Methods of forming trench isolation in the fabrication of integrated circuitry and methods of fabricating integrated circuitry
Номер патента: US20060216906A1
Опубликовано: 28-09-2006
Автор(ы): Janos Fucsko, John Smythe, Li Li
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 28-09-2006
Автор(ы): Janos Fucsko, John Smythe, Li Li
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory
Номер патента: US09711390B2. Автор: Shinjiro Umehara,Daiki Teshima. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.