Semiconductor device with inorganic coating layer, integrated circuit chip with this semiconductor device and method of manufacturing this semiconductor device .

Semiconductor device with inorganic coating layer, integrated circuit chip with this semiconductor device and method of manufacturing this semiconductor device

Номер патента: DE102009058428B4
Опубликовано: 10-07-2014
Автор(ы): Erich H. Soendker, Horacio Saldivar, Thomas A. Hertel
Принадлежит: Pratt and Whitney Rocketdyne Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device, bonded substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: TW201201285A. Автор: Hideto Tamaso,Hiromu Shiomi. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2012-01-01.

Semiconductor device including thyristor and method of manufacturing the same

Номер патента: US8049248B2. Автор: Tetsuya Ikuta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Semiconductor device and a corresponding method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20190035740A1. Автор: Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo,Ivan Venegoni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-01-31.

Substrate for semiconductor device, semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: US20240162377A1. Автор: Qihua ZHANG,Songrui ZHAO. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2024-05-16.

Epitaxial structure of semiconductor device, device and method of manufacturing epitaxial structure

Номер патента: US20240021671A1. Автор: HUI Zhang,Wenlong Zhou,Shiqiang Li,Kewei Tan,Susu KONG,Xiaoqing Du. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device including graphene and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12027589B2. Автор: Hyeonjin Shin,Seongjun Park,Yunseong LEE,Keunwook SHIN,Seunggeol NAM,Yeonchoo CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200135925A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200135926A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device protective structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20070007648A1. Автор: Wen-Kun Yang,Jui-Hsien Chang,Chihwei Lin,Kuang-Chi Chao,Cheng-hsien Chiu. Владелец: Advanced Chip Engineering Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-11.

Semiconductor device protective structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20070082428A1. Автор: Wen-Kun Yang,Jui-Hsien Chang,Chihwei Lin,Kuang-Chi Chao,Cheng-hsien Chiu. Владелец: Advanced Chip Engineering Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-12.

Semiconductor Device Including Trenches and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140151789A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Yvonne Gawlina,Hans Peter Felsl,Andre Rainer Stegner,Maria Cotorogea,Georg Seibert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device, semiconductor circuit, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US20240213309A1. Автор: Atsushi Ito,Manabu Yoshino,Toshihiro Imasaka,Masanori Tsukuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device including transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US8937343B2. Автор: NaeIn Lee,Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-20.

Filler cell region with centrally uncut gate segments, semiconductor device including same and method of manufacturing same

Номер патента: US20230260985A1. Автор: Shun Li CHEN,Ting Yu CHEN,Fei Fan DUAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor Device, Semiconductor Component and Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20200111759A1. Автор: Carsten Von Koblinski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor device, semiconductor wafer and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210166944A1. Автор: Shinichi Tabuchi,Yasuo ATA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220149173A1. Автор: Tomoaki Noguchi,Yosuke Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device layout structure and method for manufacturing semiconductor device layout structure

Номер патента: US20230238293A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148948A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: EP4002448A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-25.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US10566424B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US20200161424A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US20180097064A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-05.

High voltage semiconductor device and the associated method of manufacturing

Номер патента: US20140015017A1. Автор: Lei Zhang,Ji-Hyoung Yoo. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor device termination structures and methods of manufacturing semiconductor device termination structures

Номер патента: WO2024054763A1. Автор: Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device termination structures and methods of manufacturing semiconductor device termination structures

Номер патента: US20240088237A1. Автор: Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11810970B2. Автор: Tatsuo Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220254908A1. Автор: Tatsuo Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Power semiconductor device, measurement system and method for determining a current of a power semiconductor device

Номер патента: US20240105837A1. Автор: Markus BÖHM,Ingo Dirnstorfer,Richard Springer,Andreas Gneupel,Dmitry Balashov,Christian Kemle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor Device, Electronic Circuit and Method for Switching High Voltages

Номер патента: US20150042177A1. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Joachim Weyers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor devices, semiconductor structures and methods for fabricating a semiconductor structure

Номер патента: US20230127579A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Chia-Chung Chen,Szu-Lin LIU,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device including fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US11769803B2. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device including fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210305375A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor Device Manufacturing Methods and Methods of Forming Insulating Material Layers

Номер патента: US20130043512A1. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-21.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, cmos integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US20160211183A1. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200312965A1. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, CMOS integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US9337108B2. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Via structure connecting front side structure of semiconductor device to bspdn, and method of manufacturing the same using sacrificial via structure

Номер патента: US20230343839A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Eun Sung Kim,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device gate structure and method of fabricating thereof

Номер патента: US20180145149A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Ju-Yuan TZENG,Shu-Hui Wang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device gate structure and method of fabricating thereof

Номер патента: US20190088763A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Shu-Hui Wang,Kuo-Hua Pan,Ju-Yuan TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Thin-film semiconductor device, display apparatus, and method for manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130075745A1. Автор: Sadayoshi Hotta,Arinobu Kanegae. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11183568B2. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2021-11-23.

Semiconductor device, power converter, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074132B2. Автор: Yo Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRICAL POWER CONVERSION DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING ELECTRICAL POWER CONVERSION DEVICE

Номер патента: DE112018001989B4. Автор: Kazunari Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11984492B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Yuji Ebiike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200321432A1. Автор: Chen Jing,WEI Jin. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device structure with raised source/drain having cap element

Номер патента: US20160276481A1. Автор: Shing-Huang Wu,Jian-Shian Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device with cap element

Номер патента: US20190115429A1. Автор: Shing-Huang Wu,Jian-Shian Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor device with cap element

Номер патента: US20210043732A1. Автор: Shing-Huang Wu,Jian-Shian Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SILICIDES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210193808A1. Автор: SHIN Heonjong,JUNG Sunghun,LEE Doohyun,JUN HWICHAN,HWANG INCHAN,AHN Hakyoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20240186368A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device having groove and method of fabricating the same

Номер патента: US20030068875A1. Автор: Nak-Jin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20190326178A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11069801B2. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200194582A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device, power module and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210296308A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Ryota Tanaka,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200118883A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200118882A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device, semiconductor module, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240313120A1. Автор: Kentaro Mori,Kenichi Ohashi,Soichi Yamashita,Hiroki Okuyama,Kazushiro NOMURA,Aya MURAYOSHI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US11929392B2. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US20240047217A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US20230335408A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device, display apparatus, and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240213335A1. Автор: Takashi Shiraishi,Kenichi Okazaki,Yasutaka Nakazawa,Yasuharu Hosaka,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device including capacitor and method of forming the same

Номер патента: US11411069B2. Автор: Cheol Seong Hwang,Han Jin Lim,Sang Yeol Kang,Kyu Ho Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2022-08-09.

Integrated Circuit with an Active Area Line Having at Least One Form-Supporting Element and Corresponding Method of Making an Integrated Circuit

Номер патента: US20100019345A1. Автор: Josef Willer,Michael Specht,Doris Keitel-Schulz,Christoph Friederich. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2010-01-28.

Integrated circuit with an active area line having at least one form-supporting element and corresponding method of making an integrated circuit

Номер патента: US7868415B2. Автор: Josef Willer,Michael Specht,Doris Keitel-Schulz,Christoph Friederich. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-01-11.

Semiconductor device having electro-static discharge protection structure

Номер патента: US20180277532A1. Автор: Zheng Bian. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180040688A1. Автор: Yusuke Kobayashi,Yasuhiko OONISHI,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240063258A1. Автор: Yusuke Kobayashi,Yasuhiko OONISHI,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Conductivity-controlled power semiconductor device

Номер патента: EP4409641A1. Автор: Qin Huang. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor devices for improved measurements and related methods

Номер патента: WO2022125495A1. Автор: James Richmond,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor devices for improved measurements and related methods

Номер патента: EP4260362A1. Автор: James Richmond,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor device, semiconductor memory, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP3131982B2. Автор: 計廣竹中,晃藤沢. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-02-05.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240136348A1. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Low voltage active semiconductor device monolithically integrated with voltage divider device

Номер патента: WO2023161386A1. Автор: Edward John Coyne. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2023-08-31.

Low voltage active semiconductor device monolithically integrated with voltage divider device

Номер патента: WO2023161385A1. Автор: Edwards John COYNE. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device having spacer and method of making same

Номер патента: US5929483A. Автор: Heon-Jong Shin,Hyun-Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-07-27.

Semiconductor device, display apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220320346A1. Автор: Atsushi Sasaki. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device including transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20220328687A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2005091361A1. Автор: Katsutoshi Mine,Yoshitsugu Morita,Junji Nakanishi. Владелец: DOW CORNING TORAY CO., LTD.. Дата публикации: 2005-09-29.

Heterolithic microwave integrated circuits including gallium-nitride devices on highly doped regions of intrinsic silicon

Номер патента: US20200020681A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Carbon nanotube devices with unzipped low-resistance contacts

Номер патента: WO2014070267A2. Автор: Joshua T. Smith,George S. Tulevski,Damon B. Farmer,Aaron D. Franklin. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-08.

Carbon nanotube devices with unzipped low-resistance contacts

Номер патента: US20140117312A1. Автор: Joshua T. Smith,George S. Tulevski,Damon B. Farmer,Aaron D. Franklin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20070273050A1. Автор: Katsutoshi Mine,Yoshitsugu Morita,Junji Nakanishi. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-29.

Memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230255022A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220367491A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10347604B2. Автор: Seiya Isozaki,Yuki YAGYU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-07-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180277511A1. Автор: Seiya Isozaki,Yuki YAGYU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230163192A1. Автор: Bo Shi,Dan ZENG,Daokun CHEN,Yiren LIN. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4254508A1. Автор: Bo Shi,Dan ZENG,Daokun CHEN,Yiren LIN. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2023-10-04.

A semiconductor device and the manufacturing method of the same

Номер патента: TW201613089A. Автор: Heng-Kuang Lin,Ya-Yu YANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-04-01.

Semiconductor device, electronic apparatus, and preparation method for semiconductor device

Номер патента: EP4283667A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Yu Wang,Qiang He,Ping Ma,Haijun Li,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING GRAPHENE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210074815A1. Автор: SHIN Hyeonjin,CHO Yeonchoo,Park Seongjun,SHIN Keunwook,NAM Seunggeol,LEE Yunseong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING GRAPHENE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180350915A1. Автор: SHIN Hyeonjin,CHO Yeonchoo,Park Seongjun,SHIN Keunwook,NAM Seunggeol,LEE Yunseong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device, electronic device, and semiconductor device preparation method

Номер патента: US20230395455A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Yu Wang,Qiang He,Ping Ma,Haijun Li,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor devices including a stress pattern

Номер патента: US20200083377A1. Автор: Sung Min Kim,Hyo Jin Kim,Dae Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device having hybrid bonding interface, method of manufacturing the semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device assembly

Номер патента: US20210242050A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device qfn package and method of making thereof

Номер патента: US20230115182A1. Автор: Zhiming Li,Zhijie Wang,Meng Kong Lye,You Ge. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor-device mounted board and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110127656A1. Автор: Toshio Kobayashi,Takashi Kurihara,Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-02.

Semiconductor device, semiconductor package, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220254699A1. Автор: Tun-Ching PI. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device and a corresponding method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20190035741A1. Автор: Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo,Ivan Venegoni,Francesca Milanesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-01-31.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: WO2014055270A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Eva Henschel,Michael Leidner,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics AMP GMBH. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor device package assemblies and methods of manufacture

Номер патента: US20240162110A1. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon,Byoungok Lee,Jeungdae Kim. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device, semiconductor package, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11901256B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Chang-Jung Hsueh,Cheng-Nan Lin,Wan-Yu Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device, semiconductor package, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230068485A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Chang-Jung Hsueh,Cheng-Nan Lin,Wan-Yu Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device, semiconductor package, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240145327A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Chang-Jung Hsueh,Cheng-Nan Lin,Wan-Yu Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device having capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US6399457B2. Автор: Hyeon-deok Lee,Myoung-Bum Lee,Byung-lyul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-04.

Semiconductor device including tsv and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200273780A1. Автор: Sang Jun Park,Eun Ji Kim,Sung Dong Cho,Dong Chan Lim,Kwang Wuk Park,Hak Seung Lee,Dae Suk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20060220221A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Analog-cells-boundary region with buried power grid segment, semiconductor device including same and method of manufacturing same

Номер патента: US20240014136A1. Автор: Amit KUNDU,Yung-Chow Peng,Po-Zeng Kang,Yu-tao YANG,Chung-Ting Lu,Wen-Shen Chou,Ming-Cheng SYU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230024469A1. Автор: Masaki Iwamoto,Kouhei Sonoda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Film carrier, semiconductor device using same and method for mounting semiconductor element

Номер патента: US5821626A. Автор: Masakazu Sugimoto,Shoji Morita,Kazuo Ouchi,Atsushi Hino. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 1998-10-13.

Semiconductor devices having fuses and methods of forming the same

Номер патента: US7510914B2. Автор: Jong-Kyu Kim,Hyun-Chul Yoon,Jang-Bin Yim,Sang-Dong Kwon,Sung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-31.

Stacked semiconductor device test circuits and methods of use

Номер патента: US20220344223A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Stacked semiconductor device test circuits and methods of use

Номер патента: US11935798B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Stacked semiconductor device test circuits and methods of use

Номер патента: US20240178078A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device, semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9818701B2. Автор: Taiji Ema,Kazutaka Yoshizawa,Takuya Moriki. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device, semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130069206A1. Автор: Taiji Ema,Kazutaka Yoshizawa,Takuya Moriki. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor device, semiconductor arrangement and method for producing the same

Номер патента: US11887961B2. Автор: Paul Frank,Frank Wagner,Sven Schmidbauer,Oliver Schilling,Thomas Heinelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device, corresponding apparatus and method

Номер патента: US20180190564A1. Автор: Federico Giovanni Ziglioli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for producing a semiconductor device by consecutively sinter-bonding a plurality of semiconductor chips to a substrate upon application of pressure and heat and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4047641A3. Автор: Tomoaki Ichikawa,Ryota Mita,Mayu Sato. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor device, lead frame, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190385942A1. Автор: Naoki Saegusa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Redistribution layers including reinforcement structures and related semiconductor device packages, systems and methods

Номер патента: US11887920B2. Автор: Chan H. Yoo,Hyunsuk CHUN,Tracy N. TENNANT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Redistribution layers including reinforcement structures and related semiconductor device packages, systems and methods

Номер патента: US20200066625A1. Автор: Chan H. Yoo,Hyunsuk CHUN,Tracy N. TENNANT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Redistribution layers including reinforcement structures and related semiconductor device packages, systems and methods

Номер патента: US20210074623A1. Автор: Chan H. Yoo,Hyunsuk CHUN,Tracy N. TENNANT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Electronic circuit device, and temperature measurement method of electronic circuit device

Номер патента: EP4317925A1. Автор: Takuji Yasumoto. Владелец: Furuno Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor device including capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240145531A1. Автор: Do Hee KIM,Sei Yon KIM,Min Chul SUNG,Jung Wook WOO,Yeon Gyu LEE,Ja Yong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Integrated circuit having conductive paths of different heights formed from the same layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20010016407A1. Автор: Aaron Schoenfeld,Rajesh Somasekharan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor chip contact structure, device assembly, and method of fabrication

Номер патента: US20210090972A1. Автор: Stefan Steinhoff. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Chip scale surface mounted semiconductor device package and process of manufacture

Номер патента: US20120161307A1. Автор: Tao Feng. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20230058727A1. Автор: Yuko Nakamata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device having an antenna arranged over an active main surface of a semiconductor die

Номер патента: US12094842B2. Автор: Thorsten Meyer,Walter Hartner,Maciej Wojnowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: DE112021000620T5. Автор: Yuki Nakano,Yasunori Kutsuma. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-11-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SUPPORTERS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170077102A1. Автор: Hwang Yoosang,Choi Jaehyoung,Kim Bong-Soo,KIM Kyung-Eun,Kim Yongkwan,JANG Semyeong. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device having an enhanced well region

Номер патента: US8283722B2. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2012-10-09.

Semiconductor device, semiconductor body and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1604401A1. Автор: Josephus A. A. Den Ouden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-14.

Semiconductor devices, semiconductor packages, and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US11728297B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Ho-Jin Lee,Kwang-jin Moon,Ju-Il Choi,Dong-Chan Lim,Ju-Bin Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4391046A1. Автор: XIAOFENG Xu,Ming Wu,Eckart HOENE,Zhengyan HE,Luise PAWLAK. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device, memory cell and method of forming the same

Номер патента: US20240196764A1. Автор: Shao-Ming Yu,Bo-Jiun Lin,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device, semiconductor body and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2004079822A1. Автор: Josephus A. A. Den Ouden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-09-16.

Semiconductor device, a method of manufacturing a semiconductor device and a testing method of the same

Номер патента: US7816154B2. Автор: Yoshiaki Nakajima,Tasuke Tanaka,Akira Seito,Kanya HAMADA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Semiconductor Device, A Method of Manufacturing A Semiconductor Device and A Testing Method of the Same

Номер патента: US20110018573A1. Автор: Yoshiaki Nakajima,Tasuke Tanaka,Akira Seito,Kanya HAMADA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor device having inductor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240071911A1. Автор: Yu-Jen Wang,Wei-Cheng Wu,Li-Feng Teng,Wen-Tuo Huang,Harry-HakLay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device having fuse and method for checking whether the fuse is fused

Номер патента: US6121820A. Автор: Nobuo Shishikura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Semiconductor device, test system and method of the same

Номер патента: US9859176B1. Автор: Hao Chen,Mill-Jer Wang,Hung-Chih Lin,Tang-Jung CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated circuit packaging system with dual row lead-frame having top and bottom terminals and method of manufacture thereof

Номер патента: US20110140252A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Abelardo Jr. Hadap Advincula,Erwin Aguas Sangalang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-16.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20070075414A1. Автор: Takashi Miwa,Yasumi Tsutsumi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor device, semiconductor module, and method of operating semiconductor device

Номер патента: US20210011077A1. Автор: Yoichi Kawano,Ikuo Soga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device, semiconductor module, and method of operating semiconductor device

Номер патента: US20220413039A1. Автор: Yoichi Kawano,Ikuo Soga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of the film substrate, a method of the semiconductor device using the same, a method of the display device using the same, and a method of the electric device using the same

Номер патента: US20060079026A1. Автор: Hideaki Adachi,Nobukazu Koizumi,Keiichiro Hayashi,Tsutomu Matsuhira,Tadahiro Nishigawa. Владелец: MARUWA Corp. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor device, imaging apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11942495B2. Автор: Atsushi Tsukada,Hirotaka Kobayashi,Hiroyuki Shigeta,Koyo Hosokawa,Shigekazu Ishii,Daisuke Chino,Hirohisa Yasukawa,Kosuke Hareyama,Mitsuhito Kanatake,Kiyohisa Sakai,Ninao Sato,Yutaka OOTAKI,Yuki Yamane. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device, wiring board and method of making same

Номер патента: US20040104487A1. Автор: Akira Chinda. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2004-06-03.

Semiconductor device, memory cell and method of forming the same

Номер патента: US11957070B2. Автор: Shao-Ming Yu,Bo-Jiun Lin,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

High power semiconductor device cooling apparatus and method

Номер патента: US4010489A. Автор: Frank J. Bourbeau,Barton L. Meredith,Arnold J. Rakowski. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1977-03-01.

Semiconductor device, electronic component and method

Номер патента: US11380612B2. Автор: Matthias Stecher,Martin Kotzbauer,Julie Mathilde Suzanne Paye,Andreas Zankl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-07-05.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230084276A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device, communication system, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12015204B2. Автор: Hiroji Akahori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11901409B2. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Devices and methods of forming finfets with self aligned fin formation

Номер патента: US20150333067A1. Автор: LUN Zhao,Mariappan Hariharaputhiran,Jing Wan,Guillaume Bouche,Andy Wei,Jin Ping Liu,Dae Geun Yang,Tien-Ying Luo,Churamani GAIRE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Interconnect structures for semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230230884A1. Автор: Yu-Lien Huang,Ching-Feng Fu,Huan-Just Lin,Che-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor devices with gate isolation structions and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230343783A1. Автор: Chieh-Ning Feng,Wen-Shuo Hsieh,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US20220037206A1. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US11621193B2. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-04-04.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US20230207391A1. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11855093B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Wei-liang LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240096893A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Wei-liang LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20150207074A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20130109170A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Shintaro Sato,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING AN ESD PROTECTION DEVICE, AN ESD PROTECTION CIRCUITRY, AN INTEGRATED CIRCUIT AND A METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150311193A1. Автор: BESSE PATRICE,LAINE Jean Philippe. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device structures with a substrate biasing scheme

Номер патента: US20220181317A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Alvin J. Joseph,Michel J. Abou-Khalil,Aaron Vallett,Randy Wolf. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device with modified mobility and thin film transistor having the same

Номер патента: US20050139923A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Young-soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device having opening and method of fabricating the same

Номер патента: US20040048489A1. Автор: Takashi Goto,Yoshinari Ichihashi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

Mechanical stress-decoupling in semiconductor device

Номер патента: US20150332956A1. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-11-19.

Flip-flop with transistors having different threshold voltages, semiconductor device including same and methods of manufacturing same

Номер патента: US20230421141A1. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Yung-Chen CHIEN,Huaixin XIAN,Xing Chao YIN. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of monitoring a semiconductor device fabrication process and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20220068728A1. Автор: Youngjoo Lee,Taekyun KANG,Hyowon Bae,Sang Yoon Han,Jitae PARK,Doo Young Gwak,Aekyung KIM,Kyunggon You,Seongjin IN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150140747A1. Автор: LEE Naein,Kim Dong Hyuk,Chung Hoi Sung,Shin Dongsuk. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device having filler and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160190271A1. Автор: Young-Joon Park,Jung-Gun You,Ji-Yong HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-30.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING AIRGAPS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150228660A1. Автор: SIM Jae-hwang,Shin Jinhyun,Seong HoJun. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Vertical semiconductor devices using nanowires and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100666187B1. Автор: 이정호,좌용호. Владелец: 학교법인 한양학원. Дата публикации: 2007-01-09.

The manufacturing method of semiconductor device and the evaluation method of semiconductor device

Номер патента: CN109564856A. Автор: 竹野博,大槻刚,铃木克佳,中杉直. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Semiconductor device contact structures and methods of fabricating thereof

Номер патента: US11855161B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device contact structures and methods of fabricating thereof

Номер патента: US20240096985A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US11990373B2. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Temporary protective film for producing semiconductor device, reel body, and method for producing semiconductor device

Номер патента: PH12021551006A1. Автор: Tomohiro Nagoya,Takahiro Kuroda,Naoki Tomori. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-04.

Particle-removing apparatus for a semiconductor device manufacturing apparatus and method of removing particles

Номер патента: US6184489B1. Автор: Tsuyoshi Moriya,Fumihiko Uesugi,Natsuko Ito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-06.

Voltage regulation integrated circuit (ic) with circuit components in an integrated three-dimensional (3d) inductor core and related methods of fabrication

Номер патента: WO2021173817A1. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Jonghae Kim,Evgeni Gousev,Milind Shah,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-09-02.

Voltage regulation integrated circuit (ic) with circuit components in an integrated three-dimensional (3d) inductor core and related methods of fabrication

Номер патента: US20210271275A1. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Jonghae Kim,Evgeni Gousev,Milind Shah,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device manufacturing jig and method for manufacturing same

Номер патента: US11891713B2. Автор: Takeyuki Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Voltage regulation integrated circuit (ic) with circuit components in an integrated three-dimensional (3d) inductor core and related methods of fabrication

Номер патента: EP4111497A1. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Jonghae Kim,Evgeni Gousev,Milind Shah,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

Semiconductor devices including capacitors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130207232A1. Автор: Hyung Ju JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: US20190140131A1. Автор: Tsuyoshi Waki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device contact pad and method of contact pad fabrication

Номер патента: US12034027B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device testing apparatus and methods of testing and fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230366853A1. Автор: Donghyun Lee,Younghoon Sohn,Sung Yoon Ryu,Sooseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160293689A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device having diode and method of forming the same

Номер патента: US20140183435A1. Автор: Dong-Bok Lee,Sea-Phyo KIM,Chan-Min LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074182B2. Автор: Masaki Hatano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of producing semiconductor device, solid-state imaging device, method of producing electric apparatus, and electric apparatus

Номер патента: US20140038341A1. Автор: Yasufumi Miyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Method of producing semiconductor device, solid-state imaging device, method of producing electric apparatus, and electric apparatus

Номер патента: US20090057798A1. Автор: Yasufumi Miyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor Devices, Image Sensors, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150214267A1. Автор: JHY-JYI SZE,Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Sheng-Chau Chen,Chih-Hui Huang,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor Device, Memory Module, and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20090273044A1. Автор: Rainer Leuschner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor device interconnection systems and methods

Номер патента: WO2020264037A1. Автор: Richard E. Bornfreund,Edward K. Huang. Владелец: Flir Commercial Systems, Inc.. Дата публикации: 2020-12-30.

Semiconductor device, semiconductor laser, and method of producing a semiconductor device

Номер патента: US11876349B2. Автор: Masahiro Murayama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Multiplexer for SDFQ having differently-sized scan and data transistors, semiconductor device including same and methods of manufacturing same

Номер патента: US11821947B1. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Qingchao Meng,Huaixin XIAN,Changlin Huang. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device, solid-state image sensor, methods of manufacturing the same, and camera

Номер патента: US20150303227A1. Автор: Hideaki Ishino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Multiplexer for sdfq having differently-sized scan and data transistors, semiconductor device including same and methods of manufacturing same

Номер патента: US20230408582A1. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Qingchao Meng,Huaixin XIAN,Changlin Huang. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

System for designing a semiconductor device, device made, and method of using the system

Номер патента: US20180323182A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device positioning system and method for semiconductor device positioning

Номер патента: EP3472670A1. Автор: Thijs Kniknie,Jozef Petrus Wilhelmus STOKKERMANS. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-24.

Semiconductor device interconnection systems and methods

Номер патента: US11916039B2. Автор: Richard E. Bornfreund,Edward K. Huang. Владелец: Teledyne Flir Commercial Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20110269268A1. Автор: Hiroshi Ono,Tamaki Wada,Naoki Kawanabe,Nobuyasu MUTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device driving circuit and method of testing the same

Номер патента: US20140139245A1. Автор: Daisuke Hirata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor device, protection circuit, and method for manufacturing protection circuit

Номер патента: US20230078873A1. Автор: Tomoyuki FUNABASAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device, apparatus of estimating lifetime, method of estimating lifetime

Номер патента: US20140091829A1. Автор: Kenji Hirohata,Yuu YAMAYOSE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Liquid Crystal Display Device and a Manufacturing Method of the Same

Номер патента: US20110195534A1. Автор: Kiyohiro Kawasaki. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device including capacitor and method of forming the same

Номер патента: US20210296430A1. Автор: Akira Kaneko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Method of producing semiconductor device, solid-state imaging device, method of producing electric apparatus, and electric apparatus

Номер патента: US20110250741A1. Автор: Yasufumi Miyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Display device and an inspection method of a display device

Номер патента: EP3866148A1. Автор: Kyun Ho KIM,Bong Im Park,Yong Jin SHIN,Uk Jae JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-18.

Display device and bonding detection method of display device

Номер патента: US20220084894A1. Автор: Wei Li,Chienpang HUANG,Chuntong JIANG,Kaifang ZHU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Automatic detecting device and automatic detecting method of manufacturing equipment

Номер патента: US20220004180A1. Автор: Ching-Pei Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Light emitting device, display apparatus with an array of light emitting devices, and display apparatus method of manufacture

Номер патента: CA2353326C. Автор: Kunihiro Izuno,Yuichi Fujiwara,Yoshifumi Nagai. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Panel structure, display device, and alignment detection method of panel structure

Номер патента: US11320700B2. Автор: Jiaxin Li. Владелец: Hubei Yangtze Industrial Innovation Center of Advanced Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-03.

A developing device and a developing method of substrate

Номер патента: US20210356808A1. Автор: PENG Ding. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Panel structure, display device, and alignment detection method of panel structure

Номер патента: US20220066268A1. Автор: Jiaxin Li. Владелец: Hubei Yangtze Industrial Innovation Center of Advanced Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Planar devices with consistent base dielectric

Номер патента: WO2023045569A1. Автор: Andrew M. Greene,Dechao Guo,Jingyun Zhang,Miaomiao Wang,Julien Frougier,Ruqiang Bao,Huimei Zhou. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-03-30.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20220158000A1. Автор: Yasushi Higuchi,Osamu Imafuji,Yusuke Matsubara,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor Device and Power Conversion Device

Номер патента: US20210091217A1. Автор: Mutsuhiro Mori,Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device with gate

Номер патента: US20230207693A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

3d semiconductor apparatus manufactured with a plurality of substrates and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2021113031A1. Автор: H. Jim Fulford,Mark Gardner. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device with a reduced band gap and process

Номер патента: US20100044720A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Joachim Krumrey,Christian Foerster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-02-25.

Field Effect Transistors and Methods of Forming Same

Номер патента: US20160293703A1. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez,Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Planar devices with consistent base dielectric

Номер патента: US11908743B2. Автор: Andrew M. Greene,Dechao Guo,Jingyun Zhang,Miaomiao Wang,Julien Frougier,Ruqiang Bao,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20240170549A1. Автор: Le Li. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor Device with First and Second Field-Effect Structures and an Integrated Circuit Including the Semiconductor Device

Номер патента: US20130264651A1. Автор: Mauder Anton,Hirler Franz,Weyers Joachim. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE, RC-IGBT, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180151711A1. Автор: Yamada Kazuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor devices with wide gate-to-gate spacing

Номер патента: US20200388540A1. Автор: Haiting Wang,Jiehui SHU,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device inspection apparatus, semiconductor device inspection method, program thereof, semiconductor apparatus, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190064248A1. Автор: Akira Kano,Mitsuaki Kato,Kenji Hirohata,Akihiro Goryu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240032304A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SILICON WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON WAFER

Номер патента: US20170062568A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Oefner Helmut,CASPARY Nico. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SILICON WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON WAFER

Номер патента: US20180097064A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Oefner Helmut,CASPARY Nico. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SILICON WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON WAFER

Номер патента: US20200161424A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Oefner Helmut,CASPARY Nico. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-21.

JUNCTION GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR (JFET), SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING JFET AND METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: US20140332858A1. Автор: CHEN Chia-Chung,Huang Chi-Feng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device comprising Graphene and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101718961B1. Автор: 이성훈,이재홍,이재호,신형철,서순애,허진성,정현종,양희준. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor Devices

Номер патента: US20150179637A1. Автор: Frank Pfirsch,Carsten Schaeffer,Dorothea Werber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor devices including patterns in a source region

Номер патента: US20160149031A1. Автор: Jaehyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140183749A1. Автор: SANGHOON Lee,Kyong-won An,Woosung Lee,Yongseok CHO,Hyunyong Go,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180248022A1. Автор: Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor device having fins and method of fabricating the same

Номер патента: US12027625B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Li-Te Lin,Jung-Hao CHANG,Chao-Hsien Huang,Shu-Hao KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230369464A1. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210313454A1. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11757023B2. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20190198525A1. Автор: Antonio Arreghini. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-06-27.

Three-dimensional semiconductor device having vertical channel extending through horizontal layer structure and method of fabricating same

Номер патента: US11387248B2. Автор: Antonio Arreghini. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-07-12.

Ga2o3-based single crystal substrate and method for manufacturing ga2o3-based single crystal substrate

Номер патента: EP4317547A1. Автор: Toshiro Kotaki,Kengo Nishiguchi. Владелец: Orbray Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20200227559A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

3D packages and methods for forming the same

Номер патента: US9111912B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Shih Ting Lin,Kung-Chen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-18.

Semiconductor device made with a trenching process

Номер патента: US4980748A. Автор: Minoru Nakamura,Hiroyuki Miwa,Hiroki Hozumi,Akio Kayanuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1990-12-25.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120032298A1. Автор: Kenji Furuya,Hideki Fujii,Yuichi Miyagawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160365316A1. Автор: Kenji Furuya,Hideki Fujii,Yuichi Miyagawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device including graphene and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: EP3410465A1. Автор: Hyeonjin Shin,Seongjun Park,Yunseong LEE,Keunwook SHIN,Seunggeol NAM,Yeonchoo CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-05.

Non-planar I/O and logic semiconductor devices having different workfunction on common substrate

Номер патента: US11823954B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Roman W. OLAC-VAW,Pei-Chi Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Non-planar i/o and logic semiconductor devices having different workfunction on common substrate

Номер патента: US20240038592A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Roman W. OLAC-VAW,Pei-Chi Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC LAYER, CMOS INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160211183A1. Автор: JI Yun-Hyuck,KIM Beom-Yong,LEE Seung-Mi. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor devices with reduced effect of capacitive coupling

Номер патента: US20230386997A1. Автор: Chih-Liang Chen,Chih-Yu Lai,Meng-Hsueh WANG,Chih-Yu Lu,Shang Hsuan Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device including polysilicon structures and method of making

Номер патента: US20210351070A1. Автор: J. J. Lee,Chun-Tse TSAI,M. C. Hang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device including polysilicon structures and method of making

Номер патента: US11676856B2. Автор: J. J. Lee,Chun-Tse TSAI,M. C. Hang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-13.

Packaged electronic device with low resistance backside contact

Номер патента: US20210159189A1. Автор: Jian Jun KONG,She Yu Tang,Qin Xu YU,Yun Fu An. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor device having stressors and method for forming

Номер патента: WO2007097814A3. Автор: Paul A Grudowski,Mehul D Shroff. Владелец: Mehul D Shroff. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor device having stressors and method for forming

Номер патента: US20070132031A1. Автор: Mehul Shroff,Paul Grudowski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor device, lead frame, and method of manufacturing lead frame

Номер патента: KR20170034337A. Автор: 마미 이토. Владелец: 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device, lead frame, and method of manufacturing lead frame

Номер патента: TW201724430A. Автор: 伊藤麻美. Владелец: 精工半導體有限公司. Дата публикации: 2017-07-01.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING FINS, AND METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING FINS

Номер патента: US20160260741A1. Автор: Liu Qing,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Cai Xiuyu,Wang Kejia. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20210125943A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device structure comprising source and drain protective circuits against electrostatic discharge (esd)

Номер патента: US20220415828A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US12057510B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210280488A9. Автор: Pei Yi,SUN Linlin,KANG Gouchun. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200328133A1. Автор: Pei Yi,SUN Linlin,KANG Gouchun. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device

Номер патента: US9461002B2. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140346636A1. Автор: Fujii Hideki,MIYAGAWA Yuichi,FURUYA Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

Method of forming a high electron mobility semiconductor device and structure therefor

Номер патента: EP2779246A3. Автор: Jaume Roig-Guitart,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-29.

Semiconductor device, power converter, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220157767A1. Автор: Yo Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device, driver circuit and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20060180862A1. Автор: Tetsuya Nitta,Yasunori Yamashita,Shinichiro Yanagi,Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3343615A3. Автор: Takashi Hashimoto,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-22.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US20230335647A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device structure comprising source and drain protective circuits against electrostatic discharge (ESD)

Номер патента: US11810872B2. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190189623A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Trench power device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246595A1. Автор: LI YANG,Liang Shi. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120015508A1. Автор: Shinya Iwasaki,Akira Kamei. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240250154A1. Автор: Chao-Hsuan Chen,Ming-Chia Tai,Yu-Hsien Lin,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor Integrated Device with Channel Region

Номер патента: US20140138763A1. Автор: Kai-Chieh Yang,Wei-Hao Wu,Zhiqiang Wu,Wen-Hsing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183874A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20240234506A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20210234000A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Method of Forming a Silicided Gate Utilizing a CMP Stack

Номер патента: US20080268631A1. Автор: Freidoon Mehrad,Frank Scott Johnson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-10-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230064487A1. Автор: Chi-Wen Chen,Chun-Huai Li. Владелец: Naidun Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Metal carbide gate structure and method of fabrication

Номер патента: WO2005062752A2. Автор: Katherine L. Saenger,Cyril Cabral, Jr.,Rajarao Jammy,Christopher Detavernier. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-07-14.

Metal carbide gate structure and method of fabrication

Номер патента: EP1687457A2. Автор: Katherine L. Saenger,Cyril Cabral, Jr.,Rajarao Jammy,Christopher Detavernier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-09.

Devices and methods of forming higher tunability finfet varactor

Номер патента: US20150236133A1. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Amaury Gendron,Gopal Srinivasan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180277544A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200395360A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US10763258B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

Composite Wafer, Semiconductor Device, Electronic Component and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190088550A1. Автор: Jochen Mueller,Carsten Von Koblinski,Thomas Feil,Gerald Lackner,Martin Poelzl,Paul Ganitzer,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20230155036A1. Автор: Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Yu-Chun Shen,Shun-Neng WANG,Ya-Chi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US11942532B2. Автор: Chao-Hsuan Chen,Ming-Chia Tai,Yu-Hsien Lin,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11869773B2. Автор: Tomohito KUDO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200279744A1. Автор: Tomohito KUDO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Trench type power device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230282713A1. Автор: LI YANG,Liang Shi. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220037159A1. Автор: Tomohito KUDO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Integrated circuit structures with backside self-aligned penetrating conductive source or drain contact

Номер патента: EP4246587A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Leonard P. GULER,Makram Abd El Qader,Tanir Ghani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device and a method for producing the same

Номер патента: US5164218A. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Seiji Fujino,Masami Yamaoka,Mitutaka Katada. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 1992-11-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US4038680A. Автор: Tadaharu Tsuyuki,Hajime Yagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1977-07-26.

Semiconductor device, wafer assembly and methods of manufacturing wafer assemblies and semiconductor devices

Номер патента: US20130234297A1. Автор: Carsten Von Koblinski,Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez,Alexander Breymesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200194582A1. Автор: Ejiri Hirokazu. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER CONVERTER, AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190348524A1. Автор: Kagawa Yasuhiro,Ebiike Yuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020105086A1. Автор: Toru Yoshie. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Composite wafer, semiconductor device, electronic component and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP3424077B1. Автор: Jochen Mueller,Carsten Von Koblinski,Thomas Feil,Gerald Lackner,Martin Poelzl,Paul Ganitzer,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US11990512B2. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Oxide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190288115A1. Автор: Tetsuya Goto,Michinobu Mizumura. Владелец: V Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Sgt mosfet device and method for manufacturing contact holes thereof

Номер патента: EP4307366A1. Автор: Fei Peng,Liang Shi,Yi Zhao. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20170148883A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola,Simone Lavanga,Gianmauro Pozzovivo,Fabian Reiher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof for selectively etching dummy fins

Номер патента: US20230369333A1. Автор: Wei-Hao Wu,Jia-Ni YU,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device structure with conductive via structure and method for forming the same

Номер патента: US11810919B2. Автор: PENG Wang,Jyun-De Wu,Huan-Just Lin,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof for selectively etching dummy fins

Номер патента: US11776961B2. Автор: Wei-Hao Wu,Jia-Ni YU,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of forming contact structure, method of fabricating semiconductor device, contact structure and semiconductor device including the same

Номер патента: US20230231027A1. Автор: Jae Woo Lee,Hyun Seok Lee,Ka-Hyun KIM,Joon-Ho OH. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of CBNU. Дата публикации: 2023-07-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STRESSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160358925A1. Автор: KIM Myeong-cheol,Lee Jin-Wook,Lee Kwan-heum,KIM Do-hyoung,HA Seung-Mo,Bai Keun-Hee,KHANG Dong-Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device including spacer and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102476141B1. Автор: 김희중,전진환,김효섭,이명동. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-12-09.

Semiconductor device having transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030197229A1. Автор: Young-Pil Kim,Byeong-Yun Nam,Beom-jun Jin. Владелец: Byeong-Yun Nam. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor device structure with high contact area

Номер патента: US11855215B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Pang-Yen Tsai,Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Sgt mosfet device and manufacturing method of contact holes of sgt mosfet device

Номер патента: US20230369461A1. Автор: Fei Peng,Liang Shi,Yi Zhao. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device structure with conductive via structure

Номер патента: US20240079409A1. Автор: PENG Wang,Jyun-De Wu,Huan-Just Lin,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory type insulating gate field effect semiconductor device

Номер патента: CA1094221A. Автор: Kenichi Inoue,Takashi Shimada,Jiro Yamaguchi,Takaji Ohtsu,Hidenobu Mochizuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1981-01-20.

Contact of semiconductor device and contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR20200081283A. Автор: 이정찬,송형섭,이희덕,선일바부이디. Владелец: 충남대학교산학협력단. Дата публикации: 2020-07-07.

Contact of semiconductor device and contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR102274716B9. Автор: 이정찬,송형섭,이희덕,선일바부이디. Владелец: 충남대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-05-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187513A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Graphitic carbon contacts for devices with oxide channels

Номер патента: EP4152412A1. Автор: Edward Johnson,Noriyuki Sato,Justin Weber,Hui Jae Yoo,Van Le,Matthew Metz,Abhishek Anil Sharma,Arnab SEN GUPTA,Eric Mattson,Yu-Jin Chen,Jason RETASKET. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-22.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150011048A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tamae Moriwaka,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US20170125420A1. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Metal film and manufacturing method of the metal film, and semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230411320A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11950424B2. Автор: Tsung-Hua Yang,Chia-Ta Hsieh,Yu-Ting Tsai,Ching-Tzer Weng,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240206184A1. Автор: Tsung-Hua Yang,Chia-Ta Hsieh,Yu-Ting Tsai,Ching-Tzer Weng,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with improved on-resistance

Номер патента: US20120217580A1. Автор: Rudolf Berger,Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: NL2028665B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor dies including low and high workfunction semiconductor devices

Номер патента: US12069862B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Layer-stacked wiring and method for manufacturing same and semiconductor device using same and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070221922A1. Автор: Jun Tanaka,Hiroshi Kanoh. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4325580A3. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4199044A1. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING AN ESD PROTECTION DEVICE, AN ESD PROTECTION CIRCUITRY, AN INTEGRATED CIRCUIT AND A METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150221633A1. Автор: BESSE PATRICE,LAINE Jean Philippe. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2015-08-06.

A semiconductor device comprising an esd protection device, an esd protection circuitry, an integrated circuit and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2014020372A1. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor device, array substrate, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP3598497B1. Автор: Rui Huang,Jianming SUN,Huili Wu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240038899A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi TSUBUKU,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266369A1. Автор: Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US6084269A. Автор: Robert B. Davies,Chandrasekhara Sudhama. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230335646A1. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Hirokazu Watanabe,Daisuke Matsubayashi,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180259820A1. Автор: Ueda Naoki,Katoh Sumio,OKADA KUNIAKI,UCHIDA SEIICHI. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9490368B2. Автор: Kunio Kimura,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US20230378367A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20230326538A1. Автор: Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US11955192B2. Автор: Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US11783906B2. Автор: Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240161845A1. Автор: Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140084350A1. Автор: LEE Naein,Kim Dong Hyuk,Chung Hoi Sung,Shin Dongsuk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SPACER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200194439A1. Автор: KIM Hyo Sub,KIM Hui Jung,LEE Myeong Dong,CHUN Jin Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor dies including low and high workfunction semiconductor devices

Номер патента: US20230022269A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING FINS, AND METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING FINS

Номер патента: US20150372107A1. Автор: Liu Qing,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Cai Xiuyu,Wang Kejia. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

HEMT Semiconductor Device and a Process of Forming the Same

Номер патента: US20140264367A1. Автор: Abhishek Banerjee,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Packaged semiconductor devices and methods of packaging semiconductor devices

Номер патента: US9871018B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Chih-Fan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210035912A1. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Package structure and method of forming the same

Номер патента: US20140131887A1. Автор: Chia-Yen Lee,Hsin-Chang Tsai,Peng-Hsin Lee. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2014-05-15.

Three-dimensional semiconductor device with connection pattern that contacts vertical channel and source channel

Номер патента: US12075619B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Asymmetrically bonded integrated circuit devices

Номер патента: US20240194670A1. Автор: Fee Li LIE,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Matt Malley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Lead frame assembly for a semiconductor device

Номер патента: US20240258207A1. Автор: Adam Brown,Dave Anderson,Ricardo Yandoc. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20210351160A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Contact formation through low-tempearature epitaxial deposition in semiconductor devices

Номер патента: US20190148377A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7936016B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110207317A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Reduced susceptibility to electrostatic discharge during 3d semiconductor device bonding and assembly

Номер патента: US20130127046A1. Автор: Shiqun Gu,Dong Wook Kim,Reza Jalilizeinali,Brian M. Henderson,Ronnie A. Lindley,Matthiew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Reduced susceptibility to electrostatic discharge during 3d semiconductor device bonding and assembly

Номер патента: WO2010118350A1. Автор: Shiqun Gu,Reza Jalilizeinali,Brian M. Henderson. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-10-14.

Method of fabricating semiconductor device including two-dimensional material layer defining air-gap, and semiconductor device

Номер патента: US20230163023A1. Автор: Soyoung LEE,Keunwook SHIN,Sungjoo An,Jungsoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Packaged Semiconductor Devices and Methods of Packaging Semiconductor Devices

Номер патента: US20160190096A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Chih-Fan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Integrated fan-out package and method for fabricating the same

Номер патента: US20200066642A1. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee,Chun-Hui Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Packaged Semiconductor Devices and Methods of Packaging Semiconductor Devices

Номер патента: US20150162316A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Chih-Fan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060275622A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Group iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: TW201034054A. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor device structure having protection caps on conductive lines

Номер патента: US11557508B2. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

Semiconductor device structure with protection cap

Номер патента: US20200381293A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HYBRID BONDING INTERFACE, METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE ASSEMBLY

Номер патента: US20210242050A1. Автор: CHIU Hsih-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

Photoresist composition and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20170199456A1. Автор: Jin Park,Hyun Woo Kim,Jin Kyu Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180350759A1. Автор: Yuki YAGYU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor devices between gate cuts and deep backside vias

Номер патента: US20240321685A1. Автор: Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Saurabh Acharya,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140332849A1. Автор: Jung Hun Jang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Packaging unit for direct cooling of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230361000A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Min Soo Kang,Ho Kyun Ahn,Hae Cheon Kim,Hyoung Soon Lee. Владелец: Chung Ang University Industry Academic Cooperaiton Foundation. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device structure with protection cap

Номер патента: US20230154788A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US12074193B2. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US20230238422A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Air gaps in a multilayer integrated circuit and method of making same

Номер патента: US20110241220A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Chip package and method of manufacturing the same

Номер патента: US9337117B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Tsung-Yuan Yu,Chung-Ying Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US6387749B1. Автор: Chan Lim. Владелец: Hyundai Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-14.

Semiconductor package with stress reduction design and method for forming the same

Номер патента: US20220361338A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor package and method

Номер патента: US20240014095A1. Автор: Ming-Fa Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor package with stress reduction design and method for forming the same

Номер патента: US12035475B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US6174822B1. Автор: Eiji Fujii,Yasuhiro Uemoto,Yoshihisa Nagano,Yuji Judai,Toshie Kutsunai. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2001-01-16.

Heterolithic integrated circuits including integrated devices formed on semiconductor materials of different elemental composition

Номер патента: US11817450B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device, semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US11804472B2. Автор: Tae-Seong Kim,Kwang-jin Moon,Dong-Chan Lim,Dae-suk LEE,Hak-seung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device, semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210183822A1. Автор: Tae-Seong Kim,Kwang-jin Moon,Dong-Chan Lim,Dae-suk LEE,Hak-seung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Lead frame assembly for a semiconductor device

Номер патента: US11973009B2. Автор: Adam Richard Brown,Ricardo Lagmay Yandoc,Dave Anderson. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: KR102051627B1. Автор: 김현우,이전일,고차원,김인성,우라자에브 블라디미르. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-12-03.

Semiconductor device manufacturing system and method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: KR20010090566A. Автор: 오가와스미오,하라신이찌,우에끼미노루. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2001-10-18.

Semiconductor device and the manufacturing method of the same

Номер патента: TW586156B. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: EP4131360A1. Автор: Shuichi Oka,Takahiro Igarashi,Hiroyuki Shigeta,Yuto Tanaka,Kousuke Seki,Hiizu Ohtorii,Kiwamu Adachi,Shun Mitarai,Naoki Kakoiyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190043813A1. Автор: BAEK Nam-Gyu,Cho Yun-Rae,KIM Sun-Dae,Baek Hyung-gil. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-02-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170317035A1. Автор: BAEK Nam-Gyu,Cho Yun-Rae,KIM Sun-Dae,Baek Hyung-gil. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-11-02.

Mechanisms for forming three-dimensional integrated circuit (3DIC) stacking structure

Номер патента: US9929050B2. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of forming package structure

Номер патента: US20150125995A1. Автор: Chia-Yen Lee,Hsin-Chang Tsai,Peng-Hsin Lee. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Composite Wafer, Semiconductor Device, Electronic Component and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190088550A1. Автор: von Koblinski Carsten,Lackner Gerald,Poelzl Martin,Mueller Jochen,Ganitzer Paul,Feil Thomas,Polster Tobias. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device cleaning agent and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP3264405B2. Автор: 哲男青山,里愛子中野,秀樹福田,日出人後藤. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2002-03-11.

Semiconductor device, memory system and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: KR101907693B1. Автор: 양현조. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2018-10-12.

Semiconductor device, metal member, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10199314B2. Автор: Makoto Isozaki,Rikihiro Maruyama,Kenshi KAI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-05.

Semiconductor device and manufacture method of the same

Номер патента: US10685917B2. Автор: Zhiqi Wang. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

Semiconductor device

Номер патента: US11869844B2. Автор: Hiroyuki Shinkai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device including through via and method of making

Номер патента: US20230343703A1. Автор: Chung-Hsing Wang,Chih-Liang Chen,Chih-Yu Lai,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240064975A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11832445B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A CORRESPONDING METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190035740A1. Автор: Sciarrillo Samuele,Venegoni Ivan,Colpani Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A CORRESPONDING METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190035741A1. Автор: Sciarrillo Samuele,Venegoni Ivan,Milanesi Francesca,Colpani Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

SEMICONDUCTOR DEVICES, SEMICONDUCTOR WAFERS, AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210035926A1. Автор: Liu Chia-Jung,Liu Chia-Ying,Huang Chi-Chih,YANG WU-ZANG. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

Method of forming a dielectric film

Номер патента: US5763021A. Автор: Andrew W. Young,Don D. Smith. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Semiconductor device tape carrier, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor module device

Номер патента: US20080061432A1. Автор: Kenji Toyosawa,Toshiharu Seko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device assemblies with coplanar interconnect structures, and methods for making the same

Номер патента: US20240071914A1. Автор: Thiagarajan Raman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20220157672A1. Автор: Takuya Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor apparatus, power module, and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US11848298B2. Автор: Yoshinori Yokoyama,Yuji Sato,Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US11984427B2. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device, package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20230057113A1. Автор: Ying-Ching Shih,Tsung-Fu Tsai,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor devices having electrically and optically conductive vias, and associated systems and methods

Номер патента: US20190198443A1. Автор: Mark E. Tuttle,Eiichi Nakano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor devices having electrically and optically conductive vias, and associated systems and methods

Номер патента: US20200126907A1. Автор: Mark E. Tuttle,Eiichi Nakano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor devices having electrically and optically conductive vias, and associated systems and methods

Номер патента: WO2019125528A1. Автор: Mark E. Tuttle,Eiichi Nakano. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device structure with bonding pad and method for forming the same

Номер патента: US20240170350A1. Автор: Shih-Wei Liang,Jiun-Yi Wu,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Contact formation through low-tempearature epitaxial deposition in semiconductor devices

Номер патента: US20190115347A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor device, package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20240014162A1. Автор: Ying-Ching Shih,Tsung-Fu Tsai,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device having a passivation layer and method of making

Номер патента: US20210265292A1. Автор: Yi-An Lin,C. C. Chang,Yu-Lung Shih,Alan KUO,Chao-Keng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device having a passivation layer and method of making

Номер патента: US12002771B2. Автор: Yi-An Lin,C. C. Chang,Yu-Lung Shih,Alan KUO,Chao-Keng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE, LEAD FRAME, AND METHOD OF MANUFACTURING LEAD FRAME

Номер патента: US20170084547A1. Автор: ITO Mami. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING TSV AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220173016A1. Автор: Kim Eun Ji,PARK Sang Jun,LIM Dong Chan,Park Kwang Wuk,Cho Sung Dong,Lee Hak Seung,Lee Dae Suk. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor Device, Semiconductor Component and Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20200111759A1. Автор: von Koblinski Carsten. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE ASSEMBLIES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20210143107A1. Автор: Jeon Oseob,IM Seungwon. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2021-05-13.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING CAPACITORS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170186752A1. Автор: CHOI Hoon-Sang,JEONG Hyeok-Jin,LIM Jung-Kun,TAK Young-Mo,HAN Sung-Kil. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

STACKED SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140284808A1. Автор: HASEBE Kazuhide,KUROKAWA Masaki,OBU Tomoyuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-09-25.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING CAPACITORS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190189615A1. Автор: CHOI Hoon-Sang,JEONG Hyeok-Jin,LIM Jung-Kun,TAK Young-Mo,HAN Sung-Kil. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING TSV AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200273780A1. Автор: Kim Eun Ji,PARK Sang Jun,LIM Dong Chan,Park Kwang Wuk,Cho Sung Dong,Lee Hak Seung,Lee Dae Suk. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE WIRING MEMBER AND METHOD FOR MANUFACTURING THEM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATE

Номер патента: US20170358477A1. Автор: KUBOTA Satoshi. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

CSP semiconductor device, semiconductor circuitry, and method of fabricating the CSP semiconductor device

Номер патента: DE102005004160B4. Автор: Gerhard Lohninger,Ulrich Dr. Krumbein. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor device wiring structure and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2985692B2. Автор: 邦子宮川. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-06.

Semiconductor device, semiconductor wafer, and methods of producing the same device and wafer

Номер патента: US20020127807A1. Автор: Tatsuya Usami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Stacked semiconductor device, and method and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: US9343292B2. Автор: Kazuhide Hasebe,Masaki Kurokawa,Tomoyuki OBU. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device, mounting substrate and method of manufacturing mounting substrate, circuit board, and electronic instrument

Номер патента: US8110245B2. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-02-07.

Semiconductor device substrate, semiconductor device wiring member and method for manufacturing same, and method for manufacturing semiconductor device using semiconductor device substrate

Номер патента: TW201635448A. Автор: Satoshi Kubota. Владелец: SH Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-01.

Method for simultaneous modification of multiple semiconductor device features

Номер патента: US10217704B1. Автор: Jeffry J. Sniegowski,Randy J. Shul,Kurt W. Larson,William A. Zortman. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor device including MEMS and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2060533B1. Автор: Tsukasa Fujimori,Yasushi Goto,Heewon JEONG,Kiyoko Yamanaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-06-04.

Semiconductor device, semiconductor package, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120175788A1. Автор: Takao Ochi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240153849A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Mirng-Ji Lii,Ting-Li Yang,Lung-Kai MAO,Fu-Wei LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device, package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20220359382A1. Автор: Sen-Kuei HSU,Hsin-Yu Pan,Yi-Che CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device, package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20210043564A1. Автор: Sen-Kuei HSU,Hsin-Yu Pan,Yi-Che CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Automatic guide vehicle, prodn. system of semiconductor device, and prodn. management method of semiconductor device

Номер патента: CN1498789A. Автор: 郎,大谷久,辻英一郎. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-26.

Group iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20110223701A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20170084556A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Yu Chen,An-Jhih Su,Cheng-Hsien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device having a passivation layer

Номер патента: US20190273056A1. Автор: Yi-An Lin,C. C. Chang,Yu-Lung Shih,Alan KUO,Chao-Keng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US20110221052A1. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-15.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US8110904B2. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-02-07.

Semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140054757A1. Автор: Takayuki Hirose,Toshiyuki Kojima,Norihito Tsukahara,Keiko Ikuta,Kohichi Tanda,Lianji Jin. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US20230352089A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: EP2873094A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-20.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: WO2014011638A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US10712499B2. Автор: Selaka Bandara Bulumulla,Tanya Andreeva ATANASOVA,Md Sayed Kaysar Bin Rahim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-14.

Semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US20200166704A1. Автор: Selaka Bandara Bulumulla,Tanya Andreeva ATANASOVA,Md Sayed Kaysar Bin Rahim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device including combed bond pad opening, assemblies and methods

Номер патента: US6232146B1. Автор: Warren M. Farnworth,Walter L. Moden,Larry D. Kinsman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-15.

Active protection circuits for semiconductor devices

Номер патента: US20230275042A1. Автор: Michael A. Smith,Kenneth W. Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device including combed bond pad opening, assemblies and methods

Номер патента: US20010050845A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor device integrating passive elements

Номер патента: US20140175607A1. Автор: Chih-Wei Chang,Jin-Chern Chiou,Tzu Sen Yang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor device integrating passive elements

Номер патента: US9147655B2. Автор: Chih-Wei Chang,Jin-Chern Chiou,Tzu Sen Yang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2015-09-29.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device and data storage system including a landing pad on an external side region of a bypass via

Номер патента: US12051664B2. Автор: Junyoung Choi,Moorym CHOI,Jungtae Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Wire bonded semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4163966A1. Автор: Zhijie Wang,Meng Kong Lye,You Ge. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-12.

Power semiconductor devices including multiple layer metallization

Номер патента: WO2024137213A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,III Thomas Edgar HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20120018762A1. Автор: Osamu Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-26.

Multilayer interconnection board, semiconductor device having the same, ane method of forming the same as well as method of mounting the semiconductor chip on the interconnection board

Номер патента: SG109434A1. Автор: HONDA Hirokazu. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-03-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20070216027A1. Автор: Ryuichi Okamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor device without limitation on insert orientation on board

Номер патента: US6417718B1. Автор: Akiko Ota. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-09.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, circuit board, and method of manufacturing circuit board

Номер патента: JP3420706B2. Автор: 純大森,寿巳江佐藤. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-30.

Semiconductor device, chip package and method of fabricating the same

Номер патента: TW200849539A. Автор: Ying-Lieh Chen,Chien-Ru Chen. Владелец: Himax Tech Ltd. Дата публикации: 2008-12-16.

Semiconductor device, chip package and method of fabricating the same

Номер патента: TWI365527B. Автор: Ying Lieh Chen,Chien Ru Chen. Владелец: Himax Tech Ltd. Дата публикации: 2012-06-01.

Semiconductor device, power converter, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200083127A1. Автор: Takahiro Nishimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Power semiconductor device with integrated current measurement

Номер патента: US20200363463A1. Автор: Anton Mauder,Wolfgang Raberg,Thomas Kimmer,Mitja Rebec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-11-19.

System and method for lead foot angle inspection using multiview stereo vision

Номер патента: WO2018203824A1. Автор: Kok Yeow Lim,Ruini CAO,Hak Wee Tang,Zin Oo THANT. Владелец: GENERIC POWER PTE LTD. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor Device Package Having Chip With Conductive Layer

Номер патента: US20100283139A1. Автор: Hung-Hsiang Cheng,Chih-Yi Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2010-11-11.

SEMICONDUCTOR DEVICES, SEMICONDUCTOR PACKAGES, AND METHODS OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190027450A1. Автор: MOON Kwang-Jin,LIM Dong-Chan,LEE Ho-Jin,Seo Ju-Bin,CHOI Ju-Il,FUJISAKI Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device, semiconductor chip, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170077060A1. Автор: Sachio Hayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

SEMICONDUCTOR DEVICES, SEMICONDUCTOR PACKAGES, AND METHODS OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190259718A1. Автор: MOON Kwang-Jin,LIM Dong-Chan,LEE Ho-Jin,Seo Ju-Bin,CHOI Ju-Il,FUJISAKI Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor devices, semiconductor packages, and method of manufacturing the Semiconductor devices

Номер патента: KR102420586B1. Автор: 문광진,임동찬,이호진,최주일,아츠시 후지사키,서주빈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-07-13.

Resin encapsulated semiconductor device with an electrically insulating support and distortion preventing member

Номер патента: US5471097A. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1995-11-28.

Semiconductor device, semiconductor chip, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9633969B2. Автор: Sachio Hayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of fabricating a freestanding semiconductor connection

Номер патента: CA1274880A. Автор: William M. Theisen,Charles D. Wiseman. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 1990-10-02.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120235291A1. Автор: Masayuki Uchida,Takashi Togasaki,Satoru Hara,Kentaro Suga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor device, power converter, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200083127A1. Автор: Takahiro Nishimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METAL MEMBER, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160343647A1. Автор: MARUYAMA Rikihiro,KAI Kenshi,ISOZAKI Makoto. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device, semiconductor chip mounting substrate, methods of manufacturing the device and substrate, adhesive, and adhesive double coated film

Номер патента: WO1998015975A1. Автор: Teiichi Inada,Kazunori Yamamoto,Yasushi Shimada,Yasushi Kumashiro,Hiroyuki Kuriya,Aizou Kaneda,Takeo Tomiyama,Yoshihiro Nomura,Yoichi Hosokawa,Hiroshi Kirihara,Akira Kageyama. Владелец: HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.. Дата публикации: 1998-04-16.

Semiconductor device, semiconductor chip mounting substrate, methods of manufacturing the device and substrate, adhesive, and adhesive double coated film

Номер патента: KR100483102B1. Автор: 야마모또，가즈노리,시마따，야스시,구마시로，야스시,이나다，데이찌,히로유끼 구리야,가네다，아이죠,다께오 도미야마,노무라，요시히로,호소까와，요이찌,기리하라，히로시,아끼라 가게야마. Владелец: 히다치 가세고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2005-04-14.

Semiconductor device, semiconductor chip mounting substrate, methods of manufacturing the device and substrate, adhesive, and adhesive double coated film

Номер патента: KR100507584B1. Автор: 야마모또，가즈노리,시마따，야스시,구마시로，야스시,이나다，데이찌,히로유끼 구리야,가네다，아이죠,다께오 도미야마,노무라，요시히로,호소까와，요이찌,기리하라，히로시,아끼라 가게야마. Владелец: 히다치 가세고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2005-08-10.

Semiconductor device, semiconductor module, and method of manufacturing the semiconductor module

Номер патента: US20070080438A1. Автор: Toshihiro Yamanaka,Hiroyuki Tsukamoto,Kiyoharu Kishimoto. Владелец: Hitachi Maxell Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Semiconductor device, semiconductor chip mounting substrate, methods of manufacturing the device and substrate, adhesive, and adhesive double coated film

Номер патента: TW422874B. Автор: Teiichi Inada,Kazunori Yamamoto,Yasushi Shimada,Aizou Kaneda,Hiroshi Kirihara. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210183822A1. Автор: MOON Kwang-Jin,LIM Dong-Chan,Kim Tae-Seong,LEE Dae-suk,Lee Hak-seung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-06-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200161277A1. Автор: MOON Kwang-Jin,LIM Dong-Chan,Kim Tae-Seong,LEE Dae-suk,Lee Hak-seung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device having high-voltage isolation capacitor

Номер патента: US20240063112A1. Автор: Jong Yeul Jeong,Kang Sup Shin,Jeong Ho SHEEN,Sang Geun KOO. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of bonding silicon to copper

Номер патента: US3651562A. Автор: Kenneth G Hambleton. Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 1972-03-28.

Radiation shielding of integrated circuits and multi-chip modules in ceramic and metal packages

Номер патента: AU5414696A. Автор: David J Strobel,David R Czajkowski. Владелец: Space Electronics Inc. Дата публикации: 1996-08-07.

Semiconductor device structure with bottom capacitor electrode having crown-shaped structure and interconnect portion and method for forming the same

Номер патента: US20220208955A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MODULE, AND METHOD OF OPERATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210011077A1. Автор: KAWANO Yoichi,Soga Ikuo. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2021-01-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150061073A1. Автор: RHEE Hwa-Sung,KIM Yoon-Hae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-03-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE ASSEMBLIES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20210066174A1. Автор: Jeon Oseob,IM Seungwon,KIM Jeungdae. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2021-03-04.

Printed circuit board, semiconductor device connection structure, and method of manufacturing a printed circuit board

Номер патента: US20140376202A1. Автор: Ryuichi Shibutani. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MODULE, AND METHOD OF OPERATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220413039A1. Автор: KAWANO Yoichi,Soga Ikuo. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2022-12-29.

Resin sealing type semiconductor device having outer leads designed for multi-functions

Номер патента: US5031024A. Автор: Shinjiro Kojima,Yoshimasa Kudo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-07-09.

Semiconductor device having capacitors and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040188747A1. Автор: Takashi Yoshitomi. Владелец: Takashi Yoshitomi. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device, multi-chip semiconductor device, device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP5682496B2. Автор: 正司竹中,克義山本,竹中　正司,山本　克義. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2775515A1. Автор: Takayuki Hirose,Toshiyuki Kojima,Norihito Tsukahara,Keiko Ikuta,Kohichi Tanda,Lianji Jin. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20030089974A1. Автор: Haruyuki Matsuo,Ryuuichi Ishii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Integrated circuit with guard ring structure

Номер патента: EP4362090A1. Автор: Mohammad Enamul Kabir,Keith Zawadzki,Kimberly Pierce,June CHOI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE, LAYOUT PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180269148A1. Автор: Huang Yung-Sheng,Lin Jian-Hong,Chang Hsin-Chun,LEE Hui,LEE Yung-Huei. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Packaging device for semiconductor die, semiconductor device incorporating same and method of making same

Номер патента: US20040262738A1. Автор: Cheng Tan,Kee Ng,Yew Kuan,Kong Lee,Gin Tan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Stress sensor for a semiconductor device

Номер патента: WO2016025146A1. Автор: Vidhya Ramachandran,Urmi Ray. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US20210280477A1. Автор: Mirng-Ji Lii,Mill-Jer Wang,Chi-Chang Lai,Tang-Jung CHIU,Chia-Heng TSAI,Weii LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Power Semiconductor Devices Including Multiple Layer Metallization

Номер патента: US20240213196A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,Thomas Edgar Harrington, III. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20220084899A1. Автор: Hiroki Shiota,Jun Okada,Tetsuo Motomiya,Kunihiko Tajiri,Kazutake Kadowaki,Hiroumi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device

Номер патента: US11972991B2. Автор: Hiroki Shiota,Jun Okada,Tetsuo Motomiya,Kunihiko Tajiri,Kazutake Kadowaki,Hiroumi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device socket, assembly and methods

Номер патента: US20010000304A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-04-19.

Electronic device and an operating method of the electronic device

Номер патента: US20240235222A9. Автор: Dongjoon Kim,Junhan BAE,Duseung OH,Woonhyung HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Optical semiconductor device, optical module, and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20180090910A1. Автор: Kouji Nakahara,Takeshi Kitatani. Владелец: Oclaro Japan Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Optical semiconductor device, optical unit, and method for manufacturing optical unit

Номер патента: US20230079029A1. Автор: Akira Higuchi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-03-16.

Electronic device and an operating method of the electronic device

Номер патента: US20240136834A1. Автор: Dongjoon Kim,Junhan BAE,Duseung OH,Woonhyung HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Terminal device and antenna manufacturing method of terminal device

Номер патента: EP4106101A1. Автор: BIN Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

Terminal device and antenna manufacturing method of terminal device

Номер патента: US20230246325A1. Автор: BIN Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080277694A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020135028A1. Автор: Akio Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120028455A1. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8440521B2. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-14.

Method of mounting semiconductor chips on a gold-coated surface

Номер патента: RU2714538C1. Автор: Александр Сергеевич Ионов,Нина Демьяновна Худякова,Татьяна Николаевна Забегина. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4075494A1. Автор: Tsuyoshi Watanabe. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-19.

Double etch stop layer to protect semiconductor device layers from wet chemical etch

Номер патента: US20210082866A1. Автор: Chen Yu Chen,Eugene Chen,Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Chuck assembly, semiconductor device fabricating apparatus including the same, and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220223452A1. Автор: Taemin EARMME,Seungchul Han,Youngjae Son,Guesuk Lee,Hyeongyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688863C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Integrated circuit chip programming apparatus

Номер патента: US20190162279A1. Автор: Chong-Yung Tsao. Владелец: Dediprog Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Methods of Manufacturing Semiconductor Devices and Optical Proximity Correction

Номер патента: US20120228743A1. Автор: Wai-Kin Li,O Seo Park. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor device fabrication system and method of forming semiconductor device pattern using the same, and photoresist for manufacturing semiconductor dev

Номер патента: GB9912579D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-07-28.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060108596A1. Автор: Yuji Abe,Toshiyuki Oishi,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7842962B2. Автор: Yuji Abe,Toshiyuki Oishi,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Etching solution, method for treating substrate with the etching solution, and method for manufacturing semicondutor device

Номер патента: US20240034933A1. Автор: Naoto Nomura,Manami OSHIO. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device, dicing saw and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20070164440A1. Автор: Takayuki Matsuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230005759A1. Автор: Tsuyoshi Watanabe. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160005665A1. Автор: Koji Saito,Masakatsu Suzuki,Mamoru Otake. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9293383B2. Автор: Koji Saito,Masakatsu Suzuki,Mamoru Otake. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

Semiconductor device having bit line expanding islands

Номер патента: US8704284B2. Автор: Kye-hee Yeom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20030107061A1. Автор: Hiroki Ootera. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device having bit line expanding islands

Номер патента: US20100295130A1. Автор: Kye-hee Yeom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150079762A1. Автор: Kazuyuki Nakagawa,Shunichi Abe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20200251358A1. Автор: Jinwoo Lee,Seung Min Shin,Yong Jun Choi,In Gi Kim,Seok Hoon Kim,Ji Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20200251358A1. Автор: CHOI Yong Jun,Kim Seok Hoon,LEE Jinwoo,Shin Seung Min,KIM In Gi,CHA Ji Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device, semiconductor chip and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US10103109B2. Автор: Hyung-Gil Baek,Yun-rae Cho,Sun-Dae KIM,Nam-Gyu BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-16.

Semiconductor device and related fabrication method

Номер патента: US20070190726A1. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Jai-Hyuk Song,Woon-kyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-16.

Constant current circuit, semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190302823A1. Автор: Yoshiki Makiuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Integrated circuit chip programming apparatus

Номер патента: US10612631B2. Автор: Chong-Yung Tsao. Владелец: Dediprog Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Semiconductor Device Including Trenches and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140151789A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Santos Rodriguez Francisco Javier,Wagner Wolfgang,Felsl Hans Peter,Gawlina Yvonne,Cotorogea Maria,Stegner Andre Rainer,Seibert Georg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-05.

CONSTANT CURRENT CIRCUIT, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190302823A1. Автор: MAKIUCHI Yoshiki. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device, communication system, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11381005B2. Автор: Hiroji Akahori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Method of mounting semiconductor device and system thereof, method of manufacturing semiconductor device isolator and IC card

Номер патента: KR100278137B1. Автор: 마코토 마츠오카,히토시 오다시마,가즈유키 후타기,도시미츠 나카가와,쇼지 나카쿠키. Владелец: 가나이 쓰도무. Дата публикации: 2001-01-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8120118B2. Автор: Takaaki Kawahara,Jiro Yugami,Shinsuke Sakashita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-21.

Method for manufacturing a semiconductor package and method for testing bonding strength of composite specimen

Номер патента: US20210098277A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Hui-Jung TSAI,Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Method for manufacturing a semiconductor package and method for testing bonding strength of composite specimen

Номер патента: US11335579B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Hui-Jung TSAI,Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-17.

Semiconductor device cu wiring and method for manufacturing the same

Номер патента: TW200839878A. Автор: Hirotaka Ito,Takashi Onishi,Masao Mizuno,Mikako Takeda. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2008-10-01.

Semiconductor device having a radio frequency circuit and a method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20200227309A1. Автор: Yakov Roizin,Alexey Heiman,Alex Sirkis. Владелец: Tower Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device, image scanner and method of manufacturing the same

Номер патента: DE69325065T2. Автор: Tetsuro Nakamura,Masahiro Nakagawa,Shinji Fujiwara,Eiichiro Tanaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-28.

Semiconductor device, electronic module, and method of manufacturing electronic module

Номер патента: CN1909224A. Автор: 浅川达彦. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-02-07.

Semiconductor device having capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: CN110649000A. Автор: 陈德安,吴伟成,邱德馨,林孟汉. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-03.

I/o circuit, semiconductor device, cell library, and method of designing circuit of semiconductor device

Номер патента: US20240119215A1. Автор: Kenichi Yoshimura,Hiromitsu Kimura,Tomokazu Okada,Yuji Kurotsuchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device adapted for polishing

Номер патента: US20010036735A1. Автор: Robert Rhoades. Владелец: Rodel Holdings Inc. Дата публикации: 2001-11-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD OF DICING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20200168556A1. Автор: YOON Jun-Ho,Kim Yun-Hee,Kim Yoon-Sung,Bae Byung-Moon,Sim Hyun-Su. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE LAYOUT STRUCTURE AND METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20230009090A1. Автор: Chen Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device having a semiconductor film of low oxygen concentration

Номер патента: US6100570A. Автор: Yutaka Saito. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-08-08.

Underfill of bumped or raised die using a barrier adjacent to the sidewall of semiconductor device

Номер патента: US5973404A. Автор: Salman Akram,James M. Wark. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-10-26.

Method for Manufacturing Planar Thin Packages for Semiconductor Devices and Planar Thin Packages

Номер патента: US20190135618A1. Автор: Indranil BOSE,Christof Landesberger. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2019-05-09.

Backplane, backlight source, display device and manufacturing method of backplane

Номер патента: US12057536B2. Автор: Ke Wang,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170069769A1. Автор: Yoshiaki Yamamoto,Tsuyoshi Horikawa,Tohru Mogami,Keiji Sakamoto,Keizo Kinoshita,Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

System and method of forming semiconductor devices

Номер патента: WO2012116324A9. Автор: Xin Xu,Stephen R. Forrest,Christopher Kyle RENSHAW. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-10-26.

System and method of forming semiconductor devices

Номер патента: WO2012116324A3. Автор: Xin Xu,Stephen R. Forrest,Christopher Kyle RENSHAW. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-12-13.

System and Method of Forming Semiconductor Device

Номер патента: US20170084666A1. Автор: Xin Xu,Stephen R. Forrest,Christopher Kyle RENSHAW. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-03-23.

Solder Bump Configurations in Circuitry and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20240178174A1. Автор: Anwar Hashmi. Владелец: Sonova AG. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device, semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050006762A1. Автор: Munehide Saimen. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor device including optical through via and method of making

Номер патента: US11754794B2. Автор: Hung-Yi Kuo,Chien-Te Wu,Tsung-Yuan Yu,Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan,Yu-Hao Chen,Chung-Ming Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: WO2023028412A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: EP4393014A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

System and method for forming solder bumps

Номер патента: WO2021018466A1. Автор: Jae-Woong Nah,Jeng-Bang Yau,Peter Jerome Sorce,Eric Peter Lewandowski. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device having capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: TW469600B. Автор: Toshinori Morihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-21.

Semiconductor device, liquid crystal module adopting same, method of manufacturing liquid crystal module, and electronic equipment adopting same

Номер патента: US7271860B2. Автор: Tomohiko Iwane,Kazuhiko Fukuta,Masahiko Monzen. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-09-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230111881A1. Автор: Seung Bum Hong,Ji Hoon An,Byung Sang Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device for image sensor

Номер патента: US20080211046A1. Автор: Dong-bin Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device formation substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110133185A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Process for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090148997A1. Автор: Kazuhiro Fukuchi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Method and apparatus for characterizing a semiconductor device

Номер патента: EP1208591A1. Автор: Gary Gene Putnam,Jennifer Meng-Tsu Cheng,Chin-Yang Sun. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-29.

Method for manufacturing semiconductor device capable of improving manufacturing yield

Номер патента: US20010049151A1. Автор: Yuji Kayashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device manufacturing system and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW201248763A. Автор: Takashi Shimizu,Hisashi Aikawa. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2012-12-01.

Semiconductor device testing apparatus and method for testing semiconductor device

Номер патента: TW538252B. Автор: Hiroyasu Nakayama. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2003-06-21.

Light-emitting device, method of manufacturing the same, and operating method of the same

Номер патента: US20220293880A1. Автор: Won-Joon SON,Sunghan Kim,Seungyeon Kwak,Kyuyoung HWANG,Hyeonho CHOI,Byoungki CHOI,Muhyun Baik,Seoungtae Kim,Seungyeol Baek,Jinhoon JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for extracting trap time constant of gate dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: US20160153923A1. Автор: Xing Zhang,Shaofeng Guo,Ru Huang,Runsheng Wang,Xiaobo JIANG,Pengpeng REN,Mulong LUO. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-02.

Electroless plating a nickle layer and a gold layer in a semiconductor device

Номер патента: US20110163454A1. Автор: Juan Alejandro Herbsommer,Osvaldo Lopez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Method, non-polar semiconductor device and its manufacturing method of the nonpolar gallium nitride-based semiconductor of manufacture

Номер патента: CN104205297B. Автор: 崔承奎,金材宪,郑廷桓. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-15.

Method of inspecting semiconductor wafer, inspection system for performing the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20200176292A1. Автор: Chihoon Lee,Younghoon Sohn,Yusin Yang,Sung Yoon Ryu,Souk Kim,Joonseo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Carrier tape system and methods of making and using the same

Номер патента: US20230340298A1. Автор: Jing Ruei Lu,Pei-Haw Tsao,Chen-Ming Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US20100322285A1. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US8215830B2. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor device, imaging apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160247847A1. Автор: Hirofumi Watanabe,Kazuhiro Yoneda,Katsuhiko Aisu,Yasukazu Nakatani,Yoshinori Ueda,Takaaki Negoro,Katsuyuki Sakurano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

RESIN COMPOSITION, SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140341242A1. Автор: Murayama Ryuichi,SHIMOBE Yasuo,Kanamori Naoya. Владелец: SUMITOMO BAKELITE CO., LTD.. Дата публикации: 2014-11-20.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING CAPACITOR AND METHODS OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200312952A1. Автор: LEE Hyunsuk,KANG SANGYEOL,CHO Gihee,KANG Jungoo. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE, COMMUNICATION SYSTEM, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200388932A1. Автор: AKAHORI Hiroji. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2020-12-10.

Resin composition, semiconductor device using same, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: CN103563063A. Автор: 下边安雄,村山龙一,金森直哉. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-05.

Semiconductor device, semiconductor device array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: CN1629706A. Автор: 川村哲也. Владелец: Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-22.

Resin composition, semiconductor device using same, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP2717304A4. Автор: Ryuichi Murayama,Yasuo Shimobe,Naoya Kanamori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-06.

Semiconductor device, semiconductor device formed body, and method of manufacturing the formed body

Номер патента: JP3395918B2. Автор: 文雄宮川,隆春宮本. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-14.

Semiconductor device, imaging apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW201703274A. Автор: 米田和洋,上田佳德,愛須克彥,中谷寧一,根來寶昭,櫻野勝之,渡邊博文. Владелец: 理光股份有限公司. Дата публикации: 2017-01-16.

Resin composition, semiconductor device using same, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: SG194849A1. Автор: Ryuichi Murayama,Yasuo Shimobe,Naoya Kanamori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2013-12-30.

Semiconductor devices and methods for producing the same

Номер патента: US11728620B2. Автор: Qing Wang,Chuni Ghosh,Guoyang Xu. Владелец: Princeton Optronics Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Methods of Integrated Chip of Ultra-Fine Pitch Bonding and Resulting Structures

Номер патента: US20240153901A1. Автор: CHEN CHEN,Yu-Hung Lin,Kuo-Chung Yee,Han-Jong Chia,Shih-Peng Tai,Wei-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor devices and methods for producing the same

Номер патента: EP3732707A1. Автор: Qing Wang,Chuni Ghosh,Guoyang Xu. Владелец: Princeton Optronics Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Module mounted with semiconductor device

Номер патента: US5949135A. Автор: Katsunori Ochi,Tetsuro Washida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

Temperature controller for semiconductor device

Номер патента: US4689659A. Автор: Hideo Watanabe. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1987-08-25.

Semiconductor device, semiconductor module, and method of manufacturing them

Номер патента: JP2011054788A. Автор: Takeshi Fukami,武志深見. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020064923A1. Автор: Tsunenori Yamauchi,Hiroshi Kaneta,Katsuhiro Homma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-30.

Prediction Of Semiconductor Device Performance

Номер патента: US20230268236A1. Автор: Vladimir Bulovic,Anthony T. TROUPE,Brandon T. MOTES,Dane William DEQUILETTES. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-08-24.

METHOD OF MOUNTING SEMICONDUCTOR CHIPS, SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED USING THE METHOD, METHOD OF CONNECTING SEMICONDUCTOR CHIPS, THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE IN WHICH WIRING IS PROVIDED ON ITS SURFACE, AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20130200522A1. Автор: YOSHIOKA Shingo,FUJIWARA Hiroaki. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-08-08.

Semiconductor device and its manufacturing method, connector for connecting semiconductor device to substrate and method for connecting semiconductor device to substrate

Номер патента: JP2002009235A. Автор: Takakazu Fukumoto,孝和福元. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-11.

Semiconductor device and semiconductor micro actuator, semiconductor micro valve and semiconductor micro relay using thereof, semiconductor device manufacturing method and manufacturing method of semiconductor micro actuator

Номер патента: KR100414513B1. Автор: 도모나리시게아끼,요시다히또시,가마꾸라마사나오,가와다히로시,사이또마사아끼,노부또끼가즈히로,오기하라준,나가오슈이찌. Владелец: 마츠시다 덴코 가부시키가이샤. Дата публикации: 2004-01-13.

Base body for optical semiconductor device lead frame, method for manufacturing base body for optical semiconductor device lead frame, optical semiconductor device lead frame using base body for optical semiconductor device lead frame, and method for manufacturing optical semiconductor device lead frame, and optical semiconductor device

Номер патента: WO2015029211A1. Автор: 鈴木　智,達也中津川,良聡小林,座間　悟,松田　晃. Владелец: 古河電気工業株式会社. Дата публикации: 2015-03-05.

p-type semiconductor, method for manufacturing the p-type semiconductor, semiconductor device, photovoltaic element, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6153895A. Автор: Takayuki Watanabe,Hiroshi Yoshida,Tetsuya Yamamoto. Владелец: Asahi Kasei Kogyo KK. Дата публикации: 2000-11-28.

Method and system of manufacturing slurry for polishing, and method and system of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: TW466128B. Автор: Katsuya Okumura,Yoshinori Yoshida. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2001-12-01.

Method of mounting semiconductor chips, semiconductor device obtained using the method, method of connecting semiconductor chips, three-dimensional structure in which wiring is provided on its surface, and method of producing the same

Номер патента: US8759148B2. Автор: Hiroaki Fujiwara,Shingo Yoshioka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Semiconductor device package

Номер патента: US20190288168A1. Автор: Sung Min Kong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Light sensing device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170186786A1. Автор: Sheng-Ren Chiu,Yu-Sheng Lin,Feng-Chia Hsu,Chun-Yin Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device having a butted contact, method of forming and method of using

Номер патента: US20210091091A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Hsun-Ying Huang,Chih-Ming Lee,You Che CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20230238405A1. Автор: Yusuke Otake,Toshifumi Wakano,Shohei SHIMADA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

System and method for forming solder bumps

Номер патента: GB2600623A. Автор: Yau Jeng-Bang,Nah Jae-Woong,Peter Lewandowski Eric,Jerome Sorce Peter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170018553A1. Автор: Lee Jun-noh,Park Joonsoo,KIM YOUNGKUK,KANG SANGYEOL,IM KiVin. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

METHOD OF MONITORING A SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION PROCESS AND METHOD OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20220068728A1. Автор: PARK Jitae,LEE YOUNGJOO,KANG TAEKYUN,GWAK DOO YOUNG,KIM Aekyung,BAE HYOWON,YOU KYUNGGON,IN Seongjin,HAN Sang Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor Device Including Capacitor and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20150076658A1. Автор: TAK Yong-Suk,Kim Wandon,Cho Kyuho,YANG Hyunjeong,Kwon Ohseong. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM, AND METHOD OF CONTROLLING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190140131A1. Автор: Waki Tsuyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device, semiconductor system and method of testing semiconductor device

Номер патента: US20160163607A1. Автор: Jin-Hee Cho,Sang-Mook OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING SILICIDE AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160197074A1. Автор: YOU Junggun,Lee ChoongHo,HSU WEI-HUA,LEE Hyungjong. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor Devices, Image Sensors, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150214267A1. Автор: SZE JHY-JYI,Tu Yeur-Luen,Wu Cheng-Ta,Wu Tung-Ting,HUANG Chih-Hui,Chen Sheng-Chau. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING CAPACITORS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160225845A1. Автор: Kim Ji-young,LEE Seung-Jun,Cho Young-Seung,SEO Jong-Bom,LEE Jun-Soo,JEONG Hoon,KIM Sung-eui,Kim Chan-Won. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR LASER, AND METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190393679A1. Автор: MURAYAMA Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Carrier of crystal of integrated circuit

Номер патента: RU2134466C1. Автор: А.И. Таран,В.К. Любимов. Владелец: Таран Александр Иванович. Дата публикации: 1999-08-10.

Semiconductor device, semiconductor pakage and method for menufacturing the semiconductor device and the semiconductor pakage

Номер патента: KR101579666B1. Автор: 정지영. Владелец: 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사. Дата публикации: 2015-12-22.

Semiconductor device having capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040155273A1. Автор: Masahiko Matsumoto,Takashi Yoshitomi. Владелец: Takashi Yoshitomi. Дата публикации: 2004-08-12.

Handlers for testing semiconductor devices that are capable of maintaining stable temperature in test environments

Номер патента: US7554349B2. Автор: Jun-Ho Lee,Jae-Il Lee,Do-young Kam,Seong-goo Kang,Ki-Sang Kang,Hyun-seop Shim,Ju-il Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-30.

Semiconductor device including nanocrystals and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2009103124A1. Автор: Paul Mulvaney,Benjamin Mashford. Владелец: THE UNIVERSITY OF MELBOURNE. Дата публикации: 2009-08-27.

Driving method and apparatus for a pnpn semiconductor device

Номер патента: US5153758A. Автор: Yoshiharu Tashiro,Kenichi Kasahara,Takahiro Numai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-10-06.

Semiconductor device, semiconductor laser, and method of producing a semiconductor device

Номер патента: US11121524B2. Автор: Masahiro Murayama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Semiconductor device testing contactor and method of manufacturing the same

Номер патента: JP4323055B2. Автор: 茂幸丸山,浩久松木. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-09-02.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: US11011668B2. Автор: Tsuyoshi Waki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-18.

Semiconductor Device for DRAM and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: KR20220153483A. Автор: 박인성,박영욱,김선용. Владелец: 박영욱. Дата публикации: 2022-11-18.

Semiconductor device having microstructure and method of manufacturing microstructure

Номер патента: US20070262306A1. Автор: Hiroyuki Hashimoto,Naoki Ikeuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor device, camera module, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110304003A1. Автор: Hideo Numata,Naoko Yamaguchi,Kazumasa Tanida,Satoshi Hongo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-15.

Photodetectors and semiconductor devices

Номер патента: US20210265513A1. Автор: Yusheng Bian,Ajey Poovannummoottil Jacob. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Dielectric, capacitor including dielectric, semiconductor device including dielectric, and method of manufacturing dielectric

Номер патента: US20210118980A1. Автор: Chan Kwak,Giyoung JO,Hyeoncheol PARK,Euncheol Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE, TFT SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND TFT SUBSTRATE

Номер патента: US20130248856A1. Автор: Nakazawa Makoto. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-09-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CAPACITOR AND METHOD OF FABRICATING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170098652A1. Автор: Im Ki-vin,Kang Sang-yeol,KIM Youn-soo,LIM Han-jin. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor device, card, system, and methods of initializing and checking the authenticity and the identify of the semiconductor device

Номер патента: US20050051351A1. Автор: Edwin Roks,Petra De Jongh,Robertus Wolters,Hermanus Peek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

Low-cost semiconductor device package and process

Номер патента: US4535350A. Автор: Gary B. Goodrich,Jadish G. Belani. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1985-08-13.

Semiconductor device

Номер патента: US10199085B2. Автор: Takao Nomura,Kazuki Fukuoka,Ryo Mori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Semiconductor device having capacitor and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US9716094B2. Автор: Han-jin Lim,Ki-Vin Im,Youn-Soo Kim,Sang-Yeol Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Method and apparatus for characterizing a semiconductor device

Номер патента: WO2001011680A1. Автор: Gary Gene Putnam,Jennifer Meng-Tsu Cheng,Chin-Yang Sun. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-02-15.

Process for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7776703B2. Автор: Kazuhiro Fukuchi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-17.

Method for evaluating semiconductor device

Номер патента: EP2290677A3. Автор: Masahiro Kato,Atsushi Yoshida,Shigekazu Komatsu,Mitsuyoshi Miyazono,Dai Shinozaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Package structure, display panel, display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190214597A1. Автор: Yunfei Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Display panel, display device, and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20210408501A1. Автор: Qing Zhang,Quanpeng YU. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for connecting a first integrated circuit device with a plurality of connection points to a second integrated circuit device

Номер патента: DE2961573D1. Автор: Kailash Chandra Joshi,Ronald Neil Spaight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-02-11.

Visible light communication device, display substrate, display device and manufacturing method of the display substrate

Номер патента: US20240244854A1. Автор: Rui Huang,Weijie Wang,Yujie Liu,Zhongyuan Sun,Renquan Gu,Biqi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Solid-state imaging device and information processing method of solid-state imaging device

Номер патента: EP3571835A1. Автор: Eiji Hirata,Yusuke Minagawa,Toru Akishita,Masafumi Kusakawa,Yoshinobu FURUSAWA,Taishin Yoshida,Ikuhiro Tamura,Takahiro Akahane,Marie Toyoshima,Tomohiro Morimoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-11-27.

Solid-state imaging device and information processing method of solid-state imaging device

Номер патента: US20190347963A1. Автор: Eiji Hirata,Yusuke Minagawa,Toru Akishita,Masafumi Kusakawa,Yoshinobu FURUSAWA,Taishin Yoshida,Ikuhiro Tamura,Takahiro Akahane,Marie Toyoshima,Tomohiro Morimoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Solid-state imaging device and information processing method of solid-state imaging device

Номер патента: WO2018135142A1. Автор: Eiji Hirata,Yusuke Minagawa,Toru Akishita,Masafumi Kusakawa,Yoshinobu FURUSAWA,Taishin Yoshida,Ikuhiro Tamura,Takahiro Akahane,Marie Toyoshima,Tomohiro Morimoto. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2018-07-26.

Fluid supply device and liquid discharge method of this device

Номер патента: US20200161147A1. Автор: Yukio Minami,Tsutomu Shinohara,Toshihide Yoshida. Владелец: Fujikin Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Resistor arrangement and method of use

Номер патента: US20130307663A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Alan Roth,Chien-Chung Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-21.

Separator including variable binder having size changed depending on ph and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230155245A1. Автор: Seung Hyun Lee,Je An Lee,Hye Jin Kwon,Kyung Ryun Ka. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Separator comprising variable binder having size varying according to ph and method for manufacturing separator therefor

Номер патента: EP4117103A1. Автор: Seung Hyun Lee,Je An Lee,Hye Jin Kwon,Kyung Ryun Ka. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-01-11.

Bipolar plate for fuel cell, method of manufacturing the bipolar plate, and fuel cell including the bipolar plate

Номер патента: US20110223522A1. Автор: Ji-Rae Kim,Kyoung-hwan Choi,Tae-won Song,Jung-Seok Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-15.

Field emission type electron source element, electron gun, cathode ray tube apparatus, and method for manufacturing cathode ray tube

Номер патента: US20040051461A1. Автор: Toru Kawase,Keisuke Koga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-18.

Magnetization device for an electron microscope and method

Номер патента: US20240258064A1. Автор: Helmut Soltner,Michael Schaaf,Amir Hossein Tavabi,Rafal Edward DUNIN-BORKOWSKI,Maximilian KRUTH. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device, battery pack, method of controlling semiconductor device, and control programs

Номер патента: US20240044990A1. Автор: Gen NAGASHIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE, COMMUNICATION SYSTEM, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170358867A1. Автор: AKAHORI Hiroji. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2017-12-14.

Controlled inductance device and method

Номер патента: EP1615243A3. Автор: Charles Watts,Lucian E. Scripca. Владелец: Pulse Engineering Inc. Дата публикации: 2009-05-13.

Multiplexer for SDFQ having differently-sized scan and data transistors, semiconductor device including same and methods of manufacturing same

Номер патента: US12099090B2. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Qingchao Meng,Huaixin XIAN,Changlin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20200388320A1. Автор: Soo Min Lee,Ki Hwan SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device including capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240292596A1. Автор: Jungmin Park,HyungSuk Jung,Hanjin Lim,Intak Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Network processing device and networks processing method of communication frames

Номер патента: EP3809639A1. Автор: Keiichiro Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-21.

Semiconductor device, clock circuit, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20220014191A1. Автор: Koji Kohara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device, communication systems and method for controlling the communication system

Номер патента: EP3678336A3. Автор: Keiichiro Sano,Jean Noel MOUTHE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-08-12.

Semiconductor device, communication systems and method for controlling the communication system

Номер патента: US20200213148A1. Автор: Keiichiro Sano,Jean Noel MOUTHE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: WO2014055271A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Michael Leidner,Eva HENSHEL,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics AMP GMBH. Дата публикации: 2014-04-10.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: EP2904883A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Michael Leidner,Eva HENSHEL,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-12.

Semiconductor device and power off method of a semiconductor device

Номер патента: US20230315179A1. Автор: Dae Hwan Kim,Young Hoon Lee,Ho-Yeon JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189136A1. Автор: Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device, semiconductor system, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20200041547A1. Автор: Akira Murayama,Kazuki Fukuoka,Toshifumi Uemura,Yuko Kitaji,Yosuke Okazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Device and transmission/reception method of figure of package data in mobile communication system

Номер патента: RU2349032C1. Автор: Хван-Дзоон КВОН,Дзунг-Соо ДЗУНГ,Беом-Сик БАЕ,Дае-Гиун КИМ,Йоун-Сун КИМ,Дзин-Киу ХАН,Донг-Хи КИМ,Ю-Чул КИМ,Дае-Гиун КИМ (KR),Дзин-Киу ХАН (KR),Хван-Дзоон КВОН (KR),Донг-Хи КИМ (KR),Дзунг-Соо ДЗУНГ (KR),Беом-Сик БАЕ (KR),Ю-Чул КИМ (KR),Йоун-Сун КИМ (KR). Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2009-03-10.

Semiconductor device and data outputting method of the same

Номер патента: US20090167413A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device, display apparatus, and driving method of semiconductor device

Номер патента: US20240188330A1. Автор: Susumu Kawashima,Tomoaki Atsumi,Hideaki Shishido,Koji KUSUNOKI,Motoharu Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device, semiconductor system, and control method of semiconductor device

Номер патента: US10033339B2. Автор: Hiroyuki Kuge. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-24.

Semiconductor device, communication systems and method for controlling the communication system

Номер патента: US11115235B2. Автор: Keiichiro Sano,Jean Noel MOUTHE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Semiconductor device, regulator circuit, and method for starting regulator circuit

Номер патента: US20240111321A1. Автор: Yoichi Fueki. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Communication device and call transfer method of same

Номер патента: US20130157635A1. Автор: Qiang You. Владелец: Futaihua Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Electronic device and an operating method of the electronic device

Номер патента: EP4358354A1. Автор: Dongjoon Kim,Junhan BAE,Duseung OH,Woonhyung HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-24.

Display device and haptic feedback method of the same

Номер патента: US11762469B2. Автор: Jung Hun NOH,Yi Joon Ahn,Ga Na KIM,Jae Been LEE,Eun Kyung Yeon,So Young YEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Display device and image display method of the same

Номер патента: EP3699902A1. Автор: Kwansik Yang,Kilsoo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-26.

Display device and visibility improvement method of image therefor

Номер патента: US20240274102A1. Автор: Ji Won Lee,Yong Hee Kim,Seung Hyun Lee,Hee Jin Lee,Jun Min Lee,Byung Cheol Song,Jun Ho HEO,Seung Wan Yu,Se Ha JEONG. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Display device and visibility improvement method of image therefor

Номер патента: EP4418254A1. Автор: Ji Won Lee,Yong Hee Kim,Seung Hyun Lee,Hee Jin Lee,Jun Min Lee,Byung Cheol Song,Jun Ho HEO,Seung Wan Yu,Se Ha JEONG. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Electronic device and harmonic control method of electronic device

Номер патента: US20240030960A1. Автор: Harksoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Camera device and auto-focusing method of varying focal length according to time variation

Номер патента: US20180097987A1. Автор: Kuo-Yeh Hsieh,Chung-Cheng CHENG. Владелец: Vivotek Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Camera device and auto-focusing method of varying focal length according to time variation

Номер патента: US10237471B2. Автор: Kuo-Yeh Hsieh,Chung-Cheng CHENG. Владелец: Vivotek Inc. Дата публикации: 2019-03-19.

Predictive coding method, predictive coding device and predictive coding method of motion vector and predictive decoding method, predictive decoding device and motion vector prediction decoding program

Номер патента: RU2731026C1. Автор: Чоонг Сенг БООН,Йосинори СУДЗУКИ,Акира ФУДЗИБАЯСИ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2020-08-28.

Electronic device and frame transmission method of electronic device

Номер патента: US11757789B2. Автор: Han-Yi Hung,Yi-Kuang Ko,Sheng-Pin Lin,Cheng-Yan Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Photographing device and self-adaptive method of software functions and photographing parameters thereof

Номер патента: EP4254973A1. Автор: Binbin Wang,Jun Hou,Yanli Huang. Владелец: Shenzhen Apeman Innovations Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Photographing device and self-adaptive method of software functions and photographing parameters thereof

Номер патента: US20230319389A1. Автор: Binbin Wang,Jun Hou,Yanli Huang. Владелец: Shenzhen Apeman Innovations Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Electronic device, system of electronic device, and system operating method of electronic device

Номер патента: US20200293262A1. Автор: Dae Won Kim,Ho Jung Lee,Young Seok Kim,Kee Hyun Nam,Hyoung Cheol Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Mobile communication device and computer-implemented method of operating a mobile communication device

Номер патента: CA3212739A1. Автор: Jeroen Frederik Jan Stoker,Timon van den Brink,Roland Matthijs Zonneveld. Владелец: Lyfo BV. Дата публикации: 2022-09-29.

Mobile communication device and computer-implemented method of operating a mobile communication device

Номер патента: AU2022245816A1. Автор: Jeroen Frederik Jan Stoker,Timon van den Brink,Roland Matthijs Zonneveld. Владелец: Lyfo BV. Дата публикации: 2023-09-28.

Mobile communication device and computer-implemented method of operating a mobile communication device

Номер патента: US20240056930A1. Автор: Jeroen Frederik Jan Stoker,Timon van den Brink,Roland Matthijs Zonneveld. Владелец: Lyfo BV. Дата публикации: 2024-02-15.

Wireless network system, wireless device, and network registration method of the wireless device

Номер патента: CA2824968C. Автор: Young-jun Choi,Seong-man Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Clamping device, electronic device and remote control method of electronic device

Номер патента: US20230362488A1. Автор: Chun-Wei Lu,Chi-Hwa Ho,Yea-Chin Yeh,Yi-Teng Tsai. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Induction heating device and vessel-sensing method of the induction heating device

Номер патента: US11672053B2. Автор: Shinjae Jeong. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-06-06.

Touch display device and touch driving method of same

Номер патента: US11768556B2. Автор: Jian Ye. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Image sensing device and image processing method of the same

Номер патента: US20230300481A1. Автор: Hee Kang,Chan Young Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Electronic device, and wireless communication method of electronic device

Номер патента: US20190246428A1. Автор: Soo-Jin Park,Su-Ha Yoon,Eui-Chang JUNG,Sung-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-08.

Image forming apparatus configured to partition menu information transmitted from a main device to a control device, control device, and screen display method of performing same

Номер патента: US10491763B2. Автор: Hisashi NAITOH. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

Projection device and safety protection method of projection device

Номер патента: US20240215133A1. Автор: Sheng-Han Yang,Yao Lei Huang. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Display device and image display method of display device

Номер патента: US20200059627A1. Автор: Keita SANO. Владелец: NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

External data-input device and speech inputting method of portable electronical device

Номер патента: US20030008678A1. Автор: Winky Lin. Владелец: Silitek Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240284671A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641849C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Integrated circuit module with devices interconnected by electromagnetic waves

Номер патента: WO1993012585A1. Автор: Sanjar Ghaem. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 1993-06-24.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100059731A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Semiconductor device and potential measurement device

Номер патента: EP3703256A1. Автор: Yuri Kato. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-09-02.

Apparatus and method of mobile media presentation portable electronic device

Номер патента: WO2009079283A1. Автор: Patrick Wright-Riley. Владелец: GENERAL INSTRUMENT CORPORATION. Дата публикации: 2009-06-25.

Apparatus and method of mobile media presentation portable electronic device

Номер патента: EP2225656A1. Автор: Patrick Wright-Riley. Владелец: Arris Technology Inc. Дата публикации: 2010-09-08.

Organic semiconductor compound, semiconductor device, solar cell and producing method of organic semiconductor compound

Номер патента: US8710263B2. Автор: YUKA Kobayashi,Kazuhiko Saigo. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2014-04-29.

Trim/test interface for devices with low pin count or analog or no-connect pins

Номер патента: US11705169B2. Автор: Rajat Chauhan,Divya Kaur,Rishav Gupta. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Delay locked loop circuit and semiconductor device having the delay locked loop circuit

Номер патента: US20110109357A1. Автор: Jun Bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-12.

Organic electroluminescence display device, method for producing same, color filter substrate and method for producing same

Номер патента: US20120012834A1. Автор: Tohru Sonoda,Emi Yamamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor device, memory cell and method of forming the same

Номер патента: US12041790B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yuan-Tien Tu,Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device, semiconductor system, and control method of semiconductor device

Номер патента: EP3301541B1. Автор: Akira Murayama,Kazuki Fukuoka,Toshifumi Uemura,Yuko Kitaji,Yosuke Okazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-06.

Information processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US11546485B2. Автор: Kenji Kuroishi,Tsutomu NAKAMINATO,Yuya Hirayama. Владелец: FUJIFILM BUSINESS INNOVATION CORP. Дата публикации: 2023-01-03.

Solid-state miniature atomic clock and methods of use

Номер патента: US20210074106A1. Автор: William D. Meadow,Michael T. Khbeis. Владелец: Locatorx Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Information processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20200288038A1. Автор: Kenji Kuroishi,Tsutomu NAKAMINATO,Yuya Hirayama. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Transponder key testing device and method of testing a transponder key

Номер патента: EP3005320A1. Автор: Gregory CHAMBERS,Simon Ashby. Владелец: ASHBY Simon. Дата публикации: 2016-04-13.

Method and System to Reduce Electromagnetic Radiation for Semiconductor Devices

Номер патента: US20100244928A1. Автор: Jim D. Childers,Kevin P. LAVERY,Praven P. Patel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Encoder, decoder and semiconductor device including the same

Номер патента: US20140317472A1. Автор: Joon-Woo Kim,Hong-Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Method and system to reduce electromagnetic radiation from semiconductor devices

Номер патента: US20090278568A1. Автор: Jim D. Childers,Pravin P. Patel,Kevin P. LAVERY. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-11-12.

Method for operating a power electronic converter device with floating cells

Номер патента: EP4085518A1. Автор: Tobias Geyer,Frederick Kieferndorf,Ioannis Tsoumas,Ralph Mario BURKART. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2022-11-09.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230225229A1. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240224513A1. Автор: Sang Bum Lee,Jong Hun Kim,Byung Wook Bae,Sang Hyon KWAK,Sang Hyuk NAM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Circuit Arrangement with a First Semiconductor Device and with a Plurality of Second Semiconductor Devices

Номер патента: US20150256163A1. Автор: Rolf Weis. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device, semiconductor module and method of manufacturing the same

Номер патента: TW201246461A. Автор: Young-Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-11-16.

Semiconductor device driving unit and method

Номер патента: EP2418774B1. Автор: Yoshinari Tsukada. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-27.

METHOD OF MOUNTING SEMICONDUCTOR CHIPS, SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED USING THE METHOD, METHOD OF CONNECTING SEMICONDUCTOR CHIPS, THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE IN WHICH WIRING IS PROVIDED ON ITS SURFACE, AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20140090876A1. Автор: YOSHIOKA Shingo,FUJIWARA Hiroaki. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

METHOD OF MOUNTING SEMICONDUCTOR CHIPS, SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED USING THE METHOD, METHOD OF CONNECTING SEMICONDUCTOR CHIPS, THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE IN WHICH WIRING IS PROVIDED ON ITS SURFACE, AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20140097004A1. Автор: YOSHIOKA Shingo,FUJIWARA Hiroaki. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-04-10.

Drive circuit of power semiconductor device

Номер патента: CA2734701C. Автор: Yasushi Nakayama,Ryosuke Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-02-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM, AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170212550A1. Автор: Lee Jae Gon,LEE MIN JOUNG,KWON SUK NAM. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM, AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170214480A1. Автор: Lee Jae Gon,LEE MIN JOUNG,KIM AH CHAN. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM AND METHOD OF OPERATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160226651A1. Автор: KIM CHIWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-08-04.

Resonator assembly, semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing resonator assembly

Номер патента: CN111865248B. Автор: 庞慰,杨清瑞,张孟伦. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-02.

Semiconductor device, semiconductor system and method of operating the semiconductor device

Номер патента: DE102017110823A1. Автор: Jae Gon Lee,AH Chan Kim,Min Joung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-26.

Method for producing protein semiconductor, protein semiconductor, method for producing p-n junction, p-n junction, method for producing semiconductor device, semiconductor device, electronic apparatus, and method for controlling conductivity type of protein semiconductor

Номер патента: JP2012248684A. Автор: 義夫後藤,Seiji Yamada,Yoshio Goto,Wei Luo,イラ,Yuichi Tokita,裕一戸木田,斉爾山田,Akira Nakamaru,啓中丸. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Resonator assembly, semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing resonator assembly

Номер патента: CN111865248A. Автор: 庞慰,杨清瑞,张孟伦. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-30.

Electronic device for selecting channel between electronic device and external electronic device on basis of characteristics of application, and operation method thereof

Номер патента: EP4398662A1. Автор: Sunkee LEE,Buseop Jung,Wonjun JANG,Hyejung BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Display panel, display device and display panel fabrication method

Номер патента: EP3694011A1. Автор: CHENG Chen,Kui Gong,Xianxue Duan,Dezhi Xu,Chengcheng Wang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Control device and control method of high voltage inverter

Номер патента: US20110050199A1. Автор: Jae Hyun Jeon. Владелец: LS Industrial Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-03.

Display panel, display device, and fabricating method of display panel

Номер патента: US20240251643A1. Автор: Yang Gao,Haowei Wang,Yuanming Zhang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC CIRCUIT, AND METHOD OF INSPECTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200072891A1. Автор: HENMI Kazuo,KATANO Ken. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Integrated circuit chip, information processing device, program module control method, information processing system and method

Номер патента: RU2530353C2. Автор: Хироказу СУГИЯМА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2014-10-10.

Semiconductor device, communication system, and method of charging the semiconductor device

Номер патента: US20110050165A1. Автор: Takeshi Osada,Takehisa Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-03.

Semiconductor device having DACs and method of testing such semiconductor device

Номер патента: US6667702B2. Автор: Jun Sasaki,Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-12-23.

Semiconductor device and drive recorder using same

Номер патента: US20100271509A1. Автор: Kyoji Marumoto,Yuji Kurotsuchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor device including power conversion and a drive recorder

Номер патента: US8421517B2. Автор: Kyoji Marumoto,Yuji Kurotsuchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-04-16.

System and method for solar photovoltaic water heater

Номер патента: WO2023199341A1. Автор: Vijay Vasant Deshpande. Владелец: Vijay Vasant Deshpande. Дата публикации: 2023-10-19.

Characteristic evaluation device and characteristic evaluation method of shaft coupling

Номер патента: US12021466B2. Автор: Takayuki Satomi,Taichi Sasaki,Ryuta Sato,Makoto TANIYAMA,Masaharu Hirosawa. Владелец: Miki Pulley Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Virtual reality device and operation method of virtual reality device

Номер патента: US20190158818A1. Автор: Chia-Wei Lin,Che-Chia HO. Владелец: Suzhou Raken Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Electronic device with movable sound source

Номер патента: US20240187784A1. Автор: Chih-Feng Ho. Владелец: Oxti Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US12029143B2. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Electronic device and image compression method of electronic device

Номер патента: US20200221103A1. Автор: Do-Han Kim,Chang-woo Lee,Jin-Min Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Electronic device for selecting channel between electronic device and external electronic device on basis of characteristics of application, and operation method thereof

Номер патента: US20240260021A1. Автор: Sunkee LEE,Buseop Jung,Wonjun JANG,Hyejung BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Non-transitory computer-readable medium, print image control device, and control method of print image control device

Номер патента: EP3715135A1. Автор: Takeshi Watanabe,Chisato Inoue. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Electronic device with movable sound source

Номер патента: AU2022283676A1. Автор: Chih-Feng Ho. Владелец: Oxti Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device verification system and method

Номер патента: US20040125675A1. Автор: Hong Kim,Ajaykumar Thadhlani. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor device fabrication mask and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110053058A1. Автор: Haruko Akutsu,Kyo Otsubo,Makiko Katano,Ayako Mizuno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-03.

Semiconductor device, photonic circuit and method for adjusting resonant wavelength of optical modulator

Номер патента: US20240248255A1. Автор: Stefan Rusu,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device test system and method

Номер патента: US20080246505A1. Автор: Carsten Ohlhoff,Markus Kollwitz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor device and temperature control method of semiconductor device

Номер патента: US20160266640A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Shuuji Matsumoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Heating element composition, and method and device of manufacturing eye mask pack

Номер патента: US20230277371A1. Автор: Sung Ryong YU,Ju Taek KIM. Владелец: Hummingavis Co ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device, semiconductor system, and method for use in operating the same based on operation mode information

Номер патента: US20160372171A1. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

System for designing a semiconductor device, device made, and method of using the system

Номер патента: US20140042585A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Antiretroviral cyclonucleoside compositions and methods and articles of manufacture therewith

Номер патента: WO2012100017A3. Автор: Jia GUO,Yuntao Wu,Todd W. HAWLEY. Владелец: Lentx, Inc.. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

System for designing a semiconductor device, device made, and method of using the system

Номер патента: US11914940B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

System for designing a semiconductor device, device made, and method of using the system

Номер патента: US20240193343A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Electronic device and attack detection method of electronic device

Номер патента: US12086240B2. Автор: Tadanobu Toba,Kenichi Shimbo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device simulation system and method

Номер патента: EP4312144A1. Автор: Jae Myung CHOE,Won Ik Jang,Sang Hoon Myung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-31.

Semiconductor device, memory system, and method of correcting duty cycle of output signal from semiconductor device

Номер патента: US11961586B2. Автор: Kensuke Yamamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device simulation system and method

Номер патента: US20240037307A1. Автор: Jae Myung CHOE,Won Ik Jang,Sang Hoon Myung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and self-diagnostic method of semiconductor device

Номер патента: US20220328123A1. Автор: Terunori Kubo,Hirotsugu Nakamura,Daisuke Katagiri. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Ultrasonic measuring device, and ultrasonic measuring method of flow rate

Номер патента: RU2488836C2. Автор: Торальф ДИЦ,Ларс ЭМИХЕН,Джон ЛЭНСИНГ. Владелец: ЗИК Энджиниринг ГмбХ. Дата публикации: 2013-07-27.

Semiconductor device manufacturing system and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20050095774A1. Автор: Masahiro Abe,Tatsuo Akiyama,Akira Ogawa,Shigeru Komatsu,Yukihiro Ushiku,Hidenori Kakinuma,Shunji Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor device, mobile apparatus, and method of controlling mobile apparatus

Номер патента: US20200387717A1. Автор: Keisuke Matsumoto,Remi MIYAMOTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device, semiconductor system, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20170177062A1. Автор: Hiroshi Ueki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device, control system, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20200073806A1. Автор: Toshiyuki Kaya,Shinichi Shibahara,Yuki Hayakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Lidar device and ranging adjustment method of the same

Номер патента: US20230350010A1. Автор: Changsheng GONG. Владелец: Suteng Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Medical device and computer-implemented method of predicting risk, occurrence or progression of adverse health conditions in test subjects in subpopulations arbitrarily selected from a total population

Номер патента: EP3695418A1. Автор: Luca Neri,Ulrich TSCHULENA,Francesco BELLOCCHIO,Carlo Barbieri,Wencke ARMSEN. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2020-08-19.

Image sensor, optical pointing device and motion calculating method of optical pointing device

Номер патента: US20050200600A1. Автор: Bang-Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-15.

Backflow prevention device of light metal injection device and backflow prevention method of light metal injection device

Номер патента: US20210379649A1. Автор: Tadashi Morikawa. Владелец: Sodick Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device, photonic circuit and method for adjusting resonant wavelength of optical modulator

Номер патента: US20230258860A1. Автор: Stefan Rusu,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device, semiconductor system and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11747853B2. Автор: Jae Gon Lee,AH Chan Kim,Ho Yeon Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device, photonic circuit and method for adjusting resonant wavelength of optical modulator

Номер патента: US11953720B2. Автор: Stefan Rusu,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Storage device and data processing method of storage device

Номер патента: EP2151784A3. Автор: Shin c/o Hitachi Ltd Intellectual Property Group Nishihara,Shuichi c/oHitachi Ltd. Intellectual Property Group Yagi,Yasuyuki c/oHitachi Ltd. Intellectual Property Group Nagasoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-03-09.

Storage device and an operating method of a storage controller

Номер патента: US20240264766A1. Автор: Sang Hoon YOO,Wan-soo Choi,Young Ick CHO,Young Sun YOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and read/write method of memory device

Номер патента: US12051392B2. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

A storage device and an operating method of a storage controller

Номер патента: EP4414852A1. Автор: Sang Hoon YOO,Wan-soo Choi,Young Ick CHO,Young Sun YOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Adhesive compositions and methods and articles of manufacture comprising same

Номер патента: US5942330A. Автор: Ronald J. Kelley. Владелец: Bostik Inc. Дата публикации: 1999-08-24.

Semiconductor device design system and method, and software product for the same

Номер патента: US20060190876A1. Автор: Kenta Yamada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor device, electronic control unit, verification method of electronic control unit and manufacturing method of electronic control unit

Номер патента: US11845387B2. Автор: Masayuki Daito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Radar device and data output method of radar device

Номер патента: EP4411416A1. Автор: Hirosada Miyaoka,Ryosuke Yamada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Electronic devices and corresponding hybrid methods of low light image enhancement

Номер патента: US12079973B2. Автор: Hong Zhao,Chao Ma,Zhicheng FU,Yunming Wang,Joseph Nasti. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Device with mechanical transmission first part shifted in mesh with mechanical transmission second, mainly, starter with gear to be engaged with ice flywheel rim, and method of control over said device

Номер патента: RU2448270C2. Автор: Клаус ХЕЙЕРС,Цзи ГЭ,Апостолос ТСАКИРИС,Йохен ХОЙЗЕЛЬ,Мартин НОЙБУРГЕР. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2012-04-20.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: EP2844891A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-11.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: US20150126327A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-07.

Machine learning device and maching learning method of machine learning device

Номер патента: US20190370661A1. Автор: Namyeong Kwon,Hayoung JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor integrated circuit which generates different voltages based on an external power supply voltage and a generating method of the different voltages

Номер патента: US20060087366A1. Автор: Masakuni Kawagoe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-27.

Highly custom and scalable design system and method for articles of manufacture

Номер патента: WO2019067629A1. Автор: Christopher Gregory Barnes,Ryan Lynn Belcher,Wayne Alexander McMann. Владелец: Siege Tek Llc. Дата публикации: 2019-04-04.

Continuous-cast slab, method and apparatus of manufacturing the same, and method and apparatus of manufacturing thick steel plate

Номер патента: CA2973075C. Автор: Toshiaki Mizoguchi,Hiroaki Uchiyama,Shinji Nagai,Hideaki Sakurai,Daisuke Sakai,Shuntaro Imai,Ryousuke TAKATA. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Fabric for an architectural covering and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CA2174915C. Автор: Paul G. Swiszcz,Wendell B. Colson,Ricardo Ramirez,Dwight Greenough. Владелец: HUNTER DOUGLAS INC. Дата публикации: 1999-06-15.

Rack-mounted column, pouring device and temperature control method of drink

Номер патента: RU2493509C2. Автор: Барт Ян Бакс. Владелец: Хейнекен Сеплай Чейн Б.В.. Дата публикации: 2013-09-20.

Magnetic field sensing device and a fabricating method of the same

Номер патента: US7338816B2. Автор: Kyung-Won Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-04.

Electronic device and screen display method of electronic device

Номер патента: US20210132790A1. Автор: Daehyun Kim,Soyoung KIM,Geon-soo Kim,Minsik Kim,Hyun-Suk Choi,Ji-Woo LEE,Jongmoo Lee,Jin-Wan An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Electronic device and operation control method of electronic device

Номер патента: US20190156746A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Seung-jae Lee,Young-Do Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Hydraulic control device and hydraulic control method of transmission

Номер патента: US20190285171A1. Автор: Kohei Sakai,Norihiro Akiyoshi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Vehicle control device and data adjustment method of database

Номер патента: US20230365142A1. Автор: Takashi Okada,Yuuki Okuda. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Portable device and electronic payment method of portable device

Номер патента: US20170293909A1. Автор: Young-Kyoo Kim,Nalin Chakoo,Seungdoo CHOI,Hyeseon SONG,Chaekyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-12.

Braking control device and braking control method of construction machine

Номер патента: US11773568B2. Автор: Kwangseok PARK,Yeonhaeng HEO,Gyuhong PARK. Владелец: Doosan Infracore Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Lidar device and ranging adjustment method of the same

Номер патента: US20230400577A1. Автор: Changsheng GONG. Владелец: Suteng Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Source device and power control method of source device

Номер патента: US11886265B2. Автор: Zhenliu LI. Владелец: Sharp NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Portable device and electronic payment method of portable device

Номер патента: EP3440610A1. Автор: Young-Kyoo Kim,Nalin Chakoo,Seungdoo CHOI,Hyeseon SONG,Chaekyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-13.

Braking control device and braking control method of construction machine

Номер патента: EP3736383A2. Автор: Kwangseok PARK,Yeonhaeng HEO,Gyuhong PARK. Владелец: Doosan Infracore Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Game platform for mobile devices and a related method of operating a game platform

Номер патента: WO2020012450A3. Автор: Travis George BULFORD,Konstantinos TZINGAKIS. Владелец: Celestial Electronic Entertainment (Pty) Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory Device and Read/Write Method of Memory Device

Номер патента: US20220199053A1. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Medical device and computer-implemented method of predicting risk, occurrence or progression of adverse health conditions in test subjects in subpopulations arbitrarily selected from a total population

Номер патента: WO2019072692A1. Автор: Luca Neri,Ulrich TSCHULENA,Francesco BELLOCCHIO,Carlo Barbieri,Wencke ARMSEN. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2019-04-18.

Image processing device and image processing method of generating layout including multiple images

Номер патента: US20240202868A1. Автор: Chia-Wei Hsiao. Владелец: Aspeed Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory controller, a storage device, and an operating method of the storage device

Номер патента: US20240069790A1. Автор: Dongwoo Shin,Hyojin AHN,Seoyeong Lee,Changjun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Displacement measuring device and speed measuring method of drilling traction robot

Номер патента: US11781420B2. Автор: Jianguo Zhao,Guorong Wang,Qingyou Liu,Haiyan ZHU. Владелец: Chengdu Univeristy of Technology. Дата публикации: 2023-10-10.

Hydraulic control device and hydraulic control method of transmission

Номер патента: US10533660B2. Автор: Masayoshi Iwata. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Display device and image display method of multi-monitor system

Номер патента: US20210407374A1. Автор: Daisuke Moriwaki. Владелец: Sharp NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Flexible display device and deformation compensation method of flexible display screen

Номер патента: US20190302848A1. Автор: WEN Han,Rong MA. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Read/write device, and format management method of read/write device

Номер патента: US20060047898A1. Автор: Hitoshi Ogawa,Terumi Takashi,Yoshiteru Ishida. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2006-03-02.

Electronic Devices and Corresponding Hybrid Methods of Low Light Image Enhancement

Номер патента: US20230036222A1. Автор: Hong Zhao,Chao Ma,Zhicheng FU,Yunming Wang,Joseph Nasti. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2023-02-02.

Displacement measuring device and speed measuring method of drilling traction robot

Номер патента: US20220307367A1. Автор: Jianguo Zhao,Guorong Wang,Qingyou Liu,Haiyan ZHU. Владелец: SOUTHWEST PETROLEUM UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-29.

Memory device and an operating method of a memory device

Номер патента: US20210050066A1. Автор: Jun Hyuk Lee,Yong Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Hydraulic control device and hydraulic control method of transmission

Номер патента: US20180313446A1. Автор: Masayoshi Iwata. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Data Driving Device and Panel Driving Method of Data Driving Device

Номер патента: US20220189374A1. Автор: Hyun Woo Jeong. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Electronic device and copyright protection method of audio data thereof

Номер патента: US9196259B2. Автор: Chun-Te Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Cemented metal tip and method of its manufacture

Номер патента: RU2104826C1. Автор: Гото Мицухиро,Кукино Сатору,Кикутани Кенити,Накаи Тецуо. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. Дата публикации: 1998-02-20.

Semiconductor device and method for testing the same

Номер патента: US20090212811A1. Автор: Masao Iruka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Device and method for marking application

Номер патента: RU2715462C1. Автор: Сергей Александрович Павлов,Алексей Васильевич Лежнев,Александр Леонидович Рощин,Омар Ахмедович Омаров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Флуоресцентные информационные технологии». Дата публикации: 2020-02-28.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160055913A1. Автор: Hee Youl Lee,Kyung Sik Mun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor devices including an external power voltage control function and methods of operating the same

Номер патента: US7230475B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Kwang-Sook Noh,Beob-Rae Cho,Mi-Jo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-12.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Supply voltage distribution system with reduced resistance for semiconductor devices

Номер патента: US20120081987A1. Автор: Donghyun Seo,Jaeyong Cha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-05.

System and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US20010054710A1. Автор: Masahiro Tanaka,Isao Asaka,Shigeru Takada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Testing apparatus and method for testing a semiconductor devices array

Номер патента: US20100156452A1. Автор: Chih Hui YEH. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Method of manufacturing optical device having array of reflective units on optical element surfaces

Номер патента: US12013540B2. Автор: Jeong Hun Ha. Владелец: LetinAR Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Cartridge, components and methods of the inhaled environment generating

Номер патента: RU2664376C1. Автор: Колин ДИККЕНС,Доминик ТЁРНЕР. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2018-08-16.

Lithographic template and method of formation and use

Номер патента: US20020142229A1. Автор: Doug Resnick,Kevin Nordquist. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-10-03.

Method of designing semiconductor device integrated circuit and layout thereof

Номер патента: US20240169138A1. Автор: Sunghoon Kim,Kiwon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

An air quality monitoring device and associated method of manufacturing

Номер патента: EP4332568A1. Автор: Rahul AVASTHI. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Orthodontic device and method for treating malocclusions

Номер патента: US20130101952A1. Автор: Kevin Corcoran,Hamid Sheikh,Dwight Damon. Владелец: Ormco Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Device and method of washing cylinder head channels

Номер патента: RU2692354C1. Автор: Дэминь ЦЗОУ,Цзябинь ТАНЬ. Владелец: Гуанси Юйчай Машинери Груп Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-06-24.

System and method for accelerated degradation testing of semiconductor devices

Номер патента: US5381103A. Автор: John A. Edmond,Calvin H. Carter, Jr.,Douglas A. Asbury,Douglas G. Waltz. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1995-01-10.

Semiconductor device, driver ic, and electronic device

Номер патента: US20180211595A1. Автор: Kei Takahashi,Roh YAMAMOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Apparatus and method for identifying proper orientation and electrical conductivity between a semiconductor device and a socket or contactor

Номер патента: US20080218174A1. Автор: James Barnett,Carlos Cisneros,Charles Engle,Maria Evans. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Sequence circuit and semiconductor device using sequence circuit

Номер патента: EP1204119A3. Автор: Masaharu Wada,Atsushi c/o Fujitsu Limited Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-04.

Microfluidic devices and methods for the development of neural tube-like tissues or neural spheroids

Номер патента: EP4240279A1. Автор: Jianping Fu,Xufeng XUE,Huaijing TANG. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-09-13.

Device and method for suppressing hydrocarbon-discharge for vehicle

Номер патента: EP1223324A3. Автор: Makoto c/oToyota Jidosha K.K. Yamazaki,Takashi c/oToyota Jidosha K.K. Suzuki,Masaki c/oToyota Jidosha K.K. Kusada. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2004-04-21.

Microfluidic devices and methods for the development of neural tube-like tissues or neural spheroids

Номер патента: US20240060039A1. Автор: Jianping Fu,Xufeng XUE,Huaijing TANG. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-02-22.

Drive circuit for MEMS device and method of operation thereof

Номер патента: US6781743B2. Автор: Marek M. Furyk,Khanh C. Nguyen,Andrew P. Sabol,Xiaoqing Yin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2004-08-24.

Drive circuit for mems device and method of operation thereof

Номер патента: US20040070812A1. Автор: Khanh Nguyen,Marek FURYK,Xiaoqing Yin,Andrew Sabol. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Apparatus and method capable of removing duplication write of data in memory

Номер патента: US10460774B2. Автор: Dong-Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-29.

Apparatus for testing semiconductor device

Номер патента: US11585848B1. Автор: Ji Man PARK,Jong Kyoung Shin. Владелец: EXICON Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Semiconductor device defect monitoring

Номер патента: US20150042371A1. Автор: Kelly Malone,Brian L. Walsh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor device and method of operating the same capable of preventing malfunction during read operation

Номер патента: US20240177748A1. Автор: Byung Goo CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Display substrate, display device and method for manufacturing display substrate

Номер патента: US20210278718A1. Автор: Bin Peng,Zhijun Xu,Yongan FENG,Daoping YU,Chengming WEI. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Temperature control device, system comprising a temperature control device, and method of changing an operating state of an electronic component

Номер патента: US20240183565A1. Автор: Lars Zimmermann,Simon Struck-Süßmeier. Владелец: Truma Qeraetechnik & Co Kg GmbH. Дата публикации: 2024-06-06.

Safety support device and method of using

Номер патента: US6905174B1. Автор: Lanny R. Gilbertson,Marcine L. Gilbertson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-14.

Drug delivery device and method for operating a drug delivery device

Номер патента: US20240269390A1. Автор: Oliver Charles Gazeley,Prasannah Nanayakkara,Matthew Meredith Jones. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus and method for enhanced critical dimension scatterometry

Номер патента: WO2006091783A1. Автор: Chris Raymond,Steve Hummel. Владелец: Accent Optical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2006-08-31.

Apparatus and method for enhanced critical dimension scatterometry

Номер патента: US7615752B2. Автор: Chris Raymond,Steve Hummel. Владелец: Nanometrics Inc. Дата публикации: 2009-11-10.

Apparatus and method for enhanced critical dimension scatterometry

Номер патента: US20060289789A1. Автор: Chris Raymond,Steve Hummel,Sean Liu. Владелец: Accent Optical Technologies Inc. Дата публикации: 2006-12-28.

Blow molded container and method of forming the same

Номер патента: US4496064A. Автор: Suppayan M. Krishnakumar,Martin H. Beck. Владелец: Continental Group Inc. Дата публикации: 1985-01-29.

Semiconductor Device and Method For Preventing Attacks on the Semiconductor Device

Номер патента: US20090049548A1. Автор: Soenke Ostertun,Joachim Christoph Hans Garbe. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-02-19.

Press device with an extended nip, a paper making machine and a method of operating a press device

Номер патента: US20140000829A1. Автор: Karl-Johan Tolfsson,Mats Görrel. Владелец: METSO PAPER SWEDEN AB. Дата публикации: 2014-01-02.

Storage device with variable cell area size and operating method thereof

Номер патента: US20240272816A1. Автор: YoungMin Lee,Gyuseok Choe,Myungsub SHIN,Seongyong JANG,Seongheum BAIK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

A press device with an extended nip, a paper making machine and a method of operating a press device

Номер патента: EP2675949A1. Автор: Karl-Johan Tolfsson,Mats Görrel. Владелец: METSO PAPER SWEDEN AB. Дата публикации: 2013-12-25.

Wearable biosignal interface and method thereof

Номер патента: US20190171288A1. Автор: Seung Keun Yoon,Chang Mok Choi,Sang Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Cooling method of power semiconductor devices

Номер патента: RU2710025C2. Автор: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Владелец: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Дата публикации: 2019-12-24.

Socket board and method for inspecting a semiconductor device

Номер патента: US20240094244A1. Автор: Soichiro Ibaraki,Tsunehiro Kita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Simulation system for a cylindrical 3-dimensional semiconductor device using a hybrid mesh and method thereof

Номер патента: US20240070360A1. Автор: Sung Min Hong,Geon-Tae JANG. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-02-29.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film and pattern forming method using the same, manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2013180314A1. Автор: Hideaki Tsubaki,Hiroo Takizawa,Takeshi Kawabata,Natsumi YOKOKAWA. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2013-12-05.

Dry physiological recording device and method of manufacturing

Номер патента: US11950912B1. Автор: Brian M Kolkowski,Frederick J Lisy,Mark Pennington. Владелец: Orbital Research Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device simulation system and semiconductor device simulation method

Номер патента: US20230130199A1. Автор: Sung Min Hong. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-04-27.

Apparatus for inspecting semiconductor device and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US20220065802A1. Автор: Toshihisa Fujiwara,Nobuhito KUGE,Yui FUJIWARA,Chisaki USUI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device testing apparatus and method

Номер патента: TW200428002A. Автор: Burnell G West. Владелец: Nptest Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

Time device with mechanism for indicating proximity of mars during period of perihelic opposition of mars

Номер патента: RU2747911C1. Автор: Константин Юрьевич Чайкин. Владелец: Константин Юрьевич Чайкин. Дата публикации: 2021-05-17.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20160372178A1. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Valve Device for a Steering Device of a Vehicle, Steering Device and Method and Control Device for Controlling a Valve Device

Номер патента: US20240124054A1. Автор: Bernhard Miller. Владелец: Knorr Bremse Systeme fuer Nutzfahrzeuge GmbH. Дата публикации: 2024-04-18.

Display device with duty cycle control and driving method thereof

Номер патента: US12046188B2. Автор: Tae Gung Kim,Dae Sung Park,Jae Yeong Go. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated circuit capable of pre-fetching data

Номер патента: US20080133463A1. Автор: Michael A. Rothman,Vincent J. Zimmer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Integrated circuit capable of pre-fetching data

Номер патента: EP1738252A2. Автор: Vincent Zimmer,Michael Rothman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM, AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200388320A1. Автор: LEE Soo Min,Seong Ki Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device, semiconductor system and method of operating the semiconductor device

Номер патента: DE102017110582A1. Автор: Jae Gon Lee,AH Chan Kim,Ho Yeon Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Mechanism for facilitating modular processing cell framework and application for asynchronous parallel singulated semiconductor device handling and testing

Номер патента: US20140184255A1. Автор: John C. Johnson,Todd P. Albertson,Eric J. Moret,Robert W. Edmondson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20100322021A1. Автор: Ho-Young Kim,Ho-Cheol Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-23.

Component of musical instrument, musical instrument and production method of the same

Номер патента: US20070044631A1. Автор: Junji Fujii,Hiroyasu Abe. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20120188834A1. Автор: Ho-Young Kim,Ho-Cheol Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-26.

Radiation detector, method and apparatus of manufacturing the same, scintillator panel and method and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: US20210190976A1. Автор: Hiroshi Horiuchi,Atsuya Yoshida. Владелец: Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Paved surface configured for reducing tire noise and increasing tire traction and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: US20070025814A1. Автор: Paul Woodruff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-01.

A semiconductor device, a driver circuit, a display device, a liquid display device, and a driving method of the semiconductor device

Номер патента: KR101282818B1. Автор: 아츠시 우메자키. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2013-07-05.

Номер патента: RU2522182C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-07-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC LAYER, CMOS INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130105905A1. Автор: JI Yun-Hyuck,KIM Beom-Yong,LEE Seung-Mi. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-02.

Method of producing norbornene-substituted cyclopropane fullerene derivatives and polymers based thereon

Номер патента: RU2579148C1. Автор: Ахат Газизьянович Мустафин,Раиса Зигандаровна Биглова,Юлия Николаевна Биглова,Мансур Сагарьярович Мифтахов,Владимир Владимирович Михеев,Седа Арамовна Торосян,Вадим Венерович Загитов,Фануза Арслановна Гималова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Башкирский государственный университет". Дата публикации: 2016-04-10.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, EPITAXIAL SUBSTRATE, AND METHOD OF FABRICATING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120086015A1. Автор: Akita Katsushi,UENO Masaki,ENYA Yohei,Yoshizumi Yusuke,Kyono Takashi,Sumitomo Takamichi,Nakamura Takao. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-12.

GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, EPITAXIAL SUBSTRATE, AND METHOD OF FABRICATING GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Akita Katsushi,UENO Masaki,ENYA Yohei,Yoshizumi Yusuke,Kyono Takashi,Sumitomo Takamichi,Nakamura Takao. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device with inorganic coating layer, integrated circuit chip with this semiconductor device and method of manufacturing this semiconductor device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты