METHOD FOR DESIGNING THREE DIMENSIONAL METAL LINES FOR ENHANCED DEVICE PERFORMANCE
Номер патента: US20220139783A1
Опубликовано: 05-05-2022
Автор(ы): Fulford H. Jim, Gardner Mark I.
Принадлежит: TOKYO ELECTRON LIMITED
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-05-2022
Автор(ы): Fulford H. Jim, Gardner Mark I.
Принадлежит: TOKYO ELECTRON LIMITED
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
For the method for being embedded to the three dimensional NAND equipment comprising support base structure of source electrode line and manufacturing it
Номер патента: CN108140643A. Автор: 张彤,张艳丽,J.刘,J.阿尔斯梅尔,J.卡伊. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-08.