Epitaxial Monocrystalline Channel for Storage Transistors in 3-Dimensional Memory Structures and Methods for Formation Thereof
Номер патента: US20200098789A1
Опубликовано: 26-03-2020
Автор(ы): Chien Wu-Yi Henry, Harari Eli, Hu Chenming
Принадлежит: SUNRISE MEMORY CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 26-03-2020
Автор(ы): Chien Wu-Yi Henry, Harari Eli, Hu Chenming
Принадлежит: SUNRISE MEMORY CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Epitaxial Monocrystalline Channel for Storage Transistors in 3-Dimensional Memory Structures and Methods for Formation Thereof
Номер патента: US20200098789A1. Автор: Chenming Hu,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-26.