Methods for electron beam patterning
Номер патента: US9182660B2
Опубликовано: 10-11-2015
Автор(ы): BURN JENG LIN, Jaw-Jung Shin, Shy-Jay Lin, Wen-Chuan Wang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 10-11-2015
Автор(ы): BURN JENG LIN, Jaw-Jung Shin, Shy-Jay Lin, Wen-Chuan Wang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
method for exposing a electron beam and substrate manufacturing method including the same
Номер патента: KR102404639B1. Автор: 최진,신인균,신소은,이숙현,슈이치 타마무시. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-06-03.