Method for measurement of beam emittance in a charged particle transport system
Номер патента: US20030191899A1
Опубликовано: 09-10-2003
Автор(ы): Louis Evans
Принадлежит: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-10-2003
Автор(ы): Louis Evans
Принадлежит: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Charged particle beam writing apparatus, and method for detecting irregularities in dose of charged particle beam
Номер патента: US20150325407A1. Автор: Hideo Inoue,Hironori Mizoguchi. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-12.