压力传感器、压力传感装置及其制备方法
Номер патента: CN111811700B
Опубликовано: 23-07-2021
Автор(ы): 唐伟, 郭小军, 陈苏杰
Принадлежит: Shanghai Jiaotong University
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-07-2021
Автор(ы): 唐伟, 郭小军, 陈苏杰
Принадлежит: Shanghai Jiaotong University
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Bipolar transistor type MEMS pressure sensor and preparation method thereof
Номер патента: US11965797B1. Автор: Tongqing Liu. Владелец: WUXI SENCOCH SEMICONDUCTOR CO Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.