Semiconductor growth substrates and associated systems and methods for die singulation
Номер патента: US9385278B2
Опубликовано: 05-07-2016
Автор(ы): Lifang Xu, Thomas Gehrke, Tingkai Li, Xiaolong Fang
Принадлежит: US Bank NA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-07-2016
Автор(ы): Lifang Xu, Thomas Gehrke, Tingkai Li, Xiaolong Fang
Принадлежит: US Bank NA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
III nitride semiconductor epitaxial substrate and III nitride semiconductor light emitting device, and methods of producing the same
Номер патента: US09543469B2. Автор: Masatoshi Iwata,Yoshikazu Ooshika. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.