APPLYING A LAYER OF MATERIAL TO A NON-PLANAR GLASS SHEET

Номер патента: US20130323415A1. Автор: Brackley Douglas Edward,Friske Mark Stephen,Daigler Christopher Paul,Lakota Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

SEGMENTED FILM ADHESIVE, METHOD OF MAKING THE ADHESIVE AND METHOD OF APPLYING THE ADHESIVE TO A NON-PLANAR SURFACE

Номер патента: US20200010745A1. Автор: "Gaw Kevin OBrien",Whitt James Daniel,Bayseckin Erdal,McDevitt Robert Francis. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2020-01-09.

BURNER SYSTEM INCLUDING A NON-PLANAR PERFORATED FLAME HOLDER

Номер патента: US20190024887A1. Автор: COLANNINO JOSEPH,WIKLOF CHRISTOPHER A.,KARKOW DOUGLAS W.,DANSIE JAMES K.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

BURNER SYSTEM INCLUDING A NON-PLANAR PERFORATED FLAME HOLDER

Номер патента: US20170038063A1. Автор: COLANNINO JOSEPH,WIKLOF CHRISTOPHER A.,KARKOW DOUGLAS W.,DANSIE JAMES K.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

FABRICATION OF NANO-STRUCTURES ON MULTIPLE SIDES OF A NON-PLANAR SURFACE

Номер патента: US20190075789A1. Автор: Yee Albert,WU Susan Christine,Dickson Mary Nora,Liang Elena. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2019-03-14.

Systems And Methods For Sealing Containers Having A Non-Planar Flange

Номер патента: US20150096270A1. Автор: Wilcox Stephen P.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-09.

Segmented film adhesive, method of making the adhesive and method of applying the adhesive to a non-planar surface

Номер патента: US20180112108A1. Автор: Kevin O'brien Gaw,James Daniel Whitt,Erdal Bayseckin,Robert Francis McDevitt. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-04-26.

Passive Diffuser Having a Non-Planar Wick

Номер патента: US20140209701A1. Автор: Wong Robert,Mastny Heather,Cen Raymond,Stanley Maureen,Border Noelle,Regina Mike. Владелец: Bath & Body Works Brand Management, Inc.. Дата публикации: 2014-07-31.

SURFACE CHARGING SYSTEMS AND METHOD FOR CHARGING A NON-PLANAR SURFACE

Номер патента: US20200141993A1. Автор: Kwon Eddie,Nikic Dejan. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

ADDITIVELY MANUFACTURED COMPONENTS HAVING A NON-PLANAR INCLUSION

Номер патента: US20200223135A1. Автор: Wilk Christopher,Shutzberg Alison B.,Brown Suzanne C.,Grazian Anthony P.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

PROGRAMMABLE IMPLANT HAVING A NON-PLANAR OUTER SURFACE

Номер патента: US20160287405A1. Автор: Ganey Timothy,Hunt Jessee. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Characterizing a fluid sample based on response of a non-planar structure

Номер патента: US20180284006A1. Автор: David I. Poisner,Yuri I. Krimon,Anand K. Enamandram,Vishal Mannapur,Handeep Kaur. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

DRIP EMITTER HAVING MEMBRANE WITH A NON-PLANAR PORTION PROTRUDING INTO REGULATING CHAMBER RECESS

Номер патента: US20200288653A1. Автор: Keren Ron,SOCOLSKY ESTEBAN. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Storage medium with a computer generated reflection hologram on a non-planar surface

Номер патента: EP2523052A1. Автор: Stefan BORGSMÜLLER,Steffen Dr. Scheibenstock. Владелец: Tesa Scribos GmbH. Дата публикации: 2012-11-14.

Article of footwear or other foot-receiving device having a fluid-filled bladder with support and reinforcing structures

Номер патента: US7685743B2. Автор: John F. Swigart,Eric Steven Schindler. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

METHOD OF CONTINUOUSLY PRINTING A PLASTIC FILM, INTENDED TO BE THERMOFORMED IN A NON-PLANAR SURFACE AND THERMOFORMED FILM OBTAINED BY THIS PROCESS

Номер патента: FR2784619B1. Автор: Jean Pierre Lion. Владелец: Societe dEnduction et de Flockage SAS. Дата публикации: 2000-11-24.

Evaporation of a thin layer of uniform thickness onto - a non-planar surface

Номер патента: FR2006697A1. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1970-01-02.

Method and device for embossing a non-planar surface of a body with a transfer layer of a hot stamping foil

Номер патента: DE102012109315A1. Автор: Ljubisa Drinic,Heribert Riehl. Владелец: Leonhard Kurz Stiftung and Co KG. Дата публикации: 2014-04-03.

Application of adhesive to a non-planar surface

Номер патента: EP0621082A1. Автор: Anthony C. Ng. Владелец: McNeil PPC Inc. Дата публикации: 1994-10-26.

Methods of applying a layer of material to a non-planar glass sheet

Номер патента: US8962084B2. Автор: Douglas Edward Brackley,Mark Stephen Friske,Christopher Paul Daigler,Alexander Lakota. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2015-02-24.

Filter assembly with a top cap having a non-planar flange portion

Номер патента: CA2691676A1. Автор: James W. Barnwell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-22.

Wipes being formed into a non-planar form and dispenses for storing said wipes

Номер патента: AU2005323857B2. Автор: Ian Hamilton Dryburgh,Oday Abbosh,Nigel Lawson. Владелец: BETTER ALL ROUND Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Wipes being formed into a non-planar form and dispensers for storing said wipes

Номер патента: CA2593366A1. Автор: Ian Hamilton Dryburgh,Oday Abbosh,Nigel Lawson. Владелец: Better All Round Limited. Дата публикации: 2006-07-13.

Method and apparatus for rendering an image upon a non-planar surface

Номер патента: CN101166247B. Автор: T·P·卡丹特塞瓦,D·麦克法迪恩. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-06-16.

METHOD OF PROCESSING A SECURITY ELEMENT COMPRISING AN OPTICAL STRUCTURE HAVING A NON-PLANAR FACE

Номер патента: FR3030363A1. Автор: Vincent Godard. Владелец: ArjoWiggins Security SAS. Дата публикации: 2016-06-24.

Composite structure having a non-planar interface and method of making same

Номер патента: EP1716948A3. Автор: Harold A. Sreshta,Eric F. Drake. Владелец: Grant Prideco LP. Дата публикации: 2006-12-20.

Apparatus and method for printing on articles having a non-planar surface

Номер патента: US8459760B2. Автор: Ronald L. Uptergrove,Manish K. Senta. Владелец: Plastipak Packaging Inc. Дата публикации: 2013-06-11.

Apparatus and method for printing on articles having a non-planar surface

Номер патента: CA2728127A1. Автор: Ronald L. Uptergrove,Manish K. Senta. Владелец: Plastipak Packaging Inc. Дата публикации: 2010-01-21.

Link having a twisted side guard

Номер патента: US20030000810A1. Автор: Kevin Hansen,Paul Koeferl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Cutter assembly for building materials having a non-planar profile

Номер патента: CA2658941A1. Автор: Don Sullivan. Владелец: Don Sullivan. Дата публикации: 2010-04-22.

Separable creeper having a non-planar support surface

Номер патента: US5022670A. Автор: Roy E. Bowling,James L. Cote. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-06-11.

Manufacturing method for a non- planar curved stent

Номер патента: AU2006243061A1. Автор: Colin Caro. Владелец: Veryan Medical Ltd. Дата публикации: 2006-11-09.

Examination by ultrasonics of bodies having a non-planar surface

Номер патента: US3086390A. Автор: Thomas G Brown. Владелец: S Smith and Sons Ltd. Дата публикации: 1963-04-23.

Method for printing on articles having a non-planar surface

Номер патента: CA2818709A1. Автор: Ronald L. Uptergrove,Manish K. Senta. Владелец: Plastipak Packaging Inc. Дата публикации: 2010-01-21.

System and method for 3d printing a non-planar surface

Номер патента: IL310484A. Автор: Cynthia Kutchko,Michael Anthony BUBAS,Bryan William WILKINSON,Kerianne Merceline DOBOSZ,Eric Scott EPSTEIN,Minh Anh TONG,Leslie Owen ARCHULETA. Владелец: Leslie Owen ARCHULETA. Дата публикации: 2024-03-01.

Electronic image display system for a vehicle cockpit having a display area of developable shape

Номер патента: US20200167117A1. Автор: Loic Becouarn,Florent Mennechet,Valery Bota. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2020-05-28.

Method and device for lithographically producing a target structure on a non-planar initial structure

Номер патента: SG10202101208YA. Автор: Christian Koos,Philipp-Immanuel Dietrich,Matthias Blaicher,Nicole Lindenmann,Tobias Hoose,Maria Laura Gödecke. Владелец: Karlsruher Inst Technologie. Дата публикации: 2021-03-30.

Support equipment for supporting a person at rest having a rigid supporting elements

Номер патента: US09700141B2. Автор: Fabrizio Orlandoni. Владелец: Emu Group Spa. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of forming a self-flanging nut joint

Номер патента: US3938239A. Автор: Corliss Lauth. Владелец: LAUTH FASTENERS Ltd. Дата публикации: 1976-02-17.

Method for forming a narrowed-electrode pickup stylus for video disc systems

Номер патента: US4098030A. Автор: Jack Selig Fuhrer,Eugene Orville Keizer. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-07-04.

Forming a tubular knit fabric for a paint roller cover

Номер патента: US7552602B2. Автор: Daniel L. Sinykin,John Cecil Knight, Sr.. Владелец: Seamless Tech LLC. Дата публикации: 2009-06-30.

A method of forming a reinforced panel component and a related apparatus

Номер патента: CA3078890A1. Автор: Marcus Anthony Belcher,Timothy J. Luchini,Daniel Richard FERRIELL. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-01-19.

A catheter set for forming a fistula between two blood vessels

Номер патента: WO2023241774A1. Автор: John O'Shea,Michael Whelan,Jakob WELLS. Владелец: Clearstream Technologies Limited. Дата публикации: 2023-12-21.

Heat accumulating infrastructure having a large reservoir and method of operating same

Номер патента: WO2023178444A1. Автор: Louis Massicotte. Владелец: Fiducie Des Braves 2021. Дата публикации: 2023-09-28.

Improvement in or relating to apparatus for forming a seal on a closure and to a closure having a seal formed from a foamed adhesive material

Номер патента: EP0091699A2. Автор: Robert Terry,Jacob Jay Boone. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 1983-10-19.

Element forming a part of a working chamber from a motor having a coating

Номер патента: EP0643242A1. Автор: Wolf Nagel,Hans Kuhn. Владелец: Nagel Maschinen und Werkzeugfabrik GmbH. Дата публикации: 1995-03-15.

Method of forming a cermet-containing bushing for an implantable medical device having a connecting layer

Номер патента: US20150122875A1. Автор: Jeremy Glynn,Goran Pavlovic. Владелец: Heraeus Precious Metals GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-05-07.

Method of forming a cermet-containing bushing for an implantable medical device having a connecting layer

Номер патента: US9504840B2. Автор: Jeremy Glynn,Goran Pavlovic. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-29.

Solving a set of (non)linear differential equations using a hybrid data processing system comprising a classical computer system and a quantum computer system

Номер патента: CA3201802A1. Автор: Vincent Emanuel ELFVING,Oleksandr KYRIIENKO,Annie Emma PAINE. Владелец: Qu & Co R&d BV. Дата публикации: 2022-05-19.

Solving a set of (non)linear differential equations using a hybrid data processing system comprising a classical computer system and a quantum computer system

Номер патента: EP4244779A1. Автор: Vincent Emanuel ELFVING,Oleksandr KYRIIENKO,Annie Emma PAINE. Владелец: Qu&co R&d BV. Дата публикации: 2023-09-20.

Solving a set of (non)linear differential equations using a hybrid data processing system comprising a classical computer system and a quantum computer system

Номер патента: AU2021379092A1. Автор: Vincent Emanuel ELFVING,Oleksandr KYRIIENKO,Annie Emma PAINE. Владелец: Qu & Co R&d BV. Дата публикации: 2023-06-29.

Solving a set of (non)linear differential equations using a hybrid data processing system comprising a classical computer system and a quantum computer system

Номер патента: US20230418896A1. Автор: Vincent Emanuel ELFVING,Oleksandr KYRIIENKO,Annie Emma PAINE. Владелец: Qu & Co R&d BV. Дата публикации: 2023-12-28.

Computing qubit allocations using a quantum annealer

Номер патента: WO2023180483A1. Автор: Ana PALACIOS DE LUIS. Владелец: Qilimanjaro Quantum Tech, S.L.. Дата публикации: 2023-09-28.

Solving a set of (non)linear differential equations using a hybrid data processing system comprising a classical computer system and a quantum computer system

Номер патента: WO2022101483A1. Автор: Oleksandr KYRIIENKO,Vincent ELFVING,Annie PAINE. Владелец: Qu & Co R&D B.V.. Дата публикации: 2022-05-19.

Method and apparatus for machine learning using a quantum system

Номер патента: CA3196950A1. Автор: Wolfgang Lechner. Владелец: Parity Quantum Computing GmbH. Дата публикации: 2022-05-27.

Method and apparatus for machine learning using a quantum system

Номер патента: US20230419154A1. Автор: Wolfgang Lechner. Владелец: Parity Quantum Computing GmbH. Дата публикации: 2023-12-28.

Method and apparatus for machine learning using a quantum system

Номер патента: EP4248364A1. Автор: Wolfgang Lechner. Владелец: Parity Quantum Computing GmbH. Дата публикации: 2023-09-27.

Method and apparatus for machine learning using a quantum system

Номер патента: WO2022106003A1. Автор: Wolfgang Lechner. Владелец: Parity Quantum Computing GmbH. Дата публикации: 2022-05-27.

Optical frequency doubler using quantum well semiconductor structures

Номер патента: US5289309A. Автор: Michel Papuchon,Dominique Delacourt,Jean-Claude Pocholle. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1994-02-22.

Structure for a quantum dot barrier rib and process for preparing the same

Номер патента: US20200371436A1. Автор: Seung-Keun Kim,Seung-Kyu Song,Kyung-Jae Park,Hyung-Tak Jeon,Kyu Cheol Lee. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Metallic quantum wells

Номер патента: US20190155067A1. Автор: Zhaowei Liu,Yuzhe Xiao,Haoliang Qian. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2019-05-23.

Multiplexed input in a quantum computing circuit

Номер патента: WO2024056935A1. Автор: Kristinn JULIUSSON,Brian TARASINSKI. Владелец: IQM Finland Oy. Дата публикации: 2024-03-21.

Devices and method for monitoring a quantum computer in operation

Номер патента: US20240220845A1. Автор: Bernd Burchard. Владелец: Quantum Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-07-04.

Controlling couplings between quantum dots in a quantum dot array

Номер патента: US20230036699A1. Автор: Lieven Mark Koenraad VANDERSYPEN,Cornelis Jacobus VAN DIEPEN,Tzu-Kan HSIAO. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2023-02-02.

Controlling couplings between quantum dots in a quantum dot array

Номер патента: EP4094203A1. Автор: Lieven Mark Koenraad VANDERSYPEN,Cornelis Jacobus VAN DIEPEN,Tzu-Kan HSIAO. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2022-11-30.

Controlling couplings between quantum dots in a quantum dot array

Номер патента: WO2021148574A1. Автор: Cornelis Jacobus VAN DIEPEN,Tzu-Kan HSIAO. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2021-07-29.

Controlling couplings between quantum dots in a quantum dot array

Номер патента: NL2024724B1. Автор: Jacobus Van Diepen Cornelis,Hsiao Tzu-Kan,Mark Koenraad Vandersypen Lieven. Владелец: Univ Delft Tech. Дата публикации: 2021-09-09.

A quantum token generation and verification system and method

Номер патента: GB2626173A. Автор: Maleki Mehrdad. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Devices and method for monitoring a quantum computer in operation

Номер патента: US12086692B2. Автор: Bernd Burchard. Владелец: Quantum Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-09-10.

Combining Quantum States of Qubits on a Quantum Processor

Номер патента: US20230153672A1. Автор: Mark H. Oskin,Anthony Gutierrez,Salonik Resch. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Optimal calibration of gates in a quantum computing system

Номер патента: WO2022147168A3. Автор: Yunseong NAM,Andrii MAKSYMOV,Pradeep NIROULA. Владелец: IonQ, Inc.. Дата публикации: 2022-08-18.

Generating quantum computing circuits by distributing approximation errors in a quantum algorithm

Номер патента: WO2019226467A1. Автор: Krysta M. Svore,Vadym Kliuchnikov,Thomas Haener,Martin H. ROETTELER. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2019-11-28.

Apparatus for generating control signals for measuring states of quantum elements of a quantum computer

Номер патента: WO2024110321A1. Автор: Nicolas Vogt,Michael Kuehn,Thomas ECKL,Jan-Michael Reiner,Sebastian Zanker,Peter PINSKI. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for simulating a real spin system, more particularly a noisy spin system, by means of a quantum computer

Номер патента: US20220398482A1. Автор: Michael Marthaler,Sebastian Zanker,Keith Fratus. Владелец: HQS Quantum Simulations GmbH. Дата публикации: 2022-12-15.

Apparatuses, computer-implemented methods, and computer program products for qubit reuse in a quantum computing environment

Номер патента: WO2023211500A3. Автор: Megan KOHAGEN,Michael Feig,Matthew DeCross,Eli Chertkov. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-01-25.

Reducing unitary error in a quantum computation system

Номер патента: US12001268B2. Автор: Marcus Palmer da Silva. Владелец: Rigetti and Co LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Method and system of generating a classical model to simulate a quantum computational model via input perturbation to enhance explainability

Номер патента: WO2023227998A1. Автор: Shikhar KWATRA,Amol Deshmukh,Frederik Flöther,Vladimir Rastunkov. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for finding an optimal quantum state minimizing the energy of a hamiltonian operator with a quantum processor by using a vqe method, method for determining a quantum state of a chemical compound and method for determining physical quantum properties of materials

Номер патента: EP4102416A1. Автор: Thomas AYRAL,Pauline BESSERVE. Владелец: BULL SAS. Дата публикации: 2022-12-14.

Utilizing weak measurements to reveal information content via an intercept and resend process on a quantum interconnect link

Номер патента: US20240232672A1. Автор: Elad Mentovich,Moshe Oron,Yonatan Piasetzky,Tali Septon,Yuval Idan,Eliahu Cohen,Taylor Lee Patti,Avishai ELITZUR. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of performing a quantum computation, apparatus for performing a quantum computation

Номер патента: WO2023160781A1. Автор: Wolfgang Lechner,Michael Fellner,Anette Messinger,Kilian Ender. Владелец: Parity Quantum Computing GmbH. Дата публикации: 2023-08-31.

A quantum token generation and verification system and method

Номер патента: WO2024151298A1. Автор: Mehrdad MALEKI. Владелец: MasterCard International Incorporated. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for finding an optimal quantum state minimizing the energy of a Hamiltonian operator with a quantum processor by using a VQE method, determining a quantum state of a chemical compound, and determining physical quantum properties of materials

Номер патента: US20220399083A1. Автор: Thomas AYRAL,Pauline BESSERVE. Владелец: BULL SAS. Дата публикации: 2022-12-15.

Input-based modification of a quantum circuit

Номер патента: US20240281686A1. Автор: Shmuel Ur,Yehuda Naveh,Amir Naveh,Ofek Kirzner,Eyal Cornfeld. Владелец: Classiq Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Quantum sensor network and measuring a single linear function of unknown parameters with a quantum sensor network while using the minimum amount of entanglement

Номер патента: US20240220835A1. Автор: Alexey Vyacheslavovich Gorshkov,Adam Ethan Ehrenberg,Jacob Allen Bringewatt. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods and apparatus for quantum chemistry calculations on a quantum computer

Номер патента: CA3165097A1. Автор: Juan Miguel ARRAZOLA,Olivia Di MATTEO. Владелец: Xanadu Quantum Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-23.

A quantum method for fluorescence background removal in dna melting analysis

Номер патента: US20160202195A1. Автор: Carl T. Wittwer,Lindsay N. SANFORD. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2016-07-14.

Quantum algorithms of logical qubits in a quantum system with physical qubits allowing error correction and increased interqubit-connectivity

Номер патента: WO2024146701A1. Автор: Wolfgang Lechner,Michael Fellner,Anette Messinger,Kilian Ender. Владелец: Parity Quantum Computing GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

Running Instances of a Quantum Program Concurrently on a Quantum Processor

Номер патента: US20230094508A1. Автор: Yasuko ECKERT,Mark H. Oskin,Anthony Gutierrez,Vedula Venkata Srikant Bharadwaj,Salonik Resch. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Method of performing a quantum computation

Номер патента: WO2023237644A1. Автор: Kristjuhan KAUR,Nicholas Jones MARK. Владелец: Molecular Quantum Solutions Aps. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for estimating a value of an observable quantity of a quantum system and apparatus for carrying out said method

Номер патента: WO2023057315A1. Автор: Matteo Rossi,Guillermo GARCÍA-PÉREZ. Владелец: Algorithmiq Oy. Дата публикации: 2023-04-13.

Method for estimating a value of an observable quantity of a quantum system and apparatus for carrying out said method

Номер патента: EP4163840A1. Автор: Matteo Rossi,Guillermo García Pérez. Владелец: Algorithmiq Oy. Дата публикации: 2023-04-12.

Methods for allocating logical qubits of a quantum algorithm in a quantum processor

Номер патента: US20230274176A1. Автор: Loïc HENRIET,Henrique Guimarães SILVERIO. Владелец: Pasqal. Дата публикации: 2023-08-31.

Detection of noise and eavesdropping attempts on a quantum communication network by probing auxiliary degrees of freedom

Номер патента: US20240296361A1. Автор: Elad Mentovich,Moshe Oron,Yonatan Piasetzky,Tali Septon,Yuval Idan,Eliahu Cohen,Taylor Lee Patti,Avshalom C. ELITZUR. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Quantum sensor network and measuring multiple functions with a quantum sensor network

Номер патента: US20240185109A1. Автор: Alexey Vyacheslavovich Gorshkov,Pradeep NIROULA,Jacob BRINGEWATT,Przemyslaw BIENIAS,Igor BOETTCHER. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2024-06-06.

Methods and apparatus for quantum chemistry calculations on a quantum computer

Номер патента: US20230042040A1. Автор: Juan Miguel ARRAZOLA,Olivia Di MATTEO. Владелец: Xanadu Quantum Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for implementing a quantum measurement

Номер патента: EP4414898A1. Автор: Adam GLOS. Владелец: Algorithmiq Oy. Дата публикации: 2024-08-14.

Translation of a quantum design across multiple applications

Номер патента: US12093782B2. Автор: Jay Michael Gambetta,Zlatko Kristev Minev,Thomas George McConkey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for implementing a quantum measurement

Номер патента: WO2024165482A1. Автор: Adam GLOS. Владелец: Algorithmiq Oy. Дата публикации: 2024-08-15.

Single photon source based on a quantum dot molecule in an optical cavity

Номер патента: US09619754B2. Автор: Daniel Gammon,Samuel Carter,Allan S. Bracker,Patrick Vora. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for estimating a value of an observable quantity of a quantum system and apparatus for carrying out said method

Номер патента: CA3230967A1. Автор: Matteo Rossi,Guillermo GARCÍA-PÉREZ. Владелец: Algorithmiq Oy. Дата публикации: 2023-04-13.

A quantum electronic device

Номер патента: AU2016363118B2. Автор: Mohammad Choucair,Balint NAFRADI. Владелец: UNIVERSITY OF SYDNEY. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of driving a quantum computer to find one or more states of interest of a network

Номер патента: EP4202795A1. Автор: Samuel Mugel,Pablo Martin,Samuel Douglas PALMER,Roman Oscar Orús. Владелец: Multiverse Computing SL. Дата публикации: 2023-06-28.

Testing hardware in a quantum computing system

Номер патента: US11740984B1. Автор: Matthew J. Reagor,Nikolas Anton Tezak,Christopher Butler OSBORN,Alexa Nitzan Staley. Владелец: Rigetti and Co LLC. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for creating and synchronizing a neural link between a quantum computer system and a in vivo neural networks by entanglement with quantum dots via optogenetics

Номер патента: US20240070507A1. Автор: André Augusto CEBALLOS MELO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-29.

A method for determining the positions of trapping sites for particles in a quantum register

Номер патента: EP4432171A1. Автор: Louis-Paul HENRY,Louis VIGNOLI. Владелец: Pasqal. Дата публикации: 2024-09-18.

A method for determining the positions of trapping sites for particles in a quantum register

Номер патента: WO2024189208A1. Автор: Louis-Paul HENRY,Louis VIGNOLI. Владелец: Pasqal. Дата публикации: 2024-09-19.

System for performing a quantum gate and operation of a quantum error correcting code using this quantum gate

Номер патента: EP4428765A1. Автор: Raphaël Lescanne,Jérémie GUILLAUD,Ronan GAUTIER,Alain SARLETTE. Владелец: Alice & Bob. Дата публикации: 2024-09-11.

System for performing a quantum gate and operation of a quantum error correcting code using this quantum gate

Номер патента: WO2024184405A1. Автор: Raphaël Lescanne,Jérémie GUILLAUD,Ronan GAUTIER,Alain SARLETTE. Владелец: Alice & Bob. Дата публикации: 2024-09-12.

Display device comprising a plurality of reflector units located between a quantum dot film and a display panel

Номер патента: US09964804B2. Автор: Yi Zeng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing a quantum dot optical component and backlight unit having the quantum dot optical component

Номер патента: US09651822B2. Автор: Young-Min Kim,Jae-Byung Park,Hak-Sun Kim,Nam-Seok Roh,Mun-Ki SIM,Hae-Il Park,Baek-Hee Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method and device for forming a continuous fibrous tape from a transportable band

Номер патента: RU2653052C2. Автор: Владимир Семенович Николаев,Иван Александрович Прошин,Игорь Александрович Булаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пензенский государственный технологический университет". Дата публикации: 2018-05-04.

System for forming a power-efficient track of an operated vehicle during movement of the operated vehicle along a motorway

Номер патента: RU2764741C1. Автор: Борис Валерьевич Паньков. Владелец: Осаюхинг Омникомм. Дата публикации: 2022-01-20.

Retention suture having a retaining element at the end, and a method for use thereof

Номер патента: RU2728569C2. Автор: СР. Дэвид К. ЛИНД,Роберт А. РУССО,Даррелл Дж. ЛИНД. Владелец: ЭТИКОН ЭлЭлСи. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for forming a two-thread two-line chain stitch and a device for its implementation

Номер патента: RU2756206C1. Автор: Олег Петрович Бутенко,Виктория Анатольевна Зинькова,Ольга Викторовна Костина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова». Дата публикации: 2021-09-28.

Apparatus for forming a power-efficient track of an operated vehicle during movement of the operated vehicle along a motorway

Номер патента: RU2765268C1. Автор: Борис Валерьевич Паньков. Владелец: Осаюхинг Омникомм. Дата публикации: 2022-01-27.

METHOD FOR FORMING A LAYER OF A SINGLE-PHASE OXIDE (Fe,Cr)2O3 WITH A RHOMBOHEDRAL STRUCTURE ON A SUBSTRATE MADE OF STEEL OR A HEAT-RESISTANT ALLOY

Номер патента: RU2769915C1. Автор: Оливье РАККЮР,Жан-Мари ГЕНТЗБИТТЕЛЬ,Оливье СИКАРДИ,Франсис БУРГИНЬОН,Пьер-Жан МАРШЕ. Владелец: Маннесманн Пресизьон Тюб Франс. Дата публикации: 2022-04-08.

Coordinating operation of quantum network nodes in a quantum network

Номер патента: WO2023091019A1. Автор: Matthew Daniel SKRZYPCZYK,Stephanie Dorothea Christine WEHNER. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2023-05-25.

Controlling a quantum computing system using imaginary-time evolution

Номер патента: US20230289639A1. Автор: Yuqin Chen,Shengyu ZHANG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Quantum state measurement logic facilitating a quantum state measurement backend process

Номер патента: WO2022053563A1. Автор: Thomas Alexander,David McKay,Jeffrey RUEDINGER. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of forming a panel using a forming tool having a central vacuum forming portion and an outer press forming portion

Номер патента: SE539836C2. Автор: Rossander Ronnie,Skåre Mikael. Владелец: Safeman Ab. Дата публикации: 2017-12-12.

A quantum electronic device

Номер патента: US20200302328A1. Автор: Mohammad Choucair,Balint NAFRADI. Владелец: UNIVERSITY OF SYDNEY. Дата публикации: 2020-09-24.

Methods and systems for eigenstate preparation of a target hamiltonian on a quantum computer

Номер патента: CA3230980A1. Автор: Pooya Ronagh,Artur SCHERER,Jessica Lemieux. Владелец: 1QB Information Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

System for forming a deep drawn helmet and method therefor

Номер патента: CA3218744A1. Автор: Vlad Lucuta,Thomas Moynihan,Mohamed Latreche,Grzegorz Czeremuszkin,Elaine Violet CRAIGIE,Enrick GAUTHIER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-17.

Synthesis of a quantum circuit

Номер патента: US20210390235A1. Автор: Andrew W. Cross,Dmitri MASLOV,Sergey Bravyi,Shelly-Erika Garion. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Evaluating quantum computing circuits in view of the resource costs of a quantum algorithm

Номер патента: WO2019226385A1. Автор: Krysta M. Svore,Thomas Haener,Martin H. ROETTELER. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2019-11-28.

Display device comprising a dichroic reflection layer having a plurality of recessed portions disposed with a corresponding plurality of quantum dot blocks

Номер патента: US11181778B2. Автор: Sheng-Hung Wang,Han-Min Tsai,Ting-Yi Kuo,Pi-Fei Tsai,Hung-Chih Luan,He-Yuan Yang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2021-11-23.

Methods and systems for eigenstate preparation of a target hamiltonian on a quantum computer

Номер патента: US20240256933A1. Автор: Pooya Ronagh,Artur SCHERER,Jessica Lemieux. Владелец: 1QB Information Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Modular and dynamic digital control in a quantum controller

Номер патента: US20240289670A1. Автор: Yonatan COHEN,Nissim Ofek,Itamar Sivan. Владелец: Quantum Machines Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Evaluating quantum computing circuits in view of the resource costs of a quantum algorithm

Номер патента: US11755682B2. Автор: Krysta M. Svore,Thomas Haener,Martin H. ROETTELER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of performing a quantum computation, apparatus for performing a quantum computation

Номер патента: AU2022443191A1. Автор: Wolfgang Lechner,Michael Fellner,Anette Messinger,Kilian Ender. Владелец: Parity Quantum Computing GmbH. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of performing a quantum computation

Номер патента: WO2021203202A1. Автор: Alexandre Blais,Agustin DI PAOLO,Alexandre CHOQUETTE-POITEVIN. Владелец: SOCPRA Sciences et Genie S.E.C.. Дата публикации: 2021-10-14.

Arrangement and method for forming a multilayered paper or paperboard web

Номер патента: AU2245001A. Автор: Jukka Kinnunen. Владелец: Metso Paper Oy. Дата публикации: 2001-06-25.

Arrangement and method for forming a multilayered paper or paperboard web

Номер патента: WO2001044569A1. Автор: Jukka Kinnunen. Владелец: METSO PAPER, INC.. Дата публикации: 2001-06-21.

Arrangement and method for forming a multilayered paper or paperboard web

Номер патента: EP1266087A1. Автор: Jukka Kinnunen. Владелец: METSO PAPER KARLSTAD AB. Дата публикации: 2002-12-18.

System and method for determining a modal property of a quantum state using two-time correlation measurements

Номер патента: US20240175760A1. Автор: Jean-Etienne TREMBLAY. Владелец: Xanadu Quantum Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

A tool for forming a composite component

Номер патента: EP3288745A1. Автор: Scott Barber. Владелец: Composite Technology and Applications Ltd. Дата публикации: 2018-03-07.

System and method for determining a modal property of a quantum state using two-time correlation measurements

Номер патента: CA3182916A1. Автор: Jean-Etienne TREMBLAY. Владелец: Xanadu Quantum Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-25.

Machine learning for syncing multiple FPGA ports in a quantum system

Номер патента: US12111352B2. Автор: Nissim Ofek,Ori Weber,Avishai Ziv. Владелец: Quantum Machines Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Backlight unit comprising a quantum dot powder having a first quantum dot, a second quantum dot, a first chain molecule, a second chain molecule, and a bead and display device including the same

Номер патента: US20190018283A1. Автор: Woo Sik LEE,Wang Gun YU. Владелец: GL Vision Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Method for estimating a quantum phase

Номер патента: US20200272928A1. Автор: Ewout VAN DEN BERG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Method of forming a press-formed component and a die apparatus for forming a press-formed component

Номер патента: US09968979B2. Автор: Yuki Shimizu. Владелец: FCC Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods for preparing erythromycin fumarate derivative crystalline forms a, c and d, crystalline forms and methods for preparing intermediate compounds

Номер патента: RU2266295C2. Автор: Ютака МИУРА,Ясусиге КАВАСАКИ,Казухиро ОИСИ,Ютака МИУРА (JP),Ясусиге КАВАСАКИ (JP),Казухиро ОИСИ (JP). Владелец: Чугаи Сейяку Кабусики Кайся. Дата публикации: 2005-12-20.

Method for forming a rolled combined grass cover

Номер патента: RU2764735C1. Автор: Алексей Александрович Зайцев. Владелец: Алексей Александрович Зайцев. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for forming a block of ice for subsequent movement thereof

Номер патента: RU2770219C1. Автор: Юрий Васильевич Иванщиков,Юрий Николаевич Доброхотов,Андрей Евгеньевич Макушев,Николай Николаевич Пушкаренко,Людмила Михайловна Корнилова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чувашский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2022-04-14.

Method and device for forming a wrapped container using pressing and converting

Номер патента: RU2721027C1. Автор: Марк Дж. МОРГАН,Майкл С. КАЗМИЕРСКИ,Рональд Дж. УИЛСОН. Владелец: Пейпер Машинери Корпорейшн. Дата публикации: 2020-05-15.

Device for forming a circumferential groove on a pipe

Номер патента: RU2764631C1. Автор: Дуглас Р. ДОУЛ. Владелец: Виктаулик Компани. Дата публикации: 2022-01-19.

Method of forming a gingival cuff in the dental implant area from autogenous tissue of the patient attached on the bone

Номер патента: RU2750275C1. Автор: Сергей Сергеевич ЕДРАНОВ. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Профессорская клиника Едранова". Дата публикации: 2021-06-25.

Method for oncoplastic reduction of the mammary gland without forming a pedicle of the nipple-areolar complex

Номер патента: RU2757751C1. Автор: Юрий Валентинович Пржедецкий,Виктория Вадимовна Позднякова,Виктория Юрьевна Пржедецкая. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр онкологии" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for forming a thermal protective film

Номер патента: RU2662843C1. Автор: Хидео ЯМАСИТА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-07-31.

Gravure printing press, and printing system having a gravure printing press

Номер патента: RU2647231C2. Автор: Фолькмар ШВИТЦКИ,Фолькер ШАРКУС,Алайн ВЮРШ,Бенджамин ЦИРОЛЬД. Владелец: Кениг Унд Бауэр Аг. Дата публикации: 2018-03-14.

Method for forming an open stamped element, in particular for forming a wrapping box of tray with a lid type, and cardboard machine

Номер патента: RU2756945C2. Автор: Маурицио ЧЕЧИ. Владелец: Тайбер Пэк С.П.А.. Дата публикации: 2021-10-07.

Quantum operation control layout for a quantum computation

Номер патента: CA3188032A1. Автор: Wolfgang Lechner. Владелец: Parity Quantum Computing GmbH. Дата публикации: 2022-01-13.

Device and methods for a quantum circuit simulator

Номер патента: EP3903242A1. Автор: Yuriy Alexandrovich ZOTOV,Dmitry Sergeevich KOLMAKOV,Andrei Emilevich KALENDAROV. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Enhanced quantum circuit execution in a quantum service

Номер патента: US11829842B2. Автор: Ali Javadiabhari,Dmitri MASLOV. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Preempting a quantum program in a quantum computing device

Номер патента: US20240045711A1. Автор: Atsuko Shimizu,Ryan Woo,Jessie Yu,Kang Bae,Andrew Wack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Control method for a distributed processing system including a quantum information processor

Номер патента: WO2021165639A1. Автор: Andrew David Patterson. Владелец: Oxford Quantum Circuits Limited. Дата публикации: 2021-08-26.

Method and system for encoding a dataset in a quantum circuit for quantum machine learning

Номер патента: EP4369260A1. Автор: Pavel SEKATSKI,Alexey Melnikov,Mohammad Kordzanganeh,Leonid Fedichkin. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2024-05-15.

Efficient training of a quantum sampler

Номер патента: EP4339847A1. Автор: Vincent Emanuel ELFVING,Sachin Kasture. Владелец: Qu&co R&d BV. Дата публикации: 2024-03-20.

Device and methods for a quantum circuit simulator

Номер патента: WO2020204741A8. Автор: Yuriy Alexandrovich ZOTOV,Dmitry Sergeevich KOLMAKOV,Andrei Emilevich KALENDAROV. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-02-25.

Device and methods for a quantum circuit simulator

Номер патента: WO2020204741A1. Автор: Yuriy Alexandrovich ZOTOV,Dmitry Sergeevich KOLMAKOV,Andrei Emilevich KALENDAROV. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Efficient training of a quantum sampler

Номер патента: WO2024056913A1. Автор: Vincent Emanuel ELFVING,Sachin Kasture. Владелец: Pasqal Netherlands B.V.. Дата публикации: 2024-03-21.

Preempting a quantum program in a quantum computing device

Номер патента: WO2024028152A1. Автор: Atsuko Shimizu,Ryan Woo,Jessie Yu,Kang Bae,Andrew Wack. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2024-02-08.

Optimal calibration of gates in a quantum computing system

Номер патента: EP4272132A2. Автор: Yunseong NAM,Andrii MAKSYMOV,Pradeep NIROULA. Владелец: Ionq Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Method and system of generating a classical model to simulate a quantum computational model via input perturbation to enhance explainability

Номер патента: US20230385682A1. Автор: Shikhar KWATRA,Frederik Frank Flöther,Amol Deshmukh,Vladimir Rastunkov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Method and system for encoding a dataset in a quantum circuit for quantum machine learning

Номер патента: CA3218749A1. Автор: Pavel SEKATSKI,Alexey Melnikov,Mohammad Kordzanganeh,Leonid Fedichkin. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2024-05-10.

Method and system for encoding a dataset in a quantum circuit for quantum machine learning

Номер патента: AU2023258314A1. Автор: SEKATSKI Pavel,Melnikov Alexey,KORDZANGANEH Mohammad,FEDICHKIN Leonid. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2024-06-06.

Selecting a quantum computer

Номер патента: WO2024075110A4. Автор: Shmuel Ur,Yehuda Naveh,Lior Gazit,Amir Naveh,Ofek Kirzner,Eyal Cornfeld,Ravid Alon,Adam Goldfeld. Владелец: Classiq Technologies LTD.. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for forming a foamed product integral with a sheet of covering material

Номер патента: US7323126B2. Автор: Yasushi Asano,Takahito Yabe. Владелец: TS Tech Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-29.

Glass forming apparatus and methods of forming a glass ribbon

Номер патента: EP3074352A1. Автор: Cameron Wayne Tanner,Thomas Dale Ketcham,Hilary Tony Godard,Scott Michael Jarvis,James Robert Rustad. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2016-10-05.

A slip form system and a method of continuously forming a building structure

Номер патента: US20230392395A1. Автор: Michael KAPFER,Mike SCHOCK. Владелец: Fastform Corp Pty Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Spring forming device, method for forming a helical spring and corresponding computer program

Номер патента: EP3021996A1. Автор: Paolo BOSCHIERO. Владелец: Simplex Rapid Srl. Дата публикации: 2016-05-25.

Process of metal plate press-formation with a fine line pattern and method of forming a fine line pattern on a molding die

Номер патента: US20110262765A1. Автор: Shih-Pu Yu,Jui-Hung Yang. Владелец: Ichia Technologies Inc. Дата публикации: 2011-10-27.

Device for dry forming a web of fibers

Номер патента: EP1554430A1. Автор: Alessandro Celli. Владелец: A Celli Nonwovens SpA. Дата публикации: 2005-07-20.

"A method and tool for forming a hinge leaf"

Номер патента: IE910071A1. Автор: Michael John Mcdonagh. Владелец: Rosspark Ltd. Дата публикации: 1992-07-15.

A method and tool for forming a hinge leaf

Номер патента: IE66034B1. Автор: Michael John Mcdonagh. Владелец: Rosspark Ltd. Дата публикации: 1995-11-29.

A process for forming a moulded pulp fibre product

Номер патента: WO2024077344A1. Автор: Stuart Gordon,Mark Appleford,Rico TABOR,Liam Methven,Dion SANTOSO. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Evaluating quantum computing circuits in view of the resource costs of a quantum algorithm

Номер патента: US20240119108A1. Автор: Krysta M. Svore,Thomas Haener,Martin H. ROETTELER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Device for Forming a Bone Bed for Dental Implants

Номер патента: US20100047738A1. Автор: Elena E. Lomonova,Lev V. Chilikin,Mikhail A. Borik,Vladimir P. Voitsitskiy,Maria A. Vishniakova,Viacheslav V. Osiko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-25.

Forming a curvature into a charge

Номер патента: US20230286229A1. Автор: Nayeem Tawqir Chowdhury. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-09-14.

Exhaust gas turbocharger having a hydrodynamic plain bearing or a hydrodynamic plain bearing

Номер патента: US12065940B2. Автор: Martin Berger,Steffen Schmitt,Rüdiger Kleinschmidt,Frieder Stetter,Oliver Kuhne. Владелец: BMTS Technology GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-20.

Machine learning for syncing multiple fpga ports in a quantum system

Номер патента: EP4220204A1. Автор: Nissim Ofek,Ori Weber,Avishai ZVI. Владелец: Quantum Machines Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Method of forming a panel

Номер патента: SE1551089A1. Автор: Rossander Ronnie,Skåre Mikael. Владелец: Safeman Ab. Дата публикации: 2017-02-22.

Methods and systems for eigenstate preparation of a target hamiltonian on a quantum computer

Номер патента: EP4409476A1. Автор: Pooya Ronagh,Artur SCHERER,Jessica Lemieux. Владелец: 1QB Information Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Method of forming a flat glass into a glass component and forming tool for use in the method

Номер патента: US20220411312A1. Автор: Christian Franz,Thomas Höing,Julia Wallner,Damien Czwalinna. Владелец: FLABEG Automotive Germany GmbH. Дата публикации: 2022-12-29.

Evaluating quantum computing circuits in view of the resource costs of a quantum algorithm

Номер патента: EP3803718A1. Автор: Krysta M. Svore,Thomas Haener,Martin H. ROETTELER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-04-14.

Solving quadratic optimization problems over orthogonal groups using a quantum computer

Номер патента: US20240296367A1. Автор: Nicholas Charles Rubin,Andrew Zhao. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for forming a bond between two substrates of a device; device obtainable by the method; a microfluidic device; and use of the device

Номер патента: WO2022207392A1. Автор: Jurriaan Hüskens,Daniele DI IORIO,Maciej Damian SKOLIMOWSKI,Brigitte Bibiche BRUIJNS. Владелец: Micronit Holding B.V.. Дата публикации: 2022-10-06.

Microchannel forming method and nanotipped dispensing device having a microchannel

Номер патента: US20110036809A1. Автор: Nicolaie A. Moldovan,Horacio D. Espinosa. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2011-02-17.

Machine for forming a container from a blank

Номер патента: US20240293990A1. Автор: Thomas Dean Graham,Amer Aganovic,Claudio D'alesio. Владелец: WestRock Shared Services LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

Quantum state measurement logic facilitating a quantum state measurement backend process

Номер патента: US12106178B2. Автор: David C. Mckay,Jeffrey Joseph Ruedinger,Thomas Arab Alexander. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods for foam-forming a multi-layer absorbent substrate and such absorbent substrates

Номер патента: AU2023225701A1. Автор: Jian Qin,Francis Abuto,Stephen M. LINDSAY,Greg DEGRAVE,Stephen A. Marrano. Владелец: Kimberly Clark Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

A packaging apparatus for forming a plurality of sealed packages filled with a pourable product

Номер патента: WO2024217950A1. Автор: Filippo Ferrarini,Mattia MONARI. Владелец: TETRA LAVAL HOLDINGS & FINANCE S.A.. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for forming a hydraulic transfer film, hydraulic transfer film, and patterned article

Номер патента: US09989919B2. Автор: Mao-Feng Hsu,Chao-Chein Huang,Han-Cheng Wu-Lu. Владелец: Daigin Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Forming process for hot forming a steel sheet of a rotor blade to be produced for a wind energy plant

Номер патента: US09925626B2. Автор: Burkhard Voigt,Roy Kersten,Oliver Labs. Владелец: Wobben Properties GMBH. Дата публикации: 2018-03-27.

Image forming apparatus having a groove forming part to form a groove on a base member

Номер патента: US09892349B2. Автор: Kunihiko Sato,Kosuke Yamada. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Single sheet template for folding to form a wallet, a wallet, and a method of making a wallet from a single sheet template

Номер патента: US09750319B2. Автор: Michael Mueller-Heumann. Владелец: FOLDAGE Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for integrally forming a sole with hobnails

Номер патента: US09750299B2. Автор: Teng-Jen Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-05.

Image forming apparatus and image forming method for forming a transparent toner image and a color image

Номер патента: US09746802B2. Автор: Yuichi Yokoyama. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Process of forming a metal part from a metal powder using a laser to melt the metal powder over a support surface that can be easily removed after the metal part has been formed

Номер патента: US09643281B1. Автор: Robert L Memmen,Alex Pinera. Владелец: Florida Turbine Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

MEMS device having a getter structure and method of forming the same

Номер патента: US09637375B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Chin-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for forming a distal anastomosis in reconstruction of right ventricular exit sites by extracardyal conduit in children with congenital heart diseases accompanied by oral stenosis of the right or left pulmonary artery

Номер патента: RU2647226C1. Автор: Константин Валентинович Шаталов,Константине Малхазович Джиджихия,Рустам Рафикович Ахтямов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр сердечно-сосудистой хирургии имени А.Н. Бакулева" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ ССХ им. А.Н. Бакулева" Минздрава России). Дата публикации: 2018-03-14.

Method of forming a control signal of a steering drive of an uncleaned aircraft and a device for its implementation

Номер патента: RU2681823C1. Автор: Андрей Борисович Петров,Анатолий Сергеевич Сыров,Александр Михайлович Пучков,Дмитрий Григорьевич Тацюк,Артем Владимирович Хлопкин,Надежда Николаевна Кедрова,Валерия Львовна Сухова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское опытно-конструкторское бюро "Марс" (ФГУП МОКБ "Марс"). Дата публикации: 2019-03-12.

Method of forming a digital signal of angular stabilization of a non-stationary object of control and a device for its implementation

Номер патента: RU2653409C1. Автор: Алексей Сергеевич Соловьев,Сергей Валентинович Кравчук,Анатолий Сергеевич Сыров,Александр Михайлович Пучков,Юрий Александрович Чернышов,Надежда Павловна Жданович. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское опытно-конструкторское бюро "Марс" (ФГУП МОКБ "Марс"). Дата публикации: 2018-05-08.

Method of forming a coating on stamped steels

Номер патента: RU2746518C1. Автор: Александр Александрович Фомин,Владимир Александрович Кошуро,Максим Евгеньевич Федосеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2021-04-14.

Method for forming a subpectoral pocket during breast reconstruction after mastectomy

Номер патента: RU2762205C1. Автор: Иван Александрович Виноградов,Игорь Александрович Чиж,Антон Валентинович Телишевский,Вера Витальевна Коларькова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Первый Санкт-Петербургский государственный медицинский университет имени академика И.П. Павлова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-12-16.

Method of forming a competence model

Номер патента: RU2701993C1. Автор: Михаил Валерьевич Митрофанов,Юрий Иванович Стародубцев,Ольга Владимировна Ильина,Евгения Александровна Алисевич,Малика Абдимуратовна Давлятова. Владелец: Михаил Валерьевич Митрофанов. Дата публикации: 2019-10-02.

Selecting a quantum computer

Номер патента: WO2024075108A1. Автор: Shmuel Ur,Amir Naveh,Nir Minerbi,Ofek Kirzner,Eyal Cornfeld. Владелец: Classiq Technologies LTD.. Дата публикации: 2024-04-11.

Differentiable generative modelling using a hybrid computer including a quantum processor

Номер патента: EP4224378A1. Автор: Oleksandr KYRIIENKO,Vincent ELFVING. Владелец: Qu&co R&d BV. Дата публикации: 2023-08-09.

Efficient execution of a quantum program

Номер патента: WO2022269590A1. Автор: Shmuel Ur,Yehuda Naveh,Amir Naveh,Jonatan ZIMMERMANN. Владелец: Classiq Technologies LTD.. Дата публикации: 2022-12-29.

Efficient execution of a quantum program

Номер патента: US20220405626A1. Автор: Shmuel Ur,Yehuda Naveh,Amir Naveh,Jonatan ZIMMERMANN. Владелец: Classiq Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Streaming execution for a quantum processing system

Номер патента: US11829753B1. Автор: Robert Stanley Smith. Владелец: Rigetti and Co LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Optimizing execution of quantum service definition files using a quantum optimization database

Номер патента: US20230325703A1. Автор: Stephen Coady,Leigh Griffin. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Quantum simulator network for simulating a quantum service

Номер патента: US20240020561A1. Автор: Stephen Coady,Leigh Griffin. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Efficient execution of a quantum program

Номер патента: US11687821B2. Автор: Shmuel Ur,Yehuda Naveh,Amir Naveh,Jonatan ZIMMERMANN. Владелец: Classiq Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Method and system for encoding a dataset in a quantum circuit for quantum machine learning

Номер патента: US20240160986A1. Автор: Pavel SEKATSKI,Alexey Melnikov,Mohammad Kordzanganeh,Leonid Fedichkin. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods and arrangements for coupling a quantum mechanical system to a quantum mechanical environment

Номер патента: WO2024069041A1. Автор: Mikko MÖTTÖNEN,Akseli MÄKINEN. Владелец: IQM Finland Oy. Дата публикации: 2024-04-04.

A Quantum Dot Ink, a Color Filter Film, a Display Device and a Color Filter Film Preparation Method

Номер патента: US20230374324A1. Автор: Bo Ma,Yunjun Wang. Владелец: Suzhou Xingshuo Nanotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods and systems for improving an estimation of a property of a quantum state

Номер патента: WO2021243454A1. Автор: Pooya Ronagh,Bohdan Kulchytskyy,Florian HOPFMUELLER,Elizabeth Roberts BENNEWITZ,Juan Felipe Carrasquilla Alvarez. Владелец: 1QB INFORMATION TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2021-12-09.

Method for generating a quantum computing program and apparatus for implementing the same

Номер патента: EP4343640A1. Автор: Simon Martiel,Maxime OLIVA. Владелец: Bull SA. Дата публикации: 2024-03-27.

Selecting a quantum computer

Номер патента: WO2024075110A1. Автор: Shmuel Ur,Yehuda Naveh,Lior Gazit,Amir Naveh,Ofek Kirzner,Eyal Cornfeld,Ravid Alon,Adam Goldfeld. Владелец: Classiq Technologies LTD.. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for cancelling a quantum noise

Номер патента: US20240062093A1. Автор: XIN Wang,Xuanqiang ZHAO,Chenghong ZHU. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Compilation of a quantum program

Номер патента: US11983600B2. Автор: Ji Liu,Ali Javadiabhari,Luciano BELLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Selecting a Quantum Computer

Номер патента: US20230032530A1. Автор: Shmuel Ur,Yehuda Naveh,Lior Gazit,Amir Naveh,Ofek Kirzner,Eyal Cornfeld,Ravid Alon,Adam Goldfeld. Владелец: Classiq Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Apparatus and method for probabilistic error correction of a quantum computing system

Номер патента: EP3716161A1. Автор: Justin Hogaboam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-30.

Apparatus and method for recompilation of quantum circuits to compensate for drift in a quantum computer

Номер патента: US20190042969A1. Автор: Justin Hogaboam,Adam Holmes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Generating a global snapshot of a quantum computing device

Номер патента: US12001920B2. Автор: Stephen Coady,Leigh Griffin. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Optimizing a quantum request

Номер патента: US20230244972A1. Автор: Stephen Coady,Leigh Griffin. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Apparatuses, computer-implemented methods, and computer program products for qubit reuse in a quantum computing environment

Номер патента: US20230409941A1. Автор: Megan KOHAGEN,Michael Feig,Matthew DeCross,Eli Chertkov. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2023-12-21.

Generating quantum computing circuits by distributing approximation errors in a quantum algorithm

Номер патента: EP3803716A1. Автор: Krysta M. Svore,Vadym Kliuchnikov,Thomas Haener,Martin H. ROETTELER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-04-14.

Methods and systems for improving an estimation of a property of a quantum state

Номер патента: EP4162414A1. Автор: Pooya Ronagh,Bohdan Kulchytskyy,Florian HOPFMUELLER,Elizabeth Roberts BENNEWITZ,Juan Felipe Carrasquilla Alvarez. Владелец: 1QB Information Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-12.

Mitigating errors in measurements from a quantum system by defining regions of trust

Номер патента: US20240202567A1. Автор: Lev Samuel BISHOP,Helena Zhang,Petar Jurcevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Mitigating errors in measurements from a quantum system by defining regions of trust

Номер патента: US12020122B1. Автор: Lev Samuel BISHOP,Helena Zhang,Petar Jurcevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Apparatuses, computer-implemented methods, and computer program products for qubit reuse in a quantum computing environment

Номер патента: WO2023211500A2. Автор: Megan KOHAGEN,Michael Feig,Matthew DeCross,Eli Chertkov. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for simulating a real spin system, more particularly a noisy spin system, by means of a quantum computer

Номер патента: CA3162977A1. Автор: Michael Marthaler,Sebastian Zanker,Keith Fratus. Владелец: HQS Quantum Simulations GmbH. Дата публикации: 2021-12-09.

Visually depicting a topology of a quantum device that conveys quantum operational characteristics

Номер патента: US20240177036A1. Автор: Stefan A. G. Van Der Stockt,Joel Russell Huffman,Francis Harkins,Grace Lindsell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of forming a wind turbine foundation

Номер патента: US12018448B2. Автор: Hugo Miguel DUARTE TRIGO,Azadeh ATTARI. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for forming a facial pad

Номер патента: US20190335881A1. Автор: Susumu Omoto. Владелец: Nichiei Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Method of forming a multilayer coating film

Номер патента: WO2017162475A9. Автор: Toru Kurashina,Kazuhiko SHINMURA. Владелец: BASF COATINGS GMBH. Дата публикации: 2019-10-17.

Wire pad design of a connection pad in a prelam body of a smart card, prelam body, smart card, method of forming a wire pad design, and method of forming a smart card

Номер патента: EP4392895A1. Автор: Carsten Nieland,Fycommee AKKADECH. Владелец: Linxens Holding SAS. Дата публикации: 2024-07-03.

Curb wall forming apparatus and method of forming a curb wall

Номер патента: US20170107714A1. Автор: Robert U. CONNELL. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2017-04-20.

Curb wall forming apparatus and method of forming a curb wall

Номер патента: US20180148927A1. Автор: Robert U. CONNELL. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2018-05-31.

Apparatus for forming a gutter cap and gutter cap assembly

Номер патента: WO2006091884A2. Автор: Matthew S. Damron,Jeffrey Van Cleave,Eugene G. Eichhorn,Joseph W. Pawlow. Владелец: VAN MARK PRODUCTS CORPORATION. Дата публикации: 2006-08-31.

Method for forming a reference list of marks, database and method for forming said database

Номер патента: US8271511B2. Автор: Vladimir Nickolaevich Bichigov,Pavel Anatolievich Zaytsev,Alexandr Vladimirovich Moksin,Ivan Borisovich Shapshal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-18.

Forming unit and method for forming a container and packing apparatus with such a forming unit

Номер патента: US12023888B2. Автор: Antonio Vitali,Salvatore Carboni. Владелец: GD SpA. Дата публикации: 2024-07-02.

System and method for flexibly forming a casting mold for manufacturing a casting model

Номер патента: CA3144189A1. Автор: Edwin Meindl,Karl Wagner,Christian Falch. Владелец: Cubes GmbH. Дата публикации: 2021-01-21.

Solventless method for forming a coating on a medical electrical lead body

Номер патента: EP2473211A1. Автор: James Q. Feng,Larry L. Hum,Tolga Tas,Arienne P. Simon. Владелец: Cardiac Pacemakers Inc. Дата публикации: 2012-07-11.

Systems, methods, and apparatus for calibrating, controlling, and operating a quantum processor

Номер патента: WO2009143166A3. Автор: Mohammad Amin,Andrew J. Berkley,Richard G. Harris. Владелец: D-WAVE SYSTEMS INC.. Дата публикации: 2010-03-04.

Method of forming a torsional vibration damping disk

Номер патента: US20090107793A1. Автор: Timothy Simon. Владелец: LuK Lamellen und Kupplungsbau Beteiligungs KG. Дата публикации: 2009-04-30.

Device and method for forming a strip of dough into a hollow dough product wound into an overlapping helix

Номер патента: EP1484978A1. Автор: Henrikus Petrus Maria Clerx,Marinus Franciscus Leonardus Bekkers. Владелец: Pruve BV. Дата публикации: 2004-12-15.

Device and method for forming a strip of dough into a hollow dough product wound into an overlapping helix

Номер патента: AU2003221165A1. Автор: Henrikus Petrus Maria Clerx,Marinus Franciscus Leonardus Bekkers. Владелец: Pruve BV. Дата публикации: 2003-09-29.

Method and unit for forming a tobacco bead

Номер патента: US20040020499A1. Автор: Fulvio Boldrini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Apparatus and method for forming a hermetic package for creamy products

Номер патента: WO2021161156A1. Автор: Giuseppe BORTOLAZZI. Владелец: I.M.A. INDUSTRIA MACCHINE AUTOMATICHE S.P.A.. Дата публикации: 2021-08-19.

A method for generating a data package to be computed by a quantum computer, computer program product, computer-readable storage medium as well as electronic computing device

Номер патента: EP4379614A1. Автор: Sheir Yarkoni,Dr. Gabriele Compostella,Michele Cattelan. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2024-06-05.

Apparatus for use in forming a finish on a jewelry band

Номер патента: US4103882A. Автор: Abraham Winzelberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-08-01.

Image forming apparatus that forms a test pattern and carries out correction

Номер патента: US20140233968A1. Автор: Kenji Suzuki,Kenichi Hirota,So Matsumoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-08-21.

Accelerated molecular dynamics simulation method on a quantum-classical hybrid computing system

Номер патента: EP4360011A1. Автор: Yunseong NAM,Pradeep NIROULA. Владелец: Ionq Inc. Дата публикации: 2024-05-01.

Apparatus and method for forming a wave form for a stent from a wire

Номер патента: EP2736662A1. Автор: Dustin Thompson,Paul Coates,Larry Childs,Michael Costa,Rui Lam,Lance Ensign,Justin ECKHARDT,Jerry Warmerdam,Charlie DAWSON,Bob BOLDIG. Владелец: Medtronic Vascular Inc. Дата публикации: 2014-06-04.

Apparatus for forming a gutter cap and gutter cap assembly

Номер патента: EP1851399A2. Автор: Matthew S. Damron,Jeffrey Van Cleave,Eugene G. Eichhorn,Joseph W. Pawlow. Владелец: Van Mark Products Corp. Дата публикации: 2007-11-07.

Apparatus for forming a collar of a double packet and packaging line for forming a double packet

Номер патента: EP3759024A1. Автор: Fiorenzo Draghetti. Владелец: IMA Industria Macchine Automatiche SpA. Дата публикации: 2021-01-06.

Method for producing a mechanical vibrator comprising epitaxially growing a cubic crystal on a material layer to form a laminate structure which is patterned to form a vibrator shape part

Номер патента: US12049711B2. Автор: Koji Onomitsu,Kazuyuki Hirama. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for forming a reference list of marks, database and method for forming said database

Номер патента: WO2010050846A2. Автор: Vladimir Nickolaevich Bichigov,Pavel Anatolievich Zaytsev,Alexandr Vladimirovich Moksin,Ivan Borisovich Shapshal. Владелец: Ivan Borisovich Shapshal. Дата публикации: 2010-05-06.

A method of forming a liquid hydrocarbon product

Номер патента: WO2024100374A1. Автор: Simon Hill,Robert Miles BAKER. Владелец: Johnson Matthey Davy Technologies Limited. Дата публикации: 2024-05-16.

Structure of a plastic container having a flange, mould thereof and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110240661A1. Автор: Frank Ko. Владелец: Suzhou Kefu Gift Ind Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Process of forming a cadmium and selenium containing nanocrystalline composite and nanocrstalline composite obtained therefrom

Номер патента: EP2178790A1. Автор: Wolfgang Knoll,Mingyong Han,Yun Zong. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2010-04-28.

Method for forming a foamed product integral with a sheet of covering material

Номер патента: US20050206027A1. Автор: Yasushi Asano,Takahito Yabe. Владелец: TS Tech Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-22.

Apparatuses, computer-implemented methods, and computer program products for improved global qubit positioning in a quantum computing environment

Номер патента: US20220414507A1. Автор: David Hayes,Alexander Chernoguzov,Stephen James RAGOLE,Megan Lynn KOHAGEN,Ian Mark HOFFMAN. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2022-12-29.

Methods of forming a metal coated article

Номер патента: US11746434B2. Автор: Prabhat K. TRIPATHY. Владелец: Battelle Energy Alliance Llc. Дата публикации: 2023-09-05.

Apparatus for forming a gutter cap and gutter cap assembly

Номер патента: CA2598976A1. Автор: Matthew S. Damron,Jeffrey Van Cleave,Eugene G. Eichhorn,Joseph W. Pawlow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-31.

Manipulator device having a triangular architecture and installation for manufacturing tires using such a manipulator device for placing strips

Номер патента: US12036757B2. Автор: Frédéric Pialot,Christophe Bessac,Alain Sevaille. Владелец: Compagnie Generale des Etablissements Michelin SCA. Дата публикации: 2024-07-16.

Stamper, method of forming a concave/convex pattern, and method of manufacturing an information recording medium

Номер патента: US7829267B2. Автор: Minoru Fujita,Mikiharu Hibi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-11-09.

Image forming apparatus and image forming system having a controller that controls a rubbing treatment for a fixing roller of a replaceable fixing portion

Номер патента: US20180321634A1. Автор: Satoru Yamamoto,Nobuhiro Kikuchi,Toshiyuki Miyake,Akinobu Nishikata,Koji Yumoto,Katsuya Nakama,Riki Fukuhara,Akihiro Kawakita,Yasuharu Chiyoda,Masahiro Tsujibayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Apparatus and method for forming a hermetic package for creamy products

Номер патента: EP4103476A1. Автор: Giuseppe BORTOLAZZI. Владелец: IMA Industria Macchine Automatiche SpA. Дата публикации: 2022-12-21.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: WO2008155550A3. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: WO2008155550A2. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Limited. Дата публикации: 2008-12-24.

Method for forming a sheet blank as a workpiece in a forming tool

Номер патента: US12064800B2. Автор: Peter Amborn. Владелец: Hodforming GmbH. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of forming a nozzle and an ink chamber of an ink jet device by etching a single-crystal substrate

Номер патента: US20110132872A1. Автор: Gerardus Johannes Burger,Henricus Johannes Adrianus Van De Sande,Willem Maurits HIJMANS,Dionysius Antionius Petrus OUDEJANS. Владелец: Oce Technologies BV. Дата публикации: 2011-06-09.

Method and apparatus for forming a package box

Номер патента: WO2017109293A1. Автор: Jouni Suokas. Владелец: OY JOPAMAC AB. Дата публикации: 2017-06-29.

Method of forming a concrete panel

Номер патента: US12060710B2. Автор: Jeff VanHoose,Don Atkins. Владелец: Envirocast LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Method and apparatus for forming a polymeric container system for pressurized fluids

Номер патента: WO2002036333A1. Автор: John I. Izuchukwu,Stan A. Sanders. Владелец: Mallinckrodt Inc.. Дата публикации: 2002-05-10.

Apparatus and method for forming a wave form for a stent from a wire

Номер патента: WO2013015886A1. Автор: Dustin Thompson,Paul Coates,Larry Childs,Michael Costa,Rui Lam,Lance Ensign,Justin ECKHARDT,Jerry Warmerdam,Charlie DAWSON,Bob BOLDIG. Владелец: Medtronic Vascular Inc.. Дата публикации: 2013-01-31.

Roll forming machine with reciprocating dies and method of forming a pattern on a cylindrical blank

Номер патента: EP2976170A2. Автор: Daniel A. DeChant,Kenneth R. Levey,Thomas S. King,Michael J. MARCHESE III. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2016-01-27.

Method for forming a moulding and moulding

Номер патента: US11590546B2. Автор: Johann Willdonner. Владелец: NEUMAN ALUMINIUM FLIESSPRESSWERK GmbH. Дата публикации: 2023-02-28.

Method of forming a three-dimensional conductive knit patch

Номер патента: WO2018161152A1. Автор: Gabriel Stefan,Tony CHAHINE. Владелец: MYANT INC.. Дата публикации: 2018-09-13.

Device and method for forming a mat

Номер патента: WO2003022541A1. Автор: Goran Lundgren,Sven-Ingvar Thorbjörnsson,Lena BÄCKMAN. Владелец: METSO PAPER, INC.. Дата публикации: 2003-03-20.

A quantum circuit based system configured to model physical or chemical systems

Номер патента: WO2020095051A3. Автор: Andrew Green,Vid STOJEVIC,Matthias BAL. Владелец: Gtn Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Apparatus for providing control signals for controlling a quantum computer

Номер патента: WO2024153578A1. Автор: Nicolas Vogt,Michael Kuehn,Thomas ECKL,Michael Marthaler,Jan-Michael Reiner,Sebastian Zanker,Benedikt Matthias SCHOENAUER,Peter SCHMITTECKERT. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for Pre-forming a Curved Thermoplastic Laminate and Pre-formed Thermoplastic Laminate

Номер патента: US20240286339A1. Автор: Bartholomeus Leonardus Marinus Borcherd Driehuis. Владелец: Autoglas D & K BV. Дата публикации: 2024-08-29.

Business form with wristband having a multi-ply image area

Номер патента: WO2013032722A1. Автор: Mark Greer,Sanjay K. Jain. Владелец: Laser Band, LLC. Дата публикации: 2013-03-07.

Method of manufacturing a tape tab having a rounded user's end

Номер патента: AU1742195A. Автор: Christoph Johann Schmitz,Wilfried Horst Fenske. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1995-08-21.

Method of forming a phase shift mask

Номер патента: US20030194614A1. Автор: Hsin-Di Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-16.

Method for forming a transparent electrode film

Номер патента: US20050040135A1. Автор: Takuya Miyakawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Forming Die for Forming a Head on a Rope

Номер патента: US20080311238A1. Автор: Dao-Long Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-18.

Method for forming a film on a constituent part in a compressor

Номер патента: US20010017078A1. Автор: Hiroaki Kayukawa,Manabu Sugiura,Kazuaki Iwama,Shigeki Kawachi,Naohiko Isomura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: EP2158562A2. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Ltd. Дата публикации: 2010-03-03.

Method of forming a clevis link

Номер патента: US5533328A. Автор: Mark Zmyslowski,Erik W. Larson. Владелец: Radar Ind Inc. Дата публикации: 1996-07-09.

Method of forming a nozzle and an ink chamber of an ink jet device by etching a single-crystal substrate

Номер патента: EP2300235A1. Автор: Gerardus Johannes Burger,Henricus Johannes Adrianus Van De Sande,Willem Maurits HIJMANS,Dionysius Antionius Petrus OUDEJANS. Владелец: Oce Technologies BV. Дата публикации: 2011-03-30.

Tanning process for forming a photographic relief image

Номер патента: US3664836A. Автор: Laura K Case. Владелец: Itek Corp. Дата публикации: 1972-05-23.

Methods of forming a structure, and related tools for additively manufacturing the structure

Номер патента: CA3239642A1. Автор: Eric G. Barnes,Benjamin W. Garcia. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Forming die for forming a head on a rope

Номер патента: US7766639B2. Автор: Dao-Long Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-03.

Method and apparatus for forming a composite fabric

Номер патента: WO1997010101A1. Автор: Douglas Brian Mann,Andrew Bencich Woodside,Margaret Mary Woodside. Владелец: Owens Corning. Дата публикации: 1997-03-20.

An apparatus for forming a terrain feature

Номер патента: EP2318594A1. Автор: John Featherstone Melville. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-11.

Forming A Non-Planar Transistor Having A Quantum Well Channel

Номер патента: US20120211726A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-23.

Fluid-Permeable Body Having a Superhydrophobic Surface

Номер патента: US20120000848A1. Автор: MULLINS John,Lyons Alan M.,Schabel Michael J.. Владелец: LUCENT TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Scanned Beam Display Having a Redirected Exit Cone

Номер патента: US20120001834A1. Автор: . Владелец: MICROVISION, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming a non-planar transistor

Номер патента: TW201318075A. Автор: Ying-Tsung Chen,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-05-01.

Methods of Forming a Non-Planar Cap Layer Above Conductive Lines on a Semiconductor Device

Номер патента: US20130043589A1. Автор: RYAN Errol Todd,Kim Ryoung-Han. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-02-21.

METHOD FOR PROCESSING A SUBSTRATE HAVING A NON-PLANAR SUBSTRATE SURFACE

Номер патента: US20120295430A1. Автор: . Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-11-22.

DOPING A NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140054679A1. Автор: YEN Tzu-Shih,TANG Daniel. Владелец: ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-02-27.

ELECTROHYDRODYNAMIC AIRFLOW ACROSS A HEAT SINK USING A NON-PLANAR ION EMITTER ARRAY

Номер патента: US20120048529A1. Автор: June Michael S.,Ni Chunjian,STEINKE Mark E.,Royer Dana S.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-01.

PROCESS FOR MANUFACTURING A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CHARGE-BALANCE COLUMNAR STRUCTURES ON A NON-PLANAR SURFACE, AND CORRESPONDING POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120187479A1. Автор: Frisina Ferruccio,Saggio Mario Giuseppe,Guarnera Alfio. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-07-26.

PROCESS FOR MANUFACTURING A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CHARGE-BALANCE COLUMNAR STRUCTURES ON A NON-PLANAR SURFACE, AND CORRESPONDING POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120187480A1. Автор: Frisina Ferruccio,Saggio Mario Giuseppe,Guarnera Alfio. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-07-26.

PILLAR STRUCTURE HAVING A NON-PLANAR SURFACE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130056869A1. Автор: Chen Chen-Shien,Hsiao Ching-Wen,Kuo Tin-Hao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-03-07.

PLASMA DOPING A NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140097487A1. Автор: YEN Tzu-Shih,TANG Daniel,CHENG Tsungnan. Владелец: ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

A method for producing a non-planar single particle film, a method for producing a fine structure using the single particle film etching mask, and a fine structure obtained by the production method.

Номер патента: JP5380803B2. Автор: 啓 篠塚. Владелец: Oji Paper Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-08.

METHODS AND APPARATUS TO REDUCE LAYOUT BASED STRAIN VARIATIONS IN NON-PLANAR TRANSISTOR STRUCTURES

Номер патента: US20120305990A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

Non-planar transistors and methods of fabrication thereof

Номер патента: CN101877317B. Автор: 董志航,林经祥,孙诗平,张正宏. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-27.

Fabrication and operation of quantum processing circuits in a quantum computing system

Номер патента: WO2024228724A2. Автор: GANESH Ramachandran,Valentin Kosenko,Andrew Joseph Bestwick,Hilal CANSIZOGLU,Kameshwar K. YADAVALLI. Владелец: Rigetti & Co, Llc. Дата публикации: 2024-11-07.

BIPOLAR TRANSISTOR HAVING SELF-ADJUSTED EMITTER CONTACT

Номер патента: US20120001192A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Optical reading of quantum well device

Номер патента: CA1278881C. Автор: Daniel Simon Chemla,David Andrew Barclay Miller,Israel Bar-Joseph,Tao-Yuan Chang. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1991-01-08.

Method of Making a Combustion Turbine Component Having a Plurality of Surface Cooling Features and Associated Components

Номер патента: US20120000072A9. Автор: James Allister W.,Morrison Jay A.,Merrill Gary B.,Fraser Iain A.,Paulus John R.,Lane Jay E.,Appleby Mike P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING A PHOTOVOLTAIC CELL AND A PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: US20120000529A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY DEVICE COMPRISING MULTIFUNCTION GLASS, PRODUCTION METHOD, AND OPTICAL ELEMENT HAVING A FRESNEL STRUCTURE

Номер патента: US20120002295A1. Автор: . Владелец: CARL ZEISS AG. Дата публикации: 2012-01-05.

ANODE-SUPPORTED SOLID OXIDE FUEL CELL COMPRISING A NANOPOROUS LAYER HAVING A PORE GRADIENT STRUCTURE, AND A PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120003565A1. Автор: Lee Jong Ho,KIM Jong Cheol,LEE Hae-Weon,SON Ji-Won,KIM Hae-Ryoung,Noh Ho-Sung. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

SPUTTERING TARGETS INCLUDING EXCESS CADMIUM FOR FORMING A CADMIUM STANNATE LAYER

Номер патента: US20120000776A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRESSURE-COOKING UTENSIL HAVING A DUAL-PURPOSE LOCKING/UNLOCKING CONTROL MEMBER

Номер патента: US20120000909A1. Автор: Chameroy Eric,Roussard Philippe. Владелец: SEB S.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER LEVEL PACKAGE HAVING A PRESSURE SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Chen Chien-An,Huang Chun-An,Chiu Shih-Kuang,Liao Hsin-Yi,Chang Hong-Da. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHYSICAL QUANTITY DISTRIBUTION DETECTOR HAVING A PLURALITY OF UNIT COMPONENTS WITH SENSITIVITY TO A PHYSICAL QUANTITY CHANGE OF LIGHT

Номер патента: US20120002088A1. Автор: FUKUSHIMA Noriyuki. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MOCVD REACTOR HAVING A CEILING PANEL COUPLED LOCALLY DIFFERENTLY TO A HEAT DISSIPATION MEMBER

Номер патента: US20120003389A1. Автор: Brien Daniel,Püsche Roland,Franken Walter. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WIPES HAVING A NON-HOMOGENEOUS STRUCTURE

Номер патента: US20120003432A1. Автор: . Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETORESTRICTIVE POSITION SENSOR ACCORDING TO THE PROPAGATION TIME PRINCIPLE HAVING A MAGNETORESTRICTIVE DETECTOR UNIT FOR MECHANICAL-ELASTIC DENSITY WAVES

Номер патента: US20120001622A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Recording Media Having a Nanocomposite Protection Layer and Method of Making Same

Номер патента: US20120003399A1. Автор: Li Lei,Kiely James Dillon,Jones Paul Max,Hsia Yiao-Tee,Johns Earl Chrzaszcz. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

WIPES HAVING A NON-HOMOGENEOUS STRUCTURE

Номер патента: US20120003447A1. Автор: Mueller Joerg,"ODonnell Hugh Joseph",Gonzalez-Mendez Luis Omar,McAffry Karen Denise. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 2012-01-05.

Two-Layer Porous Layer System Having a Pyrochlore Phase

Номер патента: US20120003460A1. Автор: Stamm Werner. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY SYSTEM HAVING A CHAMBER CONTAINING INERT GAS

Номер патента: US20120003513A1. Автор: Fuhr Jason. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING A TERNARY ALLOY CATALYST FOR FUEL CELL

Номер патента: US20120003569A1. Автор: Protsailo Lesia V.,Kawamura Tetsuo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Microwave Antenna Having a Reactively-Loaded Loop Configuration

Номер патента: US20120004651A1. Автор: Brannan Joseph D.,Prakash Mani N.,SHIU BRIAN. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SWITCH SYSTEM HAVING A BUTTON TRAVEL LIMIT FEATURE

Номер патента: US20120000760A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FILE SHREDDER HAVING A METAL DETECTOR

Номер патента: US20120001001A1. Автор: Schwelling Hermann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ACID CATALYST COMPOSITION HAVING A HIGH LEVEL OF CONJUNCT POLYMER.

Номер патента: US20120004095A1. Автор: . Владелец: Chevron U.S.A. INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Field effect transistor having improved threshold stability

Номер патента: CA1063251A. Автор: Ingrid E. Magdo,Richard C. Joy,Alfred Phillips (Jr.). Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-09-25.

POLARIZATION-TRACKING DEVICE HAVING A WAVEGUIDE-GRATING COUPLER

Номер патента: US20120002971A1. Автор: Doerr Christopher R.. Владелец: Alcatel-Lucent USA Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for processing disperse thermo-plastic materials by induction-linked plasma and method for forming a flow of material for realization thereof

Номер патента: RU2257689C2. Автор: Л.А. Иванов,Н.Н. Киселев,В.А. Слугин,В.А. Побережный,М.В. Побережный. Владелец: Закрытое акционерное общество "СПЕЦХИММОНТАЖ" (ЗАО "СХМ"). Дата публикации: 2005-07-27.

Forming a low molecular weight emulsion using polyacrylate, reaction stabilised with a hydrophobe and a catalytic chain transfer (cobaloxime) forming droplet size in the range of 30-120 nm

Номер патента: NZ514718A. Автор: Dax Kukulj,Thomas Davis,Robert Gilbert. Владелец: Unisearch Ltd. Дата публикации: 2002-05-31.

A method for forming a piezoelectric device

Номер патента: SG188757A1. Автор: Lei Zhang,Kui Yao,Chin Yaw Tan,Ting Chong Wong,Oh Su Yin Sharon. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2013-04-30.

Machine for Packing the Ground, and for Mixing Sand, Water, and Cement to Form Concrete, and Discharging, Laveling, and Tamping the same on the Packed Ground, to Form a Bed for Street and Sidewalk Construction.

Номер патента: GB190203975A. Автор: James Thomas Dempsey. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-05-08.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.