制造发光装置的方法
Номер патента: CN100438088C
Опубликовано: 26-11-2008
Автор(ы): 石崎顺也
Принадлежит: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 26-11-2008
Автор(ы): 石崎顺也
Принадлежит: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Group iii nitride light-emitting device, group iii nitride epitaxial wafer, and method for producing group iii nitride light-emitting device
Номер патента: EP4401158A1. Автор: Takao Nakamura,Hideto Miyake,Kenjiro Uesugi. Владелец: Mie University NUC. Дата публикации: 2024-07-17.