INTEGRATED CIRCUIT MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING SAME
Номер патента: US20200082866A1
Опубликовано: 12-03-2020
Автор(ы): ANTONYAN Artur
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-03-2020
Автор(ы): ANTONYAN Artur
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Memory device, memory system, and method of manufacturing memory device
Номер патента: US12020737B2. Автор: Hisanori Aikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.