液浸用上層膜形成組成物およびフォトレジストパターン形成方法
Номер патента: JP2010211226A
Опубликовано: 24-09-2010
Автор(ы): Atsushi Nakamura, Daiki Nakagawa, Hiroaki Nemoto, Takashi Chiba, Tomohiro Uko, Toru Kimura, Yukio Nishimura, 友広 宇高, 大樹 中川, 宏明 根本, 幸生 西村, 徹 木村, 敦 中村, 隆 千葉
Принадлежит: JSR Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-09-2010
Автор(ы): Atsushi Nakamura, Daiki Nakagawa, Hiroaki Nemoto, Takashi Chiba, Tomohiro Uko, Toru Kimura, Yukio Nishimura, 友広 宇高, 大樹 中川, 宏明 根本, 幸生 西村, 徹 木村, 敦 中村, 隆 千葉
Принадлежит: JSR Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Material for forming resist protective film for use in liquid immersion lithography process and method for forming resist pattern using the protective film
Номер патента: US7846637B2. Автор: Kazumasa Wakiya,Masaaki Yoshida,Kotaro Endo,Keita Ishizuka. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-07.